JPS6057926A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS6057926A JPS6057926A JP58166998A JP16699883A JPS6057926A JP S6057926 A JPS6057926 A JP S6057926A JP 58166998 A JP58166998 A JP 58166998A JP 16699883 A JP16699883 A JP 16699883A JP S6057926 A JPS6057926 A JP S6057926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- drawn
- electron beam
- width
- acceleration voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子ビーム露光方法詳しくは、露光の精度向上
をはかり得る方法に関するものである。
をはかり得る方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体素子の微細化につれて微細パターンを形成するた
めに電子ビーム露光法が用いられている。
めに電子ビーム露光法が用いられている。
電子ビーム露光においては、入射電子がレジスト中およ
び基板中で散乱されることによって生じる近接効果に」
：り解像度が制限される。この近接効果は電子ビームの
加速電圧に依存している。現在、市販されている電子ビ
ーム露光装置の加速電圧は１６〜２０ｋｖ である。こ
れに対して、加速電圧を高くす２）ことにより、微細パ
ターンについて近接効果を低減し、解像度を向」ニさせ
ることが可能となる。第１図に加速電圧に対し、レジス
トｒｌ” Ｋ吸収されるエネルギー分布をモンテカルロ
シミュレーションにより割算した結果を示す。明らかに
加速電圧を高くするとレジスト中の吸収エネルギーは電
子の入射点周辺で鋭いピークを持つ。
び基板中で散乱されることによって生じる近接効果に」
：り解像度が制限される。この近接効果は電子ビームの
加速電圧に依存している。現在、市販されている電子ビ
ーム露光装置の加速電圧は１６〜２０ｋｖ である。こ
れに対して、加速電圧を高くす２）ことにより、微細パ
ターンについて近接効果を低減し、解像度を向」ニさせ
ることが可能となる。第１図に加速電圧に対し、レジス
トｒｌ” Ｋ吸収されるエネルギー分布をモンテカルロ
シミュレーションにより割算した結果を示す。明らかに
加速電圧を高くするとレジスト中の吸収エネルギーは電
子の入射点周辺で鋭いピークを持つ。
しかし、加速電圧を高くすると、第２図に示すように、
近接効果か、１：ソ遠く寸で影響を及ぼす欠点がある。
近接効果か、１：ソ遠く寸で影響を及ぼす欠点がある。
さらに加速電圧を高め／ζ場合、レジスト３く７′
感度が低下するため、描画時間が長くなるという短所が
ある。
ある。
発明の目的
本発明は、以上の問題点を解決し、近接効果の小さい電
子ビーム露光方法を実現するものである。
子ビーム露光方法を実現するものである。
発明の構成
すなわち、本発明はパターンに応じて加速電圧を変えて
描画することを特徴とする電子ビーム露光方法である。
描画することを特徴とする電子ビーム露光方法である。
実施例の説明
第３図に基いて本発明の第１の実施例について説明する
。
。
描画すべきパターンの中で、幅１μｍ以上の大きさを持
つパターン１ （２０７ｔｍＸ２０μｍ）を、１０ｋＶ
の加速電圧で描画する。幅１μｍ未満の大きさを持つパ
ターン２（０，５μｍＸ３０７１ｍ）については、５ｏ
ｋｖの加速電圧を用いて描画する。
つパターン１ （２０７ｔｍＸ２０μｍ）を、１０ｋＶ
の加速電圧で描画する。幅１μｍ未満の大きさを持つパ
ターン２（０，５μｍＸ３０７１ｍ）については、５ｏ
ｋｖの加速電圧を用いて描画する。
Ｓｔ 基板上で厚さ１μｍのＰＭＭＡレジストを用いて
電子ビーム露光する場合、実験によると１０ｋｖでは線
露光量ｏ、 ４ｘ１ｏ−’Ｃ／ｍでよいが、５ｏｋｖで
ハ２ Ｘ １ ｏ−’ Ｃ／”” の露光量が必要であ
った。
電子ビーム露光する場合、実験によると１０ｋｖでは線
露光量ｏ、 ４ｘ１ｏ−’Ｃ／ｍでよいが、５ｏｋｖで
ハ２ Ｘ １ ｏ−’ Ｃ／”” の露光量が必要であ
った。
パターン１とパターン２をともに８０ ｋｖで露光する
場合に比べて本発明のように、ツクターン１のみを１０
ｋｖで露光する場合、露光時間比率は、約０．２３倍、
すなわち、Ｚ以下で良く、シかも、幅０．５μｍの微細
パターンは加速電圧ｓ ｏ ｋｖで描画するので充分な
解像度でノ（ターンを形成することが可能となる。
場合に比べて本発明のように、ツクターン１のみを１０
ｋｖで露光する場合、露光時間比率は、約０．２３倍、
すなわち、Ｚ以下で良く、シかも、幅０．５μｍの微細
パターンは加速電圧ｓ ｏ ｋｖで描画するので充分な
解像度でノ（ターンを形成することが可能となる。
これに対してすべてのパターンを加速電圧１゜ｋｖで描
画した場合には、幅０．５μｍの微細）（タンを解像す
ることが困難である。
画した場合には、幅０．５μｍの微細）（タンを解像す
ることが困難である。
次に、第４図に基いて本発明の第２の実施例について説
明する。
明する。
描画すべきパターンの中で、ツクターン中央部４を１０
ｋｖの加速電圧で描画腰ツクターン周辺部６および微細
パターン６についてはＢ□ｋｖ の加速電圧で描画する
。パターン中央部４を含めてすべてのパターンをＢ □
ｋｖで描画した場合、第２図に示したように加速電圧
が高くなると電子の入射点から遠く離れた位置まで影響
が及ぶので微細パターンでｋｉ近接効１１は低減される
が、大きなパターンでは逆に近接効果の影響が大きくで
てＬ ｒＥう。さらに描画時間も長くなってし丑う。こ
ねに対して本実施例に示した方法では、パターン中火部
４は加速電圧１０ｋｖ で描画するので、近接効果の影
響は少ない。また、パターン周辺部５は、ａ ｏ ｋｖ
で描画しているので、パターンエツジの解像度は充分
で高精度のパターンが形成される。
ｋｖの加速電圧で描画腰ツクターン周辺部６および微細
パターン６についてはＢ□ｋｖ の加速電圧で描画する
。パターン中央部４を含めてすべてのパターンをＢ □
ｋｖで描画した場合、第２図に示したように加速電圧
が高くなると電子の入射点から遠く離れた位置まで影響
が及ぶので微細パターンでｋｉ近接効１１は低減される
が、大きなパターンでは逆に近接効果の影響が大きくで
てＬ ｒＥう。さらに描画時間も長くなってし丑う。こ
ねに対して本実施例に示した方法では、パターン中火部
４は加速電圧１０ｋｖ で描画するので、近接効果の影
響は少ない。また、パターン周辺部５は、ａ ｏ ｋｖ
で描画しているので、パターンエツジの解像度は充分
で高精度のパターンが形成される。
また、微細パターン６についても８０ ｋｖ で１＾１
１画するのが、解像度の高い、高精度のパターンを形成
することができる。もしすべてのパターンを１ｏｋｖで
４８１画すれば、パターンエツジ、１．・、１び微細パ
ターンを充分に解像することが蕪しい１゜発明の効果 以上詳述したように、本発明は、パターンに応じて加速
電圧を変えて描画することを特徴とする電子ビーム露光
方法であ−・て、本発明を用いることにより、短い描画
時間で、近］２効ｌ−の’ｌ＞ ７１：い、高精細度な
パターンを描画することがで〜／）３゜
１画するのが、解像度の高い、高精度のパターンを形成
することができる。もしすべてのパターンを１ｏｋｖで
４８１画すれば、パターンエツジ、１．・、１び微細パ
ターンを充分に解像することが蕪しい１゜発明の効果 以上詳述したように、本発明は、パターンに応じて加速
電圧を変えて描画することを特徴とする電子ビーム露光
方法であ−・て、本発明を用いることにより、短い描画
時間で、近］２効ｌ−の’ｌ＞ ７１：い、高精細度な
パターンを描画することがで〜／）３゜
６ベー〕′
第１図、第２図は本発明を説明するだめのレジスト中の
エネルギー吸収量分布図、第３図、第４図は本発明の詳
細な説明するだめの平面図である０ １・・・・・・所定の幅以上の大きさを持つノ（ターン
、２・・・・・・所定の幅未満のパターン、３・・・・
・・）くターン中央部、４・・・・・・パターン周辺部
、６・・・・・・微細ノくターン０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＠１
図 １戸数（／！；ＦＴＩ ） 第２図 距’ｆＭ ｃｐｒｎ）
エネルギー吸収量分布図、第３図、第４図は本発明の詳
細な説明するだめの平面図である０ １・・・・・・所定の幅以上の大きさを持つノ（ターン
、２・・・・・・所定の幅未満のパターン、３・・・・
・・）くターン中央部、４・・・・・・パターン周辺部
、６・・・・・・微細ノくターン０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＠１
図 １戸数（／！；ＦＴＩ ） 第２図 距’ｆＭ ｃｐｒｎ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）描画すべきパターンの大きさに応じて加速電圧を
変えて描画することを特徴とする電子ビーム露光方法。 （′４ 描画すべきパターンの大きさが、所定の幅以」
二の大きさのとき、低い加速電圧を持つ電子ビームで描
画し、もしくは所定の幅未満の大きさのとき高い加速電
圧で描画することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子ビーム露光方法。 （３） 描画すべきパターンの中で、パターン中央部を
所定の加速電圧を持つ電子ビームで描画し、パターン周
辺部を前記加速電圧より高い加速電圧で描画することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム露光
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166998A JPS6057926A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166998A JPS6057926A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057926A true JPS6057926A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15841478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58166998A Pending JPS6057926A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057926A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128030A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Nec Corp | Exposing method for electron beam |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP58166998A patent/JPS6057926A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128030A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Nec Corp | Exposing method for electron beam |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0006701A1 (en) | A process for channelling ion beams | |
| JPH05267133A (ja) | 斜め図形描画法 | |
| JPS6057926A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| TW201142907A (en) | Method and system for fracturing a pattern using charged particle beam lithography with multiple exposure passes | |
| JP2719894B2 (ja) | 半導体素子の微細パターン形成用フォトマスク | |
| JPS58124230A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| US6090528A (en) | Spot-to-spot stitching in electron beam lithography utilizing square aperture with serrated edge | |
| JPH11274038A (ja) | パターン描画方法及び描画装置 | |
| JPH0360113A (ja) | リフトオフ用レジストパターン形成方法 | |
| KR19990024798A (ko) | Vsb 방식을 이용한 반도체 소자의 노광방법 | |
| JPS6290842A (ja) | 集束イオンビ−ム照射装置 | |
| JPS59198720A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| JPS60208834A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2933759B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPS59222929A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6229893B2 (ja) | ||
| JP3094454B2 (ja) | 電子線露光方法 | |
| JP2825266B2 (ja) | パターン描画装置の描画精度評価方法 | |
| JPS62143423A (ja) | 電子ビ−ム描画方法および電子ビ−ム描画装置 | |
| KR101001498B1 (ko) | 빔 번짐 효과를 감소시킨 브이에스비 방식의 마스크제조방법 | |
| JPS6075837A (ja) | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 | |
| JP2001109151A (ja) | レジスト材料 | |
| JPS5941831A (ja) | 電子ビ−ム描画方法 | |
| JPH02192716A (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| JPH03291911A (ja) | 荷電ビーム露光方法 |