JPH08340007A - 基板の熱処理装置 - Google Patents

基板の熱処理装置

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JPH08340007A
JPH08340007A JP16826795A JP16826795A JPH08340007A JP H08340007 A JPH08340007 A JP H08340007A JP 16826795 A JP16826795 A JP 16826795A JP 16826795 A JP16826795 A JP 16826795A JP H08340007 A JPH08340007 A JP H08340007A
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JP
Japan
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heat treatment
gas
mixing ratio
flow rate
treatment furnace
Prior art date
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Pending
Application number
JP16826795A
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English (en)
Inventor
Hiroyoshi Kiyama
弘喜 樹山
Mitsukazu Takahashi
光和 高橋
Yasuaki Kondo
泰章 近藤
Akio Hashizume
彰夫 橋詰
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱処理炉内へ供給される複数種類のガスの混
合比を正確に制御し、熱処理炉内を常に安定したガス雰
囲気とすることができる装置を提供する。 【構成】 熱処理炉の炉本体10内のガス濃度を測定する
ガス濃度計56を設け、その測定結果に基づいて炉本体内
へ供給される複数種類のガスの混合比が予め設定された
混合比となるように流量調節弁48、50、52を調整し、ガ
ス供給配管42、44、46を通して送給される各ガスの流量
を調節する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばランプアニー
ル装置やCVD装置などのように、活性又は不活性なガ
スを熱処理炉内へ導入して基板に対しアニール、酸窒
化、成膜等の熱処理を施す基板の熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の基板の熱処理装置、例えばラン
プアニール装置においては、石英ガラス等によって扁平
状に形成された熱処理炉内へ、その一側面に形成された
開口を通して基板を1枚ずつ搬入し、蓋体によって開口
を閉塞した後、ガス供給ユニットから酸素、窒素、アル
ゴン、アンモニア、一酸化窒素などの活性又は不活性な
ガスを熱処理炉内へ導入し、熱処理炉内に収容された基
板に対して熱処理を施すようにしている。そして、窒素
と酸素、或いはアルゴンと酸素といったように2種類以
上のガスを混合し、その混合ガスを熱処理炉内へ導入し
てアニールを行なう場合、従来は、それぞれのガスの流
量を所定の比率となるように調節して、熱処理炉内へ導
入されるガスの混合比を制御するようにしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の制御方式は、ガス供給ユニットにおいてそれぞ
れのガスの流量を調節し、それぞれ所定の流量に調節さ
れた2種類以上のガスを混合して熱処理炉内へ導入す
る、といったものであり、実際に熱処理炉内へ供給され
た混合ガスが所望の混合比となっているかどうかについ
ては信頼性に欠ける、といった問題点がある。また、特
に低濃度のガスを他のガスと混合して熱処理炉内へ供給
するようなとき、例えば窒素と酸素との混合ガスを熱処
理炉内へ供給する場合において酸素の濃度を100pp
mといった低濃度に調節しようとするときは、ガスの流
量を調節することだけで混合ガスの混合比を制御するこ
とは難しく、安定性の点で問題がある。そして、一度ガ
スの流量を調節した後は、熱処理炉内へ導入される混合
ガスの実際の混合比が予め設定された混合比になってい
なかったとしても、そのまま熱処理が続けられることと
なる。
【0004】基板の熱処理装置において、上記したよう
に、熱処理炉内へ供給される複数種類のガスの混合比が
正しく設定通りの値になっていなかったり不安定であっ
たりすると、基板の熱処理品質が低下したり、各基板間
で品質が不均一になったりする。
【0005】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、熱処理炉内へ供給される複数種類の
ガスの実際の混合比を正確に制御し、低濃度のガスを他
のガスと混合して供給するようなときでも、熱処理炉内
を安定したガス雰囲気とすることができ、もって熱処理
品質の向上と均一化を図ることができる基板の熱処理装
置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明は、被処理基板
を収容する熱処理炉と、この熱処理炉内へ複数のガス供
給源からそれぞれ異なった種類のガスを予め設定された
混合比で供給するガス供給手段とを備えた基板の熱処理
装置において、前記ガス供給手段に、ガスの流量を調節
する流量調節手段を設けるとともに、前記熱処理炉内へ
供給される複数種類のガスの混合比を、ガス濃度を測定
して検出する混合比検出手段と、この混合比検出手段に
よる検出結果に基づいて、前記熱処理炉内へ供給される
複数種類のガスの混合比が予め設定された混合比となる
ように前記ガス供給手段の前記流量調節手段を制御する
制御手段とを設けたことを特徴とする。
【0007】請求項2に係る発明では、熱処理炉内へ供
給される複数種類のガスを混合する混合室を設けるよう
にした。
【0008】
【作用】上記構成の基板の熱処理装置では、混合比検出
手段により、熱処理炉内へ供給される複数種類のガスの
1つもしくは2以上のガス濃度が測定されて実際の混合
比が検出され、制御手段により、その検出結果に基づい
てガス供給手段の流量調節手段が制御され、混合比検出
手段によって検出された混合比が予め設定された混合比
に一致するように、各ガスの流量が調節される。このよ
うに、熱処理炉内へ供給されるガスの濃度を直接に測定
して実際の混合比を検出し、その検出結果をフィードバ
ックしてガス流量を調節するようにしているので、熱処
理炉内へ供給される混合ガスの混合比が設定通りに正確
に制御され、また、低濃度のガスを他のガスと混合して
供給するような場合でも、熱処理炉内が安定したガス雰
囲気となる。
【0009】請求項2に記載された構成によれば、複数
種類のガスがより均一に混合されて熱処理炉内へ供給さ
れる。
【0010】
【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。
【0011】図1は、この発明をランプアニール装置に
適用した1実施例を示し、装置の主要部の構成をガス配
管系と共に示す側面縦断面図である。このランプアニー
ル装置は、石英ガラス等によって扁平状で平面形状が矩
形に形成され、一側面が開口した炉本体10と、ステン
レス鋼等の金属材によって加工形成され、炉本体10の
開口側に一体的に付設された付設部12とから熱処理炉
が構成されている。炉本体10には、開口した側と反対
の一端側にガス導入部14が配設されており、炉本体1
0の熱処理室16内に基板Wが1枚ずつ収容されるよう
になっている。また、付設部12は、熱処理室16に連
通した前室18を有し、一側面に開口20が形成され、
その開口20の近傍にガス排出部22が配設されてい
る。ガス排出部22は、内壁面に排気口24を開設し、
排気管26を介して排気口24を図示しない排気ポンプ
に流路接続するようにして構成されている。付設部12
の開口20は、蓋体28によって開閉自在に閉塞される
ようになっており、蓋体28の内側面側には、図示を省
略しているが、基板Wを支持するサセプタ30に連結し
た連結桿が固着されている。さらに、炉本体10の外方
側には、上面炉壁及び下面炉壁にそれぞれ対向するよう
にかつ上下で互いに直交する方向に、それぞれ複数本の
加熱用ランプ32が列設されている。また、ガス導入部
14のガス供給口34から炉本体10へ至る流路の途中
には、複数種類、この実施例では窒素と酸素との2種類
のガスを十分に混合した後炉本体10内へ導入するため
の混合室36が介設されている。図中の38は、シール
用のO−リングである。このランプアニール装置では、
ガス導入部14を通して熱処理炉の熱処理室16内へ導
入された混合ガス、例えば酸素と窒素との混合ガスが、
熱処理室16内を基板Wの表面に沿って流れ、熱処理室
16から前室18内へ流入し、前室18内へ流入したガ
スが、排気口24を通って排出されるようになってい
る。
【0012】上記熱処理炉のガス導入部14のガス供給
口34には、混合ガス供給配管40が流路接続されてお
り、混合ガス供給配管40には、小流量用酸素ガス供給
配管42、大流量用酸素ガス供給配管44及び窒素ガス
供給配管46が互いに合流してそれぞれ流路接続されて
いる。小流量用酸素ガス供給配管42は、小流量、例え
ば最大10cc/minの流量の酸素ガスを供給するこ
とができる酸素ガス供給源に流路接続され、大流量用酸
素ガス供給配管44は、大流量、例えば最大20 l/
minの流量の酸素ガスを供給することができる酸素ガ
ス供給源に流路接続されており、また、窒素ガス供給配
管46は、大流量、例えば最大50 l/minの流量
の窒素ガスを供給することができる窒素ガス供給源に流
路接続されている。また、各ガス供給配管42、44、
46には、流量調節弁48、50、52がそれぞれ介挿
されている。そして、流量調節弁48、50、52を制
御し、各ガス供給配管42、44、46を通して供給さ
れるガスの流量を調節するためのマスフローコントロー
ラ54が設けられている。小流量用及び大流量用の2つ
の酸素ガス供給配管42、44を設けているのは、大流
量用酸素ガス供給配管44だけであると、酸素ガスの混
合比率が小さいときに酸素ガスの供給流量を微調節する
ことが難しく、小流量用酸素ガス供給配管42を設けて
微調節を容易にするためである。これら小流量用及び大
流量用の2つの酸素ガス供給配管42、44は、混合比
に応じて択一的に使い分けられる。
【0013】また、炉本体10の内部には、酸素ガス濃
度計、例えば応答性の良いガルバニ式の酸素ガス濃度計
56のプローブ管58が挿入されており、この酸素ガス
濃度計56により、炉本体10内に導入された混合ガス
中の酸素ガス濃度が測定されるようになっている。酸素
ガス濃度計56はCPU60に接続されており、酸素ガ
ス濃度の検知信号がCPU60へ入力される。CPU6
0には、キーボード62が接続されており、このキーボ
ード62により、炉本体10内に導入しようとする混合
ガス中の酸素と窒素との混合比をCPU60に設定入力
する。この入力された設定混合比は、CPU60内のメ
モリに記憶される。そして、CPU60では、酸素ガス
濃度計56の検知信号より炉本体10内に導入された混
合ガスの実際の混合比が求められ、その実測混合比とメ
モリに記憶された設定混合比とが比較され、その差を無
くすようにCPU60からマスフローコントローラ54
へ制御信号が出力され、マスフローコントローラ54に
よって流量調節弁48、50、52が調整されるような
構成となっている。
【0014】このランプアニール装置では、熱処理中に
おいて、上記したように、炉本体10内に導入された混
合ガスの酸素ガス濃度が酸素ガス濃度計56によって直
接に測定され、その測定結果に基づいてCPU60から
制御信号がマスフローコントローラ54へ送られ、マス
フローコントローラ54によって流量調節弁48、5
0、52が調整され、流量調節弁48又は流量調節弁5
0により、小流量用酸素ガス供給配管42又は大流量用
酸素ガス供給配管44を通して送給される酸素ガスの流
量が調節されるとともに、流量調節弁52により、窒素
ガス供給配管46を通して送給される窒素ガスの流量が
調節され、混合ガス供給配管40を通って送給される混
合ガス中の酸素と窒素との混合比が設定値通りになるよ
うに調整されて、その混合ガスがガス導入部14のガス
供給口34を通って炉本体10内へ導入される、といっ
たクローズドループ制御が行なわれる。従って、酸素ガ
スの混合比率が10ppm〜99%といった広い濃度範
囲にわたり、炉本体10内へ供給される酸素と窒素との
混合ガスの混合比が設定通りに正確に制御され、炉本体
10内に安定したガス雰囲気が現出される。さらに、一
連の処理プロセス中において、混合ガスの混合比を変化
させても、新しく設定された混合比に速やかに調整され
る。
【0015】尚、上記実施例では、炉本体内部の酸素ガ
ス濃度を測定するようにしたが、混合ガスが炉本体に導
入される前に酸素ガス濃度を測定して混合ガスの混合比
を制御する構成とすることもできる。
【0016】また、上記実施例では、この発明をランプ
アニール装置に適用した場合について説明したが、この
発明は、ランプアニール装置に限らず、活性又は不活性
な複数種類のガスを混合して熱処理炉内へ導入し、基板
を枚様式で熱処理する装置、例えばCVD装置等につい
ても同様に適用し得る。また、上記実施例では、酸素と
窒素との2種類のガスを混合して熱処理炉内へ導入する
ようにしたが、3種類以上のガスを混合して熱処理炉内
へ導入するような熱処理についても、この発明は同様に
適用し得る。さらに、熱処理炉の形状や構造などは、図
示例のものに限定されることはない。
【0017】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、この発明に係る基板の熱処理装置を
使用すれば、熱処理炉内へ供給される複数種類のガスの
実際の混合比を正確に制御することができるとともに、
低濃度のガスを他のガスと混合して供給するようなとき
でも、熱処理炉内を安定したガス雰囲気とすることがで
き、さらに、一連の処理プロセス中において混合ガスの
混合比を変化させるような場合でも、容易かつ速やかに
対応することができる。従って、この発明は、基板の熱
処理品質の向上と均一化に大いに寄与し得るものであ
る。
【0018】請求項2に記載された構成によれば、複数
種類のガスがより均一に混合されて熱処理炉内へ供給さ
れることになるので、熱処理品質をより向上させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明をランプアニール装置に適用した1実
施例を示し、装置の主要部の構成をガス配管系と共に示
す側面縦断面図である。
【符号の説明】
10 熱処理炉の炉本体 14 ガス導入部 16 熱処理室 22 ガス排出部 30 サセプタ 32 加熱用ランプ 34 ガス供給口 36 混合室 40 混合ガス供給配管 42、44 酸素ガス供給配管 46 窒素ガス供給配管 48、50、52 流量調節弁 54 マスフローコントローラ 56 酸素ガス濃度計 60 CPU 62 キーボード W 基板
フロントページの続き (72)発明者 近藤 泰章 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西工場内 (72)発明者 橋詰 彰夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西工場内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理基板を収容する熱処理炉と、 この熱処理炉内へ複数のガス供給源からそれぞれ異なっ
    た種類のガスを予め設定された混合比で供給するガス供
    給手段とを備えた基板の熱処理装置において、 前記ガス供給手段に、ガスの流量を調節する流量調節手
    段を設け、 前記熱処理炉内へ供給される複数種類のガスの混合比
    を、ガス濃度を測定して検出する混合比検出手段を設け
    るとともに、 前記混合比検出手段による検出結果に基づいて、前記熱
    処理炉内へ供給される複数種類のガスの混合比が予め設
    定された混合比となるように前記ガス供給手段の前記流
    量調節手段を制御する制御手段を設けたことを特徴とす
    る基板の熱処理装置。
  2. 【請求項2】 熱処理炉内へ供給される複数種類のガス
    を混合する混合室が設けられた請求項1記載の基板の熱
    処理装置。
JP16826795A 1995-06-09 1995-06-09 基板の熱処理装置 Pending JPH08340007A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010027757A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Sumco Corp 半導体熱処理炉
JP2012104808A (ja) * 2010-10-14 2012-05-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置および熱処理方法

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JP2010027757A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Sumco Corp 半導体熱処理炉
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Effective date: 20050905

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Effective date: 20070213