JPS6062176A - 多重量子井戸構造半導体レ−ザ− - Google Patents
多重量子井戸構造半導体レ−ザ−Info
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- Japan
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- well structure
- multiple quantum
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多重量子井戸構造半導体レーザーの改良に関
する。
する。
従来の多重量子井戸構造半導体レーザーとしてＡｌＧａ
Ａｓ／ＧａＡｓ変型多重刑子井戸構造半導体レーザーが
ある。この主要部のエネルギーバンドダイヤグラムを第
１図に示す。図中、ｌはｎ型クラッド層（ｎ−ＡＩ、、
、、Ｇａ、、、Ａｓ）、２は多重量子井戸構造、３はＰ
型クラッド層（Ｐ Ａ ｌ 、０．ｚＧ ａ 、、４
Ａｓ ）、４はポテンシャルバリヤ一層（Ａｔ ｄ、２
− Ｇａ 、？Ａｓ ）、５は量子井戸層（ＧａＡｓ）
である。図で示される様に、この例では多重量子井戸構
造２は５つの量子井戸層５と４つのポテンシャルバリヤ
一層４からなっておシ、電子及び正孔は非常に薄い量子
井戸層５（〜１００Ａ）に閉じ込められることにょシ、
とびとびの量子化準位が発生する。この様な量子化効果
によって、多重量子井戸構造半導体レーザーはＩＫＡ／
、２を大きく下回る超低閾値に代表される高い性能を得
ている。
Ａｓ／ＧａＡｓ変型多重刑子井戸構造半導体レーザーが
ある。この主要部のエネルギーバンドダイヤグラムを第
１図に示す。図中、ｌはｎ型クラッド層（ｎ−ＡＩ、、
、、Ｇａ、、、Ａｓ）、２は多重量子井戸構造、３はＰ
型クラッド層（Ｐ Ａ ｌ 、０．ｚＧ ａ 、、４
Ａｓ ）、４はポテンシャルバリヤ一層（Ａｔ ｄ、２
− Ｇａ 、？Ａｓ ）、５は量子井戸層（ＧａＡｓ）
である。図で示される様に、この例では多重量子井戸構
造２は５つの量子井戸層５と４つのポテンシャルバリヤ
一層４からなっておシ、電子及び正孔は非常に薄い量子
井戸層５（〜１００Ａ）に閉じ込められることにょシ、
とびとびの量子化準位が発生する。この様な量子化効果
によって、多重量子井戸構造半導体レーザーはＩＫＡ／
、２を大きく下回る超低閾値に代表される高い性能を得
ている。
しかしながら、この様な構造の多重量子井戸構造半導体
１／−ザーにおいては、閾値電流密度を低減するには、
多重量子井戸構造２の厚さを薄くした方が望ましい。し
かしながら、あまシ薄くすると多重量子井戸構造への光
の閉じ込めが急くなり逆に閾値電流′＃度が大きく万る
という相反する事実があった。この様な事情によって多
重量子井戸構造２はむやみに薄く出来ず、従って閾値電
流密度を従来よシもさらに低減することは困難であった
。
１／−ザーにおいては、閾値電流密度を低減するには、
多重量子井戸構造２の厚さを薄くした方が望ましい。し
かしながら、あまシ薄くすると多重量子井戸構造への光
の閉じ込めが急くなり逆に閾値電流′＃度が大きく万る
という相反する事実があった。この様な事情によって多
重量子井戸構造２はむやみに薄く出来ず、従って閾値電
流密度を従来よシもさらに低減することは困難であった
。
本発明の目的は、多重量子井戸構造の厚みを低減しても
光の閉じ込めが悪くならず、そのため閾値電流密度が従
来よりもさらに小さな多重量子井戸構造半導体レーザー
を提供することにある。
光の閉じ込めが悪くならず、そのため閾値電流密度が従
来よりもさらに小さな多重量子井戸構造半導体レーザー
を提供することにある。
本発明の多重量子井戸構造半導体レーザーは、第１クラ
ッド層と、該第１クラッド層の上に形成され前記第１ク
ラッド層よりも小さな禁制帯幅Ｅｇ１を有する第１半導
体層と、該第１半導体層の上に形成された多重量子井戸
構造と、該多重量子井戸構造の上に形成されＥｇ２（Ｅ
ｇｚ＝Ｅｇｓ又はＥｇ２−ｉＥｇｔ）の大きさの禁制帯
幅を有する第２半導体層と、該第２半導体層の上に形成
され前記Ｅｇ２よシも大きな禁制帯幅を有す、５第２ク
ラッド層を具備し、前記多重量子井戸構造内部に、前記
Ｅｇｌ及びＥｇ２のいずれよりも／ＪＸさな禁制帯幅を
有する少なくとも２つ以上の量子井戸層と該量子井戸層
の間にはさまれた前記量子井戸層よシも大きな禁制帯幅
を有するポテンシャルバリヤ一層を含む構成となってい
る。
ッド層と、該第１クラッド層の上に形成され前記第１ク
ラッド層よりも小さな禁制帯幅Ｅｇ１を有する第１半導
体層と、該第１半導体層の上に形成された多重量子井戸
構造と、該多重量子井戸構造の上に形成されＥｇ２（Ｅ
ｇｚ＝Ｅｇｓ又はＥｇ２−ｉＥｇｔ）の大きさの禁制帯
幅を有する第２半導体層と、該第２半導体層の上に形成
され前記Ｅｇ２よシも大きな禁制帯幅を有す、５第２ク
ラッド層を具備し、前記多重量子井戸構造内部に、前記
Ｅｇｌ及びＥｇ２のいずれよりも／ＪＸさな禁制帯幅を
有する少なくとも２つ以上の量子井戸層と該量子井戸層
の間にはさまれた前記量子井戸層よシも大きな禁制帯幅
を有するポテンシャルバリヤ一層を含む構成となってい
る。
本発明の第１の実施例として、Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ
／Ｇ ａ Ａ ｓ多重量子井戸構造半導体レーザーに
ついて説明負。第２図は、本実施例の多重量子井戸構造
半導体レーザーの主要部のエネルギーバンドダイヤグラ
ムである。図中、２１はｎ型クラッド層（第１クラッド
層、ｎ−Ａｌ ＸＨＧａ１−Ｘｎ Ａｓ。
／Ｇ ａ Ａ ｓ多重量子井戸構造半導体レーザーに
ついて説明負。第２図は、本実施例の多重量子井戸構造
半導体レーザーの主要部のエネルギーバンドダイヤグラ
ムである。図中、２１はｎ型クラッド層（第１クラッド
層、ｎ−Ａｌ ＸＨＧａ１−Ｘｎ Ａｓ。
ｘｎ≧０．２５）、 ２２はｎ型ガイド層（第１半導体
層、ガイド層（第２半導体層、Ｐ−Ａｌｘｇ２ Ｑａｘ
−ｘｇ２Ａｓ、 Ｑ、ｌ≦ｘｇ２＜ｘｐ、厚さ３０〜１
００ＯＡ）、２５はＰ型クラッド層（第２クラツドＭＰ
−ＡｌｘｐＧａｌ −ｘｐ Ａｓ、 ｘｐ≧０．２５）
、２６は量子井戸層（層数ｎｗ≧２． Ａｔ ｘｗ（）
ａ １−ｘｗＡｓ、ρ≦ｘｗ（ｘｂ、厚さく２０ＯＡ）
、 ２．７はポテンシャルバリヤ一層（層数＝ ｎｗ−
１、Ａｌ ｘｂ Ｇａ １−ｘｂ Ａｓ 、 ｘｂ）ｘ
ｗ。
層、ガイド層（第２半導体層、Ｐ−Ａｌｘｇ２ Ｑａｘ
−ｘｇ２Ａｓ、 Ｑ、ｌ≦ｘｇ２＜ｘｐ、厚さ３０〜１
００ＯＡ）、２５はＰ型クラッド層（第２クラツドＭＰ
−ＡｌｘｐＧａｌ −ｘｐ Ａｓ、 ｘｐ≧０．２５）
、２６は量子井戸層（層数ｎｗ≧２． Ａｔ ｘｗ（）
ａ １−ｘｗＡｓ、ρ≦ｘｗ（ｘｂ、厚さく２０ＯＡ）
、 ２．７はポテンシャルバリヤ一層（層数＝ ｎｗ−
１、Ａｌ ｘｂ Ｇａ １−ｘｂ Ａｓ 、 ｘｂ）ｘ
ｗ。
厚さく２０ＯＡ）である。本実施侮においては、第１半
導体層であるガイド層２２の禁制帯幅と第２半導体層で
あるガイド層２４の禁制帯幅は同じとし、ポテンシャル
バリヤ一層の禁制帯幅より大きくしである。又、多重量
子構造２３がｎ型ガイド層２２とＰ型ガイド層２４とに
はさまれている。このため、光に対するガイド層厚は、
多重量子井戸構造２３の厚みよシも大きくすることか出
来、多重量子井戸構造２３の厚みを薄くした場合にもｎ
型ガイドＮ２２及びＰ型ガイド層２４の厚みや組成等を
最適化することによシ、光の閉じ込めを良くすることが
出来る。この様に、本発明に係わる多重量子井戸構造半
導体レーザーにおいては、ガイド層を有するため、多重
量子井戸構造の厚さを非常に薄くしても光の閉じ込めが
悪くならず超低閾値電流密度を達成することが出来る。
導体層であるガイド層２２の禁制帯幅と第２半導体層で
あるガイド層２４の禁制帯幅は同じとし、ポテンシャル
バリヤ一層の禁制帯幅より大きくしである。又、多重量
子構造２３がｎ型ガイド層２２とＰ型ガイド層２４とに
はさまれている。このため、光に対するガイド層厚は、
多重量子井戸構造２３の厚みよシも大きくすることか出
来、多重量子井戸構造２３の厚みを薄くした場合にもｎ
型ガイドＮ２２及びＰ型ガイド層２４の厚みや組成等を
最適化することによシ、光の閉じ込めを良くすることが
出来る。この様に、本発明に係わる多重量子井戸構造半
導体レーザーにおいては、ガイド層を有するため、多重
量子井戸構造の厚さを非常に薄くしても光の閉じ込めが
悪くならず超低閾値電流密度を達成することが出来る。
次に製造方法について簡単に述べる。第３図は第１の実
施例の多重量子井戸構造半導体レーザーにおいて電極構
造を全面電極構造とした場合の断面図である。図中、３
１はｎ−ＧａＡｓ基板、３２はバッファ一層（ｎ−Ｇａ
Ａｓ）、３３はキャップ層（Ｐ−ＧａＡｓ）、３４はＰ
極、３５はｎ電極である。
施例の多重量子井戸構造半導体レーザーにおいて電極構
造を全面電極構造とした場合の断面図である。図中、３
１はｎ−ＧａＡｓ基板、３２はバッファ一層（ｎ−Ｇａ
Ａｓ）、３３はキャップ層（Ｐ−ＧａＡｓ）、３４はＰ
極、３５はｎ電極である。
又、図中の２１〜２５は第２図の説明において述べた通
シである。製造工程のまず最初にｎ−ＧａＡｓ基板３１
上に、バッファ一層３２．ｎ型クラッド層２１．ｎ型ガ
イド層２２．多重量子井戸構造２３．Ｐ型ガイド層２４
．Ｐ型クラッド層２５．キャップ層３３をエピタキシャ
ル成長する。結晶成長法はＭＨＤ法、ＭＯ−Ｃ！ＶＤ法
。
シである。製造工程のまず最初にｎ−ＧａＡｓ基板３１
上に、バッファ一層３２．ｎ型クラッド層２１．ｎ型ガ
イド層２２．多重量子井戸構造２３．Ｐ型ガイド層２４
．Ｐ型クラッド層２５．キャップ層３３をエピタキシャ
ル成長する。結晶成長法はＭＨＤ法、ＭＯ−Ｃ！ＶＤ法
。
ＶＰＥ法、ＬＰＥ法等いずれの成長方法を用いても良い
。次にＰ電極３４及びｎ電極３５を形成してウェハープ
ロセスが完了する。次に、ウエノ％−から壁間等を用い
てペレットに切り出してグラム等に取付け、最後にリー
ド線を取付ける。
。次にＰ電極３４及びｎ電極３５を形成してウェハープ
ロセスが完了する。次に、ウエノ％−から壁間等を用い
てペレットに切り出してグラム等に取付け、最後にリー
ド線を取付ける。
本実施例の製造方法においては全面電極構造の電流注入
構造において説明したが、これに限らずプレーナストラ
イプ構造、オキサイドストライプ構造、プロトン照射ス
トライプ構造、リッジ導波構造、埋め込み構造等の他の
電流注入構造においてもその活性領域に本発明が適用出
来ることは明らかである。又、本実施例においては材料
としてＡＩ ＧａＡｓ ／ ＧａＡｓ系を用いだが、こ
れに限らずＩｎＧａＡｓＰ／ ＩｎＰ 、 ＩｎＧａＡ
ｌ Ａｓ ／ ＩｎＰ。
構造において説明したが、これに限らずプレーナストラ
イプ構造、オキサイドストライプ構造、プロトン照射ス
トライプ構造、リッジ導波構造、埋め込み構造等の他の
電流注入構造においてもその活性領域に本発明が適用出
来ることは明らかである。又、本実施例においては材料
としてＡＩ ＧａＡｓ ／ ＧａＡｓ系を用いだが、こ
れに限らずＩｎＧａＡｓＰ／ ＩｎＰ 、 ＩｎＧａＡ
ｌ Ａｓ ／ ＩｎＰ。
ＩｎＧａＡＩＰ／’ＧａＡｓ、等の他の材料にも本発明
が適用出来ることは明らかである。
が適用出来ることは明らかである。
本発明の第２の実施例としてＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ
／ Ｇ ａ Ａ ｓ多重量子井戸構造半導体レーザーに
ついて説明する。第４図は本実施例の多重量子井戸構造
半導体レーザーの主要部のエネルギーバンドダイヤグラ
ムである。図中、２１はｎ型りラッドＪ脅（第１クラツ
ド層、 ｎ−Ａｌｘｎ Ｇａ、１−ｘｎ Ａｓ、ｘｎ≧
０．２５゜典型的にはｘｎ”０．４） ２２は第１半導
体層（Ａｊｘｇ Ｇａ １−ｘｇ Ａｓ、 ０．１≦ｘ
ｇ（ｘｎ、Ｊｔｉ型的にはｎ−Ａｔ ９ｚ二Ｇａ ｉｉ
＋、ｐ Ａｓ Ｉ厚さ３０〜１００ＯＡ）。
／ Ｇ ａ Ａ ｓ多重量子井戸構造半導体レーザーに
ついて説明する。第４図は本実施例の多重量子井戸構造
半導体レーザーの主要部のエネルギーバンドダイヤグラ
ムである。図中、２１はｎ型りラッドＪ脅（第１クラツ
ド層、 ｎ−Ａｌｘｎ Ｇａ、１−ｘｎ Ａｓ、ｘｎ≧
０．２５゜典型的にはｘｎ”０．４） ２２は第１半導
体層（Ａｊｘｇ Ｇａ １−ｘｇ Ａｓ、 ０．１≦ｘ
ｇ（ｘｎ、Ｊｔｉ型的にはｎ−Ａｔ ９ｚ二Ｇａ ｉｉ
＋、ｐ Ａｓ Ｉ厚さ３０〜１００ＯＡ）。
２３は多重量子井戸構造、２４は第２半導体層（Ａｌｘ
ｇＧａｌ−ｘｇ Ａｓ 、典型的にはＰ−Ａｔ ｙ、ｊ
。
ｇＧａｌ−ｘｇ Ａｓ 、典型的にはＰ−Ａｔ ｙ、ｊ
。
Ｇａ ％ｊ、１ＸＡｓ 厚さ３０〜１００ＯＡ）、２５
はＰ型りシッド層（第２クラツド層、 Ｐ −Ａｌ ｘ
ｐ Ｇａ１−ｘｐＡｓ ｘｐ≧０．２５．典型的にはｘ
ｐ−０，４Ｌ２６は量子井戸層（層数≧２． Ａｌｘｗ
Ｇａ１−ｘｗ Ａｓ 。
はＰ型りシッド層（第２クラツド層、 Ｐ −Ａｌ ｘ
ｐ Ｇａ１−ｘｐＡｓ ｘｐ≧０．２５．典型的にはｘ
ｐ−０，４Ｌ２６は量子井戸層（層数≧２． Ａｌｘｗ
Ｇａ１−ｘｗ Ａｓ 。
（σ≦ｘｗ（ｘｇ、Ａ視的はノンドープＧ ａ Ａ ｓ
。
。
厚さ≦２０ＯＡ、２７はポテンシャルバリヤ一層（層数
＝ｎｗ−１，Ａｌｘｇ Ｇａｌ−ｘｇＡｓ Ｊｋ型的に
はノンドープＡｔ Ｈ，２Ｇａ （Ｊ、、ｆｉ Ａｓ厚
さ≦２０ ＯＡ）である。本実施例では、第１及び第２
半導体層とポテンシャルバリヤ一層の組成が同じために
禁制帯幅がこれらの層について全て同じ大きさとなる。
＝ｎｗ−１，Ａｌｘｇ Ｇａｌ−ｘｇＡｓ Ｊｋ型的に
はノンドープＡｔ Ｈ，２Ｇａ （Ｊ、、ｆｉ Ａｓ厚
さ≦２０ ＯＡ）である。本実施例では、第１及び第２
半導体層とポテンシャルバリヤ一層の組成が同じために
禁制帯幅がこれらの層について全て同じ大きさとなる。
それ故、外側に位置する量子井戸Ｎ２６ａ及び内側に位
置する量子井戸層２６ｂの両方とも全て同じポテンシャ
ルバリヤー高さで囲まれることとなυ、これらの量子井
戸Ｎ２６０間での量子化準位の違いは発生しない。従っ
て、量子化準位の拡が９は従来のものよりも小さくなる
ことになυ、発光スペクトルが充分狭く低閾値が実現出
来た。又、本構造では、第１及び第２の半導体層がある
ため光導波層としての厚みを多重量子井戸層２３よりも
大きくすることが出来る。そのため多重量子井戸構造２
３の厚みを薄くした場合にも、第１及び第２半導体眉の
厚みを最適化することにより光の閉じ込めを良くするこ
とが出来る。この様に本実施例の多重量子井戸構造半導
体レーザーにおいては多重量子井戸層の間での量子化準
位の拡がシが少なくかつ光の閉じ込めが良いため、従来
よシもさらに超低閾値電流密度を達成することが出来る
。
置する量子井戸層２６ｂの両方とも全て同じポテンシャ
ルバリヤー高さで囲まれることとなυ、これらの量子井
戸Ｎ２６０間での量子化準位の違いは発生しない。従っ
て、量子化準位の拡が９は従来のものよりも小さくなる
ことになυ、発光スペクトルが充分狭く低閾値が実現出
来た。又、本構造では、第１及び第２の半導体層がある
ため光導波層としての厚みを多重量子井戸層２３よりも
大きくすることが出来る。そのため多重量子井戸構造２
３の厚みを薄くした場合にも、第１及び第２半導体眉の
厚みを最適化することにより光の閉じ込めを良くするこ
とが出来る。この様に本実施例の多重量子井戸構造半導
体レーザーにおいては多重量子井戸層の間での量子化準
位の拡がシが少なくかつ光の閉じ込めが良いため、従来
よシもさらに超低閾値電流密度を達成することが出来る
。
第１図は従来のＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ 多重量子構造
半導体レーザーのエネルギーバンドダイヤグラムを示す
図である。第２図は本発明の第１の実施例のＡｌＧａＡ
ｓ／ＧａＡｓ 多重量子井戸構造半導体レーザーのエネ
ルギーバンドダイヤグラムを示す図である。第３図は本
発明の第１の実施例のＡＩ ＧａＡｓ／ＧａＡｓ 多重
量子井戸構造半導体レーザーの断面図である。第４図は
本発明の第２の実施例のエネルギーバンドダイヤグラム
を示す図である。 図中、１・・・・・・ｎ型クラッド層、２・・・・・・
多重量子井戸構造、３・・・・・・Ｐ型クラッド層。 ４・・・・・・ポテンシャルバリヤ一層、５・・・・・
・量子井戸層、２１・・・・・・第１クラッド層（ｎ型
クラッド層）、２２・・・・・・第１半導体層、２３・
・・・・・多重量子井戸構造、２４・・・・・・第２半
導体層。 ２５・・・・−・第２クラッド層（Ｐ型クラッド層）。 ２６・・・・・・量子井戸層、２７・・・・・・ポテン
シャルバリヤ一層、３１・・・・・・ｎ−ＧａＡｓ基板
。 ３２・・・・・・バッファ一層、３３・・・・・・キャ
ップ層。 ３４・・・・・・Ｐ電極、３５−・・・・・ｎ電極 で
ある。 オ １ 図 ５ １ ２ ３ オ ２ 図 ６ オ ３ 図 オ ４ 図 ９ら
半導体レーザーのエネルギーバンドダイヤグラムを示す
図である。第２図は本発明の第１の実施例のＡｌＧａＡ
ｓ／ＧａＡｓ 多重量子井戸構造半導体レーザーのエネ
ルギーバンドダイヤグラムを示す図である。第３図は本
発明の第１の実施例のＡＩ ＧａＡｓ／ＧａＡｓ 多重
量子井戸構造半導体レーザーの断面図である。第４図は
本発明の第２の実施例のエネルギーバンドダイヤグラム
を示す図である。 図中、１・・・・・・ｎ型クラッド層、２・・・・・・
多重量子井戸構造、３・・・・・・Ｐ型クラッド層。 ４・・・・・・ポテンシャルバリヤ一層、５・・・・・
・量子井戸層、２１・・・・・・第１クラッド層（ｎ型
クラッド層）、２２・・・・・・第１半導体層、２３・
・・・・・多重量子井戸構造、２４・・・・・・第２半
導体層。 ２５・・・・−・第２クラッド層（Ｐ型クラッド層）。 ２６・・・・・・量子井戸層、２７・・・・・・ポテン
シャルバリヤ一層、３１・・・・・・ｎ−ＧａＡｓ基板
。 ３２・・・・・・バッファ一層、３３・・・・・・キャ
ップ層。 ３４・・・・・・Ｐ電極、３５−・・・・・ｎ電極 で
ある。 オ １ 図 ５ １ ２ ３ オ ２ 図 ６ オ ３ 図 オ ４ 図 ９ら
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１クシツド層と、該第１クラッド層の上に形成され前
記第１クラッド層よシも小さな禁制帯幅Ｆｉｇｉを有す
る第１半導体層と、該第１半導体層の上に形成された多
重量子井戸構造と、該多重量子井戸構造の上に形成され
、８ｇ２ （Ｅｇ２−Ｅｇ、又はＢｇｚ八Ｅへｔ）の大きさの禁制
帯幅を有する第２半導体層と、該第２半導体層の上に形
成され前記Ｅｇｚよシも大きな禁制帯幅を有する第２ク
ラッド層とを具備し、前記多重量子井戸構造内部に、前
記ｇｇｉ及び８ｇ２のいずれよりも小さな禁制帯幅を有
する少なくとも２つ以上の量子井戸層と該量子井戸層の
間にはさまれた前記量子井戸層よシも大きな禁制帯幅を
有するポテンシャルバリヤ一層とを含むことを特徴とす
る多重量子井戸構造半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17074483A JPS6062176A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 多重量子井戸構造半導体レ−ザ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17074483A JPS6062176A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 多重量子井戸構造半導体レ−ザ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6062176A true JPS6062176A (ja) | 1985-04-10 |
| JPH0467354B2 JPH0467354B2 (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=15910579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17074483A Granted JPS6062176A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 多重量子井戸構造半導体レ−ザ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6062176A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202980A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸型半導体レ−ザ |
| US4823352A (en) * | 1986-02-14 | 1989-04-18 | Nec Corporation | Semiconductor laser with a variable oscillation wavelength |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP17074483A patent/JPS6062176A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| J.APPL.PHYS=1976 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202980A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸型半導体レ−ザ |
| US4823352A (en) * | 1986-02-14 | 1989-04-18 | Nec Corporation | Semiconductor laser with a variable oscillation wavelength |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0467354B2 (ja) | 1992-10-28 |
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