JPS6072254A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6072254A JPS6072254A JP18102683A JP18102683A JPS6072254A JP S6072254 A JPS6072254 A JP S6072254A JP 18102683 A JP18102683 A JP 18102683A JP 18102683 A JP18102683 A JP 18102683A JP S6072254 A JPS6072254 A JP S6072254A
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- JP
- Japan
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- film
- resistor
- trimming
- polycrystalline silicon
- oxide film
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、特にレーザートリミングを必要と
する高精度半導体装置に関するものである。
する高精度半導体装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、アナログ・ｋジタル変換器やディジタル・アテロ
グ変換器のモノリシックＩＣ化進むと共に性能面におい
ても、より高精度化、高分解能化が要求されている。こ
のようなモノリシックの変換器の高分解能、高精度化に
応える技術にレーザーを用いた多結晶シリコン抵抗のト
リミングがある０ 従来、多結晶シリコン抵抗のレーザートリミングは、一
般に第１図に示すように保護膜を通してレーザーを照射
するか、または保護膜を堆積する前にレーザーを照射し
てトリミングを行っている。
グ変換器のモノリシックＩＣ化進むと共に性能面におい
ても、より高精度化、高分解能化が要求されている。こ
のようなモノリシックの変換器の高分解能、高精度化に
応える技術にレーザーを用いた多結晶シリコン抵抗のト
リミングがある０ 従来、多結晶シリコン抵抗のレーザートリミングは、一
般に第１図に示すように保護膜を通してレーザーを照射
するか、または保護膜を堆積する前にレーザーを照射し
てトリミングを行っている。
まず、第１図の場合を説明する。第１図において１は半
導体基板、２は酸化膜、３は多結晶シリコン抵抗、４は
保護膜で通常酸化膜または窒化膜で形成される。５は配
線用の金属膜で保護膜が開孔された部分はボンディング
・パッドである。６はレーザービームで、図示するよう
に多結晶シリコン抵抗３へ保護膜を通してビーム照射す
るわけであるが、保護膜の膜厚によって抵抗３を切断で
きるエネルギーが異なり、保護膜の厚さを厚くすればす
る程高いエネルギーを要する。一方あまりエネルギーを
高くすると、ビームが基板１まで到達し、基板１の一部
が溶解し破壊された酸化膜２全通して、多結晶シリコン
３と基板１がショートするおそれがある。例えば、酸化
膜２を６５０ｎｍ１多結晶シリコン３を３００ｎｍ、保
護膜４を８００ｎｍの厚さにすると、レーザーのエネル
ギーを４μ工にすれば多結晶シリコン３は切断できるが
、このような大きなエネルギーを用いると同時に基板１
とのショートも発生してしまう。一方保護膜４を２００
ｎ ｍにすれば１．８μＩで切断ができ、この時は基
８！１と抵抗３とのショートは発生しない。したがって
、保護膜４と酸化膜２との厚さの関係は、少くとも保護
膜の方を薄くしなければならないが、あｉｔ薄くするこ
とは保護膜としての作用がなくなり、半導体の信頼性が
低下するという問題が発生ずる。
導体基板、２は酸化膜、３は多結晶シリコン抵抗、４は
保護膜で通常酸化膜または窒化膜で形成される。５は配
線用の金属膜で保護膜が開孔された部分はボンディング
・パッドである。６はレーザービームで、図示するよう
に多結晶シリコン抵抗３へ保護膜を通してビーム照射す
るわけであるが、保護膜の膜厚によって抵抗３を切断で
きるエネルギーが異なり、保護膜の厚さを厚くすればす
る程高いエネルギーを要する。一方あまりエネルギーを
高くすると、ビームが基板１まで到達し、基板１の一部
が溶解し破壊された酸化膜２全通して、多結晶シリコン
３と基板１がショートするおそれがある。例えば、酸化
膜２を６５０ｎｍ１多結晶シリコン３を３００ｎｍ、保
護膜４を８００ｎｍの厚さにすると、レーザーのエネル
ギーを４μ工にすれば多結晶シリコン３は切断できるが
、このような大きなエネルギーを用いると同時に基板１
とのショートも発生してしまう。一方保護膜４を２００
ｎ ｍにすれば１．８μＩで切断ができ、この時は基
８！１と抵抗３とのショートは発生しない。したがって
、保護膜４と酸化膜２との厚さの関係は、少くとも保護
膜の方を薄くしなければならないが、あｉｔ薄くするこ
とは保護膜としての作用がなくなり、半導体の信頼性が
低下するという問題が発生ずる。
したがって、次に先に述べたように、保護膜を堆積する
前にトリミングを行うことが考えられるが、これはウェ
ハー状態でしかトリミングすることができないこと、ト
リミング後に保護膜堆積という工程が入るために、抵抗
値の変動の可能性があることなどの問題点がある。
前にトリミングを行うことが考えられるが、これはウェ
ハー状態でしかトリミングすることができないこと、ト
リミング後に保護膜堆積という工程が入るために、抵抗
値の変動の可能性があることなどの問題点がある。
発明の目的
本発明の目的は、前記従来例における問題点に鑑み、多
結晶シリコン抵抗のレーザートリミングを安定に行い、
高精度半導体装置を提供しようとするものである。
結晶シリコン抵抗のレーザートリミングを安定に行い、
高精度半導体装置を提供しようとするものである。
発明の構成
本発明は、薄い窒化膜の上に厚い酸化膜を形成した２層
構造の保護膜を有し、多結晶シリコン抵抗とその周辺の
上は薄い窒化膜だけを残して、他の部分は２層の保護膜
で覆い、多結晶シリコン抵抗にレーザートリミングを行
うことにより、安定でかつ信頼性の高い、高精度半導体
装置を実現するものである。
構造の保護膜を有し、多結晶シリコン抵抗とその周辺の
上は薄い窒化膜だけを残して、他の部分は２層の保護膜
で覆い、多結晶シリコン抵抗にレーザートリミングを行
うことにより、安定でかつ信頼性の高い、高精度半導体
装置を実現するものである。
実施例の説明
第２図に本発明の実施例を示す。
第２図において、第１図の構成要素と同一番号を附した
部分は第１図と同一の構成要素である。
部分は第１図と同一の構成要素である。
７は薄い窒化膜、８ｄ、厚い酸化膜でこの窒化膜と酸化
膜の２層で半導体装置の保護膜を形成しているが、図に
示されるように、多結晶シリコン抵抗３の上部は薄い窒
化膜７のみを残して酸化膜８は開孔されている。寸た、
当然のことながらボンディング・パッドとなるべき金属
膜６の上部は厚い酸化膜８、薄い窒化膜７ともども開孔
されている。
膜の２層で半導体装置の保護膜を形成しているが、図に
示されるように、多結晶シリコン抵抗３の上部は薄い窒
化膜７のみを残して酸化膜８は開孔されている。寸た、
当然のことながらボンディング・パッドとなるべき金属
膜６の上部は厚い酸化膜８、薄い窒化膜７ともども開孔
されている。
今、薄い窒化膜７を厚さ２００ ｎ ｍ 、厚い酸化膜
８を厚さ６００ ｎ ｍ程度に設定すれば、図示するよ
うにレーザービームを照射すべき多結晶シリコン抵抗３
の上ば２００ ｎ ｍの窒化膜に覆われているだけであ
るので、比較的低いレーザーエネルギーでトリミングが
可能であり、基板１と多結晶シリコン抵抗３とがショー
トもしくはリーク電流が流れるという問題は無い。
８を厚さ６００ ｎ ｍ程度に設定すれば、図示するよ
うにレーザービームを照射すべき多結晶シリコン抵抗３
の上ば２００ ｎ ｍの窒化膜に覆われているだけであ
るので、比較的低いレーザーエネルギーでトリミングが
可能であり、基板１と多結晶シリコン抵抗３とがショー
トもしくはリーク電流が流れるという問題は無い。
次に本発明の製造方法の実施例について説明する。
第３図にその実施例を示す。図中、第１図および第２図
と同一番号のものは第１図、第２図と同一の構成要素で
ある。
と同一番号のものは第１図、第２図と同一の構成要素で
ある。
まずＡに示するように、半導体基板１」二へ酸化膜２を
５００〜６００ ｎ ｍ形成した後、選択的に所定の箇
所に不純物をドーピングした多結晶シリコン抵抗３を３
００ｎｍの厚さに形成する。その後、Ｂに示すように多
結晶シリコン表面を酸化して薄い酸化膜９を形成する。
５００〜６００ ｎ ｍ形成した後、選択的に所定の箇
所に不純物をドーピングした多結晶シリコン抵抗３を３
００ｎｍの厚さに形成する。その後、Ｂに示すように多
結晶シリコン表面を酸化して薄い酸化膜９を形成する。
なおこの酸化膜９は必ずしも必要ではない。次にアルミ
配線を行ない、６の金属膜を形成する。つづいてＣに図
示するように、全面に窒化膜７と酸化膜８を各々２００
ｎｍ 。
配線を行ない、６の金属膜を形成する。つづいてＣに図
示するように、全面に窒化膜７と酸化膜８を各々２００
ｎｍ 。
６００ ｎ ｍ堆積する。次にＤに示すように、トリミ
ングを施すべき結晶シリコン抵抗３の上部を選択的にフ
ォトエツチングして、酸化膜８のみを開孔する。つづい
て、再びフォトエツチング法により、Ｅに示すように所
定のアルミ配線」二の窒化膜と酸化膜を開孔し、ボンデ
ィング・ノぐラドを形成する。
ングを施すべき結晶シリコン抵抗３の上部を選択的にフ
ォトエツチングして、酸化膜８のみを開孔する。つづい
て、再びフォトエツチング法により、Ｅに示すように所
定のアルミ配線」二の窒化膜と酸化膜を開孔し、ボンデ
ィング・ノぐラドを形成する。
発明の効果
以上、実施例に基づいて説明したように、本発明によれ
ば、レーザートリミングを施すべき多結晶シリコン抵抗
の」二部は薄い窒化膜のみで覆われ、他の部分は窒化膜
と厚い酸化膜の２層膜で覆われているために、レーザー
トリミングは基板が損傷しない程度の低いエネルギーで
可能となると同時に、信頼性的にも優れた半導体装置を
提供することができる。
ば、レーザートリミングを施すべき多結晶シリコン抵抗
の」二部は薄い窒化膜のみで覆われ、他の部分は窒化膜
と厚い酸化膜の２層膜で覆われているために、レーザー
トリミングは基板が損傷しない程度の低いエネルギーで
可能となると同時に、信頼性的にも優れた半導体装置を
提供することができる。
第１図は従来のレーザートリミング状態の構成を示す構
造断面図、第２図は本発明の一実施例のレーザトリミン
グ状態を示す４１６造断面図、第３図Ａ−Ｅは本発明の
製造法の実施例を示す工程断面図である。 １−・・−半導体基板、３ 多結晶シリコン抵抗、５・
金属配線、６・・−・レーザービーム、７窒化膜、８
°・酸化膜。
造断面図、第２図は本発明の一実施例のレーザトリミン
グ状態を示す４１６造断面図、第３図Ａ−Ｅは本発明の
製造法の実施例を示す工程断面図である。 １−・・−半導体基板、３ 多結晶シリコン抵抗、５・
金属配線、６・・−・レーザービーム、７窒化膜、８
°・酸化膜。
Claims (2)
- （１）薄い窒化膜の上に厚い酸化膜を形成した２層膜を
保護膜とし、所定の位置に設けた多結晶シリコン土の所
望の領域は前記厚い酸化膜を除去し、薄い窒化膜のみ形
成したことを特徴とする半導体装置。 - （２）多結晶シリコンにレーザービームを薄い窒化膜を
通して照射することによりトリミングを施してなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置
。 す）多結晶シリコンを半導体基板上の酸化膜上に設け、
この酸化膜の膜厚よりも薄い窒化膜の膜厚を薄くするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18102683A JPS6072254A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18102683A JPS6072254A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6072254A true JPS6072254A (ja) | 1985-04-24 |
| JPS641939B2 JPS641939B2 (ja) | 1989-01-13 |
Family
ID=16093463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18102683A Granted JPS6072254A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6072254A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229866A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-10-08 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6471147A (en) * | 1987-08-12 | 1989-03-16 | American Telephone & Telegraph | Solid state circuit with laser-fusible link |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP18102683A patent/JPS6072254A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229866A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-10-08 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6471147A (en) * | 1987-08-12 | 1989-03-16 | American Telephone & Telegraph | Solid state circuit with laser-fusible link |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS641939B2 (ja) | 1989-01-13 |
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