JPS6058695A - 埋め込み型半導体レ−ザ素子の製造方法 - Google Patents
埋め込み型半導体レ−ザ素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ素子の製造方法にＩＮ Ｌ ＋特に埋め
込み型半導体レーザ紫子の製造方法に関する。
込み型半導体レーザ紫子の製造方法に関する。
ミ
幅が数ｆクロン、厚さがコンマ数ミクロンのスドライブ
状の活性層の長手方向外周（長手軸に沿った上下面及び
両側面）を禁制＠幅のより広い半導体層で埋め込んだ構
造の半導体レーザ素子は。
状の活性層の長手方向外周（長手軸に沿った上下面及び
両側面）を禁制＠幅のより広い半導体層で埋め込んだ構
造の半導体レーザ素子は。
総称して埋め込み半導体レーザ才子と呼ばれ、閾値電流
値が低く、外部数分量子効率が高いなど。
値が低く、外部数分量子効率が高いなど。
素子特性が優れてりることが知られている。
ところが埋め込み型半導体レーザ素子を光フアイバー通
信や光ディスクＷＪき込み用などの光源として数ｍＷか
ら＆＋ｍＷのブ０出力で動作させると。
信や光ディスクＷＪき込み用などの光源として数ｍＷか
ら＆＋ｍＷのブ０出力で動作させると。
共振器面に露出している活性ＪＧ ｇ’ｊ ｉＢが、高
いエネルギー密度の発振光で励起されることから、比較
的速（変質や損傷が進行して特性が劣化する。この劣化
問題を４１４本的に解決するには発振光に対して透明な
半導体層で活性層端部を埋め込み、共振器面に露出させ
ないことが必要である。
いエネルギー密度の発振光で励起されることから、比較
的速（変質や損傷が進行して特性が劣化する。この劣化
問題を４１４本的に解決するには発振光に対して透明な
半導体層で活性層端部を埋め込み、共振器面に露出させ
ないことが必要である。
このようなＪＰｒ造の埋め込み型中導体ンーザ緊子を製
造するには、半導体基板上に活性層を含む半導体多層膜
を形成したウヱハを、逃択的にエツチングして、少なく
とも活性層を孤立した島状にしなければならない。その
後に結晶成長を行なって。
造するには、半導体基板上に活性層を含む半導体多層膜
を形成したウヱハを、逃択的にエツチングして、少なく
とも活性層を孤立した島状にしなければならない。その
後に結晶成長を行なって。
活性層の長手方向側面と活性周端部とを同時に埋め込む
方法がとられている。
方法がとられている。
このエツチング方法として、これまで２ｎＭの方法が行
なわれている。すなわち、活性層の長手方向側面のエツ
チングと活性層端部のエツチングとを２回の工程で行な
う方法と、１回の工程で行なう方法とである。前者の方
法によれば、エツチング量などを独立して制御できる利
点があるため。
なわれている。すなわち、活性層の長手方向側面のエツ
チングと活性層端部のエツチングとを２回の工程で行な
う方法と、１回の工程で行なう方法とである。前者の方
法によれば、エツチング量などを独立して制御できる利
点があるため。
活性層に隣接して導波層を設け、それを共振器面間の全
域に連続しているストライプ状に残すことＫよって、共
振器面と活性層端部との間の領域でも発振光の導波機能
のある。従って素子特性の優れた半導体レーザ素子を製
造できる−しかしこの方法では、第１回目のエツチング
によって露出した活性層側面部を、第２回目のエツチン
グのためのフォトレジスト工程中に′；４Ｔ機物などで
汚染するという問題点がある。このため埋め込み成長不
良が生じて歩留りが低下したり、、ｉ電中にその部分の
変質が原因となって劣化が生じたりするなどの欠点かあ
つた。
域に連続しているストライプ状に残すことＫよって、共
振器面と活性層端部との間の領域でも発振光の導波機能
のある。従って素子特性の優れた半導体レーザ素子を製
造できる−しかしこの方法では、第１回目のエツチング
によって露出した活性層側面部を、第２回目のエツチン
グのためのフォトレジスト工程中に′；４Ｔ機物などで
汚染するという問題点がある。このため埋め込み成長不
良が生じて歩留りが低下したり、、ｉ電中にその部分の
変質が原因となって劣化が生じたりするなどの欠点かあ
つた。
もう一方の、活性層側面のエツチングと、端部のエツチ
ングとを同時に行なう方法では、有機物による汚染など
の問題はないものの、活性層端部と共振器面との門係領
域での発振光の拡散を防ぐための導波４１造を設けるこ
とが出来ないため、閾値電流値が畠＜、効率が低い半導
体レーザ素子しか得られないという欠点がありた。
ングとを同時に行なう方法では、有機物による汚染など
の問題はないものの、活性層端部と共振器面との門係領
域での発振光の拡散を防ぐための導波４１造を設けるこ
とが出来ないため、閾値電流値が畠＜、効率が低い半導
体レーザ素子しか得られないという欠点がありた。
本発明の目的は、従来方法にあった問題を解消し、イキ
頼性と素子特性の両面に優れた埋め込み型半導体レーザ
素子を高歩留りで製造できる製造方法の提供にある。
頼性と素子特性の両面に優れた埋め込み型半導体レーザ
素子を高歩留りで製造できる製造方法の提供にある。
本発明による埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法は
、？Ｉｊ性ルｊと、この活性層の片側の層平面に接して
設けてあり前記活性層よりも禁制帯幅が広くかつ屈折幕
が小さい導波層とを、これらいずれの層よりもが、制帯
幅が広くかつ屈折率が小さい第１クラッド層が導波層の
層平面に接しかつ第１クラッド服よりもさらに禁制帯幅
が広（かつ屈折率が小さい第２クラッド層が前記活性層
の他方の層平面に接するよう２つのクラッド層で挾んで
なる半導体多層膜を半導体基板上に形成する工程と。
、？Ｉｊ性ルｊと、この活性層の片側の層平面に接して
設けてあり前記活性層よりも禁制帯幅が広くかつ屈折幕
が小さい導波層とを、これらいずれの層よりもが、制帯
幅が広くかつ屈折率が小さい第１クラッド層が導波層の
層平面に接しかつ第１クラッド服よりもさらに禁制帯幅
が広（かつ屈折率が小さい第２クラッド層が前記活性層
の他方の層平面に接するよう２つのクラッド層で挾んで
なる半導体多層膜を半導体基板上に形成する工程と。
少なくとも幅が一定している主部と、この主部よりも幅
が狭い副部とから成るストライブ部分を含むエツチング
マスクを用いて、前記半導体多層膜にエツチングを施す
第１のエツチング工程と、第２クラッド層九対するエツ
チング速度の速いエツチング液を用いて第２クラッド層
を層側面からエツチングしストライプ状の第２クラッド
層の幅を狭めて、前記主部で被覆された領域では活性層
周平面の一部を露出させ、前記創部で被覆された領域で
は活性層周平面の全部を露出させ、さらにこの露出した
層平面から活性層をエツチングシフ、前記主部で被覆さ
れた領域の活性層は一定幅のストライプ状に残存させ、
前記副部で被覆された領域の活性層は除去するとともに
、前記導波層は前記マスクで被覆された全域にわたって
ストライプ状に残存させる第２のエツチング工程と、前
記活性層及び前記導波層のいずれの層よりも禁制帯幅が
広くかつ屈折率が小さい半導体層で少なくとも前記活性
層及び導波層を埋め込む工程を含むことを特徴とする。
が狭い副部とから成るストライブ部分を含むエツチング
マスクを用いて、前記半導体多層膜にエツチングを施す
第１のエツチング工程と、第２クラッド層九対するエツ
チング速度の速いエツチング液を用いて第２クラッド層
を層側面からエツチングしストライプ状の第２クラッド
層の幅を狭めて、前記主部で被覆された領域では活性層
周平面の一部を露出させ、前記創部で被覆された領域で
は活性層周平面の全部を露出させ、さらにこの露出した
層平面から活性層をエツチングシフ、前記主部で被覆さ
れた領域の活性層は一定幅のストライプ状に残存させ、
前記副部で被覆された領域の活性層は除去するとともに
、前記導波層は前記マスクで被覆された全域にわたって
ストライプ状に残存させる第２のエツチング工程と、前
記活性層及び前記導波層のいずれの層よりも禁制帯幅が
広くかつ屈折率が小さい半導体層で少なくとも前記活性
層及び導波層を埋め込む工程を含むことを特徴とする。
まず本発明をＡｌＧｍＡｍ埋め込み型半導体レーダ素子
の製造方法に適用した第１の実施例を第１図から第６図
にかけて示す。
の製造方法に適用した第１の実施例を第１図から第６図
にかけて示す。
第１図はエツチング前のウニへの一部分を模式的に示し
た斜視図である。素子１個に相当する部分を仮想的にと
り出したもので、実際には同型の部分が前後左右に連続
して存在する。ウェハはｎ型ＧａＡｓ基板１上の（１０
０）面上に、ｎ型Ａｔ７Ｇａ）−１・、、Ａｓ クラッ
ド層２＋ｎ型Ａｚ）Ｇａシニ／Ａｓ ＱＦ波Ｒ３，７ｙ
ドープＡｔ、Ｇｇ）−５，：Ａｔｒ 活性Ｎｌ４Ｉ ｐ
、８Ｉ！ＡｔｗＧａノーｇ、Ａｌｌ１ラッド層５．ｐ型
ＧａＡｓキャップ層６を順次成長して形成したものであ
る。ここで各層のｈｔ混晶比はＸ＜ｙ＜ｚ（とを有する
ことを特徴とする。５ｔＯ２マスク７はまずウェハ全面
に５ｔＯ２膜を形成後１通常の７オトレジスト法によっ
て選択的にエツチングして形成したものである。５１ｏ
２−ｖスフの長手方向はウニへ結晶の（０１１）方向に
一致している。
た斜視図である。素子１個に相当する部分を仮想的にと
り出したもので、実際には同型の部分が前後左右に連続
して存在する。ウェハはｎ型ＧａＡｓ基板１上の（１０
０）面上に、ｎ型Ａｔ７Ｇａ）−１・、、Ａｓ クラッ
ド層２＋ｎ型Ａｚ）Ｇａシニ／Ａｓ ＱＦ波Ｒ３，７ｙ
ドープＡｔ、Ｇｇ）−５，：Ａｔｒ 活性Ｎｌ４Ｉ ｐ
、８Ｉ！ＡｔｗＧａノーｇ、Ａｌｌ１ラッド層５．ｐ型
ＧａＡｓキャップ層６を順次成長して形成したものであ
る。ここで各層のｈｔ混晶比はＸ＜ｙ＜ｚ（とを有する
ことを特徴とする。５ｔＯ２マスク７はまずウェハ全面
に５ｔＯ２膜を形成後１通常の７オトレジスト法によっ
て選択的にエツチングして形成したものである。５１ｏ
２−ｖスフの長手方向はウニへ結晶の（０１１）方向に
一致している。
第２図は第１図のウェハのエツチングを実施した後の斜
視図である。エツチングはリン酸と過酸化水素水とメチ
ルアルコールの混合液を用いてＧａＡｇ基板１が露出す
るまで１テなった。
視図である。エツチングはリン酸と過酸化水素水とメチ
ルアルコールの混合液を用いてＧａＡｇ基板１が露出す
るまで１テなった。
第３図は、フッ化水素水の希釈液で第２図のウェハをエ
ツチングしたものである。フッ化水素水の希釈液はエツ
チングのＡｔ混晶比による選択性が強く、他の層をほと
んど侵すことなしＫＡｔ混晶比が一番大きなｐ型Ａ Ｚ
ｇ Ｇ ａ ｐイＡｓ層（クラッド慴）５を選択的に
エツチングする。５ｉｎ２マスクはこのエツチング工程
で同時に除去されるが。
ツチングしたものである。フッ化水素水の希釈液はエツ
チングのＡｔ混晶比による選択性が強く、他の層をほと
んど侵すことなしＫＡｔ混晶比が一番大きなｐ型Ａ Ｚ
ｇ Ｇ ａ ｐイＡｓ層（クラッド慴）５を選択的に
エツチングする。５ｉｎ２マスクはこのエツチング工程
で同時に除去されるが。
ＧａＡｓキャップ層６は侵されないため、ｐ型ＡｌしＧ
ａ ）−ｇ・・Ａｓ５はバ出した側面からのみエツチ
ングされる。マスク主部と副部の幅の差異の効果で。
ａ ）−ｇ・・Ａｓ５はバ出した側面からのみエツチ
ングされる。マスク主部と副部の幅の差異の効果で。
ｐ ’！！ Ａ Ｚ ｙ Ｇ ａ ７−Ｖ−Ａ ｓクラ
ッド層５は、マスク主部で覆われた部分ではストライブ
状に残り、マスク副部で覆われた部分では完全に除去す
ることができる。
ッド層５は、マスク主部で覆われた部分ではストライブ
状に残り、マスク副部で覆われた部分では完全に除去す
ることができる。
ｍ４図は第３図のウェハを、リン酸と過酸化水素水とメ
チルアルコールの）ｎ合液で、第３図で（１００）面が
ｂ−出している部分の活性層４を除去する。７「を性層
４０層りは数１００ Ａ〜千数１００λとれケいため、
このエツチング工程で導波［３やｎ型りラッドＩＮ ２
．ｐ型りラッドＦｉ５の形状は保たれる。
チルアルコールの）ｎ合液で、第３図で（１００）面が
ｂ−出している部分の活性層４を除去する。７「を性層
４０層りは数１００ Ａ〜千数１００λとれケいため、
このエツチング工程で導波［３やｎ型りラッドＩＮ ２
．ｐ型りラッドＦｉ５の形状は保たれる。
第５図は第４図（”） ウｚ ハラｐ ４Ｆ ＡＡ、、
、Ｇａ）−Ｈ，Ａｓ電流阻止Ｎ ７７ｎ −ｍ Ａｌｈ
Ｇａ ７＝７１＋＋Ａｓ高抵抗［８で埋め込んで作成し
た埋め込み型半導体レーザの斜視図である。前記Ｓ ｉ
Ｏ２マスクの副部で覆われていた部分を枳切ってウェハ
を弁開し、一対の共振器面が形成されている。
、Ｇａ）−Ｈ，Ａｓ電流阻止Ｎ ７７ｎ −ｍ Ａｌｈ
Ｇａ ７＝７１＋＋Ａｓ高抵抗［８で埋め込んで作成し
た埋め込み型半導体レーザの斜視図である。前記Ｓ ｉ
Ｏ２マスクの副部で覆われていた部分を枳切ってウェハ
を弁開し、一対の共振器面が形成されている。
＠６図は、詔５図の埋め込み屋半導体し−ザ累子の、油
性層を含むストライプの長手方向の断面図である。Ａ
Ｌｚ Ｇ ａ ン：３＜・ζＡ８活性層４の端部は、禁
制帯幅が広（て９発振光に対して透明なＡｔＨＧａ、−
。
性層を含むストライプの長手方向の断面図である。Ａ
Ｌｚ Ｇ ａ ン：３＜・ζＡ８活性層４の端部は、禁
制帯幅が広（て９発振光に対して透明なＡｔＨＧａ、−
。
４−４ Ａ １層８（ｎ＞ｘ）によりて埋め込まれてい
る。
る。
本発明の製造方法によれば、共振器を形成する反射面の
変質の発生箇所である活性層端部が共振器の内部に位置
し、この活性層端部が１発振光に対して透明な半導体層
で埋め込まれた構造になっているとともに、活性層に隣
接して設けた導液層が活性層の途切れている部分も含め
て、共振器を形成する一対の反射面の間の全域釦わたっ
て連続して存在し１発振光を効果的に導波する構造にな
っていることから、他発振閾値―高効率な優れた特性を
保持しつつ信頼性にも優れた埋め込み型半導体レーザ素
子が得られる。このレーザ素子の製造方法についての本
発明の最も大きな特徴は、半導体基板上に形成された半
導体多Ｍ５膜をエツチングする工程で２部分的に幅が狭
くなっているストライプ状マスクを用いてエツチングす
ることにある。この効果により、活性層長手方向側面の
エツチングと、活性層端部のエツチングとを独立に制御
することが可能であることから上述の構造を容易に形成
できること、またフォトレジスト工程は１回で済み、活
性層側面部等の汚染がないため。
変質の発生箇所である活性層端部が共振器の内部に位置
し、この活性層端部が１発振光に対して透明な半導体層
で埋め込まれた構造になっているとともに、活性層に隣
接して設けた導液層が活性層の途切れている部分も含め
て、共振器を形成する一対の反射面の間の全域釦わたっ
て連続して存在し１発振光を効果的に導波する構造にな
っていることから、他発振閾値―高効率な優れた特性を
保持しつつ信頼性にも優れた埋め込み型半導体レーザ素
子が得られる。このレーザ素子の製造方法についての本
発明の最も大きな特徴は、半導体基板上に形成された半
導体多Ｍ５膜をエツチングする工程で２部分的に幅が狭
くなっているストライプ状マスクを用いてエツチングす
ることにある。この効果により、活性層長手方向側面の
エツチングと、活性層端部のエツチングとを独立に制御
することが可能であることから上述の構造を容易に形成
できること、またフォトレジスト工程は１回で済み、活
性層側面部等の汚染がないため。
歩留りが高り、シかも劣化原因を導入する等の問題もな
いという大きな利点がある。
いという大きな利点がある。
一部分を模式的に示した斜視図である。素子１個に相当
する部分を仮想的にとり出したもので、実際には同型の
部分が前後左右に連続して存在する。
する部分を仮想的にとり出したもので、実際には同型の
部分が前後左右に連続して存在する。
ウェハは第１の実施例の場合と同じ組成の半導体多層膜
によって構成されスいる。第１の実施例の第１図に示し
たエツチングマスクに加えて、その外側にもエツチング
マスクを設けることを特徴とする。このためエツチング
を実施すると発光領域となるメサ部の両側に溝が形成さ
れ、その外側にり旦 はエツチングされない平垣な広い領域が残存する。
によって構成されスいる。第１の実施例の第１図に示し
たエツチングマスクに加えて、その外側にもエツチング
マスクを設けることを特徴とする。このためエツチング
を実施すると発光領域となるメサ部の両側に溝が形成さ
れ、その外側にり旦 はエツチングされない平垣な広い領域が残存する。
エツチング方法は第１の実施例の場合と同様である。
第８図はエソチング工程終了後、ウェノ１をｎ型Ａｔ鼻
Ｇａシー＝ｗＡ！１層１３．ｐ型Ａ Ｚ ｒＩＧ ａ
’７−、’Ａａ 屑１４、ｎ型Ａ Ｌ ｐ Ｇ ａ ／
−ｐｒ・Ａ ｓ電流阻止層１５．ｐ型ＧａＡｓ電極形成
層で埋め込んで作成した埋め込み型半導体レーザの斜視
図である。前記ＳｉＯ□マスクの副部でσわれでいた部
分を横切ってウエノ・を弁開し、一対の共振器面が形成
されている。活性層を含むストライプの長手方向の断面
は、第１の実施例の第６図と同様に、 Ａ４．Ｇａ７＝
ｘＡ！＋活性層の端部は禁中１帯幅が広くて発振光に対
して透明なＡｔＨＧａ７−・ＨＡｓＭｌ ４ （ｎ＞ｘ
）Ｋよりて埋め込まれている。第２０実詰例では、ｇ
ｉの実施例と同様に素子特性と信頼性の両面に優れて（
・るの４１碍も ンクにＷＩＬ着して、放熱を効果的に行なうことができ
る利点もある。
Ｇａシー＝ｗＡ！１層１３．ｐ型Ａ Ｚ ｒＩＧ ａ
’７−、’Ａａ 屑１４、ｎ型Ａ Ｌ ｐ Ｇ ａ ／
−ｐｒ・Ａ ｓ電流阻止層１５．ｐ型ＧａＡｓ電極形成
層で埋め込んで作成した埋め込み型半導体レーザの斜視
図である。前記ＳｉＯ□マスクの副部でσわれでいた部
分を横切ってウエノ・を弁開し、一対の共振器面が形成
されている。活性層を含むストライプの長手方向の断面
は、第１の実施例の第６図と同様に、 Ａ４．Ｇａ７＝
ｘＡ！＋活性層の端部は禁中１帯幅が広くて発振光に対
して透明なＡｔＨＧａ７−・ＨＡｓＭｌ ４ （ｎ＞ｘ
）Ｋよりて埋め込まれている。第２０実詰例では、ｇ
ｉの実施例と同様に素子特性と信頼性の両面に優れて（
・るの４１碍も ンクにＷＩＬ着して、放熱を効果的に行なうことができ
る利点もある。
以上２本発明をＡｔＧａＡｓ半導体レーザ素子に適用し
た２つの実施例について詳細に説明したが。
た２つの実施例について詳細に説明したが。
本発明は、ＡｔＧａＡｓ半導体レーザ素子に限定されな
いのはもちろんである。Ａｔ、Ｇ〜Ｉｎなどの厘族元素
とＡｓ、Ｐ、ＳｂなどのＶ族元素の組み合わせカーら成
る各ｔｌ＋Ｉ Ｖ族化合物半導体、特１（ＩｎＧ航８Ｐ
とＩｎＧａｐとから構成される埋め込み型半導体レーザ
素子、ＧａＩｎＰとＡｔＩｎＧａＰとから構成さｆｚる
埋め込み型半導体レーザ素子、ＩｎＧａＡｓＰ とＩｎ
Ｐ とから構成される押め込み型半導体レーザ素子など
各種埋め込み型半導体レーザ素子に適用でき同様の効果
をイ：）ることができる。
いのはもちろんである。Ａｔ、Ｇ〜Ｉｎなどの厘族元素
とＡｓ、Ｐ、ＳｂなどのＶ族元素の組み合わせカーら成
る各ｔｌ＋Ｉ Ｖ族化合物半導体、特１（ＩｎＧ航８Ｐ
とＩｎＧａｐとから構成される埋め込み型半導体レーザ
素子、ＧａＩｎＰとＡｔＩｎＧａＰとから構成さｆｚる
埋め込み型半導体レーザ素子、ＩｎＧａＡｓＰ とＩｎ
Ｐ とから構成される押め込み型半導体レーザ素子など
各種埋め込み型半導体レーザ素子に適用でき同様の効果
をイ：）ることができる。
以上説明したよつに、不発明によれば、信頼性と素子特
性の両面ＶＬ６５れた恢め込み壓半導体し−ザヌｉ子の
製造方法が提供できる。
性の両面ＶＬ６５れた恢め込み壓半導体し−ザヌｉ子の
製造方法が提供できる。
第１図は本発明の製造方法の一実施例の工程に親図、第
３図は第２のエツチング後の第２図ウェハの斜視図、第
４図は第３のエツチング後の第３図ウェハの斜視図であ
り、第５図は埋め込み成長後、電極形成、弁開による共
振器面形成後の埋め込みハリ半導体レーザ素子の斜視図
である。第６図は第５図の素子の油性層を含んでその長
手方向の断面図である。第７因は本発明の身°！造方法
の第２の実施例の工程におけるエツチング前のウニ１１
の一部を示す斜視図であり、第８回は氾２の実施例によ
り製造した埋め込み型半導体レーザ素子の斜視図、第９
図はその活性層を含んで長手方向に垂直な断面図である
。 １−−・−・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２−− ｎ ７！Ｉ
！Ａ７１Ｇ１ｋ ／−ＸＡＩＩ第１クラッド層、３・・
・・・・ｎ型Ａ Ｚｙ Ｇ ａ ／−ｙ Ａｓ導波層、
４・・・・・・Ａｔ□Ｇ ａ ンーエＡ８活性層、 ５
・・・・・・ｐ型Ａ Ｚ ＶＧ ａ ン−ｖ Ａ ｓ第
２クラッド７１．６−−−−・・ｐｆｆノＧａＡｓキャ
ップ層、７・・・・・−８ｉＯ□エツチングマスク、８
・・・・・・ｐ型Ａ４．、、Ｇａ！／ −Ａ−流阻止ｐ
、９ ・−・−ｎ −型ｋｌ、。 Ｕ ａ ”７−ｈＩＡ ｓ埋め込みＲｅ １０−− ｎ
側電極、１１・・・ｐ＠ ＠ｉｗ 、１２−・−共振器
面、１３・・・・・・ｎ壓Ａ Ｌ／Ｉ Ｇ ｓ １７ユ
、、、 Ａ ｓｆｆり、１４ ・・・ ・・・ ｐ 智
！Ａ４ｊＧａ シー８Ａ１１埋め込み層、１５°””’
ｎ型ＡｚｐＧａ＞ 、７Ａｓ電流阻止層、１６・・・・
・・ｐ型ＧａＡｓ電極形成層。 第 １ 図 第３図 第４図 第５図 第 ７ 区 第８図
３図は第２のエツチング後の第２図ウェハの斜視図、第
４図は第３のエツチング後の第３図ウェハの斜視図であ
り、第５図は埋め込み成長後、電極形成、弁開による共
振器面形成後の埋め込みハリ半導体レーザ素子の斜視図
である。第６図は第５図の素子の油性層を含んでその長
手方向の断面図である。第７因は本発明の身°！造方法
の第２の実施例の工程におけるエツチング前のウニ１１
の一部を示す斜視図であり、第８回は氾２の実施例によ
り製造した埋め込み型半導体レーザ素子の斜視図、第９
図はその活性層を含んで長手方向に垂直な断面図である
。 １−−・−・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２−− ｎ ７！Ｉ
！Ａ７１Ｇ１ｋ ／−ＸＡＩＩ第１クラッド層、３・・
・・・・ｎ型Ａ Ｚｙ Ｇ ａ ／−ｙ Ａｓ導波層、
４・・・・・・Ａｔ□Ｇ ａ ンーエＡ８活性層、 ５
・・・・・・ｐ型Ａ Ｚ ＶＧ ａ ン−ｖ Ａ ｓ第
２クラッド７１．６−−−−・・ｐｆｆノＧａＡｓキャ
ップ層、７・・・・・−８ｉＯ□エツチングマスク、８
・・・・・・ｐ型Ａ４．、、Ｇａ！／ −Ａ−流阻止ｐ
、９ ・−・−ｎ −型ｋｌ、。 Ｕ ａ ”７−ｈＩＡ ｓ埋め込みＲｅ １０−− ｎ
側電極、１１・・・ｐ＠ ＠ｉｗ 、１２−・−共振器
面、１３・・・・・・ｎ壓Ａ Ｌ／Ｉ Ｇ ｓ １７ユ
、、、 Ａ ｓｆｆり、１４ ・・・ ・・・ ｐ 智
！Ａ４ｊＧａ シー８Ａ１１埋め込み層、１５°””’
ｎ型ＡｚｐＧａ＞ 、７Ａｓ電流阻止層、１６・・・・
・・ｐ型ＧａＡｓ電極形成層。 第 １ 図 第３図 第４図 第５図 第 ７ 区 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 活性層と、この活性層の片側の層平面に接して設けてあ
り前記活性層よりも禁制帯幅が広くかつ屈折率が小さい
導波層とを、これらいずれの層よりも禁制帯幅が広くか
つ屈折率がホさい第１クラッド層が導波層の層千面に接
しかつ第１クラッド層よりもさらに禁制帯幅が広くかつ
屈折率が小さい第２クラッド層が前記活性層の他方の層
平面に接するよう２つのクラッド層で挟んでなる半導体
多層膜を半導体基板上に形成する工程と、少なくとも幅
が一定している主部と、この主部よりも幅が狭い副部と
から成るストライプ部分を含むエツチングマスクを用い
て、前記半導体多層膜にエツチングを施す第１のエツチ
ング工程と、第２クラッド層に対するエツチング速度の
速いエツチング液を用いて第２クラッド層を層側面から
エツチングしストライプ状の第２クラッド層の幅を狭め
て。 前記主部で躯覆された領域では活性層層平面の一部を露
出させ、前記副部で被覆された領域では活性層平面の全
部を露出させ、さらにこの露出した層平面から活性層を
エツチングし、前記主部で被覆された領域の活性層は一
定幅のストライプ状に残存させ、前記副部で被覆された
領域の活性層は除去するとともに、前記導波層は前記マ
スクで被覆された全域にわたってストライプ状に残存さ
せる第２のエツチング工程と、前記活性層及び前記導波
層のいずれの層よりも禁制帯幅が広くかつ屈折率が小さ
い半導体層で少なくとも前記活性ＪｊＪ及び導波層を埋
め込む工程な甘むことを特徴とする埋め込み型半導体レ
ーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16779783A JPS6058695A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 埋め込み型半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16779783A JPS6058695A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 埋め込み型半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6058695A true JPS6058695A (ja) | 1985-04-04 |
Family
ID=15856281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16779783A Pending JPS6058695A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 埋め込み型半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058695A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6321889A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63142879A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| JPH0398020U (ja) * | 1990-01-26 | 1991-10-09 |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP16779783A patent/JPS6058695A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6321889A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63142879A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| JPH0569318B2 (ja) * | 1986-12-05 | 1993-09-30 | Seiko Epson Corp | |
| JPH0398020U (ja) * | 1990-01-26 | 1991-10-09 |
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