JPH0210826A - 拡散炉装置 - Google Patents
拡散炉装置Info
- Publication number
- JPH0210826A JPH0210826A JP16175788A JP16175788A JPH0210826A JP H0210826 A JPH0210826 A JP H0210826A JP 16175788 A JP16175788 A JP 16175788A JP 16175788 A JP16175788 A JP 16175788A JP H0210826 A JPH0210826 A JP H0210826A
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Landscapes
- Control Of Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子製造において、熱酸化、熱拡散法等
に用いられる拡散炉装置に関する。
に用いられる拡散炉装置に関する。
従来の技術
半導体素子製造において用いられるシリコンウェハは近
年、大口径化が進み、現在では６インチウェハが主流と
なっている。それに伴ない半導体素子の製造装置も大口
径に対応できるよう改良が重ねられ進歩してきた。半導
体素子製造において熱拡散および熱酸化に用いられる拡
散炉もウェハを収納するチューブの大口径化およびヒー
ターの大口径化、長寿命化等改良が重ねられている。
年、大口径化が進み、現在では６インチウェハが主流と
なっている。それに伴ない半導体素子の製造装置も大口
径に対応できるよう改良が重ねられ進歩してきた。半導
体素子製造において熱拡散および熱酸化に用いられる拡
散炉もウェハを収納するチューブの大口径化およびヒー
ターの大口径化、長寿命化等改良が重ねられている。
従来の拡散炉の典型的−例を第２図に示す。チューブ２
をヒーター１内に挿入し、チューブ前端部および尾管部
を炉体内に収納するものである。
をヒーター１内に挿入し、チューブ前端部および尾管部
を炉体内に収納するものである。
ここでチューブ尾管部よりガス導入管４により例えば酸
素などのガスをチューブ内に導入しシリコンウェハを酸
化するなどの処理を行なう。チューブ前端部はシャッタ
ー９により閉じられ、チューブ内のガスはシャッター９
に設けられた開口部より排気され、さらに炉体に設けら
れた排気ダクト３により炉体外に排気される。第２図中
にチューブ内外のガスの流れを矢印で示す。排気される
ガス量は排気ダクト３に設けられたダンパー１０により
調整される。
素などのガスをチューブ内に導入しシリコンウェハを酸
化するなどの処理を行なう。チューブ前端部はシャッタ
ー９により閉じられ、チューブ内のガスはシャッター９
に設けられた開口部より排気され、さらに炉体に設けら
れた排気ダクト３により炉体外に排気される。第２図中
にチューブ内外のガスの流れを矢印で示す。排気される
ガス量は排気ダクト３に設けられたダンパー１０により
調整される。
発明が解決しようとする課題
この方法による拡散炉装置では、排気されるガス流量が
排気ダクトに設けられたダンパーにより調整されるため
、排気ダクトの引き量が変化した場合、チューブ内のガ
スの流れが影響を受ける。
排気ダクトに設けられたダンパーにより調整されるため
、排気ダクトの引き量が変化した場合、チューブ内のガ
スの流れが影響を受ける。
また導入ガス流量によりチューブ内圧力も変化する。
これらの結果、熱処理工程の再現性がなくなり、例えば
酸化膜厚のバラツキ等がおこり安定したプロセスの実施
が不可能となる。
酸化膜厚のバラツキ等がおこり安定したプロセスの実施
が不可能となる。
課題を解決するための手段
前記課題を解決するために本発明による拡散炉装置は次
のような構造をもつ。
のような構造をもつ。
すなわち、まずチューブ前端部を完全密閉できるキャッ
プを設け、キャップにチューブ内外の圧力差を検知する
差圧計と、開口面積が可変の開口部を有している。また
この差圧計からの出力を入力して開口部の開口面積を制
御する制御装置を有し、チューブ内圧力を常時一定に保
つよう動作させる構成をとる。
プを設け、キャップにチューブ内外の圧力差を検知する
差圧計と、開口面積が可変の開口部を有している。また
この差圧計からの出力を入力して開口部の開口面積を制
御する制御装置を有し、チューブ内圧力を常時一定に保
つよう動作させる構成をとる。
作用
この構成によってチューブ内圧力およびガスの流れを常
に一定に保つことが可能で、安定で再現性の高い製造プ
ロセスの実施が可能である。
に一定に保つことが可能で、安定で再現性の高い製造プ
ロセスの実施が可能である。
実施例
以下本発明による拡散炉装置の一実施例を図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における拡散炉装置を示すも
のである。第１図において１はヒーター２はチューブ、
３は排気ダクト、４はガス導入管、５はキャップ、６は
チューブ内外の差圧計、７はキャップに設けられた開口
面積可変の開口部、８は差圧計からの出力を入力し、開
口部７の面積を制御する制御装置である。また図中の矢
印はチューブ内外のガスの流れを示すものである。
のである。第１図において１はヒーター２はチューブ、
３は排気ダクト、４はガス導入管、５はキャップ、６は
チューブ内外の差圧計、７はキャップに設けられた開口
面積可変の開口部、８は差圧計からの出力を入力し、開
口部７の面積を制御する制御装置である。また図中の矢
印はチューブ内外のガスの流れを示すものである。
キャップ５はステンレス製でチューブとの接触部にＯリ
ングを有しチューブを完全密閉する。キャップ５上には
チューブの内外の圧力差を検知する差圧計６と、開口面
積可変の開口部７を設け、差圧計６からの出力を開口面
積制御装置８に入力し、制御装置７はこの入力値により
開口部７の面積を制御してチューブ内の圧力を常に一定
に保つ。
ングを有しチューブを完全密閉する。キャップ５上には
チューブの内外の圧力差を検知する差圧計６と、開口面
積可変の開口部７を設け、差圧計６からの出力を開口面
積制御装置８に入力し、制御装置７はこの入力値により
開口部７の面積を制御してチューブ内の圧力を常に一定
に保つ。
以上のように本実施例によれば、チューブ内圧力および
ガスの流れを常に一定に保つことができる。これにより
例えば酸化膜厚のバラツキ等をなくすことかでき、安定
した製造プロセスの実現が可能である。
ガスの流れを常に一定に保つことができる。これにより
例えば酸化膜厚のバラツキ等をなくすことかでき、安定
した製造プロセスの実現が可能である。
発明の効果
本発明はチューブ内外の差圧計と、開口面積可変の開口
部および差圧計からの出力を入力して開口部の面積を制
御する制御装置とを設けることによシ、チューブ内圧力
およびガスの流れを常に一定に保つことができる優れた
拡散炉装置を実現できるものである。
部および差圧計からの出力を入力して開口部の面積を制
御する制御装置とを設けることによシ、チューブ内圧力
およびガスの流れを常に一定に保つことができる優れた
拡散炉装置を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例における拡散炉装置の斜視図
、第２図は従来の拡散炉装置の斜視図である。 １・・・・・・ヒーター、２・・・・・・チューブ、３
・・・・・・排気ダクト、４・・・・・・ガス導入管、
６・・・・・・キャップ、６・・・・・・差圧計、７・
・・・・・開口部、８・・・・・・開口面積制御袋Ｌ
９・・・・・・シャッター、１０・・・・・・ダンパー
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−Ｌ
ソ如
、第２図は従来の拡散炉装置の斜視図である。 １・・・・・・ヒーター、２・・・・・・チューブ、３
・・・・・・排気ダクト、４・・・・・・ガス導入管、
６・・・・・・キャップ、６・・・・・・差圧計、７・
・・・・・開口部、８・・・・・・開口面積制御袋Ｌ
９・・・・・・シャッター、１０・・・・・・ダンパー
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−Ｌ
ソ如
Claims (1)
- 炉内と炉外のそれぞれの圧力の差を検知する差圧計と、
炉内のガスを炉外に排出するための開口面積が可変の開
口部と、前記差圧計の出力を入力して前記開口部の面積
を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする拡散炉
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161757A JP2502692B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 拡散炉装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161757A JP2502692B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 拡散炉装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210826A true JPH0210826A (ja) | 1990-01-16 |
| JP2502692B2 JP2502692B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=15741315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63161757A Expired - Lifetime JP2502692B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 拡散炉装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502692B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247618A (ja) * | 1990-12-03 | 1992-09-03 | Samsung Electron Co Ltd | 不純物拡散炉 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3788405B2 (ja) | 2002-08-01 | 2006-06-21 | トヨタ自動車株式会社 | 熱光発電装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064428A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Fujitsu Ltd | 酸化拡散方法 |
| JPS6080225A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-08 | Hitachi Ltd | ドライプロセス処理方法及びその装置 |
| JPS63304620A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用熱処理炉 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63161757A patent/JP2502692B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064428A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Fujitsu Ltd | 酸化拡散方法 |
| JPS6080225A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-08 | Hitachi Ltd | ドライプロセス処理方法及びその装置 |
| JPS63304620A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用熱処理炉 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247618A (ja) * | 1990-12-03 | 1992-09-03 | Samsung Electron Co Ltd | 不純物拡散炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2502692B2 (ja) | 1996-05-29 |
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