JPH069504Y2 - バッファ型熱処理炉 - Google Patents
バッファ型熱処理炉Info
- Publication number
- JPH069504Y2 JPH069504Y2 JP1987185089U JP18508987U JPH069504Y2 JP H069504 Y2 JPH069504 Y2 JP H069504Y2 JP 1987185089 U JP1987185089 U JP 1987185089U JP 18508987 U JP18508987 U JP 18508987U JP H069504 Y2 JPH069504 Y2 JP H069504Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- buffer
- heat treatment
- reaction tube
- combustion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案は、半導体製造に用いる酸化炉及び加圧酸化炉
などの熱処理炉に関するものであり更に述べると、反応
管内にバッファを設けて燃焼室を形成した熱処理炉に関
するものである。
などの熱処理炉に関するものであり更に述べると、反応
管内にバッファを設けて燃焼室を形成した熱処理炉に関
するものである。
従来の技術 熱処理炉、例えば、酸化炉では、酸素ガスＯ２と水素ガ
スＨ２を燃焼せしめて純粋な水蒸気を発生せしめ、その
水蒸気で反応管内を所謂、水蒸気（ウェット）雰囲気に
してウエハに酸化膜を形成せしめている。
スＨ２を燃焼せしめて純粋な水蒸気を発生せしめ、その
水蒸気で反応管内を所謂、水蒸気（ウェット）雰囲気に
してウエハに酸化膜を形成せしめている。
従来、このガスＨ２、Ｏ２の燃焼方式として反応管内で
燃焼せしめる所謂内部燃焼式と、反応管と連通する燃焼
室で燃焼せしめる所謂外部燃焼式とが採用されている。
燃焼せしめる所謂内部燃焼式と、反応管と連通する燃焼
室で燃焼せしめる所謂外部燃焼式とが採用されている。
考案が解決しようとする問題点 従来例の内部燃焼式では、反応管内でガスの燃焼が始ま
ると、燃焼炎近傍が高温、例えば、７００℃〜９００℃
となって、反応管内の温度に直接影響を及ぼし、炎近傍
のウエハ膜厚の不均一等のウエハ処理上問題が生じる。
ると、燃焼炎近傍が高温、例えば、７００℃〜９００℃
となって、反応管内の温度に直接影響を及ぼし、炎近傍
のウエハ膜厚の不均一等のウエハ処理上問題が生じる。
又、外部燃焼式では、反応管と燃焼室を結ぶ連結管の径
が反応管や燃焼室の径に比し極めて小さいので、燃焼室
で発生した水蒸気ガスは、連結管を通る間に冷却され露
滴になりやすい。そのため、反応管内に冷たい水蒸気ガ
スが、流入するので、反応管内に温度変化が生じ、ガス
の乱流状態が生じる。
が反応管や燃焼室の径に比し極めて小さいので、燃焼室
で発生した水蒸気ガスは、連結管を通る間に冷却され露
滴になりやすい。そのため、反応管内に冷たい水蒸気ガ
スが、流入するので、反応管内に温度変化が生じ、ガス
の乱流状態が生じる。
更に、連結管は、ボールシールを介して接続されている
ので、このシール部からシール漏れが生じることがあ
る。
ので、このシール部からシール漏れが生じることがあ
る。
この考案は、上記事情に鑑み、ガスが燃焼してもその燃
焼温度により反応管内のウエハが悪影響をうけないよう
にすることを目的とする。他の目的は、発生した水蒸気
が露滴とならないようにすることである。
焼温度により反応管内のウエハが悪影響をうけないよう
にすることを目的とする。他の目的は、発生した水蒸気
が露滴とならないようにすることである。
問題点を解決するための手段 この考案は、反応管内のガス入口側に燃焼室形成用のガ
ス通孔付バッファを設けたバッファ型熱処理炉であっ
て、前記バッファが前記反応管内に摺動自在に嵌着され
た円筒状のスリーブを備えていることを特徴とするバッ
ファ型熱処理炉により上記問題を解決せんとするもので
ある。
ス通孔付バッファを設けたバッファ型熱処理炉であっ
て、前記バッファが前記反応管内に摺動自在に嵌着され
た円筒状のスリーブを備えていることを特徴とするバッ
ファ型熱処理炉により上記問題を解決せんとするもので
ある。
作用 燃焼室内に酸素ガスＯ２と水素ガスＨ２とを供給して燃
焼させると水蒸気ガスが発生するがこのガスは、バッフ
ァに衝突した後ガス通孔から反応管室内に流入する。
焼させると水蒸気ガスが発生するがこのガスは、バッフ
ァに衝突した後ガス通孔から反応管室内に流入する。
実施例 この考案の実施例を図面により説明するが、同一図面符
号はその名称も機能も同一である。
号はその名称も機能も同一である。
第１図、第２図は、第１実施例を示す図で、圧力容器１
内には反応管２が内蔵されている。
内には反応管２が内蔵されている。
この反応管２のガス入口３には、酸素ガスＯ２と水素ガ
スＨ２を燃焼せしめるガスバーナＢが挿入されており、
その先端近傍には、燃焼室４と反応室５とを仕切る石英
製のバッファ６が設けられている。
スＨ２を燃焼せしめるガスバーナＢが挿入されており、
その先端近傍には、燃焼室４と反応室５とを仕切る石英
製のバッファ６が設けられている。
このバッファ６は、摺動自在な支持部材７に固定され、
その断面は、略円弧状に形成されている。このバッファ
６には、第２図に示す様に、大きさが異なる複数のガス
通孔８が形成されているが、該孔８の大きさや数を適宜
選択することによりプロセス温度へ燃焼温度が悪影響を
及ぼすのを防いだり、又、ガスの流速を変えたりするこ
とができる。
その断面は、略円弧状に形成されている。このバッファ
６には、第２図に示す様に、大きさが異なる複数のガス
通孔８が形成されているが、該孔８の大きさや数を適宜
選択することによりプロセス温度へ燃焼温度が悪影響を
及ぼすのを防いだり、又、ガスの流速を変えたりするこ
とができる。
次に、この実施例の作動について説明する。支持部材７
を摺動して、バッファ６を所定位置にすると共に、圧力
容器１に内蔵した反応管２内にウエハＷを収容したウエ
ハボートＶを挿入し、該圧力容器１と反応管２に蓋をし
た後、ガスバーナＢに酸素ガスＯ２と水素ガスＨ２を供
給して、ガスを燃焼させる。
を摺動して、バッファ６を所定位置にすると共に、圧力
容器１に内蔵した反応管２内にウエハＷを収容したウエ
ハボートＶを挿入し、該圧力容器１と反応管２に蓋をし
た後、ガスバーナＢに酸素ガスＯ２と水素ガスＨ２を供
給して、ガスを燃焼させる。
そうすると、燃焼炎１０が発生すると共に、水蒸気ガス
が発生する。
が発生する。
この燃焼炎１０により燃焼室４内は、高温となるが、燃
焼室４と反応室５とはバッファ６により仕切られている
ので、燃焼室４内の温度が反応室５内の温度に直接影響
することはない。
焼室４と反応室５とはバッファ６により仕切られている
ので、燃焼室４内の温度が反応室５内の温度に直接影響
することはない。
又、燃焼室４内で生じた水蒸気ガスは、バッファ６のガ
ス通孔８を通り流速を速められながら反応室５に流れ、
該反応室５内を水蒸気（ウエット）雰囲気にしウエハＷ
の酸化膜形成を助長せしめる。
ス通孔８を通り流速を速められながら反応室５に流れ、
該反応室５内を水蒸気（ウエット）雰囲気にしウエハＷ
の酸化膜形成を助長せしめる。
第３図は、第２実施例を示す図で、第１実施例と異なる
点は、ガス通孔８ａが、バッファ６の中央部に１個形成
されていることであり、該通孔８ａの大きさや位置を適
宜選択することによりプロセス温度へ燃焼温度が悪影響
を及ぼすのを防止したり、又、ガスの流速を変えたりす
ることが出来る。
点は、ガス通孔８ａが、バッファ６の中央部に１個形成
されていることであり、該通孔８ａの大きさや位置を適
宜選択することによりプロセス温度へ燃焼温度が悪影響
を及ぼすのを防止したり、又、ガスの流速を変えたりす
ることが出来る。
第４図、第５図は、第３実施例を示す図で、第１実施例
と異なる点は、バッファ６ａが、断面略Ｕ字状に形成さ
れている点である。
と異なる点は、バッファ６ａが、断面略Ｕ字状に形成さ
れている点である。
この実施例では、バッファ６ａにスリーブ６ｂがあるの
で、バッファ６ａの位置関係を調整しやすい上、安定性
がある。反応管２内壁と円筒状のスリーブ６ｂ外周面と
が当接してシール状態を維持しているので、水蒸気ガス
は通孔８からのみ排出される。そのため、通孔８のおお
きさや位置を調整することにより、所望の水蒸気雰囲気
を得ることができるので、設計通りのウエハ処理を行う
ことができる。
で、バッファ６ａの位置関係を調整しやすい上、安定性
がある。反応管２内壁と円筒状のスリーブ６ｂ外周面と
が当接してシール状態を維持しているので、水蒸気ガス
は通孔８からのみ排出される。そのため、通孔８のおお
きさや位置を調整することにより、所望の水蒸気雰囲気
を得ることができるので、設計通りのウエハ処理を行う
ことができる。
第６図は、第４実施例を示す図で、ガス通孔８ａが、バ
ッファ６の中央部に１個形成されていることであり、該
通孔８ａの大きさや位置を適宜選択することによりプロ
セス温度へ燃焼温度が悪影響を及ぼすのを防止したり、
又、ガスの流速を変えたりすることが出来る。
ッファ６の中央部に１個形成されていることであり、該
通孔８ａの大きさや位置を適宜選択することによりプロ
セス温度へ燃焼温度が悪影響を及ぼすのを防止したり、
又、ガスの流速を変えたりすることが出来る。
この考案の実施例は、上記に限定されるものではなく、
例えば、バッファを複数枚間隔をおいて配設したり、更
には、バッファを摺動せしめてその位置を変え、燃焼室
の大きさを調整してもよい。
例えば、バッファを複数枚間隔をおいて配設したり、更
には、バッファを摺動せしめてその位置を変え、燃焼室
の大きさを調整してもよい。
考案の効果 この考案は、以上のように反応管内のガス入口側に燃焼
室形成用のガス通孔付バッファを設けたので、ガスの燃
焼により生じる燃焼室内の高温雰囲気は、バッファによ
りさえぎられる。
室形成用のガス通孔付バッファを設けたので、ガスの燃
焼により生じる燃焼室内の高温雰囲気は、バッファによ
りさえぎられる。
そのため、反応室内は、前記高温雰囲気の影響を直接受
けないので、該反応室内のウエハが悪影響を受けること
がない。
けないので、該反応室内のウエハが悪影響を受けること
がない。
又、燃焼室内の水蒸気ガスは、ガス通孔から直接反応室
内に流れるので、従来例のように水蒸気ガスが冷却され
露滴が生じることはない。
内に流れるので、従来例のように水蒸気ガスが冷却され
露滴が生じることはない。
従って、水蒸気ガスが反応室内に供給されても該反応室
内の温度を低下させることがないので、該反応室内のガ
ス流が乱れることはない。バッファが、前記反応管内に
摺同自在に嵌着された円筒状のスリーブを備えているの
で、スリーブを摺動させるとバッファの位置が簡単に変
化し、燃焼室の位置が変化する。そのため、ウエハの熱
処理に悪影響が生じない様に燃焼室の位置を調整するこ
とができる。又、反応管内壁とスリーブ外周面とが当接
してシール状態を維持しているので、水蒸気ガスは、通
孔からのみ排出される。そのため通孔の大きさや位置を
調整することにより所望の水蒸気雰囲気を得ることがで
きるので、設計通りのウエハ処理を行なうことができ
る。
内の温度を低下させることがないので、該反応室内のガ
ス流が乱れることはない。バッファが、前記反応管内に
摺同自在に嵌着された円筒状のスリーブを備えているの
で、スリーブを摺動させるとバッファの位置が簡単に変
化し、燃焼室の位置が変化する。そのため、ウエハの熱
処理に悪影響が生じない様に燃焼室の位置を調整するこ
とができる。又、反応管内壁とスリーブ外周面とが当接
してシール状態を維持しているので、水蒸気ガスは、通
孔からのみ排出される。そのため通孔の大きさや位置を
調整することにより所望の水蒸気雰囲気を得ることがで
きるので、設計通りのウエハ処理を行なうことができ
る。
第１図〜第５図は、この考案の実施例を示す図で、第１
図は、第１実施例を示す正面図、第２図は、第１図のII
−II線拡大断面図、第３図は、第２実施例を示す左側面
図で第２図に相当する図、第４図は、第３実施例を示す
左側面図で第２図に相当する図、第５図は、第４図のＶ
−Ｖ線拡大断面図、第６図は、第４実施例を示す拡大断
面図で、第４図に相当する図である。 ３……ガス入口 ５……反応室 ６……バッファ ８……ガス通孔
図は、第１実施例を示す正面図、第２図は、第１図のII
−II線拡大断面図、第３図は、第２実施例を示す左側面
図で第２図に相当する図、第４図は、第３実施例を示す
左側面図で第２図に相当する図、第５図は、第４図のＶ
−Ｖ線拡大断面図、第６図は、第４実施例を示す拡大断
面図で、第４図に相当する図である。 ３……ガス入口 ５……反応室 ６……バッファ ８……ガス通孔
Claims (1)
- 【請求項１】反応管内のガス入口側に燃焼室形成用のガ
ス通孔付バッファを設けたバッファ型熱処理炉であっ
て、前記バッファが、前記反応管内に摺動自在に嵌着さ
れた円筒状のスリーブを備えていることを特徴とするバ
ッファ型熱処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987185089U JPH069504Y2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | バッファ型熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987185089U JPH069504Y2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | バッファ型熱処理炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0189740U JPH0189740U (ja) | 1989-06-13 |
| JPH069504Y2 true JPH069504Y2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=31476417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987185089U Expired - Lifetime JPH069504Y2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | バッファ型熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069504Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6320325B2 (ja) * | 2015-03-05 | 2018-05-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325364A (en) * | 1976-08-23 | 1978-03-09 | Hitachi Ltd | Hydrogen combustion type oxidation furnace |
| JPS58116737A (ja) * | 1981-12-30 | 1983-07-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの熱処理装置 |
| JPS6218039A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Tdk Corp | 半導体ウエフアの酸化装置 |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP1987185089U patent/JPH069504Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0189740U (ja) | 1989-06-13 |
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