JPS607728A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS607728A JPS607728A JP11554083A JP11554083A JPS607728A JP S607728 A JPS607728 A JP S607728A JP 11554083 A JP11554083 A JP 11554083A JP 11554083 A JP11554083 A JP 11554083A JP S607728 A JPS607728 A JP S607728A
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Links
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法、特にポリシリコン又は
窒化けい素膜あるいは、アＡｚミ、チタンなどの金属膜
のプラズマエツチング工程を含む半導体装置の製造方法
に関するものである。
窒化けい素膜あるいは、アＡｚミ、チタンなどの金属膜
のプラズマエツチング工程を含む半導体装置の製造方法
に関するものである。
最近、集積回路の微細化が進み、ポリシリコン、または
、窒化けい素膜、あるいはアルミ、チタンなどの金属膜
のエツチングも溶液を使用する湿式エッチからプラズマ
等を利用するドライエッチに移行している。
、窒化けい素膜、あるいはアルミ、チタンなどの金属膜
のエツチングも溶液を使用する湿式エッチからプラズマ
等を利用するドライエッチに移行している。
第１図（ａ）〜（ｄ）は一般的なポリシリコンまたは、
窒化けい素等のパターン形成方法を説明するだめの工程
順の断面図である。まず、第１図（ａ）のように、半導
体基板１の上面に設けられた第１の絶縁膜２の上面に、
ＣＶＤ法等を用い、ポリシリコンまたは窒化けい素等の
パターニングすべき被膜３を被膜する。その後、フォト
レジストを用い、所望のレジストパターン４を形成する
。しかる後、第１図（ｂ）のように、 ＣＦ、等のガス
プラズマ６を用い、不要なポリシリコン等を除去する。
窒化けい素等のパターン形成方法を説明するだめの工程
順の断面図である。まず、第１図（ａ）のように、半導
体基板１の上面に設けられた第１の絶縁膜２の上面に、
ＣＶＤ法等を用い、ポリシリコンまたは窒化けい素等の
パターニングすべき被膜３を被膜する。その後、フォト
レジストを用い、所望のレジストパターン４を形成する
。しかる後、第１図（ｂ）のように、 ＣＦ、等のガス
プラズマ６を用い、不要なポリシリコン等を除去する。
この時、プラズマの熱及び反応熱によシ基板１の温度は
一般に１００〜１５０°Ｃ前後に上昇する。この熱によ
り、フォトレジスト膜４は変質し、変質層となる。
一般に１００〜１５０°Ｃ前後に上昇する。この熱によ
り、フォトレジスト膜４は変質し、変質層となる。
つぎに、第１図（Ｃ）のように、０２プラズマ７を用い
、フォトレジストを除去するが、フォトレジストは変質
層５に変質しているため、完全な除去は困難である。こ
の変質したレジスト５は、酸化炉等の高温酸化状態で除
去されるが、その時に酸化炉等を汚染し、ひいてはこの
酸化炉で処理される半導体装置の信頼性を低下させる。
、フォトレジストを除去するが、フォトレジストは変質
層５に変質しているため、完全な除去は困難である。こ
の変質したレジスト５は、酸化炉等の高温酸化状態で除
去されるが、その時に酸化炉等を汚染し、ひいてはこの
酸化炉で処理される半導体装置の信頼性を低下させる。
本発明の目的は、上記のようなフォトレジスト膜の変質
による酸化炉などの汚染をなくシ、よって、信頼度低下
の欠点を除去した半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
による酸化炉などの汚染をなくシ、よって、信頼度低下
の欠点を除去した半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁
膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にパターニングす
可き、ポリシリコン、窒化けい素膜、または、アルミ、
チタンなどの金属の膜を被着する工程と、フォトレジス
トパターンを形成する工程と、前記パターニングす可き
被膜をエツチングする際の基板温度がｉｏｏ’ｏ以下で
あるようにプラズマエツチング装置の条件を定めてエツ
チング除去し、しかる後フォトレジストをとり除く工程
とを含んで構成される。
膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にパターニングす
可き、ポリシリコン、窒化けい素膜、または、アルミ、
チタンなどの金属の膜を被着する工程と、フォトレジス
トパターンを形成する工程と、前記パターニングす可き
被膜をエツチングする際の基板温度がｉｏｏ’ｏ以下で
あるようにプラズマエツチング装置の条件を定めてエツ
チング除去し、しかる後フォトレジストをとり除く工程
とを含んで構成される。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程断面図である。まず、第２図（ａ）のように、
半導体基板１の上に５ｉ０２等の絶縁膜２を形成する。
めの工程断面図である。まず、第２図（ａ）のように、
半導体基板１の上に５ｉ０２等の絶縁膜２を形成する。
その後、ポリクリコン又は窒化ケイ素等のパターニング
すべき被膜３をＣＶＤ法等によ、！７仮着する。その後
、フォトレジストの所望のパターン４を形成する。しか
る後、第２図（ｂ）のように、 ＣＦ４等のガスプラズ
マ６により、不要なポリクリコン、または、窒化けい素
等を除去するが、この時に、基板１を水冷の基板保持台
に保持し、保持台を水冷することにより、エツチング中
の基板温度全１００℃以下に保つ。その後、第２図（Ｃ
）のように、０２プラズマ７等によりレジストを除去し
、第２図（ｄ）のように、ポリシリコン又は窒化けい素
等のパターン形成が終了する。
すべき被膜３をＣＶＤ法等によ、！７仮着する。その後
、フォトレジストの所望のパターン４を形成する。しか
る後、第２図（ｂ）のように、 ＣＦ４等のガスプラズ
マ６により、不要なポリクリコン、または、窒化けい素
等を除去するが、この時に、基板１を水冷の基板保持台
に保持し、保持台を水冷することにより、エツチング中
の基板温度全１００℃以下に保つ。その後、第２図（Ｃ
）のように、０２プラズマ７等によりレジストを除去し
、第２図（ｄ）のように、ポリシリコン又は窒化けい素
等のパターン形成が終了する。
本発明によれば、エツチング中の基板温度が１００℃以
下である為、エツチング中にレジストの変質をおこすこ
ともなく、シたがって、レジスト残シが発生することも
ない。このようにして、高信頼性の半導体装置を製造す
ることが可能となった０ なお、上側では、パターニングす可き被膜として、ポリ
シリコン又は窒化けい一素のパターン形成方法について
説明したが、アルミ、チタン等のプラズマエツチングに
よる金属配線形成方法についても同様に本発明は適用で
きる。
下である為、エツチング中にレジストの変質をおこすこ
ともなく、シたがって、レジスト残シが発生することも
ない。このようにして、高信頼性の半導体装置を製造す
ることが可能となった０ なお、上側では、パターニングす可き被膜として、ポリ
シリコン又は窒化けい一素のパターン形成方法について
説明したが、アルミ、チタン等のプラズマエツチングに
よる金属配線形成方法についても同様に本発明は適用で
きる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は従来の半導体装置の製造方法を
説明する為の半導体基板配線パターン形成部の工程断面
図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明す
る為の半導体基板配線パターン形成部の工程断面図であ
る。 １１９０１０．半導体基板、２・・・・・・酸化膜等の
絶縁膜、３・・・・・・ポリシリコン又は窒化けい素の
被膜、４・・・・・・フォトレジスト、５・・・・・・
変質した７オトレジス１１１１〜７ 第 ７図 １１１１〜７ ＃２図
説明する為の半導体基板配線パターン形成部の工程断面
図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明す
る為の半導体基板配線パターン形成部の工程断面図であ
る。 １１９０１０．半導体基板、２・・・・・・酸化膜等の
絶縁膜、３・・・・・・ポリシリコン又は窒化けい素の
被膜、４・・・・・・フォトレジスト、５・・・・・・
変質した７オトレジス１１１１〜７ 第 ７図 １１１１〜７ ＃２図
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の
上にパターニングすべき絶縁体または金楓の被膜を形成
する工程と、前記ノくターニングすべき被膜の上にフォ
トレジストノくターンを形成し、前記パターニングす可
き被膜の不要部分をプラズマエツチングで除去する工程
とを含む半導体装置の製造方法において、前記プラズマ
エツチング中の基板温度を１００°Ｃ以下に保持してエ
ツチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11554083A JPS607728A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11554083A JPS607728A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607728A true JPS607728A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14665057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11554083A Pending JPS607728A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607728A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432628A (en) * | 1986-09-05 | 1989-02-02 | Hitachi Ltd | Dry etching method |
| JP2010200671A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Kubota Corp | 脱穀装置 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP11554083A patent/JPS607728A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432628A (en) * | 1986-09-05 | 1989-02-02 | Hitachi Ltd | Dry etching method |
| JP2010200671A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Kubota Corp | 脱穀装置 |
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