JPS6066874A - 薄膜太陽電池素子 - Google Patents
薄膜太陽電池素子Info
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- JPS6066874A JPS6066874A JP58177483A JP17748383A JPS6066874A JP S6066874 A JPS6066874 A JP S6066874A JP 58177483 A JP58177483 A JP 58177483A JP 17748383 A JP17748383 A JP 17748383A JP S6066874 A JPS6066874 A JP S6066874A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈技術分野〉
本発明は薄膜太陽電池素子の構造に関するものである。
〈従来技術〉
太陽電池素子の軽量化は、特に人工衛星搭載用(宇宙用
)のセルにおいて極めて重要な課題である。従来、Ga
As系太陽電池は宇宙用太陽電池として 1)高効率が期待できること 2)耐放射線性にすぐれていること 3)高温での動作が可能であること などSi太陽電池よりすぐれた特長を有していることか
ら、その開発が進められてきた。
)のセルにおいて極めて重要な課題である。従来、Ga
As系太陽電池は宇宙用太陽電池として 1)高効率が期待できること 2)耐放射線性にすぐれていること 3)高温での動作が可能であること などSi太陽電池よりすぐれた特長を有していることか
ら、その開発が進められてきた。
現在提案されているGaAs系太陽電池は、1972年
IBMのHovelらによって提案されたGaAlAs
/GaAsヘテロフェース構造を有するものがほとんど
で、基板には厚さ300μm程度のGaAs単結晶ウェ
ファが用いられていた。しかしGaAs系太陽電池を用
いると、Si太陽電池の約1.5倍の出力を得ることが
期待できるものの、GaAsの比重がSiの比重の2倍
以上あるため単位重量あたりの出力(w/g)の観点か
らGaAs系太陽電池を評価した場合、必ずしも宇宙用
としてSi太陽電池よりすぶれているとは言い難い。加
えてGaAsはその劈開性のためにSiより割れやすく
、Siセルと同程度に基板厚さを薄くすることで太陽電
池の軽量化を計ることも難しい、という欠点があった。
IBMのHovelらによって提案されたGaAlAs
/GaAsヘテロフェース構造を有するものがほとんど
で、基板には厚さ300μm程度のGaAs単結晶ウェ
ファが用いられていた。しかしGaAs系太陽電池を用
いると、Si太陽電池の約1.5倍の出力を得ることが
期待できるものの、GaAsの比重がSiの比重の2倍
以上あるため単位重量あたりの出力(w/g)の観点か
らGaAs系太陽電池を評価した場合、必ずしも宇宙用
としてSi太陽電池よりすぶれているとは言い難い。加
えてGaAsはその劈開性のためにSiより割れやすく
、Siセルと同程度に基板厚さを薄くすることで太陽電
池の軽量化を計ることも難しい、という欠点があった。
ところでGaAsは光の吸収係数か大きく(1.43e
V以上のフォトンに対して104/cm以上)数μmの
厚さがあれば太陽光のエネルギーのほとんどを吸収する
に充分である。また少数キャリアの拡散長は数μm程度
であるため、5μm程度の粒径を有する多結晶膜を使用
することで粒界の影響をさけることが可能で、理論的に
は単結晶なみに17.5%程度の効率が得られることが
知られている。このことから太陽電池の低価格化を目標
としたGaAs薄膜太陽電池の開発が種々の方法で進め
られている。その方法として基板に通常、モリブデン、
タングステン、タンタル、ニオブ等を利用し、GaAs
層の形成には、蒸着法、ハロゲン輸送法、有機金属を用
いた気相成長法(MOCVD法)などを採用する方法が
ある。これら種々の形成法のうち、有機金属を用いた気
相成長法(MOCVD法)によれば用いる基板の結晶性
にかかわらず、基板温度、成長速度等の条件を適切に設
定することでその基板上に多結晶GaAs層を形成する
ことが可能である。
V以上のフォトンに対して104/cm以上)数μmの
厚さがあれば太陽光のエネルギーのほとんどを吸収する
に充分である。また少数キャリアの拡散長は数μm程度
であるため、5μm程度の粒径を有する多結晶膜を使用
することで粒界の影響をさけることが可能で、理論的に
は単結晶なみに17.5%程度の効率が得られることが
知られている。このことから太陽電池の低価格化を目標
としたGaAs薄膜太陽電池の開発が種々の方法で進め
られている。その方法として基板に通常、モリブデン、
タングステン、タンタル、ニオブ等を利用し、GaAs
層の形成には、蒸着法、ハロゲン輸送法、有機金属を用
いた気相成長法(MOCVD法)などを採用する方法が
ある。これら種々の形成法のうち、有機金属を用いた気
相成長法(MOCVD法)によれば用いる基板の結晶性
にかかわらず、基板温度、成長速度等の条件を適切に設
定することでその基板上に多結晶GaAs層を形成する
ことが可能である。
〈発明の目的〉
本発明の目的は上記のような薄膜太陽電池のすぐれた特
長をできる限り保持しつつ、なおかつ現在開発が進めら
れているSi薄膜太陽電池素子なみのw/gを有するこ
とが可能な薄膜太陽電池素子の構造を提供することにあ
り、あらかじめモリブデン、タングステン、タンタル等
の金属で表面をコートした薄いガラススリップを基板に
用い、この上に薄膜太陽電池を形成することで単位重量
あたりの出方向上を計る。
長をできる限り保持しつつ、なおかつ現在開発が進めら
れているSi薄膜太陽電池素子なみのw/gを有するこ
とが可能な薄膜太陽電池素子の構造を提供することにあ
り、あらかじめモリブデン、タングステン、タンタル等
の金属で表面をコートした薄いガラススリップを基板に
用い、この上に薄膜太陽電池を形成することで単位重量
あたりの出方向上を計る。
〈実施例〉
第1図〜第4図は本発明の一実施例の各工程を説明する
ための説明図である。
ための説明図である。
第1図は本発明による太陽電池素子を構成するための基
板の断面を示す。薄いガラススリップ1上に予めモリブ
デン、タングステン、タンタル等の導電膜2を、例えば
真空蒸着法等により形成する。電極となる導電膜2が形
成された上記基板1上に、MOCVD法にて第2図に示
す如くGaAs系薄膜太陽電池半導体層3が形成させる
。該GaAs系半導体層3は次の多層エピタキシャル気
相成長工程によって形成される。即ちまず基板温度90
0℃にて厚さ約2μmのGaAs第1層41が形成され
る。ここでいったん基板温度を1100℃程度まで上げ
て約5分程度にGaAs第1層41をアニールする。こ
の熱処理において第1層がらのAs離脱を防ぐために多
量のAsH3を流すことが望ましい。
板の断面を示す。薄いガラススリップ1上に予めモリブ
デン、タングステン、タンタル等の導電膜2を、例えば
真空蒸着法等により形成する。電極となる導電膜2が形
成された上記基板1上に、MOCVD法にて第2図に示
す如くGaAs系薄膜太陽電池半導体層3が形成させる
。該GaAs系半導体層3は次の多層エピタキシャル気
相成長工程によって形成される。即ちまず基板温度90
0℃にて厚さ約2μmのGaAs第1層41が形成され
る。ここでいったん基板温度を1100℃程度まで上げ
て約5分程度にGaAs第1層41をアニールする。こ
の熱処理において第1層がらのAs離脱を防ぐために多
量のAsH3を流すことが望ましい。
次に基板温度900℃程度にて厚さ約2μmのGaAs
第2層42を形成後、順次所望の層厚のGaAs系薄膜
太陽電池活性層各層(第2図には一例としてn−GaA
s5、p−GaAs6、p−GaAlAs7以上3層を
示した)を形成する。この薄膜太陽電池活性層各層5,
6,7は基板温度700〜800℃にて形成される。上
記GaAs第1層41にアニーリングを施さない場合、
GaAs第1層41上に形成される成長層の粒径は高々
1μm程度であるが、アニーリングを施すことによって
5μm程度の粒径の成長層を得ることかできる。
第2層42を形成後、順次所望の層厚のGaAs系薄膜
太陽電池活性層各層(第2図には一例としてn−GaA
s5、p−GaAs6、p−GaAlAs7以上3層を
示した)を形成する。この薄膜太陽電池活性層各層5,
6,7は基板温度700〜800℃にて形成される。上
記GaAs第1層41にアニーリングを施さない場合、
GaAs第1層41上に形成される成長層の粒径は高々
1μm程度であるが、アニーリングを施すことによって
5μm程度の粒径の成長層を得ることかできる。
次の第3図、第4図は上述の工程によって形成された成
長層を素子化する工程を示すための断面図である。第3
図に示すように成長層の一部を除去して導電膜2上にイ
ンターコネクタ8を接続しGaAs系半導体層3の表面
にも第4図の如く所望の形状の電極9を形成した後イン
ターコネクタ10を接続する。
長層を素子化する工程を示すための断面図である。第3
図に示すように成長層の一部を除去して導電膜2上にイ
ンターコネクタ8を接続しGaAs系半導体層3の表面
にも第4図の如く所望の形状の電極9を形成した後イン
ターコネクタ10を接続する。
次に第4図に示すようにシリコン樹脂11等によって上
面に薄いガラススリット12を接着する。
面に薄いガラススリット12を接着する。
勿論この場合、インターコネクタ11をはさみこんでお
いて、予め透明導電膜を塗布したガラススリップ12を
セル表面に圧着し、周辺をシリコン樹脂で固める等の工
夫も可能である。この上面の薄いガラススリット12は
放射線遮断用のカバーガラスとして機能する。
いて、予め透明導電膜を塗布したガラススリップ12を
セル表面に圧着し、周辺をシリコン樹脂で固める等の工
夫も可能である。この上面の薄いガラススリット12は
放射線遮断用のカバーガラスとして機能する。
第5図、第6図に以下のような工程にて製作された薄膜
太陽電池素子の外観の、それぞれ側面図、上面図を示す
。P電極9、N電極2に接続された各々のインターコネ
クタ10,8の位置を90°ずつずらすことでアセンブ
リに容易性を持たせることができる。
太陽電池素子の外観の、それぞれ側面図、上面図を示す
。P電極9、N電極2に接続された各々のインターコネ
クタ10,8の位置を90°ずつずらすことでアセンブ
リに容易性を持たせることができる。
第7図に、上記実施例に示したガラススリップ基板構造
のGaAs系太陽電池におけるガラススリップ基板の厚
さ、及び従来のSi薄型セル構造をとるSi太陽電池の
Si基板厚さと、夫々の衛星寿命終了時(End of
Life:EOL)における単位重量あたりの出力の
関係を示す。実線はガラススリップ基板の厚さとEOL
における単位重量あたりの出力kの関係、破線はSi薄
型セルのSi基板の厚さとEOLにおける単位重量あた
りの出力の関係を示している。尚単位重量あたりの出力
の計算にはガラススリップ上に形成される全成長層の厚
さを10μm、各々の太陽電池の効率を15%、EOL
は1MeVの電子線1×1015/cm2被爆時と仮定
した。同図から判るように厚さ150μm以下のガラス
スリップを基板として用いることによって同じ厚さのS
i薄型太陽電池より単位重量あたりの出力を高めること
が出来る。
のGaAs系太陽電池におけるガラススリップ基板の厚
さ、及び従来のSi薄型セル構造をとるSi太陽電池の
Si基板厚さと、夫々の衛星寿命終了時(End of
Life:EOL)における単位重量あたりの出力の
関係を示す。実線はガラススリップ基板の厚さとEOL
における単位重量あたりの出力kの関係、破線はSi薄
型セルのSi基板の厚さとEOLにおける単位重量あた
りの出力の関係を示している。尚単位重量あたりの出力
の計算にはガラススリップ上に形成される全成長層の厚
さを10μm、各々の太陽電池の効率を15%、EOL
は1MeVの電子線1×1015/cm2被爆時と仮定
した。同図から判るように厚さ150μm以下のガラス
スリップを基板として用いることによって同じ厚さのS
i薄型太陽電池より単位重量あたりの出力を高めること
が出来る。
上記実施例は宇宙用にGaAs系太陽電池を例に説明し
たが本発明は宇宙用に限定されるものではなく、例えば
小型軽量化が要求される民生用太陽電池にも使用でき、
またGaAs系に限らずIII−V族化合物半導体を用
いた太陽電池材料一般に対して適用されうる構造である
ことは言うまでもない。
たが本発明は宇宙用に限定されるものではなく、例えば
小型軽量化が要求される民生用太陽電池にも使用でき、
またGaAs系に限らずIII−V族化合物半導体を用
いた太陽電池材料一般に対して適用されうる構造である
ことは言うまでもない。
〈効果〉
以上本発明によれば、ガラススリップを基板として光電
変換のための能動素子層を薄膜半導体層によって構成す
るため、能動素子層が持つすぐれた特性を損うことなく
、太陽電池素子の軽量化を図ることができ、またガラス
封止されることにより耐環境性の改善を図ることができ
、長期に亘って特性の安定した太陽電池を得ることがで
きる。
変換のための能動素子層を薄膜半導体層によって構成す
るため、能動素子層が持つすぐれた特性を損うことなく
、太陽電池素子の軽量化を図ることができ、またガラス
封止されることにより耐環境性の改善を図ることができ
、長期に亘って特性の安定した太陽電池を得ることがで
きる。
第1図乃至第4図は本発明による一実施例の薄膜太陽電
池素子の製作工程を示す断面図、第5図及び第6図は同
実施例による薄膜太陽電池素子の側面図及び上面図、第
7図は本発明の一実施例であるGaAs系薄膜太陽電池
と従来のSi薄型太陽電池の各基板厚さとEOLにおけ
る単位重量あたりの出力の関係を示す図である。 1、12:ガラススリップ 2、9:導電膜3:薄膜半
導体層 8、10:インターコネクタ代理人 弁理士
福士 愛彦(他2名)(9)
池素子の製作工程を示す断面図、第5図及び第6図は同
実施例による薄膜太陽電池素子の側面図及び上面図、第
7図は本発明の一実施例であるGaAs系薄膜太陽電池
と従来のSi薄型太陽電池の各基板厚さとEOLにおけ
る単位重量あたりの出力の関係を示す図である。 1、12:ガラススリップ 2、9:導電膜3:薄膜半
導体層 8、10:インターコネクタ代理人 弁理士
福士 愛彦(他2名)(9)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)ガラススリップ間に気相エピタキシャルによる層薄
膜のIII−V族化合物半導体層を挾持してなる薄膜太
陽電池素子。 2)前記ガラススリップの少なくとも一方の厚さが15
0μm以下であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の薄膜太陽電池素子。 3)前記III−V族化合物半導体層を挾持する両側の
ガラススリップが共に厚さ150μm以下であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜太陽電池素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58177483A JPS6066874A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 薄膜太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58177483A JPS6066874A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 薄膜太陽電池素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6066874A true JPS6066874A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=16031692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58177483A Pending JPS6066874A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 薄膜太陽電池素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6066874A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1246261A2 (en) * | 2001-03-27 | 2002-10-02 | Nagoya Institute of Technoloy | Space solar cell |
JP2018531505A (ja) * | 2015-10-20 | 2018-10-25 | アルタ デバイセズ, インコーポレイテッドAlta Devices, Inc. | ストレス耐性が強化された太陽電池におけるフロントメタルコンタクトの形成 |
JP2020038890A (ja) * | 2018-09-03 | 2020-03-12 | 国立大学法人 筑波大学 | 半導体装置とその製造方法および光電変換装置 |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP58177483A patent/JPS6066874A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1246261A2 (en) * | 2001-03-27 | 2002-10-02 | Nagoya Institute of Technoloy | Space solar cell |
EP1246261A3 (en) * | 2001-03-27 | 2004-04-21 | Nagoya Institute of Technoloy | Space solar cell |
JP2018531505A (ja) * | 2015-10-20 | 2018-10-25 | アルタ デバイセズ, インコーポレイテッドAlta Devices, Inc. | ストレス耐性が強化された太陽電池におけるフロントメタルコンタクトの形成 |
US11257965B2 (en) | 2015-10-20 | 2022-02-22 | Utica Leaseco, Llc | Forming front metal contact on solar cell with enhanced resistance to stress |
JP2020038890A (ja) * | 2018-09-03 | 2020-03-12 | 国立大学法人 筑波大学 | 半導体装置とその製造方法および光電変換装置 |
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