JPH0576766B2 - - Google Patents
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- JPH0576766B2 JPH0576766B2 JP58185294A JP18529483A JPH0576766B2 JP H0576766 B2 JPH0576766 B2 JP H0576766B2 JP 58185294 A JP58185294 A JP 58185294A JP 18529483 A JP18529483 A JP 18529483A JP H0576766 B2 JPH0576766 B2 JP H0576766B2
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- resist film
- resist
- pattern
- substrate
- film
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Links
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- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フオトリソグラフイ技術によるパタ
ーンの形成方法に関する。
ーンの形成方法に関する。
従来例の構成とその問題点
一般に電子線露光用レジスト(以下EBレジス
トと称す。)にはポジ型とネガ型があり、ポジ型
BEレジストは解像性に優れているが、被加工用
基板との密着性に劣る。それ故、レジスト膜を除
去する割合が高く、かつ基板上に残されたレジス
トパターンのサイズが小さい場合には、基板とレ
ジスト膜の剥離が生じ易いので、微細でかつ欠陥
の少ないパターンを形成することが難しい。
トと称す。)にはポジ型とネガ型があり、ポジ型
BEレジストは解像性に優れているが、被加工用
基板との密着性に劣る。それ故、レジスト膜を除
去する割合が高く、かつ基板上に残されたレジス
トパターンのサイズが小さい場合には、基板とレ
ジスト膜の剥離が生じ易いので、微細でかつ欠陥
の少ないパターンを形成することが難しい。
一方、ネガ型BEレジスタは基板との密着性に
優れているが、解像性に劣る。したがつてポジ
型、ネガ型EBレジストいずれでも高精度で、か
つ欠陥の少ないパターンを形成することは難し
い。
優れているが、解像性に劣る。したがつてポジ
型、ネガ型EBレジストいずれでも高精度で、か
つ欠陥の少ないパターンを形成することは難し
い。
発明の目的
本発明は、これらの欠点を除去し、高精度でか
つ、欠陥の少ないパターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
つ、欠陥の少ないパターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
発明の構成
本発明は、被加工用基板上に第1のレジスト膜
と第2のレジスト膜を形成し、第2のレジスト膜
に電子ビーム照射による露光を行い、しかる後、
現像を行つてパターンを形成し、更に酸素アツシ
ング等により第2のレジスト膜のパターン周辺部
に存する第1のレジスト膜を同形パターンに形成
するものであり、これにより、例えば、第1のレ
ジスト膜として前記基板に対する密着性のよいネ
ガ型EBレジスト膜、第2のレジスト膜として電
子線露光で解像性に優れたポジ型EBレジスト膜
を使用して、第2のレジスト膜と基板、又は第1
のレジスト膜と基板が剥離することなく微細なパ
ターンを形成しうる。
と第2のレジスト膜を形成し、第2のレジスト膜
に電子ビーム照射による露光を行い、しかる後、
現像を行つてパターンを形成し、更に酸素アツシ
ング等により第2のレジスト膜のパターン周辺部
に存する第1のレジスト膜を同形パターンに形成
するものであり、これにより、例えば、第1のレ
ジスト膜として前記基板に対する密着性のよいネ
ガ型EBレジスト膜、第2のレジスト膜として電
子線露光で解像性に優れたポジ型EBレジスト膜
を使用して、第2のレジスト膜と基板、又は第1
のレジスト膜と基板が剥離することなく微細なパ
ターンを形成しうる。
実施例の説明
第1図は本発明の一実施例であつて、フオトマ
スクの製造に本発明を用いた場合を示す工程順断
面図である。
スクの製造に本発明を用いた場合を示す工程順断
面図である。
先ず、第1図aのように、ガラス平板1上にク
ロム膜2を蒸着形成したのち、このクロム膜2上
に適当な厚さのネガ型EBレジスト、例えば、ポ
リグリシルメタアクリレート(以下PGMAと称
す)を塗布し、レジスト膜3を形成する。
ロム膜2を蒸着形成したのち、このクロム膜2上
に適当な厚さのネガ型EBレジスト、例えば、ポ
リグリシルメタアクリレート(以下PGMAと称
す)を塗布し、レジスト膜3を形成する。
次に、第1図bのように、メチルエチルケトン
(以下MEKと称す)又は、他の有機溶剤に浸漬す
ることによつて、クロム膜2上のレジスト膜3の
表面を溶解し、薄いPGMAの膜(約20nm)3′
が残るようにする。
(以下MEKと称す)又は、他の有機溶剤に浸漬す
ることによつて、クロム膜2上のレジスト膜3の
表面を溶解し、薄いPGMAの膜(約20nm)3′
が残るようにする。
次いで、第1図cのように、ポジ型EBレジス
ト、例えば2,2,2トリフルオロエチルαクロ
ロアクリラート(以下EBRと称す)を塗布し、
レジスト膜4を形成する。
ト、例えば2,2,2トリフルオロエチルαクロ
ロアクリラート(以下EBRと称す)を塗布し、
レジスト膜4を形成する。
つぎに、第1図dのように、電子線露光を行つ
た後、レジスト膜4の現像を行うと、レジスト膜
4に開口部5が形成される。この時、レジスト膜
3′も同時に露光されて、レジストの重合部分6
が生ずる。この重合部分6は、開口部5よりも広
く、その範囲はレジスト膜4の直下におよぶ。つ
まり、レジスト膜3′はレジスト膜4より電子ビ
ームに対する感度が約10倍高いので、このような
パターンの拡がりという現象が生ずる。
た後、レジスト膜4の現像を行うと、レジスト膜
4に開口部5が形成される。この時、レジスト膜
3′も同時に露光されて、レジストの重合部分6
が生ずる。この重合部分6は、開口部5よりも広
く、その範囲はレジスト膜4の直下におよぶ。つ
まり、レジスト膜3′はレジスト膜4より電子ビ
ームに対する感度が約10倍高いので、このような
パターンの拡がりという現象が生ずる。
つづいて、開口部5を有するレジスト膜4およ
びレジスト重合部分6を、酸化プラズマにさらす
と、第1図eのように、開口部5に露出している
レジスト膜6が除去されクロム膜2が露出する。
しかし、開口部5の周辺部レジスト4の直下には
重合部分6が残る。経験によると、重合部分6を
酸素プラズマによつて除去する場合、除去可能な
厚さに上限が存する。すなわち、通常、開口部5
の大きさ精度は、設計寸法に対し、0.1μm以内に
なることを求められるので、重合部分6の厚みも
横方向へのパターンの拡がりと同程度以内とせね
ばならず、結局、最大0.1μmとなる。又、重合部
分6が厚いとレジスト膜4も酸化プラズマにさら
される時間が長くなり、開口部5の寸法にも誤差
を生ずる。従つて重合部分6はなるべく薄い方
が、パターンの精度向上をはかれる。
びレジスト重合部分6を、酸化プラズマにさらす
と、第1図eのように、開口部5に露出している
レジスト膜6が除去されクロム膜2が露出する。
しかし、開口部5の周辺部レジスト4の直下には
重合部分6が残る。経験によると、重合部分6を
酸素プラズマによつて除去する場合、除去可能な
厚さに上限が存する。すなわち、通常、開口部5
の大きさ精度は、設計寸法に対し、0.1μm以内に
なることを求められるので、重合部分6の厚みも
横方向へのパターンの拡がりと同程度以内とせね
ばならず、結局、最大0.1μmとなる。又、重合部
分6が厚いとレジスト膜4も酸化プラズマにさら
される時間が長くなり、開口部5の寸法にも誤差
を生ずる。従つて重合部分6はなるべく薄い方
が、パターンの精度向上をはかれる。
最後に第1図fのように、クロム膜2をウエツ
トエツチングにより開口部5に相当する箇所のみ
除去する。この際、クロム膜2に対して密着性の
よい重合部分6の残存部分が、エツチング液の浸
透を防止するので、微細なパターンを欠陥が少な
く形成することができる。
トエツチングにより開口部5に相当する箇所のみ
除去する。この際、クロム膜2に対して密着性の
よい重合部分6の残存部分が、エツチング液の浸
透を防止するので、微細なパターンを欠陥が少な
く形成することができる。
第2図は本発明の他の実施例である。第2図
a、第2図bは第1図a、第1図bと同様の工程
である。
a、第2図bは第1図a、第1図bと同様の工程
である。
第2のレジスト膜としてネガ型EBレジストの
中でも比較的解像性に優れたEBレジストである
クロルメチル化ポリスチレン(以下CMS称す)
を塗布し、レジスト膜7を形成する。
中でも比較的解像性に優れたEBレジストである
クロルメチル化ポリスチレン(以下CMS称す)
を塗布し、レジスト膜7を形成する。
電子線露光を行つた後、ネガ型レジスト膜7の
現像を行うと、ネガ型レジスト膜7は殆んど除去
され、第2図dのように、パターン部7′が生ず
る。この時レジスト膜3′も同時に露光されて重
合部6を生ずる。重合部6は、パターン部7′よ
りもサイズが大きいので、その範囲は、パターン
部7′の直下から周辺部におよぶ。
現像を行うと、ネガ型レジスト膜7は殆んど除去
され、第2図dのように、パターン部7′が生ず
る。この時レジスト膜3′も同時に露光されて重
合部6を生ずる。重合部6は、パターン部7′よ
りもサイズが大きいので、その範囲は、パターン
部7′の直下から周辺部におよぶ。
パターン部7′を形成した後、酸素プラズマに
さらすと、第2図eのように、パターン部7′の
周辺部に形成された重合部は除去され、パターン
部7′の直下にのみ重合部6が残る。最後にクロ
ム膜2をウエツトエチツングによりパターン部
7′に相当する箇所のみを残す。このようにして
微細なパターンを欠陥が少なく形成することがで
きる。
さらすと、第2図eのように、パターン部7′の
周辺部に形成された重合部は除去され、パターン
部7′の直下にのみ重合部6が残る。最後にクロ
ム膜2をウエツトエチツングによりパターン部
7′に相当する箇所のみを残す。このようにして
微細なパターンを欠陥が少なく形成することがで
きる。
実施例1、実施例2に示したごとく、第2のレ
ジスト膜を溶解する薬品に対し、不溶な第1のレ
ジスト膜を形成し、これをエツチング溶マスクに
すると、同マスク下の被加工用基板、すなわち、
クロム膜2をウエツトエツチングで処理する際、
エツチング液がマスク界面に浸透せず、この結
果、高い精度でクロム膜2のパターン化が達成さ
れる。
ジスト膜を溶解する薬品に対し、不溶な第1のレ
ジスト膜を形成し、これをエツチング溶マスクに
すると、同マスク下の被加工用基板、すなわち、
クロム膜2をウエツトエツチングで処理する際、
エツチング液がマスク界面に浸透せず、この結
果、高い精度でクロム膜2のパターン化が達成さ
れる。
なお、実施例では、クロム膜によるフオトマス
クの製造例を示したが、被加工用基板として、シ
リコンウエハ(基板)を用いて、その加工処理に
本発明を実施することもできる。
クの製造例を示したが、被加工用基板として、シ
リコンウエハ(基板)を用いて、その加工処理に
本発明を実施することもできる。
また、レジスト膜の露光方式も、電子線のほ
か、光、X線、イオンビーム等でも適用可能であ
る。
か、光、X線、イオンビーム等でも適用可能であ
る。
発明の効果
以上、述べたごとく、本発明によれば基板と
EBレジスト膜の密着性を向上することができる
ので、高精度で、かつ、欠陥の少ないパターンを
得ることができる。
EBレジスト膜の密着性を向上することができる
ので、高精度で、かつ、欠陥の少ないパターンを
得ることができる。
第1図a〜fは、本発明による第1の実施例を
示す工程断面図、第2図a〜fは本発明の他の実
施例を示す工程断面図である。 1……ガラス平板、2……クロム膜、3,3′
……第1のレジスト膜、4……ポジ型の第2のレ
ジスト膜、6……第1のレジストが重合した部
分、7,7′……ネガ型の第2のレジスト膜。
示す工程断面図、第2図a〜fは本発明の他の実
施例を示す工程断面図である。 1……ガラス平板、2……クロム膜、3,3′
……第1のレジスト膜、4……ポジ型の第2のレ
ジスト膜、6……第1のレジストが重合した部
分、7,7′……ネガ型の第2のレジスト膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 被加工用基板上に、露光特性の異なる第1お
よび第2のレジスト膜を積層形成したのち、前記
第2のレジスト膜をパターン化処理するとともに
前記第1のレジスト膜を不溶化物に転化する工
程、前記不溶化物を前記第2のレジスト膜と同形
にパターン化処理する工程および前記被加工用基
板にパターン化処理する工程をそなえたパターン
形成方法。 2 第1のレジスト膜の厚みが0.1μm以下でなる
特許請求の範囲第1項に記載のパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58185294A JPS6076120A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58185294A JPS6076120A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6076120A JPS6076120A (ja) | 1985-04-30 |
JPH0576766B2 true JPH0576766B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=16168337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58185294A Granted JPS6076120A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6076120A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50116176A (ja) * | 1974-02-25 | 1975-09-11 |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP58185294A patent/JPS6076120A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50116176A (ja) * | 1974-02-25 | 1975-09-11 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6076120A (ja) | 1985-04-30 |
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