JPS6058798B2 - 金属薄膜の加工方法 - Google Patents
金属薄膜の加工方法Info
- Publication number
- JPS6058798B2 JPS6058798B2 JP8455281A JP8455281A JPS6058798B2 JP S6058798 B2 JPS6058798 B2 JP S6058798B2 JP 8455281 A JP8455281 A JP 8455281A JP 8455281 A JP8455281 A JP 8455281A JP S6058798 B2 JPS6058798 B2 JP S6058798B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- thin film
- metal thin
- metal
- processing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属薄膜の微細加工方法に関する。
従来金属薄膜の微細加工は、フォトエッチング方法によ
り行われてきた。すなわち、金属薄膜上にレジストを均
一に塗布し、フォトリソグラフィによりマスク上のパタ
ーンをレジストに転写してレジストパターンとし、エッ
チング液もしくはプラズマにより金属薄膜を選択的にエ
ッチングして所望の金属薄膜パターンを得る。上記フォ
トエッチング方法では、光の回折効果等のため解像限界
か数μｍである。
り行われてきた。すなわち、金属薄膜上にレジストを均
一に塗布し、フォトリソグラフィによりマスク上のパタ
ーンをレジストに転写してレジストパターンとし、エッ
チング液もしくはプラズマにより金属薄膜を選択的にエ
ッチングして所望の金属薄膜パターンを得る。上記フォ
トエッチング方法では、光の回折効果等のため解像限界
か数μｍである。
また近年半導体装置の微細化のため開発されている電子
ビーム露光装置でも電子の散乱のためその解像力は１μ
ｍ程度である。以上の理由からサブミクロン加工あるい
はサブサブミクロン加工は現存する方法では困難である
。
ビーム露光装置でも電子の散乱のためその解像力は１μ
ｍ程度である。以上の理由からサブミクロン加工あるい
はサブサブミクロン加工は現存する方法では困難である
。
ところがバルブメモリ装置や金属−絶縁物一金属装置な
どにおいて、サブミクロン加工技術が要求されるように
なつてきている。本発明の目的は金属薄膜を１μｍ以下
の微細加工できる方法を提供することにある。
どにおいて、サブミクロン加工技術が要求されるように
なつてきている。本発明の目的は金属薄膜を１μｍ以下
の微細加工できる方法を提供することにある。
金属薄膜に電子線を照射すると、その照射された金属薄
膜は、電子線を照射しない金属薄膜と比べてそのエッチ
ング時間が長くなる。
膜は、電子線を照射しない金属薄膜と比べてそのエッチ
ング時間が長くなる。
また電子線はそのビーム径を容易に小さくすることが可
能で１０八程度のビーム径は容易につくることができる
。本発明は、上記現象を利用したもので第１図を用いて
本発明による実施例の説明を行う。
能で１０八程度のビーム径は容易につくることができる
。本発明は、上記現象を利用したもので第１図を用いて
本発明による実施例の説明を行う。
金属薄膜１を形成した基板（第１図ａ）上に選択的に電
子線を照射する（第１図ｂ）。
子線を照射する（第１図ｂ）。
この選択的電子線照射は電子線露光装置と同様な装置で
行うことができる。電子線照射の後、プラズマもしくは
エッチング液にて全面をエッチングする。このとき電子
線照射部３と電子線非照射部でそのエッチングレイトが
異なるため電子線照射部３はエッチングされず残る（第
１図ｃ）アルミニウム薄膜の場合電子線の照射の有無に
よりエッチング時間が約３倍のちがいがあつた。一方電
子線の散乱による電子の拡がりは、電子・線の加速電圧
や金属の種類により異なるが、電子線リソグラフィに使
用されるレジスト （有機物）に比べ３分の１以下の拡
がりとなつている。
行うことができる。電子線照射の後、プラズマもしくは
エッチング液にて全面をエッチングする。このとき電子
線照射部３と電子線非照射部でそのエッチングレイトが
異なるため電子線照射部３はエッチングされず残る（第
１図ｃ）アルミニウム薄膜の場合電子線の照射の有無に
よりエッチング時間が約３倍のちがいがあつた。一方電
子線の散乱による電子の拡がりは、電子・線の加速電圧
や金属の種類により異なるが、電子線リソグラフィに使
用されるレジスト （有機物）に比べ３分の１以下の拡
がりとなつている。
表１に例として電子線の侵入深さをいくつかの物質につ
いて示す。以上本発明によれば、電子線を照射すること
により金属のエッチング時に差を生ずることからレジス
トを使用する必要がなく、レジストを使用しないことか
ら従来電子ビームの解像度を制限していたレジスト内で
の電子ビームの散乱の影響は無く、レジストと比べ比重
の大きな金属内での散乱となるため電子の拡がりは小さ
くなり、より微細な加工ができ、サブミクロン加工を容
易に行うことが可能となる。
いて示す。以上本発明によれば、電子線を照射すること
により金属のエッチング時に差を生ずることからレジス
トを使用する必要がなく、レジストを使用しないことか
ら従来電子ビームの解像度を制限していたレジスト内で
の電子ビームの散乱の影響は無く、レジストと比べ比重
の大きな金属内での散乱となるため電子の拡がりは小さ
くなり、より微細な加工ができ、サブミクロン加工を容
易に行うことが可能となる。
第１図ａ−ｃは本発明による製造方法を示す。
１・・・・・・メタル、２・・・・・・電子線、３・・
・・・・電子線照射部。
・・・・電子線照射部。
Claims (1)
- １ 金属薄膜上の一部に選択的に電子線を照射した後、
電子線照射部の金属と電子線非照射部の金属で、そのエ
ッチングレイトが異なることを利用することにより、前
記電子線非照射部の金属をエッチング除去することを目
的とする金属薄膜の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8455281A JPS6058798B2 (ja) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | 金属薄膜の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8455281A JPS6058798B2 (ja) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | 金属薄膜の加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57200566A JPS57200566A (en) | 1982-12-08 |
| JPS6058798B2 true JPS6058798B2 (ja) | 1985-12-21 |
Family
ID=13833801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8455281A Expired JPS6058798B2 (ja) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | 金属薄膜の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058798B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0347396U (ja) * | 1989-09-08 | 1991-05-01 |
-
1981
- 1981-06-02 JP JP8455281A patent/JPS6058798B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0347396U (ja) * | 1989-09-08 | 1991-05-01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57200566A (en) | 1982-12-08 |
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