JPS6062181A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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- JPS6062181A JPS6062181A JP17097983A JP17097983A JPS6062181A JP S6062181 A JPS6062181 A JP S6062181A JP 17097983 A JP17097983 A JP 17097983A JP 17097983 A JP17097983 A JP 17097983A JP S6062181 A JPS6062181 A JP S6062181A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は基本横モード発振する半導体発光素子の製造方
法に関する。
法に関する。
（従来技術の説明）
先ず、本発明に説明に入る前に、従来の半導体発光素子
の一例である電流狭窄層を有し基本横モード発振する半
導体レーザの製造方法につき第１図（Ａ）及び（Ｂ）を
参照して説明する。
の一例である電流狭窄層を有し基本横モード発振する半
導体レーザの製造方法につき第１図（Ａ）及び（Ｂ）を
参照して説明する。
従来においては、第１図（Ａ）に示すように、基板表面
が（ｉｏｏ）面であるｎ −１ｎＰ基板１を用意し、こ
の基板１を液相エピタキシャル成長炉に入れ、この基板
１の上側表面ｌａ上に電流狭窄層となるべきｐ −Ｉｎ
Ｐ層２を液相エピクキシャル成長させる。次ぎに、一旦
この基板１を成長炉から取り、出して、この層２上に、
エツチングマスク用の、例えば、 ５１０２などを被着
して通常のフォトリングラフィ方法により、＜０１１＞
方向に延在するストライプ窓を開け、この層２から基板
１に達する断面はぼＶ字状のストライプ状の溝３をエツ
チング形成する。次ぎに、再度、電流狭窄層２を有する
この溝付き基板１を成長炉に入れて、第１図（Ｂ）に示
すように、この基板１の）１■３が形成されている側に
第一クラッド層であるｎ−ＩｎＰ層４を成長させ、続い
て活性層であるＩｎＧａＡｓＰ層５を、溝に対応する部
分においては溝方向に下方に湾曲させて、成長させ、次
に第二クラッド層であるｐ −ＩｎＰ層６を成長させる
。次いで、最終的に基板ｌの下側面１ｂ及び第二クラッ
ド層６上に夫々電極７及び８を形成するように成してい
る。
が（ｉｏｏ）面であるｎ −１ｎＰ基板１を用意し、こ
の基板１を液相エピタキシャル成長炉に入れ、この基板
１の上側表面ｌａ上に電流狭窄層となるべきｐ −Ｉｎ
Ｐ層２を液相エピクキシャル成長させる。次ぎに、一旦
この基板１を成長炉から取り、出して、この層２上に、
エツチングマスク用の、例えば、 ５１０２などを被着
して通常のフォトリングラフィ方法により、＜０１１＞
方向に延在するストライプ窓を開け、この層２から基板
１に達する断面はぼＶ字状のストライプ状の溝３をエツ
チング形成する。次ぎに、再度、電流狭窄層２を有する
この溝付き基板１を成長炉に入れて、第１図（Ｂ）に示
すように、この基板１の）１■３が形成されている側に
第一クラッド層であるｎ−ＩｎＰ層４を成長させ、続い
て活性層であるＩｎＧａＡｓＰ層５を、溝に対応する部
分においては溝方向に下方に湾曲させて、成長させ、次
に第二クラッド層であるｐ −ＩｎＰ層６を成長させる
。次いで、最終的に基板ｌの下側面１ｂ及び第二クラッ
ド層６上に夫々電極７及び８を形成するように成してい
る。
しかしながら、この従来の製造方法によれば、活性層の
湾曲形状が基本横モード発振のための重要な因子となる
が、この活性層の形状の制御が困難であった。
湾曲形状が基本横モード発振のための重要な因子となる
が、この活性層の形状の制御が困難であった。
さらに、この方法では、基板１を成長炉に入れて電流狭
窄層２を成長させ、然る後、この基板を溝形成のために
一旦成長炉から取り出し、その後再び溝イ１き基板を成
長炉に入れて第一クラッド層４以下の液相エピタキシャ
ル成長を行うため、独立した二回のエピタキシャル成長
工程が必要と成り、従って、製造工程が複雑で、時間が
掛り、原料の損失が多く、しかも、製造歩留が悪いとい
う欠点があった。
窄層２を成長させ、然る後、この基板を溝形成のために
一旦成長炉から取り出し、その後再び溝イ１き基板を成
長炉に入れて第一クラッド層４以下の液相エピタキシャ
ル成長を行うため、独立した二回のエピタキシャル成長
工程が必要と成り、従って、製造工程が複雑で、時間が
掛り、原料の損失が多く、しかも、製造歩留が悪いとい
う欠点があった。
さらに、素子部材を成長炉に出し入れするため、基板表
面をはじめ各層の界面が然ダメージを受けクリーンな状
態に保持することが出来なかった。
面をはじめ各層の界面が然ダメージを受けクリーンな状
態に保持することが出来なかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去するため
、−回の連続した液相エピタキシャル成長を用いて、低
しきい値電流でかつ特に活性層を湾曲させる必要なくし
て基本横モード発振し得る半導体発光素子を製造出来る
ようなした半導体発光素子の製造方法を提供するにある
。
、−回の連続した液相エピタキシャル成長を用いて、低
しきい値電流でかつ特に活性層を湾曲させる必要なくし
て基本横モード発振し得る半導体発光素子を製造出来る
ようなした半導体発光素子の製造方法を提供するにある
。
（発明の構成）
この目的の達成を図るため、本発明によれば、ＩｎＰ基
板の（１００）面から（１１１）Ａ面を側面とする溝を
形成する工程と、この（１００）面と（１１１） Ａ面
とに対するＩｎＰの結晶成長速度の面方位依存性を利用
して構外の基板表面上に電流狭窄層を成長させ、さらに
、ＩｎＧａＡｓＰの光吸収層をこの電流狭窄層上に成長
させると共に、溝内では凹状に下方に湾曲した層として
成長させ、さらに、第一クラッド層を溝の部分の光吸収
層上では厚つくかつ構外の光吸収層上では薄く成長させ
、さらに第一クラッド層上にＩｎＧａＡｓＰの活性層を
成長させ、さらに、この活性層上に第二クラッド層を成
長させるという一回の液相エピタキシャル成長工程とを
含むことを特徴とする。
板の（１００）面から（１１１）Ａ面を側面とする溝を
形成する工程と、この（１００）面と（１１１） Ａ面
とに対するＩｎＰの結晶成長速度の面方位依存性を利用
して構外の基板表面上に電流狭窄層を成長させ、さらに
、ＩｎＧａＡｓＰの光吸収層をこの電流狭窄層上に成長
させると共に、溝内では凹状に下方に湾曲した層として
成長させ、さらに、第一クラッド層を溝の部分の光吸収
層上では厚つくかつ構外の光吸収層上では薄く成長させ
、さらに第一クラッド層上にＩｎＧａＡｓＰの活性層を
成長させ、さらに、この活性層上に第二クラッド層を成
長させるという一回の液相エピタキシャル成長工程とを
含むことを特徴とする。
（実施例の説明）
以下第２図（Ａ）〜（Ｊ）及び第３図に従って本発明の
半導体発光素子の製造方法の一実施例を半導体レーザに
つき説明する。
半導体発光素子の製造方法の一実施例を半導体レーザに
つき説明する。
第２図（Ａ）〜（Ｊ）は半導体レーザの製造段階での状
態をレーザ素子の臂開面またはこの襞開面と平行な面で
の断面で夫々示す製造工程図であり、各構成成分の寸法
、形状などは本発明の構成が解る程度に概略的に示しで
あるにすぎない。また、図中、断面を表わすハツチング
を省略して示しである。
態をレーザ素子の臂開面またはこの襞開面と平行な面で
の断面で夫々示す製造工程図であり、各構成成分の寸法
、形状などは本発明の構成が解る程度に概略的に示しで
あるにすぎない。また、図中、断面を表わすハツチング
を省略して示しである。
先ず、第２図（Ａ）に示すように、ｎ −ＩｎＰ基板１
１を用意する。この基板１１の上側表面１１ａを（１０
０）面とする。次ぎに、第２図（Ｂ）に示すように、基
板表面１１ａ上に、エツチングマスク層として供する、
例えば、 ５ｉ０２等のような層１２を形成する。次い
で、第２図（Ｃ）に示すように、このエツチングマスク
層１２に通常のフォトリングラフィ手法によって、スト
ライプ窓１３を＜Ｏｌ １＞方向に延在するように開け
る。この窓１３を介して、基板１１の露出した表面１１
ａを工ｙチングする。このエツチングによって、第２図
（Ｄ）及び第３図の斜視図に示すように、凹型の溝１４
を形成する。この溝の＠Ｗは基本横モードで発振させる
ことを考慮して、約２ルｍ以下とする。この溝の傾斜側
面１４ａは（１１１） Ａ面と成り、この溝１４の断面
形状は図示のようなほぼ底面１４ｂが平であってもよい
し、また、やや盛上った状態となっていてもよいし、他
の形をしていても良い。いずれにしても、この底面１４
ｂの幅はＩｎＰが成長しない程度の幅に押えておく必要
がある。
１を用意する。この基板１１の上側表面１１ａを（１０
０）面とする。次ぎに、第２図（Ｂ）に示すように、基
板表面１１ａ上に、エツチングマスク層として供する、
例えば、 ５ｉ０２等のような層１２を形成する。次い
で、第２図（Ｃ）に示すように、このエツチングマスク
層１２に通常のフォトリングラフィ手法によって、スト
ライプ窓１３を＜Ｏｌ １＞方向に延在するように開け
る。この窓１３を介して、基板１１の露出した表面１１
ａを工ｙチングする。このエツチングによって、第２図
（Ｄ）及び第３図の斜視図に示すように、凹型の溝１４
を形成する。この溝の＠Ｗは基本横モードで発振させる
ことを考慮して、約２ルｍ以下とする。この溝の傾斜側
面１４ａは（１１１） Ａ面と成り、この溝１４の断面
形状は図示のようなほぼ底面１４ｂが平であってもよい
し、また、やや盛上った状態となっていてもよいし、他
の形をしていても良い。いずれにしても、この底面１４
ｂの幅はＩｎＰが成長しない程度の幅に押えておく必要
がある。
次ぎに、この溝１４が形成された基板１１を液相エピタ
キシャル成長炉に入れ、第２図（Ｅ）〜（１）に示すよ
うに、電流狭窄層となるべきｐ −ＩｎＰ層１５（第２
図（Ｅ） ） 、光吸収層であるｎ −１ｎＧａＡｓＰ
Ｐ９１８（第２図（Ｆ） ） 、第一クラッド層であ
るｎ−ＩｎＰ層１７（第２図（Ｇ） ） 、活性層であ
るＩｎＧａＡｓＰ層１８（第２図１８））及び第二クラ
ッド層であるｐ−ＩｎＰ層１９（第２図（１））を−回
の液相エピタキシャル成長で順次に連続成長させる。
キシャル成長炉に入れ、第２図（Ｅ）〜（１）に示すよ
うに、電流狭窄層となるべきｐ −ＩｎＰ層１５（第２
図（Ｅ） ） 、光吸収層であるｎ −１ｎＧａＡｓＰ
Ｐ９１８（第２図（Ｆ） ） 、第一クラッド層であ
るｎ−ＩｎＰ層１７（第２図（Ｇ） ） 、活性層であ
るＩｎＧａＡｓＰ層１８（第２図１８））及び第二クラ
ッド層であるｐ−ＩｎＰ層１９（第２図（１））を−回
の液相エピタキシャル成長で順次に連続成長させる。
この連続エピタキシャル成長の際、ｐ −１ｎＰ層１５
は結晶成長速度の面方向依存性により基板１１の表面で
ある（１００）面上での成長速度が速く、？４１４内、
すなわち、（１１１） Ａ面の側面１４ａ上での成長速
度か著しく遅いので、成長時間を選定することにより、
第２図（Ｅ）に示すように、実質的に基板１１の溝１４
外の平担な表面１１ａ上にのみＰ−ＩｎＰを成長させる
ことができる。この電流狭窄層１５の厚さｄｌを１７ｚ
ｍ以上とする。続いてこのＰ−ＩｎＰ層１５及び溝１４
上に成長させるｎ −ＩｎＧａＡｓＰの光吸収層１６は
ＩｎＰのような強い面方位依存性は無く、むしろ凹凸を
無くすように、すなわち、溝１４を埋めるように成長す
る。従って、長時間成長させると、成長表面は平担とな
るが、そうならない程度で成長を停止させて、第２図（
Ｆ）に示すように、溝１４の部分では、この層１６の表
面が溝内に向けて下方に湾曲して凹所を形成しかつ構外
では平担となるように、この層１６を成長させる。この
光吸収層１６の溝外の厚さｄ２は０．３ ｐ、ｍ程度あ
れば充分である。ここで、このＩｎＧａＡｓＰのエネル
ギーギャップは活性層のエネルギーギャップよりも小さ
く取る。
は結晶成長速度の面方向依存性により基板１１の表面で
ある（１００）面上での成長速度が速く、？４１４内、
すなわち、（１１１） Ａ面の側面１４ａ上での成長速
度か著しく遅いので、成長時間を選定することにより、
第２図（Ｅ）に示すように、実質的に基板１１の溝１４
外の平担な表面１１ａ上にのみＰ−ＩｎＰを成長させる
ことができる。この電流狭窄層１５の厚さｄｌを１７ｚ
ｍ以上とする。続いてこのＰ−ＩｎＰ層１５及び溝１４
上に成長させるｎ −ＩｎＧａＡｓＰの光吸収層１６は
ＩｎＰのような強い面方位依存性は無く、むしろ凹凸を
無くすように、すなわち、溝１４を埋めるように成長す
る。従って、長時間成長させると、成長表面は平担とな
るが、そうならない程度で成長を停止させて、第２図（
Ｆ）に示すように、溝１４の部分では、この層１６の表
面が溝内に向けて下方に湾曲して凹所を形成しかつ構外
では平担となるように、この層１６を成長させる。この
光吸収層１６の溝外の厚さｄ２は０．３ ｐ、ｍ程度あ
れば充分である。ここで、このＩｎＧａＡｓＰのエネル
ギーギャップは活性層のエネルギーギャップよりも小さ
く取る。
この溝１４内に成長した光吸収層１６の傾斜した面は最
早（１１１）Ａ面でなく、これがため、続いて、このｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１６上にｎ −１ｎＰ第一
クラツド層１７を成長させると、第２図（Ｇ）に示すよ
うに、このクラッド層１７は溝１４の内部にも良好に成
長する。この場合、このクラッド層１７の溝の中心付近
での厚さｄ３をｌｐｍ以上とし、溝外の平担部では厚さ
ｄ４を例えば０．５．ｍ以下のように充分薄く成長させ
る。このような成長は基板１１に掘る溝１４の深さ、電
流狭窄層１５の厚み、光吸収層重６の厚み等を調整する
ことで容易に制御出来る。
早（１１１）Ａ面でなく、これがため、続いて、このｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１６上にｎ −１ｎＰ第一
クラツド層１７を成長させると、第２図（Ｇ）に示すよ
うに、このクラッド層１７は溝１４の内部にも良好に成
長する。この場合、このクラッド層１７の溝の中心付近
での厚さｄ３をｌｐｍ以上とし、溝外の平担部では厚さ
ｄ４を例えば０．５．ｍ以下のように充分薄く成長させ
る。このような成長は基板１１に掘る溝１４の深さ、電
流狭窄層１５の厚み、光吸収層重６の厚み等を調整する
ことで容易に制御出来る。
続いて、第２図（Ｈ）に示すように、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層１８を成長させる。この活性層１８の厚さを０．２
ｇｍ以下とする。この活性層１８の幾何学的形状は、第
一クラッド層１７を成長させた時点で、このＭ１７が溝
１４の中央部分で凹状となっていれば、レンズ状となり
、また、この層１７が平担状となっていれば、平担とな
る。いずれの場合でも、溝１４の中央部分に対応する活
性層１８の部分の厚みｄ５が０；２７ｚｍ以下となって
いるならば活性層の形状は問わない。尚、この活性層１
８の上側の面は平担にするのが好適である。
性層１８を成長させる。この活性層１８の厚さを０．２
ｇｍ以下とする。この活性層１８の幾何学的形状は、第
一クラッド層１７を成長させた時点で、このＭ１７が溝
１４の中央部分で凹状となっていれば、レンズ状となり
、また、この層１７が平担状となっていれば、平担とな
る。いずれの場合でも、溝１４の中央部分に対応する活
性層１８の部分の厚みｄ５が０；２７ｚｍ以下となって
いるならば活性層の形状は問わない。尚、この活性層１
８の上側の面は平担にするのが好適である。
然る後、第２図（１）に示すように、活性層１８上にｐ
−１ｎＰの第二クラッド層１８を２ｇｍ以上の厚みを
もって成長させ、液相エピタキシャル成長工程を終了す
る。
−１ｎＰの第二クラッド層１８を２ｇｍ以上の厚みを
もって成長させ、液相エピタキシャル成長工程を終了す
る。
このようにして、各液相エピタキシャル成長層を基板１
１上に形成した後、これら層を有する基板を成長炉から
取り出し、第二クラッド層１９の表面１９ａ上に及び基
板１１の下側面１１ｂ上に夫々電極２゜及び２１を被着
形成する。
１上に形成した後、これら層を有する基板を成長炉から
取り出し、第二クラッド層１９の表面１９ａ上に及び基
板１１の下側面１１ｂ上に夫々電極２゜及び２１を被着
形成する。
このようにして得られた半導体レーザの両電極２０及び
２１間に適切な電圧を印加して注入電流を流すと、電流
は層１８→１７→１８→１５→１１へと流れ、この場合
、この電子とホールとか活性層１８において再結合発光
し、発光した光が剪開面で共振しファブリペローモード
でレーザ発喫する。この時、電流狭窄層１５は逆バイア
スになるため、溝１４の外部では電流が流れず、溝１４
の内側のみに電流経路が形成される。従って、低電流で
も電流注入効率が高まり、レーザ発振が起る。
２１間に適切な電圧を印加して注入電流を流すと、電流
は層１８→１７→１８→１５→１１へと流れ、この場合
、この電子とホールとか活性層１８において再結合発光
し、発光した光が剪開面で共振しファブリペローモード
でレーザ発喫する。この時、電流狭窄層１５は逆バイア
スになるため、溝１４の外部では電流が流れず、溝１４
の内側のみに電流経路が形成される。従って、低電流で
も電流注入効率が高まり、レーザ発振が起る。
また、再結合により得られた光は、溝１４の中央付近で
は下部の第一クラッド層１７が充分厚いため活性層１８
とこの層１７との屈折率差で閉込められるが、溝１４の
中央部分から左右にずれた位置の部分（溝近傍の構外の
平担部を含む）では第一クラ・ンド層１７が薄いため、
活性層１８よりこの層１７に入った光はその下側の光吸
収層１８にまで達する。この光吸収層１Ｂは活性層１８
よりもエネルギーギャップを小さくしであるから、この
層１６に達する光は全てこの層で吸収されてしまい、レ
ーザ発振に寄与しない。この効果により、レーザ発振す
るのは活性Ｍ１８のうち、溝の中央部付近の上部に位置
する領域部分のみとなり、基本横モードで発振すること
となる。
は下部の第一クラッド層１７が充分厚いため活性層１８
とこの層１７との屈折率差で閉込められるが、溝１４の
中央部分から左右にずれた位置の部分（溝近傍の構外の
平担部を含む）では第一クラ・ンド層１７が薄いため、
活性層１８よりこの層１７に入った光はその下側の光吸
収層１８にまで達する。この光吸収層１Ｂは活性層１８
よりもエネルギーギャップを小さくしであるから、この
層１６に達する光は全てこの層で吸収されてしまい、レ
ーザ発振に寄与しない。この効果により、レーザ発振す
るのは活性Ｍ１８のうち、溝の中央部付近の上部に位置
する領域部分のみとなり、基本横モードで発振すること
となる。
（発明の効果）
上述した本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、
−回の液相エピタキシャル成長によって、電流狭窄層や
、光吸収層や、活性層等を含む各層を順次に連続的に形
成出来、また、その際、活性層を特に湾曲させて成長さ
せるような特別の制御を必要とせずに、基本横モード発
振する構造の半導体発光素子を容易に製造し得る利点を
有する。
−回の液相エピタキシャル成長によって、電流狭窄層や
、光吸収層や、活性層等を含む各層を順次に連続的に形
成出来、また、その際、活性層を特に湾曲させて成長さ
せるような特別の制御を必要とせずに、基本横モード発
振する構造の半導体発光素子を容易に製造し得る利点を
有する。
また、本発明方法によれば、液相エピタキシャル成長中
に基板を成長炉外に取出すことがないので、基板表面等
に熱ダメージを与えることなく、この製造方法は簡単で
、時間が掛らず、原料を節約出来、製造歩留りがよいと
いう利点がある。
に基板を成長炉外に取出すことがないので、基板表面等
に熱ダメージを与えることなく、この製造方法は簡単で
、時間が掛らず、原料を節約出来、製造歩留りがよいと
いう利点がある。
尚、上述した実施例では半導体レーザにつき説明したが
、製造された発光素子の端面を譬開面としない場合には
半導体発光ダイオードとなる。上述した実施例では、基
板としてｎ −ＩｎＰ基板を用いたが、ｐ −ＩｎＰ基
板を使用してもよいこと勿論であり、その場合には各エ
ピタキシャル層の導電型をこれに対応させて反転させる
ことが必要である。
、製造された発光素子の端面を譬開面としない場合には
半導体発光ダイオードとなる。上述した実施例では、基
板としてｎ −ＩｎＰ基板を用いたが、ｐ −ＩｎＰ基
板を使用してもよいこと勿論であり、その場合には各エ
ピタキシャル層の導電型をこれに対応させて反転させる
ことが必要である。
本発明の方法で製造された半導体発光素子は低しきい値
でしかも基本横モードで発振するので、この素子は光通
信、情報処理装置等の光源として利用して好適である。
でしかも基本横モードで発振するので、この素子は光通
信、情報処理装置等の光源として利用して好適である。
第１図（Ａ）及び（Ｂ）は従来の電流狭窄層を有する構
造の半導体発光素子の製造方法を説明するだめの製造工
程図、 第２図（Ａ）〜（Ｊ）は本発明の半導体発光素子の製造
方法の一実施例を説明するための製造工程図ｔ５３図は
第２図の一工程段階での基板の状態を示す斜視図である
。 １．１１・・・基板、１１１、ｌｌａ・・・基板の上側
表面１ｂ、ｌｌｂ・・・基板の下側面 ２．１５・・・電流狭窄層 ３．１４・・・溝、 ４．１７２・・第一クラッド層５
．１８・・・活性層、６．１８・・・第二クラッド層７
．８．２０．２１・・・電極 １２・・・エツチングマスク層 １３・・・ストライプ窓、１４ａ・・・溝の側面＋４ｂ
・・・溝の底面、 １８・・・光吸収層＋９ａ・・・第
二クラッド層の上側表面。 第１図 ３ 第２図 第２図 第２図
造の半導体発光素子の製造方法を説明するだめの製造工
程図、 第２図（Ａ）〜（Ｊ）は本発明の半導体発光素子の製造
方法の一実施例を説明するための製造工程図ｔ５３図は
第２図の一工程段階での基板の状態を示す斜視図である
。 １．１１・・・基板、１１１、ｌｌａ・・・基板の上側
表面１ｂ、ｌｌｂ・・・基板の下側面 ２．１５・・・電流狭窄層 ３．１４・・・溝、 ４．１７２・・第一クラッド層５
．１８・・・活性層、６．１８・・・第二クラッド層７
．８．２０．２１・・・電極 １２・・・エツチングマスク層 １３・・・ストライプ窓、１４ａ・・・溝の側面＋４ｂ
・・・溝の底面、 １８・・・光吸収層＋９ａ・・・第
二クラッド層の上側表面。 第１図 ３ 第２図 第２図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰ半導体発光素子を液相エピ
タキシャル成長法を用いて製造するに当り、ＩｎＰ基板
の（１００）面から（ｉｌｌ）Ａ面を傾斜側面とする溝
を形成する工程と、 該（１００）面と（ｌｌｌ）Ａ面とに対するＩｎＰの結
晶成長速度の面方位依存性を利用して前記構外の基板表
面上に電流狭窄層を成長させ、さらに、ＩｎＧａＡｓＰ
の光吸収層を該電流狭窄層上に成長させると共に、溝内
では凹状に下方に向けて湾曲した層として成長させ、さ
らに、第一クラッド層を線溝の部分の光吸収層上では厚
つくかつ構外の光吸収層上では薄く成長させ、さらに、
該第−クラッド層上にＩｎＧａＡｓＰの活性層を成長さ
せ、さらに、該活性層上に第二クラッド層を成長させる
一回の液相エピタキシャル成長工程とを含むことを特徴
とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17097983A JPS6062181A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17097983A JPS6062181A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6062181A true JPS6062181A (ja) | 1985-04-10 |
| JPS6355231B2 JPS6355231B2 (ja) | 1988-11-01 |
Family
ID=15914886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17097983A Granted JPS6062181A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6062181A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212664A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-09-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体レーザとその製造方法 |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP17097983A patent/JPS6062181A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212664A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-09-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体レーザとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6355231B2 (ja) | 1988-11-01 |
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