JPS6060000B2 - メツキ液再生装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電気メッキに関し、詳しくは、電気メッキや電
鋳の実行中にメッキ液や電解液から生ずるミストガスに
含まれている有効物質を回収し再使用するための装置に
関する。

本発明に係る回収再生装置は、例えば米国特許４０５３
３７０号や同第４１１９５１６号に示されているような
連続メッキないしは電鋳装置に適用することができる。
例えば上記米国特許第４１１９５１６号は導電性材料か
ら成る連続した帯状体の表面にプリント回路板の製造に
使用する金属箔や回路パターンを電気メッキ法により形
成する装置に関するものである。

そして、その装置は、カソードと、該カソードの下をし
かもカソードと接触してカソード化されながら送行され
る導電性の帯状体と、カソードの下．方に配置され前記
導電性帯状体との間に電極間間隙を構成する２つの不溶
性アノードとを備えている。このような装置において使
用されるメッキ液には堆積される金属、例えば銅を含ん
でいる。

そし一て、メッキ液が電極間間隙を乱流状態で通過する
ことによつて、導電性帯状体が連続して配置されたアノ
ードの上方を連続的に送行される間に該帯状体の下面に
金属が素早くかつ一様に堆積される。尚、回路パターン
の製造をする場合には導電・性帯状態の表面に予めレジ
スト剤によつてマスキングを施こしておかなければなら
ないが、金属箔の製造の場合には、そのようなマスキン
グは必要がない。メッキ操作が始まり、これが進行する
と、メッキタンク内はメッキ液から発せられるガスやミ
ストによつて満たされる。

そして、銅メッキを行なう場合のメッキ液には硫酸が含
まれている。このようなミストガスは生体にとつて極め
て有毒かつ刺激的なものである。しかも、このようなミ
ストガスはメッキタンクからその周囲へ洩れ出てしまう
。そして、このようなことは、衛生学的見地からは勿論
のこと、ミストは若し回収できればメツ）キ浴中に戻し
て再使用をすることができるので、経済的な見地からし
ても問題である。そこで本発明は、メッキ、電鋳ないし
はそれに類した作業によつてメッキ液から放出されるミ
ストガスから有効物質を回収し、メッキ液を無駄な−く
使用するようにすると共に、作業環境の改善に寄与する
ことのてきる装置を提供しようとするものである。

又、本発明は、メッキタンク内のメッキ液の液面レベル
を自動的に必要な範囲内に保つことがで”きるようにし
た装置を提供しようとするものである。

更に、本発明はメッキタンク内のメッキ液の温度を必要
な範囲内に保つことができるようにした装置を提供しよ
うとするものである。

更に又、本発明は、メッキタンク内のガス圧を大気圧よ
り稍小さく保ち、これによつてガスがメッキタンクから
漏れることのないようにした装置を提供しようとするも
のである。

上記した目的及びその他の目的のために、本発明は、略
気密なメッキタンク内に収納されたメッキ液を有するメ
ッキないしは電鋳装置と結合され、メッキないしは電鋳
操作によりメッキ液から発生するミストガスを通過させ
るミスト分離器を含むメッキ液再生装置を提供するもの
である。

ミスト分離器が通つて水が循環され、この水とミストガ
スとが接触され、これによつて、ガス中のミストが分離
され次第にメッキ液となつて行く。このようにして回収
されたメッキ液はミスト分離器からメッキタンクへと戻
される。本発明に係る装置は、ミストガスから有効物質
を略完全に回収し気化された水その他無害のガスを排出
するので１半密閉式ョと呼ぶのにふさわしいものである
。ここで述べる好ましい実施例では、メッキ液再生装置
は堆積される金属をメッキ液に補給する装置の使用に適
応されている。この実施例においては、補給金属を溶解
されたメッキ液がメッキタンクに戻される前に加熱され
る予熱タンクからミストガスがミスト分離器へ導入され
る。再生されたメッキ液がミスト分離器からメッキタン
クへ戻されるときに、メッキタンク内のメッキ液の液面
レベルを予め設定された範囲内に自動的に保つ制御手段
が設けられることが好ましい。

好適な実施例としては、自動液面位制御手段は、再生メ
ッキ液を仮に一時貯蔵しておくコントロールタンクと、
メッキタンク内のメッキ液の液面レベルが予め設定され
た下限より下がつたときに電気的信号を出力する液面セ
ンサーと、そして、液面センサーの出力信号に応動して
再生メッキ液がコントロールタンクからメッキタンクへ
流れるのを許容するようにされた電磁バルブとを含んで
いる。そして、メッキタンク内のメッキ液の液面が予め
設定された上限より上になつたとき液面センサーが電磁
バルブを閉じるようになつている。更に又、本発明によ
れば、ミスト分離器はメッキタンク内のメッキ液の温度
が電解によつて生じた熱によつて許容範囲以上の高温と
なつたとき、該メッキ液を冷却するのに役立つ。

メッキ液はミスト分離器内へ導びかれ、そこでスプレー
されてミストガスと気液接触し、それによつて冷却され
ると共に濃縮される。冷却されかつ濃縮されたメッキ液
は、液面コントロールタンクを迂回しかつ液面位制御手
段の制御に応じてメッキタンクへ戻される。以下に本発
明に係るメッキ液回収装置を酸性銅メッキ浴から銅箔又
は回路パターンを連続的に製造する装置に適用し更にメ
ッキ浴に銅を補充する装置と関連させた場合を例にとつ
て詳細に説明する。

メッキ装置はメッキタンク１を備えており、該タンク１
内には酸性銅のメッキ液ないしは電解液２が収納されて
いる。

補給装置はスクラップ銅３を溶融して硫酸銅溶液にする
補給タンク４と、その硫酸銅溶液をそれがメッキタンク
１に導入される前に所定の温度まで加温するための予熱
タンク５とを含んでいる。再生装置は連続的に連結され
た第１のミスト分離器６と第２のミスト分離器７とを備
えており、これによつて、予熱タンク５からやつて来た
ガスの中に混じつていたミストをとらえそして該ガスか
ら分離するようになつている。このように、実施例にお
いては再生装置はメッキ装置及び補給装置と関連されて
いるため、本発明装置を完全に認識するためには、これ
らのメッキ装置及び補給装置を理解することが必要であ
る。

従つて、メッキ液再生装置の詳細を説明する前に、先ず
メッキ装置及びメッキ液補充装置について簡単に説明し
ておく。第１図及び第２図から解るように、メッキタン
ク１内にはカソード８とその下方に適当な間隔を空けて
不溶性アノード９とが配置されている。

そして、その表面に鋼箔や回路パターンが電着形成され
る導電性材料からなる帯状体１０がカソード８の下を第
２図に矢印で示される方向（第１図の紙背側から紙面側
へ向う方向）へ水平に通過するようになつている。導電
性帯状体１０はスロット状の開口１１からメッキタンク
１内へ入つて来る。そして、メッキタンク１はこの帯状
体用入口１１と出口（図示しない。）とがある箇所を除
いて気密にされている。導電性帯状体１０がメッキタン
ク１内を送行されている間真空ポンプ１２が作動し、カ
ソード８の下面に形成された凹部１３内が真空にされる
。これによつて、導電性帯状体１０が吸引されカソード
８と摺接し、従つて充分な電気的接触が得られ、よつて
導電性帯状体１０がカソード化される。不溶性アノード
９とカソード８の下を送行さ・れる導電性帯状体１０と
の間に適当な電極間間隙１４が構成される。メッキタン
ク１内には酸性銅メッキ液２が収容されており、その液
面レベルは電極間間隙１４よりかなり下方に位置されて
いる。そして、そのメッキ液２の主な成分は硫酸銅と硫
酸である。不溶性アノード９の一端（導電性帯状体の予
め定められた送行方向に関して上流側の）に接してメッ
キ液供給口１５を有するメッキ液供給ブロック１６が配
置されている。

メッキ液２はこのメツノキ液供給口１５から電極間間隙
１４内へ流入し、そして、導電性帯状体１０に沿つて電
極間間隙１４を乱流となつて通過して行く。メッキ液供
給ポンプ１７は導管１８を通してメッキタンク１からメ
ッキ液２を引き出し、そして、そのメッキ液２を導管１
９を通してメッキ液供給口１５へ送る。メッキ液供給口
１５内には拡散板２０が固定されている。拡散板２０に
はメッキ液２が通過する小さな孔が多数形成されており
、これによつて、電極間間隙１４を流れて行くメッキ液
の乱流の程度が導電性帯状体１０の幅方向において均一
にされる。メッキ液供給口１５の上方には遮蔽ブロック
２１が配置されており、これによつて、導電性帯状体１
０の電極間間隙１４内に入る前の部分に漏洩電流による
電着が行なわれるのが防止される。

遮蔽ブロック２１は電極間間隙１４の両側端に配置され
た一対の平行な封止杆２２と一体に形成されている。こ
の封止杆２２はその上端面２３が横断方向の曲面とされ
ており、これによつて封止杆２２の上端面２３が導電性
帯状体１０の下面両側端縁と摺動自在にかつ水密に接触
される。一体の遮蔽ブロック２１と封止杆２２とによつ
て平面形状で略Ｕ字形を為すユニットは不溶性アノード
９及びメッキ液供給ブロック１６の上に弾性材料から成
る押し上げ管２４を介して配置される。

押し上け管２４は導管２５を介してコンプレッサー（図
示しない。）と連結されている。押し上げ管２４内に空
気が圧送されると、その直径が増大し、Ｕ字状ユニット
をその封止杆２２が導電性帯状体１０と水密にかつ摺動
可能に接触するまで押し上げる。このようにして、封止
杆２２は電極間間隙１４の両側端を限定しかつ封止し、
それによつて、メッキ液が導電性帯状体１０の長手方向
にのみ流れるようにする。メッキ液補充装置の補給タン
ク４は溶融されメッキタンク１内のメッキ液２に加えら
れる固形の銅３を収納している。

この固形の補充用銅はスクラップワイヤーであることが
好ましい。スクラップ銅線３は補給タンク４の底部に形
成されたフィ．ルター２６の上に載置される。フィルタ
ー２６は多孔性のもので、溶融された銅を通過させ、そ
して銅の溶融によつて生じたスクラップ銅ワイヤーの微
小片の通過を阻止するものである。導通系２７及び２８
が補給タンク４とメツキタ・ンク１との間を接続してい
る。

導通系２７には、メッキ工程によつて発生するミストガ
スをメッキタンク１から引き出すプロアー２９を備えて
いる。そして、プロアー２９はそのようなガスを補給タ
ンク４に送る。別の導通系２８はポンプ３０とオン−オ
フバルブ３１とを備えている。このバルブ３１が開くと
ポンプ３０によつてメッキ液２がメッキタンク１から補
給タンク４へ送られる。補給タンク４内には導通系２８
と接続された管系３２とこの管系３２に連結された多数
のスプレーノズル３３とを備えたスプレーノズル組立体
３４が配置されている。そして、これらのスプレーノズ
ル３３はフィルター２６上のスクラップ銅ワｌイヤー３
の全体にメッキタンク１から導入されたメッキ液をスプ
レーすることができるような位置関係になるように配置
されている。補給タンク４のフィルター２６の下方には
スクラップ銅ワイヤー３を溶融しそして濾過されたメッ
キ液を集めかつ下方へ導びくジヨーゴ体３５が配置され
ている。

ジヨーゴ体３５から延びるＬ字状の導管３６が補給タン
ク４と予熱タンク５とを接続しており、ここをスクラッ
プ銅ワイヤー３を溶融きかつ濾過された溶液が重力によ
つて補給タンク４から予熱タンク５へと流れる。予熱タ
ンク５はオーバーフロー管３７によつてメッキタンク１
と常時接続されており、従つて、スクラップ銅３を溶融
した溶液は予熱タンクからメッキタンクへとオーバーフ
ローされる。予熱タンク５には仕切板３８が設けられて
おり、これがタンク内を上流側空間３９と下流側空間４
０とに区切つている。

仕切板３８の上端は予熱タンク５内の溶液の液面より僅
かに上方にあり、そして、その下端は予熱タンクの底か
ら上方に離間している。従つて、溶液は仕切板３８の下
を通つて上流側空間３９から下流側空間４０へと流れる
。電気ヒータ４１が上流側空間３９内に配置されており
、これによつて、スクラップ銅溶液がメッキタンク１に
導入される前に加熱される。メッキ装置において、導電
性帯状体１０はメッキタンク１を通つてカソード８と接
触しながら一定の速度で矢印方向へ送行される。そして
、銅の回路パターンを製造する場合にはレジスト剤によ
つて導電性帯状体１０の下面にマスキングを施こす必要
がある。尚、銅フォイルの製造の場合にはそのようなマ
スキングを必要としないことは勿論である。ポンプ１７
によつてメッキ液２が供給口１５を通じて電極間間隙１
４に供給される。

不溶性アノード９を通じて直流電流が加えられ、これに
よつてカソード８の下を送行される導電性帯状体１０の
下面に銅が堆積される。メッキ液２が電極間間隙１４を
乱流状態で流れ、これによつて導電性帯状体１０の近辺
における銅イオン濃度の極度の減少を有効に防止するこ
とができ、これが銅の堆積速度を促進する。メッキ工程
が進むと徐々にメッキ液２中の銅含有量が減少して来る
。

メッキ液に銅を補給するために、メッキ工程が進むに従
つて発生する酸素及びその他のガスがプロアー２９を含
む導通系２７を通してメッキタンク１から補給タンク４
へと送られる。オン−オフバルブ３１が開いて、メッキ
液２が導通系２８を通して補給タンク４へ送られると、
補給タンク４内にあるスクラップ銅ワイヤー３の溶融が
始まる。メッキタンク１からのガスの存在下にスプレー
ノズル組立体３４によつてメッキ液２がスプレーされる
と、スクラップ銅ワイヤー３は次の反応によつて溶融し
て硫酸銅溶液となる。この反応に必要な熱は、メッキタ
ンク１内において６０〜６５℃の範囲内にあるメッキ液
から得られる。

尚、スプレーされるメッキ液の温度が高くかつスクラッ
プ銅の対重量表面積が大きい程銅は早く溶融される。補
給タンク４内で形成され、そしてフィルター２６によつ
て濾過された硫酸銅溶液は予熱タンク５へ送られる。

予熱タンク５に流入して来た硫酸．銅溶液の温度は必要
な６０〜６５℃の温度範囲より低くなつているので、ヒ
ーター４１が該溶液をそれが上流側空間３９を通過する
間に速かに加熱する。予熱タンク５内の仕切板３８は、
補給タンク４のフィルター２６を通り抜けてしまつたス
クラ．ノブ銅の微小片を溶液がメッキタンク１内にオー
バーフローされる前に沈降させてしまう。第１図に示さ
れているように、プロアー４２を有する導通系４３が予
熱タンク５と第１のミスト分離器６とを連結している。

導通系４３は予熱タンク５とその中に入つている溶液の
液面より上方で接続されており、従つて、プロアー４２
は予熱タンク５からミストガスのみを取り出し、そして
、それを第１のミスト分離器６へ送る。第３図はメッキ
液再生装置の完全な一覧図と共に第１及び第２のミスト
分離器６，７を拡大して示す図である。

導通系４３はその中に調節弁４４が設けられており、そ
して、第１のミスト分離器６のガス出口と第２のミスト
分離器７のガス入口との間を連結している導通系４５に
もその中に調節弁４６が設けられている。これらの調節
弁は、入つて来るガスの流量を調整し、メッキタンク１
内のガス圧を外気圧より僅かに小さくするためのもので
ある。導通系４３は調節弁４４の下流側にて分岐される
分岐管４７を有しており、この分岐管には調節弁４８が
組み込まれている。

第１及び第２のミスト分離器６，７間を連結している導
通系４５も調節弁４６の下流側にて分岐される分岐管４
９を有しており、そして、この分岐管にも調節弁５０が
組み込まれている。これらの分岐管４７及び４９は外気
と連通している。適当に制御されながら大気中の空気が
ミスト分離器６及び７内に引き入れられると、該空気は
冷却媒体として用いられ、かつ有害な物質を除去し又は
有効な物質を回収するのに寄与する。ミスト分離器６及
び７の内部構造はごく普通のものであり、又、両者とも
同一である。

そこで、第１のミスト分離器６についてのみ簡単に説明
する。ミスト分離器６内にはガス導入口とガス送出口と
の中間位置に傾斜した洗浄床５１があり、該床５１は、
ポリ塩化ビニル製の２つの円板が直角に結合されて成る
多数の接触要素５２が詰め込まれて構成されている。

尚、接触要素には、例えば板状小片や球状をした他の一
般に知られたタイプのものを使用しても良い。そして、
接触要素５２が詰め込まれている床５１の前後は一対の
多孔壁５３によつて限定されている。洗浄床５１の上方
には液導入口５４と連通されたスプレーノズル組立体５
５が配置されている。

ミスト分離器６内に導入されたミストガスを器６内に拡
散させるためにガス導入口５６に接してルーパー５７が
設けられている。スプレーノズル組立体５５はミストガ
スが洗浄床５１を拡散されて通過するときに、洗浄床５
１内に液（水ないしはメッキ液）をスプレーするもので
ある。ミスト分離器６には、ミストガスを洗浄しかつ冷
却するための水を導入するためのオン−オフバルブ５８
を備えた水導入口５９が備えられている。

ミスト分離器６の底部には液送出口６０が設けられてお
り、この液送出口６０はポンプ６１を有する導通系６２
を介して液導入口５４と連結されている。ポンプ６１は
ミスト分離器６に洗浄水を循環させるものであつて、従
つて、洗浄水が洗浄床５１内にスプレーされる。ミスト
分離器６の液導入口５４は、オン−オフバルブ６３を備
えた導通系６４を介してメッキタンク１とも連結されて
いる。

この導通系６４は前述の導通系２８とポンプ３０とバル
ブ３１との間から分岐されている。従つて、バルブ３１
が閉じられ、バルブ６３が開かれると、メッキ液２はメ
ッキタンク１からミスト分離器６内へ送られ、そこで洗
浄床５１内へスプレーされ、そして、その中でミストガ
スと出会うことによつて冷却されかつ濃縮される。第２
のミスト分離器７も、その中にあるスプレーノズル組立
体と連通している液導入口６５と、洗浄水を受け入れる
ためのオン−オフバルブ６６を備えた水導入口６７と、
そして、ポンプ６８を備えた導通系６９によつて液導入
口６５と連結された液送出口７０とを備えている。

ポンプ６８によって洗浄水がミスト分離器７を通つて循
環され、そして、洗浄水が洗浄床内にスプレーされる。
そして、第２のミスト分離器７のガス送出口７１からは
無害化されたガスが排出される。洗浄水はミスト分離器
６及び７内でそこに導入されたミストと混ざりメッキ液
として使用されるに適当な濃度となると、その混合溶液
即ち再生メッキ液はメッキタンク１へ戻される。このよ
うに再生された電解液をメッキタンク１に戻す際、下記
のように、メッキタンク１内のメッキ液２の液面レベル
が所要の限度内にあるように自動的に保つ手段が用意さ
れると良い。それぞれオン−オフバルブ７２及び７３を
備えておりミスト分離器６及び７の液送出口６０及び７
０と液面コントロールタンク７４とを共通のポンプ７５
を介して連結している導通系７６及び７７が設けられて
いる。

バルブ７２及び７３が開かれると、ミスト分離器６及び
７の中で回収ないしは再生された溶液が同時に又は個々
に液面位コントロールタンク４内に送られ、そこで一時
的に貯蔵される。液面位コントロールタンク７４は電磁
弁７８を備えた導通系７９によつてメッキタンク１と連
結されている。

この弁７８のソレノイドはメッキタンク１内の液面位セ
ンサー８０と増幅器８１を介して電気的に接続されてい
る。液面位センサー８０には公知の適当なもの例えばチ
タン製の静電容量タイプのものが用いられる。電磁弁７
８は増幅器８１を介して液面位センサー８０によつて付
勢されると再生溶液が液面位コントロールタンク７４か
らメッキタンク１へと流れるようにする。尚、液面位コ
ントロールタンク７４がメッキタンク１より高い位置に
配置されていれば、再生溶液を送るためのポンプは不必
要である。尚、第１のミスト分離器６は、洗浄及び冷却
用水の他にも、メッキタンク１からメッキ液２を冷却及
び濃縮するために受け入れるようになつている。

冷却及び濃縮されたメッキ液をメッキタンク１へ戻すた
めに、バルブ７２とメッキタンク１との間に、オン−オ
フバルブ８２を備えた分岐導通系８３が設けられている
。そして、バルブ７２と８２とが開かれると、冷却され
たメッキ液はメッキタンク１へ戻される。この場合、第
１のミスト分離器６がメッキタンク１より高い位置に配
置されていれば、ポンプの助けを必要としない。補給タ
ンク４から予熱タンク５へ入つて来たガスはかなりの量
の硫酸ミストやメッキ液２の成分のミストを含んでいる
。メッキ液が補給タンク４内のスクラップ銅ワイヤー３
上にスプレーされて”いないときでも、プロアー２９は
ミストガスをメッキタンク１から補給タンク４内へ従つ
て予熱タンク５内へ送り込んでいる。このようなガスが
オーバーフロー管３７から全部メッキタンク１内に戻さ
れると、メッキタンク１内のガス圧が外気圧・より高く
なつてしまい、導電性帯状体１０の入口１１等を通つて
有害なミストガスが流出してしまう。ミストガスは予熱
タンク５から第１のミスト分離器６へ強制的に送られ、
そして、洗浄床５１内ノへ拡散される。

洗浄床５１内において洗浄水がスプレーノズル組立体５
５によつてスプレーされ、そして、ミストをそれを運ん
で来たガスから除去する。そして、同様のことが第２の
ミスト分離器７においても生じる。この２つのミスト分
離器６及び７によるミストの除去は完壁であり、第１の
ミスト分離器に入るときＰＨｌ以下であつたものが、第
２のミスト分離器７を出るときにはＰＨ６〜７位になる
。

従つて第２のミスト分離器７からは水蒸気を多く含んだ
無害のガスだけが排出される。水導入口５９及び６７か
らミスト分離器６及び７へ導入された洗浄水は、ＰＨｌ
以下になるまで各ミスト分離器に循環される。

そして、バンプ６１及び６８が止められバルブ７２及び
７３が開かれると、再生溶液はポンプ７５により液面位
コントロールタンク７４へ送られ、そこで一時的に貯蔵
される。メッキタンク１内にあるメッキ液２の液面位が
予め設定された下限を下回ると液面位センサー８０が電
気的信号を出力する。

その電気的出力信号は増幅器８１によつて増幅されて電
磁自バルブ７８に加えられ、これによつたバルブ７８が
開く。しかして、再生溶液は液面位コントロールタンク
７４からメッキタンク１へと流入する。メッキタンク１
内のメッキ液２の液面位が予め設定された上限を超える
と、液面位センサー８０は信号の出力を止め、その結果
電磁弁７８が閉じられる。このようにして、メッキタン
ク１内のメッキ液２の液面位は予め設定された範囲内に
自動的に保たれる。メッキタンク１内のメッキ液２の温
度が電解熱によつて６５℃の上限を超えた場合には、先
ず、ポンプ６１を止めて洗浄水の循環を止め、それから
、バイブ６３を開いてポンプ３０を作動させ、メッキ液
２をメッキタンク１から第１のミスト分離器６へ送る。

そして、メッキ液はスプレーノズル組立体５５によつて
洗浄床５１内にスプレーされてミストガスと気液接触さ
れ、これによつて冷却されると共に濃縮される。

そして、この冷却されかつ濃縮されたメッキ液は、バル
ブ７２及び８２が開かれることによつて直接メッキタン
ク１へ戻される。メッキタンク１内のメッキ液２の温度
が６０〜６５℃の正常な範囲内にあるときには、バルブ
６３，７２及び８２が閉じられ、又、ポンプ３０は止め
られる。そして、ポンプ６１が作動され、第１のミスト
分離器６への洗浄水の循環を再関する。尚、このような
メッキタンク１内のメッキ液２の温度を所定の範囲に保
つ操作を自動化することは専問家にとつては容易なこと
である。以上において、本発明を最も実用的てかつ好ま
しいと思われる実施例に関して説明したが、この実施例
は上述した目的のためのものであつて、本発明の本質を
何ら変更するものではない。

例えば、本発明は、上述したタイプ以外のタイプのメッ
キないしは電鋳装置及び／又はメッキ液補給装置に適応
させることができる。又、本発明は銅メッキ浴だけでは
く、ニッケル、コバルトあるいはニッケル−コバルト合
金のような合金等の他の金属の浴でも適用することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るメッキ液再生装置と結合されたメ
ッキ装置をメッキ液補給装置と共に一部を縦断面で示す
正面図、第２図はメッキ装置の要部を一部を切欠いて示
す拡大した左側面図、第３図は本発明に係るメッキ液再
生装置の全体の系統図をミスト分離器を拡大しかつその
一部を切欠いて示す図である。 符号の説明、１・・・・・・メッキタンク、２・・・・
・・メッキ液、３・・・・・・補給用金属、４・・・・
・・補給タンク、５・・・・予熱タンク、６，７・・・
・・・ミスト分離器、２７・・・・導通系、２８・・・
・・・導通系、４３・・・・・・導通系、４７・・・・
・分岐管、４９・・・・・分岐管、５１・・・・・・洗
浄床、５５・・・・スプレーノズル、５９・・・・・・
水導入口、６１・・・・・ポンプ、６２・・・・・・導
通系、６７・・水導入口、６８・・・・・・ポンプ、６
９・・・・・導通系、７４・・・・・・液面位コントロ
ールタンク、７６・・・・・導通系、７７・・・・・・
導通係、７８・・・・・・電磁弁、７９・・導通係、８
０・・・・・液面位センサー、８３・・・・・・分岐導
通系。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ メッキ液を収容した略気密なメッキタンクを備えた
   メッキ装置に連結されており、ミストを分離する手段と
   、メッキ工程の進行によりメッキ液から発生するミスト
   ガスを前記ミスト分離手段へ導入する手段と、前記ミス
   ト分離手段内に水を導入する手段と、前記ミスト分離手
   段内に空気を導入する手段と、前記水をミストガスと気
   液接触させてミストを分離し該水と混合させてメッキ液
   とするために水を前記ミスト分離手段を通して循環させ
   る手段と、メッキタンク内のメッキ液を前記ミスト分離
   手段内に導入してミストガスと気液接触させる手段と、
   前記ミスト分離手段内に水及びメッキタンク内のメッキ
   液を導入するときに洗浄床にスプレーする手段と、そし
   て、ミスト分離手段内で再生されたメッキ液をメッキタ
   ンク内へ戻す手段とを備えたことを特徴とするメッキ液
   再生装置。 ２ 再生されたメッキ液をメッキタンク内へ戻す手段が
   、液面位コントロールタンクと、再生メッキ液を液面位
   コントロールタンク内へ導入しそこで一時的に貯蔵させ
   るための手段と、メッキタンク内のメッキ液の液面位を
   検知する手段と、メッキタンク内のメッキ液の液面位が
   予め定められた下限を下回つたときに前記検知手段によ
   つて作動され再生メッキ液を液面位コントロールタンク
   からメツキタンクへと流入させる弁とを含むことを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載のメッキ液再生装置。 ３ ミスト分離手段内においてメッキ液をミストガスと
   接触させて冷却すると共に濃縮するためにメッキ液をメ
   ッキタンクからミスト分離手段へと導入する手段と、冷
   却されかつ濃縮されたメッキ液をミスト分離手段からメ
   ツキタンクへと戻す手段とを備えたことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項又は第２項記載のメッキ液再生装置
   。４ ミスト分離手段へ外気を量的に制御しながら導入
   する手段を備えたことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項、第２項又は第３項記載のメッキ液再生装置。 ５ 電着される金属が溶解されているメッキ液を収容し
   ているメッキタンクと、電着される金属の固形物を収納
   している補給タンクと、メッキ工程の進行に応じてメッ
   キタンク内に発生するミストガスを補給タンクへ導びく
   手段と、メッキ液中に前記固形物たる補給用金属を溶解
   するためにメッキ液を補給用金属に供給する手段と、補
   給用金属を溶解したメッキ液をメツキタンクへ導入する
   前に予熱するための予熱タンクと、ミスト分離手段と、
   補給タンクを経て予熱タンクへ来たミストガスをミスト
   分離手段へと導びく手段と、前記ミスト分離手段内に水
   を導入する手段と、前記ミスト分離手段内に空気を導入
   する手段と、前記水をミストガスと気液接触させてミス
   トを分離し該水と混合させてメッキ液とするために水を
   前記ミスト分離手段を通して循環させる手段と、メッキ
   タンク内のメッキ液を前記ミスト分離手段内に導入して
   ミストガスと気液接触させる手段と、前記ミスト分離手
   段内に水及びメッキタンク内のメッキ液を導入するとき
   に洗浄床にスプレーする手段と、ミスト分離手段内で再
   生されたメッキ液をメッキタンク内へ戻す手段とを備え
   たことを特徴とするメッキ液再生装置。