JPS6071682A - 受像管螢光膜形成用組成物及び受像管螢光膜形成方法 - Google Patents
受像管螢光膜形成用組成物及び受像管螢光膜形成方法Info
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- JPS6071682A JPS6071682A JP17914983A JP17914983A JPS6071682A JP S6071682 A JPS6071682 A JP S6071682A JP 17914983 A JP17914983 A JP 17914983A JP 17914983 A JP17914983 A JP 17914983A JP S6071682 A JPS6071682 A JP S6071682A
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- picture tube
- phosphor
- fluorescent film
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- forming
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、カヌー受像管螢光膜を形成する際に用いられ
る組成物およびこれを用いた螢光膜形成方法に関し、特
にCaS螢光体を用いた組成物および螢光面形成方法に
関する。
る組成物およびこれを用いた螢光膜形成方法に関し、特
にCaS螢光体を用いた組成物および螢光面形成方法に
関する。
一般にシャドウマスク方式カラー受像管の螢光面は、通
當下記の様な方法によって形成される。
當下記の様な方法によって形成される。
すなわち、受像管のフェースグレートパネルの内面にポ
リビニルアルコール(PVA) 、 Mクロム酸アンモ
ニウム(ADC) 、螢光体粉末を水性媒体に分散させ
た感光性後光体水性懸濁液(以下スラリーという)を塗
布し、所望のパターンを有するシャドウマスクを介して
紫外線を照射し、この照射部分を不容化させ、未照射部
分を水洗除去してドツト状又はストライプ状の螢光体パ
ターンを得る。この様な操作を緑、肯、赤の:3色螢光
体各々について繰返し行う事によってノlラー受微管の
螢光膜が得られる。
リビニルアルコール(PVA) 、 Mクロム酸アンモ
ニウム(ADC) 、螢光体粉末を水性媒体に分散させ
た感光性後光体水性懸濁液(以下スラリーという)を塗
布し、所望のパターンを有するシャドウマスクを介して
紫外線を照射し、この照射部分を不容化させ、未照射部
分を水洗除去してドツト状又はストライプ状の螢光体パ
ターンを得る。この様な操作を緑、肯、赤の:3色螢光
体各々について繰返し行う事によってノlラー受微管の
螢光膜が得られる。
このような、受像管用螢光体の相料としては、発光効率
の良好な材料の開発が望まれており、イノ) リウム系
の螢光体が高輝度の材料として開発されたが、この材料
は高価であった。一方、CaSが、安価でかつ高輝度を
有する螢光体であることに注目し、これを受像管の螢光
膜に応用することが検討されている。ところで、このC
aS系螢光体を、従来一般に用いられていたPV’A、
−ADC系感光感光体スラリー加すゐとスラリーは、調
整後約10分でゲル化してしまい、スラリーをフェース
グレートパネル内面へ塗布することができず、CaS系
螢光体を受像管用螢光体として用いることは笑用土不可
能であった。最近、この対策として適度の粘着性、接着
性を有する材料をフェースプレートパネル内面に塗布形
成した後螢光体を乾燥粉末状態でフェースグレートパネ
ル内面に付着させる方法が提案されている。(特開昭5
6−46642号公報参照)しかしながらこの方法によ
ってもフェースグレートパネル内面に充分量の螢光体を
付着させることは難かしかった。
の良好な材料の開発が望まれており、イノ) リウム系
の螢光体が高輝度の材料として開発されたが、この材料
は高価であった。一方、CaSが、安価でかつ高輝度を
有する螢光体であることに注目し、これを受像管の螢光
膜に応用することが検討されている。ところで、このC
aS系螢光体を、従来一般に用いられていたPV’A、
−ADC系感光感光体スラリー加すゐとスラリーは、調
整後約10分でゲル化してしまい、スラリーをフェース
グレートパネル内面へ塗布することができず、CaS系
螢光体を受像管用螢光体として用いることは笑用土不可
能であった。最近、この対策として適度の粘着性、接着
性を有する材料をフェースプレートパネル内面に塗布形
成した後螢光体を乾燥粉末状態でフェースグレートパネ
ル内面に付着させる方法が提案されている。(特開昭5
6−46642号公報参照)しかしながらこの方法によ
ってもフェースグレートパネル内面に充分量の螢光体を
付着させることは難かしかった。
本発明は、上記従来技術の問題点を解消するためになさ
れたものであり、高輝度を有するCaS i光体を用い
、かつゲル化がなく、安定で充分な感匿を有する螢光膜
形成用組成物およびこれを用いた螢光膜の形成方法を提
供することを目的とするものである。
れたものであり、高輝度を有するCaS i光体を用い
、かつゲル化がなく、安定で充分な感匿を有する螢光膜
形成用組成物およびこれを用いた螢光膜の形成方法を提
供することを目的とするものである。
本発明は一般式
(式中、Rは水素イオン又はアルキル基を表わし、X−
は、ハロゲンイオン、硫酸イオン、メチル硫酸イオン又
はP−トルエンスルホンf1セイオンを表わし、 m
、 nは任意の整数を表わす。)で表わされるスチリル
ピリジウム基を有する光架橋性構造単位を含有するケン
比率60チ以上のポリ酢酸ビニル誘導体からなる感光性
樹脂とS i02で表面被覆されたCaS系螢光体粉末
とを水性媒体中に分散させた受像管螢光膜形成用組成物
(スラリー)及びこれを用いだ受1&管螢光膜形成方法
に関する。
は、ハロゲンイオン、硫酸イオン、メチル硫酸イオン又
はP−トルエンスルホンf1セイオンを表わし、 m
、 nは任意の整数を表わす。)で表わされるスチリル
ピリジウム基を有する光架橋性構造単位を含有するケン
比率60チ以上のポリ酢酸ビニル誘導体からなる感光性
樹脂とS i02で表面被覆されたCaS系螢光体粉末
とを水性媒体中に分散させた受像管螢光膜形成用組成物
(スラリー)及びこれを用いだ受1&管螢光膜形成方法
に関する。
次に、本発明を更に詳細に説明する。
本発明のスチリルピリジウム基を有するポリ酢酸ビニル
誘導体は、ポリ酢酸ビニルの部分ないしは完全ケン化物
にスチルピリジウム基の導入およびアルデヒド付加して
得られるものであり、下記の繰返し単位1,11.I[
[さらに任意成分としての■からなるものである。
誘導体は、ポリ酢酸ビニルの部分ないしは完全ケン化物
にスチルピリジウム基の導入およびアルデヒド付加して
得られるものであり、下記の繰返し単位1,11.I[
[さらに任意成分としての■からなるものである。
さH3
−Q(2−C,H。
1■
H
−CH2−C1−I−
噸
()
1■
H3CO
本発明のレジスト材料用樹脂として好ましい各O返し単
位の割合は、繰返し単位(が0.01〜10モル係、繰
返し単位■が10〜50モル係、紬i返し単位■が50
〜90モル係、繰返し単位1■が40モル係以下である
。スチルピリジウム基を有する繰返し単位Iの割合が、
001モル係を下まわると、所要の感光性が得られず、
また、10モルチを上まわっても、もはや感光性向上の
効果が期待できないばかりでなく、水親和性が極度に低
下して水性レジスト浴液とすることはできない。また、
アルデヒド付加物である繰返し単位■の割合が10モル
チを下まわると樹脂の水親和性が強すぎて、現像時の膨
潤現象を阻止しえない。また繰返し単位■の割合が50
モル係を上1わると樹脂が一部水不溶となり、ゲル化し
て水性レジスト溶液としては適当ではない。また、繰返
し単位■の割合が40モル係を上まわるとml脂の耐熱
性が1氏下してし甘う欠点がある。
位の割合は、繰返し単位(が0.01〜10モル係、繰
返し単位■が10〜50モル係、紬i返し単位■が50
〜90モル係、繰返し単位1■が40モル係以下である
。スチルピリジウム基を有する繰返し単位Iの割合が、
001モル係を下まわると、所要の感光性が得られず、
また、10モルチを上まわっても、もはや感光性向上の
効果が期待できないばかりでなく、水親和性が極度に低
下して水性レジスト浴液とすることはできない。また、
アルデヒド付加物である繰返し単位■の割合が10モル
チを下まわると樹脂の水親和性が強すぎて、現像時の膨
潤現象を阻止しえない。また繰返し単位■の割合が50
モル係を上1わると樹脂が一部水不溶となり、ゲル化し
て水性レジスト溶液としては適当ではない。また、繰返
し単位■の割合が40モル係を上まわるとml脂の耐熱
性が1氏下してし甘う欠点がある。
なお、繰返し単位Iにおいて、ビニルピリジウム基はベ
ンゼン核のメタ位、メタ位のいずれに結合していてもよ
く、感光性樹脂中においては、これらメタ位、メタ位に
結合したものが混在していてもよい。
ンゼン核のメタ位、メタ位のいずれに結合していてもよ
く、感光性樹脂中においては、これらメタ位、メタ位に
結合したものが混在していてもよい。
このような感光性樹脂は、例えば次のようにして合成さ
れる。すなわちスチリルピリジウム基が導入されたポリ
酢酸ビニルチン化物(重合度2400゜ケン化率60%
以上)とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、グロビ
オアルテヒドまたはプチルアルテヒド等のアルデヒドと
を少量の+tL(”Jtの存在下、水浴液中で0.5〜
1時間、加熱反応させることにより、感光部としてのス
チリルピリジウム基を巾し、アルデヒドを付加させたポ
リ昨蔽ビニル誘導体系感元性しJ脂が得られる。
れる。すなわちスチリルピリジウム基が導入されたポリ
酢酸ビニルチン化物(重合度2400゜ケン化率60%
以上)とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、グロビ
オアルテヒドまたはプチルアルテヒド等のアルデヒドと
を少量の+tL(”Jtの存在下、水浴液中で0.5〜
1時間、加熱反応させることにより、感光部としてのス
チリルピリジウム基を巾し、アルデヒドを付加させたポ
リ昨蔽ビニル誘導体系感元性しJ脂が得られる。
本発明の感光性樹脂は、スラリー全潰!、に対して15
〜4.0止量饅の割合で配合するのが好よしい。
〜4.0止量饅の割合で配合するのが好よしい。
この割合が上記範囲を上まわるとスラリーの粘度が上昇
してしまい塗布作業が困D’LVこなり、■だ、上記範
囲を下まわるとスラリーの感光性が低下して現像処理後
の露光パターンが不鮮明となる。
してしまい塗布作業が困D’LVこなり、■だ、上記範
囲を下まわるとスラリーの感光性が低下して現像処理後
の露光パターンが不鮮明となる。
本発明で用いるCaS系螢光体は、CaSにセリウム、
ユーロピウム、銀等で付活したものであり、螢光体表面
に該螢光体に対して0.001重量重量型400止量饅
8102の被膜が形成されている。この5i02の被膜
は、厚さが0.01mμ乃至50mμでその少なくとも
大部分が連続していることが好1しく、このような被膜
の形成は1例えば特開昭55−65286号に開示され
ているような技術を用いることにより実施することがで
きる。
ユーロピウム、銀等で付活したものであり、螢光体表面
に該螢光体に対して0.001重量重量型400止量饅
8102の被膜が形成されている。この5i02の被膜
は、厚さが0.01mμ乃至50mμでその少なくとも
大部分が連続していることが好1しく、このような被膜
の形成は1例えば特開昭55−65286号に開示され
ているような技術を用いることにより実施することがで
きる。
すなわち、コリン、テトラメチルアン七ニウムハイドロ
メキサイド又はこれらに類似した一般式〔N+11R4
〕O1「(ただしRは同−又は異なったアルチル基)で
表わされるアルカリ液に5i02を溶解し、この5i0
2溶液と螢光体及び純水とを適尚な割合で混合し蒸発乾
固等の方法により螢光体表面に8102の被膜を形成す
るものである。
メキサイド又はこれらに類似した一般式〔N+11R4
〕O1「(ただしRは同−又は異なったアルチル基)で
表わされるアルカリ液に5i02を溶解し、この5i0
2溶液と螢光体及び純水とを適尚な割合で混合し蒸発乾
固等の方法により螢光体表面に8102の被膜を形成す
るものである。
上記5i02の被1摸の被膜量が0.001チ未6;4
の場合にはスラリーの感光特性に関して不安定であり、
40係以上の場合には、螢光体発光輝度の低下が大きく
なり好ましくない。
の場合にはスラリーの感光特性に関して不安定であり、
40係以上の場合には、螢光体発光輝度の低下が大きく
なり好ましくない。
本発明においては、粒子サイズ4〜15μの螢光体粉末
が好ましく、この螢光体粉末(ハ、スラリー全量に対し
て10〜40瓜駁襲の割合で配合するのが好捷しい。配
合割合が上記Rtj)囲を上寸わると螢光体粉末がスラ
リーよゆ沈降してし貰い、また上記範囲をT1わるとパ
ネルフェースグレート面への螢光体塗着−Ii二が低下
する。
が好ましく、この螢光体粉末(ハ、スラリー全量に対し
て10〜40瓜駁襲の割合で配合するのが好捷しい。配
合割合が上記Rtj)囲を上寸わると螢光体粉末がスラ
リーよゆ沈降してし貰い、また上記範囲をT1わるとパ
ネルフェースグレート面への螢光体塗着−Ii二が低下
する。
本発明のスラリーは、上記感光性初詣と、 5iOzで
被覆されたCaS系螢光体粉末を所定の配合割合で水性
媒体中に分散させる事によって得られる。
被覆されたCaS系螢光体粉末を所定の配合割合で水性
媒体中に分散させる事によって得られる。
本発明で用いる水性媒体(は、単なる水でもよいし、水
に極性有機溶剤を添加した混合物でもよい。
に極性有機溶剤を添加した混合物でもよい。
有機浴剤添加により感光性樹脂の溶解性を向上させるこ
とができ、このような有機浴剤としては、アルコール、
ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、ジメチルスルホ
キシドなどが挙げられる。得られたスラリーが不安定で
沈降物を生じ易い場合には、界面活性剤を添加して安定
化することができる。また、ざらに増粘剤、レベリング
剤等公知の添加剤を併用することもできる。
とができ、このような有機浴剤としては、アルコール、
ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、ジメチルスルホ
キシドなどが挙げられる。得られたスラリーが不安定で
沈降物を生じ易い場合には、界面活性剤を添加して安定
化することができる。また、ざらに増粘剤、レベリング
剤等公知の添加剤を併用することもできる。
本発明のスラリーは、塗布作業の容易性から、粘度15
〜30 cps (21°C)の範囲が好ましい。
〜30 cps (21°C)の範囲が好ましい。
次に、本発明の螢光膜形成方法を説明する。
上記組成に調整したスラリーを用意し、これを受像管の
フェースプレートバイ・ル内面に塗布、乾燥する。次い
で、シャドウマスクを用いて所望パターン状に紫外線を
露光し、塗布膜面の感光性樹脂を水子俗化する。紫外線
露光に用いられる光源は1.’340nm付近の波長を
有する紫外線成分を含む光源であればいずれも使用可能
であり、例えば高圧水銀灯が挙げられる。露光の際の照
度は0.5〜2.0mw/cmで照射時間は2〜60秒
で充分である。
フェースプレートバイ・ル内面に塗布、乾燥する。次い
で、シャドウマスクを用いて所望パターン状に紫外線を
露光し、塗布膜面の感光性樹脂を水子俗化する。紫外線
露光に用いられる光源は1.’340nm付近の波長を
有する紫外線成分を含む光源であればいずれも使用可能
であり、例えば高圧水銀灯が挙げられる。露光の際の照
度は0.5〜2.0mw/cmで照射時間は2〜60秒
で充分である。
パターン露光した塗布膜を次いで現像処理することによ
り、未照射部分の感光体組成物を除去する。
り、未照射部分の感光体組成物を除去する。
この現1り処理イ・よ、水又は温水による洗浄によって
行なわれる。
行なわれる。
次いで、必仮に応じて螢・光膜簡にアルミニウム等のい
わゆるメタルバンキング処理を行なう。この工程より、
螢光面の発光量不足を補うことができる。このメタルバ
ッキング処理は、アルミニウム等の金属を螢光膜面に蒸
着することにより行なわれるが、メタルバッキング処理
に先だって、螢光膜面にラッカリングにより有機被膜を
形成しておくのが好捷しい。受像管は次いで焼成され、
螢光体がフェースグレートパネル面に焼付けられる。
わゆるメタルバンキング処理を行なう。この工程より、
螢光面の発光量不足を補うことができる。このメタルバ
ッキング処理は、アルミニウム等の金属を螢光膜面に蒸
着することにより行なわれるが、メタルバッキング処理
に先だって、螢光膜面にラッカリングにより有機被膜を
形成しておくのが好捷しい。受像管は次いで焼成され、
螢光体がフェースグレートパネル面に焼付けられる。
この焼成工程により螢光体以外の成分は揮散もしくは熱
分解により除去される。この際、焼成温度は350〜4
50°C1焼成時間は30〜90分の範囲が好丘しい。
分解により除去される。この際、焼成温度は350〜4
50°C1焼成時間は30〜90分の範囲が好丘しい。
焼成温度がこれより低いか、焼成時間が短かい場・汗に
は、樹脂等の成分が充分除去されず残渣として残ってし
甘い、発光に際して悪影響を及ばず。
は、樹脂等の成分が充分除去されず残渣として残ってし
甘い、発光に際して悪影響を及ばず。
以上の工程により、受像管のフェースグレートパネル面
にGas系螢光体を形成することができる。
にGas系螢光体を形成することができる。
カラー受像管を製造するには、このCaS系螢光体形成
と相前後して他の2色の螢光体層を形成することが必要
でちるが、これらの螢光体層の形成は、メタルバッキン
グ処理前であれは、その順序は任意である。また、螢光
体形成時(ζ使用する感光材料としては、本発明の感光
性樹脂を用いることもできるし、さらに従来のPVA−
ADC系材料等を用いることもできる。
と相前後して他の2色の螢光体層を形成することが必要
でちるが、これらの螢光体層の形成は、メタルバッキン
グ処理前であれは、その順序は任意である。また、螢光
体形成時(ζ使用する感光材料としては、本発明の感光
性樹脂を用いることもできるし、さらに従来のPVA−
ADC系材料等を用いることもできる。
本発明によれば、高輝度のCaS螢光体を安定な水性ス
ンリー状でフェースグレートパネル面に均一にかつ充分
な−で形成することができるので、発光効率の良い受像
管を簡単な工程で製造することができ、ま1ヒ、 AD
Cのような有害な薬品を使用する必要がないため、分署
防止対策上も有利である。
ンリー状でフェースグレートパネル面に均一にかつ充分
な−で形成することができるので、発光効率の良い受像
管を簡単な工程で製造することができ、ま1ヒ、 AD
Cのような有害な薬品を使用する必要がないため、分署
防止対策上も有利である。
合成例
暗答器中で、1七ル裂のスチリルピリジウム基が導入さ
れたポリ酢酸ビニルテン化物(重合度2400、ケン化
率60係以上)10g 、メタノール8mlおよび偏e
(Pl 0.1 gを蒸留水100m1K溶解し、よ
くかサーませた。これにブチルアルデヒド4gを加えて
、約70°Cで約30分間加熱反応させた。この反応系
に熱水60 m IJをさらに加えた後、硫酸0.3g
を滴下してから約1時間かきまぜた。反応後、析出した
樹脂を濾過し蒸留水で十分に洗浄した。ざらに樹脂を希
アルカリ溶液で洗浄し、乾燥した。このように得られた
&J脂におけるブチルアルデヒド′Pl:tよ約50モ
ルチであった。ポリ酢酸ビニルケン化物に対するブチル
アルデヒドの割合を変えることにより、ブチルアルデヒ
ドの付加率を任意に変れることができる。また、ブチル
アルデヒドのかわりに、ホルムアルテヒド、アセトアル
デヒド、グロビオアルテヒドも、同様にポリ酢酸ビニル
チン化物に伺加させることができる。
れたポリ酢酸ビニルテン化物(重合度2400、ケン化
率60係以上)10g 、メタノール8mlおよび偏e
(Pl 0.1 gを蒸留水100m1K溶解し、よ
くかサーませた。これにブチルアルデヒド4gを加えて
、約70°Cで約30分間加熱反応させた。この反応系
に熱水60 m IJをさらに加えた後、硫酸0.3g
を滴下してから約1時間かきまぜた。反応後、析出した
樹脂を濾過し蒸留水で十分に洗浄した。ざらに樹脂を希
アルカリ溶液で洗浄し、乾燥した。このように得られた
&J脂におけるブチルアルデヒド′Pl:tよ約50モ
ルチであった。ポリ酢酸ビニルケン化物に対するブチル
アルデヒドの割合を変えることにより、ブチルアルデヒ
ドの付加率を任意に変れることができる。また、ブチル
アルデヒドのかわりに、ホルムアルテヒド、アセトアル
デヒド、グロビオアルテヒドも、同様にポリ酢酸ビニル
チン化物に伺加させることができる。
実施例1
緑色発光螢光体CaS :Ceをエタノールにより洗浄
し、螢光体粒子表面を清浄にし、濾過し約80°Cで乾
脈する。他方10チのコリン水浴液に5i02を10%
浴解した5i02溶液を作る。次に脱イオン水200重
針部に前記SiO2浴液を3ヒ量部添加し約10分間攪
拌する。次いで該溶液に前記CaS:Ce螢元体を10
0畢量部添加し、約15分間]n拌後懸濁液を吸引71
pj過し、その状態で約1時間放置した後80°C〜1
20°Cで固形物を10時間乾燥する。乾燥後500メ
ツンユのふるいで篩別したところ、(1,015%のS
io2によってwL覆されたCaS :Ce螢光体が
得られた。次にこのCaS:Ce ’iE光体を用いて
下記組成のスラリーをフェースプレートパネルに塗布転
弧した後、シャドウマスクを介して、超高圧水銀灯を光
源とする露光台で緑の螢光体パターン形成位(6を照度
1.5mW/dで5秒間照射した後温水現像を行いCa
S ’22部層を形成する。次いで、青蛍光体、赤部光
体r従来のADCPVA系レジストを用いて同様に繰返
し螢光体層を形成する。その後、所謂ラッカー法にて有
機破膜形成した後、アルミニウムのメタルバンクを形成
し、次いで430’0.30分で焼成してカラー受像管
を製造した。この様にして形成さ几たGas ’室光体
層11i、従来の方法に比べ、十分に所望螢光体重量を
付着させる事が出来るので、輝度f:10%向上する事
が出来た。
し、螢光体粒子表面を清浄にし、濾過し約80°Cで乾
脈する。他方10チのコリン水浴液に5i02を10%
浴解した5i02溶液を作る。次に脱イオン水200重
針部に前記SiO2浴液を3ヒ量部添加し約10分間攪
拌する。次いで該溶液に前記CaS:Ce螢元体を10
0畢量部添加し、約15分間]n拌後懸濁液を吸引71
pj過し、その状態で約1時間放置した後80°C〜1
20°Cで固形物を10時間乾燥する。乾燥後500メ
ツンユのふるいで篩別したところ、(1,015%のS
io2によってwL覆されたCaS :Ce螢光体が
得られた。次にこのCaS:Ce ’iE光体を用いて
下記組成のスラリーをフェースプレートパネルに塗布転
弧した後、シャドウマスクを介して、超高圧水銀灯を光
源とする露光台で緑の螢光体パターン形成位(6を照度
1.5mW/dで5秒間照射した後温水現像を行いCa
S ’22部層を形成する。次いで、青蛍光体、赤部光
体r従来のADCPVA系レジストを用いて同様に繰返
し螢光体層を形成する。その後、所謂ラッカー法にて有
機破膜形成した後、アルミニウムのメタルバンクを形成
し、次いで430’0.30分で焼成してカラー受像管
を製造した。この様にして形成さ几たGas ’室光体
層11i、従来の方法に比べ、十分に所望螢光体重量を
付着させる事が出来るので、輝度f:10%向上する事
が出来た。
CaS :Ce緑色螢光体 30部
合成例の感光性樹脂 3部
界面活性剤 0.1部
純 水 約り2部
尚、上記促釆法は、以下の様に行なった。
すなわち、下記組成の感光性粘着液を〕くネルに塗布転
減した後、シャドウマスクを介して、超高圧水銀灯を光
ぶとする露光台で緑の螢光体ノ(ターン成用位置を照度
1.5 mW/1yfi、で180秒間照射した後、C
aS:Ce緑緑光光体粉末パネル内面に散布し、螢光体
をhr要パターンに粘着させてからエアスプレーで余剰
螢光体を除去する。次いで青蛍光体・赤光光体を従来の
ADC(’VAレジストを用いて同様に繰返し螢光体層
を形成する。
減した後、シャドウマスクを介して、超高圧水銀灯を光
ぶとする露光台で緑の螢光体ノ(ターン成用位置を照度
1.5 mW/1yfi、で180秒間照射した後、C
aS:Ce緑緑光光体粉末パネル内面に散布し、螢光体
をhr要パターンに粘着させてからエアスプレーで余剰
螢光体を除去する。次いで青蛍光体・赤光光体を従来の
ADC(’VAレジストを用いて同様に繰返し螢光体層
を形成する。
以下、本発明方法と同様な方法でカラー受像管を製造し
た。
た。
アルギン酸7”ロビレ/クリコールエステル 0.6
1エテレノグリコール 02 I 水 残 量 実施例2゜ 失施例1.に記載した方法で製造したS io2被覆C
aS:Ce螢光体と、5i02被覆を施こさないCas
:Ce螢光体のそれぞれ30部を合成例の感光性樹脂
3部、界面活性剤0.1部、純水32部と混合し、2種
のスラリーを調整した。ル15整直後のスラリーの感度
を100とし、それぞれのスラリーの相対感度の経時変
化を測足した。その結果を第1図に示す。図からも明ら
かなように未処理の螢光体は、調整後8時間で感度低下
が生じ、12時間後には、感度が半分程度に低下したの
に対して、本発明の処理螢光体(は、60時間後もほと
んど感涙低下はなかった。
1エテレノグリコール 02 I 水 残 量 実施例2゜ 失施例1.に記載した方法で製造したS io2被覆C
aS:Ce螢光体と、5i02被覆を施こさないCas
:Ce螢光体のそれぞれ30部を合成例の感光性樹脂
3部、界面活性剤0.1部、純水32部と混合し、2種
のスラリーを調整した。ル15整直後のスラリーの感度
を100とし、それぞれのスラリーの相対感度の経時変
化を測足した。その結果を第1図に示す。図からも明ら
かなように未処理の螢光体は、調整後8時間で感度低下
が生じ、12時間後には、感度が半分程度に低下したの
に対して、本発明の処理螢光体(は、60時間後もほと
んど感涙低下はなかった。
実施例3
逢す、緑色螢光体・青色・螢光体を各々順次に従来同様
AL)C−PVA系レジストで実施例1同様所定のパタ
ーンをプレ成した恢、実施例1と同様の表面処理で5i
02で松eJされたCaS:Ce、Eu赤色発光螢光体
を用いたCaS :Ce 、Eu下記組成のスラリーを
フェースパネルに塗布乾燥した後、シャドウマスクを介
して超高圧水銀灯を光源とする霧光台で赤の螢光体パタ
ーン形成位置を照度1.5 mW/crdで10秒間照
射した後、温水現像を行いCaS螢光体層を形成する。
AL)C−PVA系レジストで実施例1同様所定のパタ
ーンをプレ成した恢、実施例1と同様の表面処理で5i
02で松eJされたCaS:Ce、Eu赤色発光螢光体
を用いたCaS :Ce 、Eu下記組成のスラリーを
フェースパネルに塗布乾燥した後、シャドウマスクを介
して超高圧水銀灯を光源とする霧光台で赤の螢光体パタ
ーン形成位置を照度1.5 mW/crdで10秒間照
射した後、温水現像を行いCaS螢光体層を形成する。
その後、実施例1と同様な方法でカラー受像管を製作し
た。この様に形成されたCaS螢光体層は、実施例1に
記した従来の方法に比べ十分に所望螢光体重量を付着さ
せる事が出来るので輝度を5%向上する事が出来た。
た。この様に形成されたCaS螢光体層は、実施例1に
記した従来の方法に比べ十分に所望螢光体重量を付着さ
せる事が出来るので輝度を5%向上する事が出来た。
CaS:Ce、Eu赤色螢光体 30部合成例の感光性
面II’a 3部 界面活性剤 01部 純 水 約32部
面II’a 3部 界面活性剤 01部 純 水 約32部
第1図は、本発明の効果を示すグラフである。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑
(ほか1名)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■)次の一般式 (式中、Rは水素原子又はアルキル基を表わし、X−は
、ハロゲンイオン、髄酸イオン、メチル硫酸イオン、又
は、P−)ルエンスルホン酸イオンを表わし、m、nは
、任意の整数を表わす。)で表わされる光架橋性構造単
位を含有するケン化率60チ以上のポリ酢酸ビニル誘導
体からなる感光性樹肥と、5i02で表面被段されたC
aS螢九体粉末とが、水性謀体中に分散されていること
を特徴とする受像管螢光膜形成用組成物、。 2)次の一般式 (式中、Rは水素原子又はアルキル基を表わし、X−は
、ハロゲンイオン、硫酸イオン、メチル硫酸イオン、父
&i、、P−トルエンスルホン酸イオンを表わし、m、
nは、任意の整数を表わす。)で表わされる光架橋性構
造単位金言有するケン化率60係以上のポリ酢酸ビニル
誘導体からなる感光性樹脂と、5i02で表面波υされ
たCaS螢光体粉末とが、水性媒体中に分散でれている
組成物を受像管のフェースプレートパネル内面に塗布し
、マスクを用いて所望パターン状に露光し/こ後、現像
し、次いで焼付けすることにより所望パターン状の螢光
膜を形成することを特徴とする受像管螢光膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17914983A JPS6071682A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 受像管螢光膜形成用組成物及び受像管螢光膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17914983A JPS6071682A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 受像管螢光膜形成用組成物及び受像管螢光膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6071682A true JPS6071682A (ja) | 1985-04-23 |
JPH0456870B2 JPH0456870B2 (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=16060818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17914983A Granted JPS6071682A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 受像管螢光膜形成用組成物及び受像管螢光膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6071682A (ja) |
-
1983
- 1983-09-29 JP JP17914983A patent/JPS6071682A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0456870B2 (ja) | 1992-09-09 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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