JPS6064428A - 酸化拡散方法 - Google Patents
酸化拡散方法Info
- Publication number
- JPS6064428A JPS6064428A JP17128483A JP17128483A JPS6064428A JP S6064428 A JPS6064428 A JP S6064428A JP 17128483 A JP17128483 A JP 17128483A JP 17128483 A JP17128483 A JP 17128483A JP S6064428 A JPS6064428 A JP S6064428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- gas
- pressure
- tube
- exhaust pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はシリコンウェハの酸化拡散方法に関する。
従来技術と問題点
従来のシリコンウニ）ｓ酸化拡散方法は、第１図に示す
ように、シリコノウエバ・Ｗ＋ ％・・・Ｗｎを収容し
た円筒状の石英反応管３を、断熱材４，５，６．７を介
して反応管外周を包囲するヒータ１，２によシ加熱しな
がら吸気管からガスを吸入して排気管３・２から排気し
、反応管内部りウエノＷ、 Ｗ、・・・Ｗｎの酸化拡散
処理を行うようになっている。
ように、シリコノウエバ・Ｗ＋ ％・・・Ｗｎを収容し
た円筒状の石英反応管３を、断熱材４，５，６．７を介
して反応管外周を包囲するヒータ１，２によシ加熱しな
がら吸気管からガスを吸入して排気管３・２から排気し
、反応管内部りウエノＷ、 Ｗ、・・・Ｗｎの酸化拡散
処理を行うようになっている。
ところが、上記従来の方法によれば、反応管３の先端部
領域３３が、構造上いわゆる開放形のため低温にならざ
るを得す、この領域付近で液化するガスを補うため吸気
管３１かも補給せねばならない。特に、近来はウェアの
口径が大きくなっているので、均一な膜厚のウェアを得
るには、従来方法では大°量のガスが消費されるという
問題点があった。
領域３３が、構造上いわゆる開放形のため低温にならざ
るを得す、この領域付近で液化するガスを補うため吸気
管３１かも補給せねばならない。特に、近来はウェアの
口径が大きくなっているので、均一な膜厚のウェアを得
るには、従来方法では大°量のガスが消費されるという
問題点があった。
発明の目的
本発明の目的は、反応管の高温毎】域において熱シール
を施すと共に管内圧を一定に保持することによシ、シリ
コンウェハの叡化拡散葡少量のカスで行うことにるる。
を施すと共に管内圧を一定に保持することによシ、シリ
コンウェハの叡化拡散葡少量のカスで行うことにるる。
発明の構成
本発明によれば、ヒータで加熱された石英反応管内に吸
気管からガスを吸入して反応管内に配置したシリコンウ
ェハを酸化拡散処理し排気管からガスを排出するように
した酸化拡散方法において、上記反応管の先端部の高温
領域に管外方から断熱材を押圧すると共に反応管の基端
部外側に断熱羽を挿着し、吸入したガスをシリコンウェ
ハが配置された高温領域内のみを循環させて排出し、更
に排気管に取シ付けた圧力制御装置によシ反応管内のガ
ス圧力を一定に保持するようにしたことを特徴とする酸
化拡散方法が提供される。
気管からガスを吸入して反応管内に配置したシリコンウ
ェハを酸化拡散処理し排気管からガスを排出するように
した酸化拡散方法において、上記反応管の先端部の高温
領域に管外方から断熱材を押圧すると共に反応管の基端
部外側に断熱羽を挿着し、吸入したガスをシリコンウェ
ハが配置された高温領域内のみを循環させて排出し、更
に排気管に取シ付けた圧力制御装置によシ反応管内のガ
ス圧力を一定に保持するようにしたことを特徴とする酸
化拡散方法が提供される。
発明の実施例
以下、本発明を実施例によシ添付図面を参照して説明す
る。
る。
第２図は本発明に係る酸化拡散方法を実施するための装
置構成図でめる。
置構成図でめる。
第２図の装置は、ヒータ１０．２０で包囲された石英反
応管３０の先端部から矢印Ａの方向に球形断熱材８０を
押圧し、吸気管３０１からガスを入れて排気管３０２か
ら排気し圧力側（ｌｌｌｌｌ装置上シ反応管３０の内圧
を一定に保持し乍ら、シリコンウェアＷ、 、 Ｗ、・
・・Ｗｎの酸化拡散処理を行う。
応管３０の先端部から矢印Ａの方向に球形断熱材８０を
押圧し、吸気管３０１からガスを入れて排気管３０２か
ら排気し圧力側（ｌｌｌｌｌ装置上シ反応管３０の内圧
を一定に保持し乍ら、シリコンウェアＷ、 、 Ｗ、・
・・Ｗｎの酸化拡散処理を行う。
石英反応管３０は、基端部が断熱月４０．５０゜６０を
介してヒータ１０．２０内に１１５１定されかつ基端部
からは吸気管３０１及び排気管３０２が装置ｊ’７゜外
方に延びている。吸気管３０１はガス発生装置６（図示
省略）に結合し、排気管３０２にはパルプＶが取付けら
れ圧力制御装置ｉ’＋： Ｃにより開閉するようになっ
ている。
介してヒータ１０．２０内に１１５１定されかつ基端部
からは吸気管３０１及び排気管３０２が装置ｊ’７゜外
方に延びている。吸気管３０１はガス発生装置６（図示
省略）に結合し、排気管３０２にはパルプＶが取付けら
れ圧力制御装置ｉ’＋： Ｃにより開閉するようになっ
ている。
一方、反応管３０の先端部からは、−ヒ述したように、
断熱材８０が押圧され、該１子１［ス、合材８０は中空
の石英球の中に充填されている。この球形断熱材８０は
支持棒８１に巻回されたー：ね８２によシ矢印Ａの向き
に押圧されておシかつ反応管３０と球形断熱材８０間に
はず９合せシール７０が挿右され着封が確保されている
。上記反応管３０は、図示するように、先端部が太く高
温領域から基端部に向って細くなっており、細くなった
部分にシリコンウェアＷ、 Ｗ、・・・Ｗｎが）Ｊｒ
’、ｔｒＺの間隔を１１５１いて配置されている。
断熱材８０が押圧され、該１子１［ス、合材８０は中空
の石英球の中に充填されている。この球形断熱材８０は
支持棒８１に巻回されたー：ね８２によシ矢印Ａの向き
に押圧されておシかつ反応管３０と球形断熱材８０間に
はず９合せシール７０が挿右され着封が確保されている
。上記反応管３０は、図示するように、先端部が太く高
温領域から基端部に向って細くなっており、細くなった
部分にシリコンウェアＷ、 Ｗ、・・・Ｗｎが）Ｊｒ
’、ｔｒＺの間隔を１１５１いて配置されている。
上記の構成を有する第２図の装置は、次のように動作す
る。先ず、上記の通シ、ウェアＷ１Ｗ２・・・Ｗｎを配
置した装置の吸気管３０１から矢印で示すようにガスを
反応管３０内に吸入する。吸入ガスは具体的には水蒸気
でめシ、水紫と酸素を化合させて生成する。ヒータ１０
，２０によシ高温に加熱された反応管３０内でウェアＷ
、 Ｗ、・・・Ｗ を酸化拡散処理した水蒸気ガスは高
温状態のまま排気管３０２から矢印の方向に排気される
。排気管３０２にはコントロール用バルブＶが取り付け
られているので、圧力ｉ１ｉ制御装置Ｃにより反応管３
゜内の蒸気圧は常に一定、例えばゲージ圧力で１０〜３
０〔ｌＩｒＩｎｌ１１〕、に保持きれている。
る。先ず、上記の通シ、ウェアＷ１Ｗ２・・・Ｗｎを配
置した装置の吸気管３０１から矢印で示すようにガスを
反応管３０内に吸入する。吸入ガスは具体的には水蒸気
でめシ、水紫と酸素を化合させて生成する。ヒータ１０
，２０によシ高温に加熱された反応管３０内でウェアＷ
、 Ｗ、・・・Ｗ を酸化拡散処理した水蒸気ガスは高
温状態のまま排気管３０２から矢印の方向に排気される
。排気管３０２にはコントロール用バルブＶが取り付け
られているので、圧力ｉ１ｉ制御装置Ｃにより反応管３
゜内の蒸気圧は常に一定、例えばゲージ圧力で１０〜３
０〔ｌＩｒＩｎｌ１１〕、に保持きれている。
このような方法によシ、一定の圧力に保持された少量の
ガスによシリコンウェアの開化拡散処理が行われ、従来
１０ ［ｔ／ｍｉｎ ）必要であったカーＸ カ１ ［
ｔ ／ｍｉｎ 〕 で済むようになる。
ガスによシリコンウェアの開化拡散処理が行われ、従来
１０ ［ｔ／ｍｉｎ ）必要であったカーＸ カ１ ［
ｔ ／ｍｉｎ 〕 で済むようになる。
発明の効果
上記の通シ、本発明によれば反応管の高温領域において
熱シールを行うと共に反ＬＣ，，管内の圧力を一定に保
持するようにしたので、従来よシも少ｔｉ。
熱シールを行うと共に反ＬＣ，，管内の圧力を一定に保
持するようにしたので、従来よシも少ｔｉ。
のガスでシリコンウェアのＦＪ＆化拡ｆｉ、を行うこと
ができる。
ができる。
第１図は従来の方法を実施するだめの装置Ｍ： ４７？
成図、第２図は本発明方式を実ｈｍするだめの装置構成
図でるる。 １０．２０・・・ヒータ、３ｏ・・・石操反応管、４０
．５０，６０・・・断熱材、７ｏ・・・ずシｕわせシー
ル、８０・・・断熱材。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願式」Ｉ’人 弁理士 寄木 朗 弁理士 西舘和之 弁理士 内田幸男 弁理士 山 口 １慣 之
成図、第２図は本発明方式を実ｈｍするだめの装置構成
図でるる。 １０．２０・・・ヒータ、３ｏ・・・石操反応管、４０
．５０，６０・・・断熱材、７ｏ・・・ずシｕわせシー
ル、８０・・・断熱材。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願式」Ｉ’人 弁理士 寄木 朗 弁理士 西舘和之 弁理士 内田幸男 弁理士 山 口 １慣 之
Claims (1)
- ヒータで加熱された石英反応管内に吸気管からガスを吸
入して反応管内に配置したシリコンウェハを酸化拡散処
理し排気管からガスを排出するようにした酸化拡散方法
において、上記反応管の先端部の高温領域に管外方から
断熱材を押圧すると共に反応管の基端部外側に断熱材を
挿着し、吸入したガスをシリコノウエバが配置された高
温領域内のみを循環させて排出し、更に排気管に取シ付
けた圧力制御装置によシ反応管内のガス圧力を一定に保
持するようにしたことを特徴とする酸化拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17128483A JPS6064428A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 酸化拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17128483A JPS6064428A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 酸化拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064428A true JPS6064428A (ja) | 1985-04-13 |
Family
ID=15920466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17128483A Pending JPS6064428A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 酸化拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6064428A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263421A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-20 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハ熱処理装置 |
| JPS63304620A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用熱処理炉 |
| JPH0210826A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electron Corp | 拡散炉装置 |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP17128483A patent/JPS6064428A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263421A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-20 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハ熱処理装置 |
| JPS63304620A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用熱処理炉 |
| JPH0210826A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electron Corp | 拡散炉装置 |
| JP2502692B2 (ja) * | 1988-06-29 | 1996-05-29 | 松下電子工業株式会社 | 拡散炉装置 |
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