JPS60772B2 - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS60772B2 JPS60772B2 JP5664280A JP5664280A JPS60772B2 JP S60772 B2 JPS60772 B2 JP S60772B2 JP 5664280 A JP5664280 A JP 5664280A JP 5664280 A JP5664280 A JP 5664280A JP S60772 B2 JPS60772 B2 JP S60772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure cvd
- reaction tube
- joint
- low pressure
- cvd equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は減圧ＣＶＤ装置に関し、特にドーパントガス
導入配管の継手部分からの水分の浸入を阻止した減圧Ｃ
ＶＤ装置に係わる。
導入配管の継手部分からの水分の浸入を阻止した減圧Ｃ
ＶＤ装置に係わる。
ＣＶＤ装置においては、反応管内に配管を通してシラン
、ジクロールシランガスなどを導入供給し、反応管内に
装入したシリコンウェハ面にシリコン膜などを生成させ
るようにしている。
、ジクロールシランガスなどを導入供給し、反応管内に
装入したシリコンウェハ面にシリコン膜などを生成させ
るようにしている。
しかし乍ら従来の装置構成によると、ドーパントガス導
入配管の継手部分から空気中の水分の浸入があり、この
ためにドーパントガス水分との反応により、異物として
シリコン酸化物などが発生し、これが反応中のシリコン
ウェハ面に付着して正常な反応を害する場合があった。
特に装置の運転開始および停止時に、配管内を一度減圧
して窒素ガスとの交換を行なうが、このとき継手部分か
ら空気中の水分が浸入し、かつひとたび浸入した水分は
簡単に取除くことができないものであった。この発明は
従来のこのような欠点を解消するため、継手部分を通電
過熱して、この継手部分からの水分の浸入を阻止するよ
うにしたものである。以下この発明に係わる装置の一実
施例につき、図面を参照して詳細に説明する。第１図は
この実施例装置の概要構成を、また第２図は同上ドーパ
ントガス導入配管の継手部分を各々に示している。
入配管の継手部分から空気中の水分の浸入があり、この
ためにドーパントガス水分との反応により、異物として
シリコン酸化物などが発生し、これが反応中のシリコン
ウェハ面に付着して正常な反応を害する場合があった。
特に装置の運転開始および停止時に、配管内を一度減圧
して窒素ガスとの交換を行なうが、このとき継手部分か
ら空気中の水分が浸入し、かつひとたび浸入した水分は
簡単に取除くことができないものであった。この発明は
従来のこのような欠点を解消するため、継手部分を通電
過熱して、この継手部分からの水分の浸入を阻止するよ
うにしたものである。以下この発明に係わる装置の一実
施例につき、図面を参照して詳細に説明する。第１図は
この実施例装置の概要構成を、また第２図は同上ドーパ
ントガス導入配管の継手部分を各々に示している。
これらの各図において、１は適宜に加熱手段を配した電
源２からの通電により加熱し得るようにした反応管、３
は真空ポンプ４などにより反応管１内を減圧する真空排
気系、５はガスボンベ６から導入配管７により反応管Ｌ
内にドーパントガスも導入供給し得るようにしたガス導
入系を示し、導入配管７にはバルブ８によって不活性ガ
ス、例えば窒素ガスを導入できるようにしてあり、また
この導入配管７の継手９の前後には、通電用端子１０，
１０を設けて電源１１から通電加熱し得るようにしたも
のである。従って「今、装置の運転開始または停止時を
考えると、このときにはバルブ８を切換えてガス交換を
行なうが、同時にこれに連動して電源１１から継手９部
分に様子１０，１０より大電流を流す。
源２からの通電により加熱し得るようにした反応管、３
は真空ポンプ４などにより反応管１内を減圧する真空排
気系、５はガスボンベ６から導入配管７により反応管Ｌ
内にドーパントガスも導入供給し得るようにしたガス導
入系を示し、導入配管７にはバルブ８によって不活性ガ
ス、例えば窒素ガスを導入できるようにしてあり、また
この導入配管７の継手９の前後には、通電用端子１０，
１０を設けて電源１１から通電加熱し得るようにしたも
のである。従って「今、装置の運転開始または停止時を
考えると、このときにはバルブ８を切換えてガス交換を
行なうが、同時にこれに連動して電源１１から継手９部
分に様子１０，１０より大電流を流す。
この通電に判なつて継手９部分には、自身のもつ電気抵
抗によりジュール熱が発生して加熱され、これによって
継手９のネジ部分に浸入した空気中の水分は、そのネジ
の隙間を通って外部または内部に逃げることになり、内
部に逃げた水分は交換中のガスと共に真空ポンプ４によ
り外部に緋気される。そしてこの操作を充分に水分がな
くなるまで続行してから停止する。この一連の操作は自
動的に行なうことも可能であり、必要に応じて装置の制
御系に組込むこともできる。以上詳述したようにこの発
明によるときは、ドーパントガス導入配管の継手部分に
通電用端子を設け、装億の運転開始あるいは停止時のガ
ス交換に際して、この継手部分への通電加熱によりこの
継手からの外部空気中の水分侵入を阻止するようにした
から、配管内での異物の生成がなく、ウェハ面などでの
膜形成を正常に行なうことができ、しかも構成が簡単で
容易かつ安価に実施できるなどの特長を有するものであ
る。
抗によりジュール熱が発生して加熱され、これによって
継手９のネジ部分に浸入した空気中の水分は、そのネジ
の隙間を通って外部または内部に逃げることになり、内
部に逃げた水分は交換中のガスと共に真空ポンプ４によ
り外部に緋気される。そしてこの操作を充分に水分がな
くなるまで続行してから停止する。この一連の操作は自
動的に行なうことも可能であり、必要に応じて装置の制
御系に組込むこともできる。以上詳述したようにこの発
明によるときは、ドーパントガス導入配管の継手部分に
通電用端子を設け、装億の運転開始あるいは停止時のガ
ス交換に際して、この継手部分への通電加熱によりこの
継手からの外部空気中の水分侵入を阻止するようにした
から、配管内での異物の生成がなく、ウェハ面などでの
膜形成を正常に行なうことができ、しかも構成が簡単で
容易かつ安価に実施できるなどの特長を有するものであ
る。
第１図はこの発明に係わる減圧ＣＶＤ装置の一実施例を
示す概要構成図、第２図は同上継手部分の拡大断面図で
ある。 １・・・・・・反応管「 ３・…・・真空排気系、４・
・・・・・真空ポンプ、５・・…・ガス導入系、６・・
…・ガスボンベ、７・・・・・・導入配管、８・・・…
バルブ、９・・・・・・継手、１０・・・・・・通電用
端子、１ １・・・・・・電源。 第１図第２図
示す概要構成図、第２図は同上継手部分の拡大断面図で
ある。 １・・・・・・反応管「 ３・…・・真空排気系、４・
・・・・・真空ポンプ、５・・…・ガス導入系、６・・
…・ガスボンベ、７・・・・・・導入配管、８・・・…
バルブ、９・・・・・・継手、１０・・・・・・通電用
端子、１ １・・・・・・電源。 第１図第２図
Claims (1)
- １ 加熱手段を配した反応管と、反応管内を減少する真
空排気系、および反応管内にドーパントガスを供給する
ガス導入系とを備えたＣＶＤ装置において、ドーパント
ガス導入配管の継手部分に通電用端子を設け、この継手
部分への通電加熱により、継手部分からの水分の浸入を
阻止するようにきたことを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5664280A JPS60772B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5664280A JPS60772B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56152232A JPS56152232A (en) | 1981-11-25 |
| JPS60772B2 true JPS60772B2 (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=13032985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5664280A Expired JPS60772B2 (ja) | 1980-04-25 | 1980-04-25 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60772B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273375U (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-11 |
-
1980
- 1980-04-25 JP JP5664280A patent/JPS60772B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273375U (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-11 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56152232A (en) | 1981-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW326548B (en) | Substrate drying apparatus and method for drying a substrate | |
| CN112056009A (zh) | 等离子体处理机 | |
| JPS6312336A (ja) | 超高純度ガスの供給方法及び供給系 | |
| JPS60772B2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2001041554A (ja) | 厨房排熱回収システム | |
| JP2000252223A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0252946A (ja) | 風呂用ボイラの凍結防止装置 | |
| JPH01314811A (ja) | 給湯器の逆流安全装置 | |
| US5705822A (en) | Cooling system for semiconductor process | |
| KR20000020487A (ko) | 배관 히팅 장치 | |
| JP2502167Y2 (ja) | ナトリウム漏洩検出器の性能確認装置 | |
| JPS6113560B2 (ja) | ||
| JPS5814923A (ja) | バツグフイルタ装置 | |
| JPH03158625A (ja) | 蓄熱式温水器 | |
| JP3106638B2 (ja) | 燃料電池発電設備の余剰アノード排ガス処理方法 | |
| JP3219029B2 (ja) | 純水加温装置 | |
| KR980005389A (ko) | 반도체소자 제조용 저압 화학기상증착 공정의 증착막 들뜸방지용 챔버 가열장치 | |
| JPH04150A (ja) | 凍結防止運転機能を有する風呂装置 | |
| JP3701993B2 (ja) | 給湯設備 | |
| JPH04184045A (ja) | 電気温水器 | |
| JPS6134058U (ja) | 太陽熱利用給湯装置 | |
| CN120799695A (zh) | 一种除尘脉冲气源智能控制加热装置 | |
| JP4654467B2 (ja) | 真空容器のベーキング装置 | |
| CN117267790A (zh) | 长距离输热的温度补偿方法、系统及温度补偿智慧阀 | |
| JPS58217101A (ja) | 電気式蒸気発生器 |