JPS6076120A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6076120A JPS6076120A JP58185294A JP18529483A JPS6076120A JP S6076120 A JPS6076120 A JP S6076120A JP 58185294 A JP58185294 A JP 58185294A JP 18529483 A JP18529483 A JP 18529483A JP S6076120 A JPS6076120 A JP S6076120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- resist
- film
- pattern
- chromium
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フォトリングラフィ技術によるパターンの形
成方法に関する。
成方法に関する。
従来列の構成とその問題点
一般に電子線露光用、レジスト(以下EBレジストと称
す。)にはポジ型とネガ型があり、ポジ型EBレジスト
は解像性に優れているが、被加工用基板との密着性に劣
る。それ故、レジスト膜を除去する割合が高く、かつ基
板上に残されたレジストパターンのサイズが小さい場合
には、基板とレジスト膜の剥離が生じ易いので、微細で
かつ欠陥の少ないパターンを形成することが難しい。
す。)にはポジ型とネガ型があり、ポジ型EBレジスト
は解像性に優れているが、被加工用基板との密着性に劣
る。それ故、レジスト膜を除去する割合が高く、かつ基
板上に残されたレジストパターンのサイズが小さい場合
には、基板とレジスト膜の剥離が生じ易いので、微細で
かつ欠陥の少ないパターンを形成することが難しい。
一方、ネガ型EBレジストは基板との密着性に優れてい
るが、解[尿性に劣る。したがってポジ型、ネガ型EB
レジストいずれでも高精度で、かつ欠陥の少ないパター
ンを形成することは難しい。
るが、解[尿性に劣る。したがってポジ型、ネガ型EB
レジストいずれでも高精度で、かつ欠陥の少ないパター
ンを形成することは難しい。
発明の目的
本発明は、これらの欠点を除去し、高精度でかつ、欠陥
の少ないパターンの形成方法を提供することを目的とす
る。
の少ないパターンの形成方法を提供することを目的とす
る。
発明の構成
本発明は、被加工用基板上に第1のレジスト膜と第2の
レジスト膜を形成し、第2のレジスト膜に電子ビーム照
射による露光を行い、しかる後、現rJ1行ってパター
ンを形成し、更に酸素アッシング等により第2のレジス
ト膜のパターン周辺部に存する第1のレジスト膜を同形
パターンに形成するものであり、これにより、例えば、
第1のレジスト膜として前記基板に対する密着性のよい
ネガ型EBレジスト膜、第2のレジスト膜として電子線
露光で解像性に優れたポジ型EBレジスト膜を使用して
、第2のレジスト膜と基板、又は第1のレジスト膜と基
板が剥離することなく微細なパターンを形成しうる。
レジスト膜を形成し、第2のレジスト膜に電子ビーム照
射による露光を行い、しかる後、現rJ1行ってパター
ンを形成し、更に酸素アッシング等により第2のレジス
ト膜のパターン周辺部に存する第1のレジスト膜を同形
パターンに形成するものであり、これにより、例えば、
第1のレジスト膜として前記基板に対する密着性のよい
ネガ型EBレジスト膜、第2のレジスト膜として電子線
露光で解像性に優れたポジ型EBレジスト膜を使用して
、第2のレジスト膜と基板、又は第1のレジスト膜と基
板が剥離することなく微細なパターンを形成しうる。
実施例の説明
第1図は本発明の一実施例であって、フォトマスクの製
造に本発明を用いた場合ケ示す工程順断面図である。
造に本発明を用いた場合ケ示す工程順断面図である。
先ず、第1図(a)のように、ガラス平板1上にクロム
膜2を蒸着形成したのち、このクロム膜2上に適当な厚
さのネガ型EBレジスト、例えば、ポリグリシルメタア
クリレート(以下PGMAと称す)全塗布し、レジスト
膜3を形成する。
膜2を蒸着形成したのち、このクロム膜2上に適当な厚
さのネガ型EBレジスト、例えば、ポリグリシルメタア
クリレート(以下PGMAと称す)全塗布し、レジスト
膜3を形成する。
次に、第1図(b)のように、メチルエチルケトン(以
下MEKと称す)又は、他の有機溶剤に浸漬することに
よって、クロム膜2上のレジスト膜3の表面を溶解し、
薄いP GMAの膜(約20nm)3゛が残るようにす
る。
下MEKと称す)又は、他の有機溶剤に浸漬することに
よって、クロム膜2上のレジスト膜3の表面を溶解し、
薄いP GMAの膜(約20nm)3゛が残るようにす
る。
次いで、第1図(C)のように、ポジ型EBレジスト、
例えば2,2,2)リフルオロエチルaクロロアクリラ
ート(以下EBRと称す)全塗布し、レジスト膜4を形
成する。
例えば2,2,2)リフルオロエチルaクロロアクリラ
ート(以下EBRと称す)全塗布し、レジスト膜4を形
成する。
つぎに、第1図(d)のように、電子線露光を行った後
、レジスト膜4の現[象を行うと、レジスト膜4に開口
部5が形成される。この時、レジスト膜3′も同時に露
光されて、レジストの重合部分6が生ずる。この重合部
分6は、開口部6よりも広く、その範囲はレジスト膜4
の直下におよぶ。つまり、レジスト膜3′はレジスト膜
4より電子ビームに対する感度が約10倍高いので、こ
のようなパターンの拡がりという現象が生ずる。
、レジスト膜4の現[象を行うと、レジスト膜4に開口
部5が形成される。この時、レジスト膜3′も同時に露
光されて、レジストの重合部分6が生ずる。この重合部
分6は、開口部6よりも広く、その範囲はレジスト膜4
の直下におよぶ。つまり、レジスト膜3′はレジスト膜
4より電子ビームに対する感度が約10倍高いので、こ
のようなパターンの拡がりという現象が生ずる。
つづいて、開口部6を有するレジスト膜4およびレジス
ト重合部分6を、酸素プラズマにさらすと、第1図(e
)のように、開口部6に露出しているレジスト膜6が除
去されクロム膜2が露出する。
ト重合部分6を、酸素プラズマにさらすと、第1図(e
)のように、開口部6に露出しているレジスト膜6が除
去されクロム膜2が露出する。
しかし、開口部6の周辺部レジスト4の直下には重合部
分6が残る。経験によると、重合部分eを酸素プラズマ
によって除去する場合、除去可能な厚さに上限が存する
。すなわち、通常、開口部6の大きさの精度は、設計寸
法に対し、0.171m以内になることをめられるので
、重合部分6の厚みも横方向へのパターンの拡がりと同
程度以内とせねばならず、結局、最大0.1μmとなる
。又、重合部分6が厚いとレジスト膜4111酸素プラ
ズマにさらされる時間が長くなり、開口部50寸法にも
誤差を生ずる。従って重合部分6はなるべく薄い方が、
パターンの精度向上をはかれる。
分6が残る。経験によると、重合部分eを酸素プラズマ
によって除去する場合、除去可能な厚さに上限が存する
。すなわち、通常、開口部6の大きさの精度は、設計寸
法に対し、0.171m以内になることをめられるので
、重合部分6の厚みも横方向へのパターンの拡がりと同
程度以内とせねばならず、結局、最大0.1μmとなる
。又、重合部分6が厚いとレジスト膜4111酸素プラ
ズマにさらされる時間が長くなり、開口部50寸法にも
誤差を生ずる。従って重合部分6はなるべく薄い方が、
パターンの精度向上をはかれる。
最後に第1図(f)のように、クロム膜2全クエソトエ
ソチングにより開口部5に相当する箇所のみ除去する。
ソチングにより開口部5に相当する箇所のみ除去する。
この際、クロム膜2に対して密着性のよい重合部分6の
残存部分が、エツチング液の浸透を防止するので、微細
なパターンを欠陥が少なく形成することができる。
残存部分が、エツチング液の浸透を防止するので、微細
なパターンを欠陥が少なく形成することができる。
第2図は本発明の他の実施例である。第2図(a)。
第2図(b)は第1図(a)、第1図(b)と同様の工
程である。
程である。
第2のレジスト膜としてネガ型EBレジストの中でも比
較的解1象註に優れたEBレジストであるクロルメチル
化ポリスチレン(以下CMSと称す)1塗布し、レジス
ト膜7を形成する。。
較的解1象註に優れたEBレジストであるクロルメチル
化ポリスチレン(以下CMSと称す)1塗布し、レジス
ト膜7を形成する。。
flj子線露光を行った後、ネガ型レジスト膜7の現(
’Jk行うと、ネガ型レジスト膜7は殆んど除去され、
第2図(d)のように、パターン部7′が生ずる。
’Jk行うと、ネガ型レジスト膜7は殆んど除去され、
第2図(d)のように、パターン部7′が生ずる。
この時レジスト膜3′も同時に路光されて重合部6ケ生
ずる。重合部6は、パターン部7′よりもサイズが大き
いので、その範囲は、パターン部7′の面下から周辺部
におよぶ。
ずる。重合部6は、パターン部7′よりもサイズが大き
いので、その範囲は、パターン部7′の面下から周辺部
におよぶ。
パターン部7′全形成した後、酸素プラズマにさらすと
、第2図(e)のように、パターン部7′の周辺部に形
成された重合部は除去され、パターン部7′の直下にの
み重合部6が残る。最後にクロム膜2ケウエソトエソチ
ングによりパターン部7′に相当する箇所のみを残す。
、第2図(e)のように、パターン部7′の周辺部に形
成された重合部は除去され、パターン部7′の直下にの
み重合部6が残る。最後にクロム膜2ケウエソトエソチ
ングによりパターン部7′に相当する箇所のみを残す。
このようにして微細なパターン周辺部が少なく形成する
ことができる。
ことができる。
実施例1.実施例2に示したごとく、第2のレジスト膜
を溶解する薬品に対し、不溶な第1のレジスト膜を形成
し、これをエツチング用マスクにすると、同マスク下の
被加工用基板、すなわち、クロム膜2をウェットエツチ
ングで処理する際、エツチング液がマスク界面に浸透せ
ず、この結果、高い精度でクロム膜2のパターン化が達
成される。
を溶解する薬品に対し、不溶な第1のレジスト膜を形成
し、これをエツチング用マスクにすると、同マスク下の
被加工用基板、すなわち、クロム膜2をウェットエツチ
ングで処理する際、エツチング液がマスク界面に浸透せ
ず、この結果、高い精度でクロム膜2のパターン化が達
成される。
なお、実施例では、クロム膜によるフォトマスクの製造
例を示したが、被加工用基板として、シリエンウェハ(
基板)を用いて、その加工処理に本発明全実施すること
もできる。
例を示したが、被加工用基板として、シリエンウェハ(
基板)を用いて、その加工処理に本発明全実施すること
もできる。
また、レジスト膜の露光方式も、電子線のほか、光、X
線、イオンビーム等でも適用可能である。
線、イオンビーム等でも適用可能である。
発明の効果
以上、述べたごとく、本発明によれば基板とEBレジス
ト膜の密着性を向上することができるので、高精度で、
かつ、欠陥の少ないパターンを得ることができる。
ト膜の密着性を向上することができるので、高精度で、
かつ、欠陥の少ないパターンを得ることができる。
第1図(a)〜(f)は、本発明による第1の実施例を
示す工程断面図、第2図(a)〜(f)は本発明の他の
実施例を示す工程断面図である。 1・・・・・・ガラス平板、2・・・・・・クロム膜、
3,3′・・・・・・第1のレジスト膜、4・・・・・
・第2のレジスト膜、6・・・・・・第1のレジストが
重合した部分、7,7′・・・・・・ネガ型レジスト膜
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名第1
図 第2図
示す工程断面図、第2図(a)〜(f)は本発明の他の
実施例を示す工程断面図である。 1・・・・・・ガラス平板、2・・・・・・クロム膜、
3,3′・・・・・・第1のレジスト膜、4・・・・・
・第2のレジスト膜、6・・・・・・第1のレジストが
重合した部分、7,7′・・・・・・ネガ型レジスト膜
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名第1
図 第2図
Claims (2)
- (1)被加工用基板上に、露光特性の異なる第1および
第2のレジスト膜を積層形成したのち、前記第2のレジ
スト膜をパターン化処理するとともに前記第1のレジス
ト膜を不溶化物に転化する工程、前記不溶化物全前記第
2のレジスト膜と同形にパターン化処理する工程および
前記被加工用基板にパターン化処理する工程をそなえた
パターン形成方法。 - (2)第1のレジスト膜の厚みが0.1μm以下でなる
特許請求の範囲第1項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58185294A JPS6076120A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58185294A JPS6076120A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6076120A true JPS6076120A (ja) | 1985-04-30 |
JPH0576766B2 JPH0576766B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=16168337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58185294A Granted JPS6076120A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6076120A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50116176A (ja) * | 1974-02-25 | 1975-09-11 |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP58185294A patent/JPS6076120A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50116176A (ja) * | 1974-02-25 | 1975-09-11 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0576766B2 (ja) | 1993-10-25 |
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