JPS6057184A - 窯炉の補修方法 - Google Patents
窯炉の補修方法Info
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- JPS6057184A JPS6057184A JP16483383A JP16483383A JPS6057184A JP S6057184 A JPS6057184 A JP S6057184A JP 16483383 A JP16483383 A JP 16483383A JP 16483383 A JP16483383 A JP 16483383A JP S6057184 A JPS6057184 A JP S6057184A
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- gas
- spraying
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はコークス炉、精錬炉等工業無炉における内壁
（内張耐火物）の損傷部をプラズマ溶射法により補修す
る方法に関する。
（内張耐火物）の損傷部をプラズマ溶射法により補修す
る方法に関する。
コークス炉、精錬炉等の工業無炉の内壁は通常１０００
°Ｃ以上の高温にさらされるｔこめ、単に高温物質が浸
透して溶損するだけでなく、熱亀裂や剥離等の損傷が発
生する。このような損傷部を補修する方法としては、従
来不定形耐火物をその損傷部に吹付ける方法が一般的で
あるが、この吹付補修法では施工後の不定形耐火物の加
熱過程で水蒸気爆裂が生じて剥離し易くなること、ある
いは不定形耐火物中のバインダー（結合剤）の分布が吹
付は時に不均一になれば安定した付着が得られないとい
う欠点がある。
°Ｃ以上の高温にさらされるｔこめ、単に高温物質が浸
透して溶損するだけでなく、熱亀裂や剥離等の損傷が発
生する。このような損傷部を補修する方法としては、従
来不定形耐火物をその損傷部に吹付ける方法が一般的で
あるが、この吹付補修法では施工後の不定形耐火物の加
熱過程で水蒸気爆裂が生じて剥離し易くなること、ある
いは不定形耐火物中のバインダー（結合剤）の分布が吹
付は時に不均一になれば安定した付着が得られないとい
う欠点がある。
そこで、これらの欠点を解消する方法として、この発明
者らはプラズマ溶射法により炉内壁を補修する方法を開
発した（特開昭５８−４９８９号）。
者らはプラズマ溶射法により炉内壁を補修する方法を開
発した（特開昭５８−４９８９号）。
この炉壁補修方法は、ＡｒおよびＮ、ガスを作動ガスと
しｔごプラズマジェットを用い、該ジェットフレームで
炉壁を加熱しながらセラミックス等の耐火粉末を溶射し
て補修する方法であり、施工（溶射）と同時に煉瓦に匹
敵する強度が得られること、母材煉瓦と溶着し接着力が
大きいこと、施工体は緻密でＣＯガス、水蒸気等の気体
を通さないこと、施工壁面の急冷による温度低下を起こ
さないで母材煉瓦への悪影響がないこと、耐火材料の選
択、組合わせが自由で特殊なバインダーを必要としない
こと等の効果が得られるという特徴を有する。
しｔごプラズマジェットを用い、該ジェットフレームで
炉壁を加熱しながらセラミックス等の耐火粉末を溶射し
て補修する方法であり、施工（溶射）と同時に煉瓦に匹
敵する強度が得られること、母材煉瓦と溶着し接着力が
大きいこと、施工体は緻密でＣＯガス、水蒸気等の気体
を通さないこと、施工壁面の急冷による温度低下を起こ
さないで母材煉瓦への悪影響がないこと、耐火材料の選
択、組合わせが自由で特殊なバインダーを必要としない
こと等の効果が得られるという特徴を有する。
しかしながら、上記プラズマ溶射法の場合は、溶射ガン
と炉壁面との距離がセラミックス等溶射材の付着効率に
大きく影響する。一方、窯炉の炉壁損傷部はほとんどの
場合平滑面ではなく凹凸が生じており、また亀裂の深さ
も異なる。従って、プラズマ溶射法により炉壁補修を行
なう場合は、溶射ガンの位置を損傷部の形態変化に対応
させる必要がある。その手段として、従来は溶射ガンを
機械的に移動させて溶射距離を確保する方法がとられて
いるが、この機械的手段による方法は、制御機構が複雑
で膨大な付帯設備を必要とし、装置コストが非常に高く
つく欠点を有する。
と炉壁面との距離がセラミックス等溶射材の付着効率に
大きく影響する。一方、窯炉の炉壁損傷部はほとんどの
場合平滑面ではなく凹凸が生じており、また亀裂の深さ
も異なる。従って、プラズマ溶射法により炉壁補修を行
なう場合は、溶射ガンの位置を損傷部の形態変化に対応
させる必要がある。その手段として、従来は溶射ガンを
機械的に移動させて溶射距離を確保する方法がとられて
いるが、この機械的手段による方法は、制御機構が複雑
で膨大な付帯設備を必要とし、装置コストが非常に高く
つく欠点を有する。
そこで、この発明者らは、機械的手段によらずに炉壁損
傷部の凹凸や疵深さの変化に対応して溶射距離を一定に
保持する方法について種々検討した結果、プラズマの作
動条件、特にガス混合比の変化によるフレーム長さの変
化で損傷部の形態変化に対応できることを見い出した。
傷部の凹凸や疵深さの変化に対応して溶射距離を一定に
保持する方法について種々検討した結果、プラズマの作
動条件、特にガス混合比の変化によるフレーム長さの変
化で損傷部の形態変化に対応できることを見い出した。
この発明に係る窯炉の補修方法は、ＡｒにＮ、ガスを添
加して作動ガスとしｔこプラズマジェットを用い、該ジ
ェットフレームで炉壁損傷部を加熱しながら耐火粉末を
溶射し補修する方法において、炉壁損傷部の疵深さに応
じＡｒおよびＮヨガスの混合比Ｎ諺／ＡｒをＯ／１００
〜１０／／１００ノ範囲で調整してフレーム長さを制御
し適正溶射距離を得るとともに、溶射ガンの走行速度を
０．５〜３．０ ｍ／ｍｉｎの範囲で調整することを特
徴とするものである。
加して作動ガスとしｔこプラズマジェットを用い、該ジ
ェットフレームで炉壁損傷部を加熱しながら耐火粉末を
溶射し補修する方法において、炉壁損傷部の疵深さに応
じＡｒおよびＮヨガスの混合比Ｎ諺／ＡｒをＯ／１００
〜１０／／１００ノ範囲で調整してフレーム長さを制御
し適正溶射距離を得るとともに、溶射ガンの走行速度を
０．５〜３．０ ｍ／ｍｉｎの範囲で調整することを特
徴とするものである。
以下、この発明法について詳細に説明する。
まず、プラズマ溶射を成立させる要素について説明する
。理想的な溶射皮膜を得るためには多くの考慮すべき因
子を満足する必要がある（参考文献、例えば岡田著［プ
ラズマ溶射法の研究」（１９６８））。基本的には、施
工目的に応じて材料を選定し、プラズマのガス、アーク
電流、アーク電圧、ガン走行速度、溶射距離、粉末送給
量を設定しなければならない。しかもその変動範囲は理
想的な皮膜を得るためにせまく設定する必要があるもの
の、例えば電極の消耗状態でアーク電圧が変化するなど
、使用過程での変化に対応して許容範囲として設定しな
ければならない。特に、窯炉の損傷部は前記した通り平
滑な面ではなく凹凸が生じているのが普通である。この
ため、溶射ガンが損傷部−ヒのある直線に沿って移動し
た時に、ガン先端と損傷面を最短距離で結んだ垂線の長
さ、すなわち溶射距離は一定しない。
。理想的な溶射皮膜を得るためには多くの考慮すべき因
子を満足する必要がある（参考文献、例えば岡田著［プ
ラズマ溶射法の研究」（１９６８））。基本的には、施
工目的に応じて材料を選定し、プラズマのガス、アーク
電流、アーク電圧、ガン走行速度、溶射距離、粉末送給
量を設定しなければならない。しかもその変動範囲は理
想的な皮膜を得るためにせまく設定する必要があるもの
の、例えば電極の消耗状態でアーク電圧が変化するなど
、使用過程での変化に対応して許容範囲として設定しな
ければならない。特に、窯炉の損傷部は前記した通り平
滑な面ではなく凹凸が生じているのが普通である。この
ため、溶射ガンが損傷部−ヒのある直線に沿って移動し
た時に、ガン先端と損傷面を最短距離で結んだ垂線の長
さ、すなわち溶射距離は一定しない。
このように溶射距離が変動する場合に溶射距離を一定に
する方法として、この発明では作動ガス（Ａｒ 、 Ｎ
２ガス）の混合比を変えて溶射フレームの長さを変化さ
せる方法をとった。これは、プラズマ溶射法の場合、飛
行粒子の加熱状態と基材の加熱状態に最も大きい影響を
与えるのが作動ガスであることによる。つまり、プラズ
マ溶射法では、飛行粒子の加熱溶融状態を変えて、長距
離あるいは短距離位置にある基材に皮膜を形成するには
ガス量の調整が最も効果的である。
する方法として、この発明では作動ガス（Ａｒ 、 Ｎ
２ガス）の混合比を変えて溶射フレームの長さを変化さ
せる方法をとった。これは、プラズマ溶射法の場合、飛
行粒子の加熱状態と基材の加熱状態に最も大きい影響を
与えるのが作動ガスであることによる。つまり、プラズ
マ溶射法では、飛行粒子の加熱溶融状態を変えて、長距
離あるいは短距離位置にある基材に皮膜を形成するには
ガス量の調整が最も効果的である。
ここで、ガス量とフレーム長さの関係について説明する
。
。
第１図はこの発明者らが行なった実験により見い出した
Ｎ３ガス添加量比と溶射距離の関係を示す。すなわち、
フレーム長さは一定社の一次ガス（Ａｒ）ｔＶｏの時、
ａ、とする。この時の適正な溶射距離Ｌ ” ａ ａ＋
△ａに対し、付着性の点で許容し得る溶射距離ｅ。はａ
ｏ≦ｅ。≦ａ。＋２△ａの範囲にある。ここでの△ａは
フレーム先端と基材面間距離でかつ距離調整範囲にほぼ
一致する。さらに、二次ガス（Ｎり量をＶ。で与えた時
のフレーム長さａの場合の許容し得る溶射距離ｌはａ≦
ｌ≦ａ＋２△ａの関係になる。
Ｎ３ガス添加量比と溶射距離の関係を示す。すなわち、
フレーム長さは一定社の一次ガス（Ａｒ）ｔＶｏの時、
ａ、とする。この時の適正な溶射距離Ｌ ” ａ ａ＋
△ａに対し、付着性の点で許容し得る溶射距離ｅ。はａ
ｏ≦ｅ。≦ａ。＋２△ａの範囲にある。ここでの△ａは
フレーム先端と基材面間距離でかつ距離調整範囲にほぼ
一致する。さらに、二次ガス（Ｎり量をＶ。で与えた時
のフレーム長さａの場合の許容し得る溶射距離ｌはａ≦
ｌ≦ａ＋２△ａの関係になる。
これらの関係より、ＡｒとＮ、ガスの混合比は、Ａｒガ
ス流量１００部一定量に対し、添加するＮ２流駄１０部
以下を、すなわちガス混合比Ｎｘ／Ａｒ を０／１００
〜１．０／１００の割合で添加するのが限度である。例
えば、第２図に示すごと＜ Ａｒガス流量５５ １／ｒ
ｎｉｎのときＮｔガス流量は５，５ ｌ／ｍｉｎまで添
加でき、プラズマのフレームは２８絹〜５３酊までの長
さとなる。また、１△ａ１はおよそ５門程度であり、こ
の場合溶射距離は２８ｒｉｍ〜６３ｍｍの範囲で変動し
てもほぼ同等の皮膜が得られる。
ス流量１００部一定量に対し、添加するＮ２流駄１０部
以下を、すなわちガス混合比Ｎｘ／Ａｒ を０／１００
〜１．０／１００の割合で添加するのが限度である。例
えば、第２図に示すごと＜ Ａｒガス流量５５ １／ｒ
ｎｉｎのときＮｔガス流量は５，５ ｌ／ｍｉｎまで添
加でき、プラズマのフレームは２８絹〜５３酊までの長
さとなる。また、１△ａ１はおよそ５門程度であり、こ
の場合溶射距離は２８ｒｉｍ〜６３ｍｍの範囲で変動し
てもほぼ同等の皮膜が得られる。
ま１こ、第２図では、斜線部で示す溶射距離範囲は付着
率に加え、付着した材料の溶融固化状況および基材に対
する影響をも加味した結果である。斜線部の」二部領域
の条件（Ｎ、量、溶射距離）下では付着した材料の溶融
が不良であり、下部領域の条件下では基材が溶損傾向を
示す。溶射材、基材はそれぞれろう石粉と碑石煉瓦であ
る。
率に加え、付着した材料の溶融固化状況および基材に対
する影響をも加味した結果である。斜線部の」二部領域
の条件（Ｎ、量、溶射距離）下では付着した材料の溶融
が不良であり、下部領域の条件下では基材が溶損傾向を
示す。溶射材、基材はそれぞれろう石粉と碑石煉瓦であ
る。
ここで、Ｎ２ガス量を増やしフレーム長さを長くしてフ
レームの先端を近づけ過ぎると、過剰な熱が損傷部に供
給され、熱衝撃を併発するか、あるいは内壁を溶損させ
る場合がある。また、Ｎｚｔを絞り過ぎると、フレーム
の先端が離れ過ぎることとなりフレーム中を通過した飛
行粒子が冷却され損傷部での付着が不完全となる。従っ
て、この発明では１次ガス（Ａｒ ）流Ｍ２Ｏ３部に対
して添加２次ガス（Ｎ２）流量を１０部以下としたので
あり、この混合比の範囲内で、上記現象を呈しないよう
に溶射ガンの位置決めを行なって歯ガス量を調整する。
レームの先端を近づけ過ぎると、過剰な熱が損傷部に供
給され、熱衝撃を併発するか、あるいは内壁を溶損させ
る場合がある。また、Ｎｚｔを絞り過ぎると、フレーム
の先端が離れ過ぎることとなりフレーム中を通過した飛
行粒子が冷却され損傷部での付着が不完全となる。従っ
て、この発明では１次ガス（Ａｒ ）流Ｍ２Ｏ３部に対
して添加２次ガス（Ｎ２）流量を１０部以下としたので
あり、この混合比の範囲内で、上記現象を呈しないよう
に溶射ガンの位置決めを行なって歯ガス量を調整する。
まｔコ、この発明では溶射ガンの走行速度を０．５〜３
ｍ／ｆｎｉｎの範囲で調整することを特徴とする。
ｍ／ｆｎｉｎの範囲で調整することを特徴とする。
これは、溶射ガンの走行速度が０．５ ｖｖｆｎｉｎ未
満の場合、いったん付着した溶射材がスプラッシュとな
って付着効率を下げること、また３ ｍ／ｍｉｎ以上で
はフレームによる基材の予熱が不足し、飛行粒子の付着
が悪くなり能率が低下するからである。
満の場合、いったん付着した溶射材がスプラッシュとな
って付着効率を下げること、また３ ｍ／ｍｉｎ以上で
はフレームによる基材の予熱が不足し、飛行粒子の付着
が悪くなり能率が低下するからである。
次に、この発明法を実施するｔこめの装置の構成例を第
３図および第４図に基づいて説明する。
３図および第４図に基づいて説明する。
第３図において、（１）は水冷構造の冷却容器に収納さ
れｔこ溶射ガン、（２）はテレビカメラと発光装置を備
えｔコ撮像装置、（３）は撮像装置と溶射ガンを固定し
た架台、（Ａ）は制御系（ａ）によって作動ガス（Ａｒ
１Ｎｇガス）、直流電力、電極冷却水および送給粉末
を制御する溶射ガン作動装置、（Ｂ）は制御系（ｂ）に
よって撮像、画像再生および溶射距離検出制御を行なう
壁面観察装＋１． （Ｃ）は制御系（Ｃ）によって溶射
ガンの位置決めおよび駆動制御を行なう溶射ガン駆動装
置、（Ｄ）は溶射ガン、テレビカメラおよび架台を冷却
する冷却装置を示す。
れｔこ溶射ガン、（２）はテレビカメラと発光装置を備
えｔコ撮像装置、（３）は撮像装置と溶射ガンを固定し
た架台、（Ａ）は制御系（ａ）によって作動ガス（Ａｒ
１Ｎｇガス）、直流電力、電極冷却水および送給粉末
を制御する溶射ガン作動装置、（Ｂ）は制御系（ｂ）に
よって撮像、画像再生および溶射距離検出制御を行なう
壁面観察装＋１． （Ｃ）は制御系（Ｃ）によって溶射
ガンの位置決めおよび駆動制御を行なう溶射ガン駆動装
置、（Ｄ）は溶射ガン、テレビカメラおよび架台を冷却
する冷却装置を示す。
（４）は補修壁面を示す。
７−
溶射距離を測定する方法としては、例えば第４図に示す
ごとく、２台のテレビカメラ◇喝を用い、発光装置（１
３）から発するスポット光を補修壁面＋４１１？ｌ。
ごとく、２台のテレビカメラ◇喝を用い、発光装置（１
３）から発するスポット光を補修壁面＋４１１？ｌ。
当てた時の２台のテレビカメラの再生画面内での位置の
違いを検出すれば、各々のテレビカメラ（１２）の角度
（θ１．θ２）および相互距離（′ｌ）を固定している
ので、テレビカメラ＋１２１から壁面上のスポット光の
位置までの距離（Ｌ）が算出できる。従って、発光装置
（１局の位置を損傷部近傍で動かせば損傷部の深さおよ
び幅も検出できる。（１４）は再生装置、（１勺はスポ
ット位置検出回路、（１６）は溶射距離演算回路を示す
。
違いを検出すれば、各々のテレビカメラ（１２）の角度
（θ１．θ２）および相互距離（′ｌ）を固定している
ので、テレビカメラ＋１２１から壁面上のスポット光の
位置までの距離（Ｌ）が算出できる。従って、発光装置
（１局の位置を損傷部近傍で動かせば損傷部の深さおよ
び幅も検出できる。（１４）は再生装置、（１勺はスポ
ット位置検出回路、（１６）は溶射距離演算回路を示す
。
溶射ガン駆動装置（Ｃ）は、溶射ガン（ｔｌをＸ軸方向
（水平方向）、Ｙ軸方向（上下方向）およびＺ軸方向（
照射軸方向）の三軸方向に移動させる機構を備え、補修
壁面の状態（凹凸、亀裂深さ）に応じて溶射ガンを駆動
する仕組みとなっている。
（水平方向）、Ｙ軸方向（上下方向）およびＺ軸方向（
照射軸方向）の三軸方向に移動させる機構を備え、補修
壁面の状態（凹凸、亀裂深さ）に応じて溶射ガンを駆動
する仕組みとなっている。
上記補修装置により、例えばある黒炉の壁面の一部に水
平方向に生じた一本の亀裂を溶射補修する場合は、溶射
ガン駆動装置（Ｃ）にて溶射ガン（１）８− 詐 を所定の 位置せしめるとともに、溶射壁面の状態に応
じて適当な溶射距離を与える。しかる後、炉壁面観察装
置（Ｂ）により亀裂の幅および深さを測定しながら、溶
射ガン駆動装置（Ｃ）により所定の速度で溶射ガン（１
）をＸ軸方向に移動させて溶射ガンより所定量の耐火粉
末を溶射し、かっ溶射ガンの移動に追随して、炉壁面観
察装［（Ｂ）により測定される傷深さに応じてＮ！ガス
の流量を溶射ガン作動装置 （Ａ）により制御して溶射
フレーム長さを調節する。この場合、Ｎｘ ／Ａｒの混
合比がＯ／１００−１０／ｉｏＯの範囲内でＮ、ガス量
を調節する。
平方向に生じた一本の亀裂を溶射補修する場合は、溶射
ガン駆動装置（Ｃ）にて溶射ガン（１）８− 詐 を所定の 位置せしめるとともに、溶射壁面の状態に応
じて適当な溶射距離を与える。しかる後、炉壁面観察装
置（Ｂ）により亀裂の幅および深さを測定しながら、溶
射ガン駆動装置（Ｃ）により所定の速度で溶射ガン（１
）をＸ軸方向に移動させて溶射ガンより所定量の耐火粉
末を溶射し、かっ溶射ガンの移動に追随して、炉壁面観
察装［（Ｂ）により測定される傷深さに応じてＮ！ガス
の流量を溶射ガン作動装置 （Ａ）により制御して溶射
フレーム長さを調節する。この場合、Ｎｘ ／Ａｒの混
合比がＯ／１００−１０／ｉｏＯの範囲内でＮ、ガス量
を調節する。
また、溶射ガン＋１）の移動速度は０．５〜３．Ｏｎｚ
／ｍｉｎの範囲で調整する。
／ｍｉｎの範囲で調整する。
なお、耐火粉末としては、融点を有する酸化物、炭化物
、窒化物およびこれらの複合物が使用できるので、補修
炉の内張材と同系統の化合物を選択スル。具体的ニハ、
Ｓ ｉ０２． Ａｌｌ Ｏｎ 、 ＺｒＯ＊ 、ＭｇＯ
、Ｃｒｚ Ｏｎ、ＣａＯ１′Ｙ２０．、Ｂ！ ０１ 、
Ｔｉ（ｈ、ＴｔＣｌＳｉＣ等がある。また、これらは耐
火性、粘性、強度、鉱物相の安定化等使用目的に応じ、
単独もしくは二種以」二混合して使用することもある。
、窒化物およびこれらの複合物が使用できるので、補修
炉の内張材と同系統の化合物を選択スル。具体的ニハ、
Ｓ ｉ０２． Ａｌｌ Ｏｎ 、 ＺｒＯ＊ 、ＭｇＯ
、Ｃｒｚ Ｏｎ、ＣａＯ１′Ｙ２０．、Ｂ！ ０１ 、
Ｔｉ（ｈ、ＴｔＣｌＳｉＣ等がある。また、これらは耐
火性、粘性、強度、鉱物相の安定化等使用目的に応じ、
単独もしくは二種以」二混合して使用することもある。
第１表は上記の装置を用いて炉壁を補修した結果を示す
もので、対象炉は珪石質を内張しＴこコークス炉とロー
タリーキルンの例である。従来法と本発明法とを比較す
るため、損傷領域と規模は同等のもので実施した。いず
れの炉も亀裂による炉壁の破断と剥離による損傷である
。施工は平均長さ２．５ｍの亀裂（巾１０ｕ）の接合を
中心とした補修内容である。
もので、対象炉は珪石質を内張しＴこコークス炉とロー
タリーキルンの例である。従来法と本発明法とを比較す
るため、損傷領域と規模は同等のもので実施した。いず
れの炉も亀裂による炉壁の破断と剥離による損傷である
。施工は平均長さ２．５ｍの亀裂（巾１０ｕ）の接合を
中心とした補修内容である。
第５図、第６図は本実施例における施エバターンを示す
もので、第５図は従来法、第６図は本発明法を示す。な
お亀裂深さのプロフィルはいずれも実施例１でのケース
である。
もので、第５図は従来法、第６図は本発明法を示す。な
お亀裂深さのプロフィルはいずれも実施例１でのケース
である。
従来法では第５図（イ）のガン駆動方向のプロフィルに
対し、溶射ガン先端部は同図（ロ）の鎖線に従った移動
で操作した。同図（ロ）の斜線域は実施例１で一定に保
持したプラズマ作動条件下の許容範囲を示す。この時出
力電流も１００ＯＡ一定とした。この場合、亀裂の深さ
方向で溶射ガンの位置を６回変えて設定したことがわか
る。
対し、溶射ガン先端部は同図（ロ）の鎖線に従った移動
で操作した。同図（ロ）の斜線域は実施例１で一定に保
持したプラズマ作動条件下の許容範囲を示す。この時出
力電流も１００ＯＡ一定とした。この場合、亀裂の深さ
方向で溶射ガンの位置を６回変えて設定したことがわか
る。
一方、本発明法では、第６図（イ）のプロフィルに対し
、同図（ロ）では溶射ガンの移動は２回にとどまってい
る。この時、Ｎ、ｌは同図（ハ）に示すごとく流量計に
よって適宜変えた。また出力電流は１０００Ａを保持し
た。ここで、第１図〜第６図での縦軸（距離）を、Ａｒ
ｔＶＯで得られるフレーム長さａ・を１００として指数
表示した。
、同図（ロ）では溶射ガンの移動は２回にとどまってい
る。この時、Ｎ、ｌは同図（ハ）に示すごとく流量計に
よって適宜変えた。また出力電流は１０００Ａを保持し
た。ここで、第１図〜第６図での縦軸（距離）を、Ａｒ
ｔＶＯで得られるフレーム長さａ・を１００として指数
表示した。
このように、本発明法によって溶射ガンの機械的駆動回
数が減り、作業能率が向」二していることは明白である
。さらに、個々のＮ１添加条件下での溶射距離許容範囲
はいずれも±５１１１１程度であるが、Ｎ２量の調整に
よって実質±１５ｆｆｌの上記プロフィルの凹凸に対し
溶射ガンの移動は不要である。従って、亀裂深さの方向
に対する溶射ガンの移動は１０〜ｌ ５ ｍＷピッチに
断続的な移動で十分であることが言える。
数が減り、作業能率が向」二していることは明白である
。さらに、個々のＮ１添加条件下での溶射距離許容範囲
はいずれも±５１１１１程度であるが、Ｎ２量の調整に
よって実質±１５ｆｆｌの上記プロフィルの凹凸に対し
溶射ガンの移動は不要である。従って、亀裂深さの方向
に対する溶射ガンの移動は１０〜ｌ ５ ｍＷピッチに
断続的な移動で十分であることが言える。
以上の結果より明らかなごとく、本発明法により作業時
間の削減とともに単位時間当りの施工量の大巾向上がは
かられ、補修効果の高い施工が能率的に達成されたこと
がわかる。
間の削減とともに単位時間当りの施工量の大巾向上がは
かられ、補修効果の高い施工が能率的に達成されたこと
がわかる。
申：補修量と全所要時間は実施例１の従来法（溶射）を
１００として指数表示し１こ。
１００として指数表示し１こ。
以上説明したごとく、この発明法によれば、Ｎ！ガス添
加量の調整によって亀裂の状況に対応した溶射距離を確
保することができるので、溶射ガンと補修壁面間の距離
一定の下で亀裂深部まで溶着でき、はぼ完壁に近い溶射
補修を行なうことができる。また、この発明法の場合は
、亀裂深さの変動に溶射ガンを追随させるための複雑な
機械制御機構を必要としないので、装置が簡易化されコ
スト的にも安価につく利点がある。
加量の調整によって亀裂の状況に対応した溶射距離を確
保することができるので、溶射ガンと補修壁面間の距離
一定の下で亀裂深部まで溶着でき、はぼ完壁に近い溶射
補修を行なうことができる。また、この発明法の場合は
、亀裂深さの変動に溶射ガンを追随させるための複雑な
機械制御機構を必要としないので、装置が簡易化されコ
スト的にも安価につく利点がある。
第１図はＡｒおよびＮ！ガスを作動ガスとしｔこプラズ
マ溶射法におけるＮｌｌガス添加比比溶射距離の関係を
示す図表、第２図は同上における歯ガス添加量、溶射距
離と溶射材の溶融固着状況および基材溶損状況の関係を
示す図表、第３図はこの発明法を実施するための装置構
成例を示すブロック図、第４図は同上装置における溶射
距離測定装置を示すブロック図、第５図はこの発明の実
施例における従来法の施エバターンを示す図表、第６図
は同じく本発明法の施エバターンを示す図表である。 １・・・溶射ガン、２・・・撮像装置、３・・・架台、
４・・・補修壁面、１２・・・テレビカメラ、１３・・
・発光装置、１４・・・再生装置、１５・・・スポット
位置検出回路、１６・・・距離演算回路、Ａ・・・溶射
ガン作動装置、Ｂ・・・壁面観察装置、Ｃ・・・溶射ガ
ン駆動装置、Ｄ・・・冷却装置、ａ、ｌ）、ｃ・・・制
御系。 出願人 住友金属工業株式会社 同 住金化工株式会社 １５− 第１図 がＸ混合比（Ｎ２／Ａｒ ） が゛ス吊合比（Ｎ２／Ａｒ）
マ溶射法におけるＮｌｌガス添加比比溶射距離の関係を
示す図表、第２図は同上における歯ガス添加量、溶射距
離と溶射材の溶融固着状況および基材溶損状況の関係を
示す図表、第３図はこの発明法を実施するための装置構
成例を示すブロック図、第４図は同上装置における溶射
距離測定装置を示すブロック図、第５図はこの発明の実
施例における従来法の施エバターンを示す図表、第６図
は同じく本発明法の施エバターンを示す図表である。 １・・・溶射ガン、２・・・撮像装置、３・・・架台、
４・・・補修壁面、１２・・・テレビカメラ、１３・・
・発光装置、１４・・・再生装置、１５・・・スポット
位置検出回路、１６・・・距離演算回路、Ａ・・・溶射
ガン作動装置、Ｂ・・・壁面観察装置、Ｃ・・・溶射ガ
ン駆動装置、Ｄ・・・冷却装置、ａ、ｌ）、ｃ・・・制
御系。 出願人 住友金属工業株式会社 同 住金化工株式会社 １５− 第１図 がＸ混合比（Ｎ２／Ａｒ ） が゛ス吊合比（Ｎ２／Ａｒ）
Claims (1)
- Ａｒおよび歯ガスを作動ガスとしたプラズマジェットを
用い、該ジェットフレーメ麺壁損傷部を加熱しながら耐
火粉末を溶射し補修する方法において、炉壁損傷部の疵
深さに応じＡｒおよびＮ！ガスの混合比ＮＭ／Ａｒを０
ＡＯＯ〜１０／ｉ ００の範囲で調整してフレーム長さ
を制御し適正溶射距離を得るとともに、溶射ガンの走行
速度を０．５〜３．□ｍ／ｍｉｎの範囲で調整すること
を特徴とする窯炉の補修方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16483383A JPS6057184A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 窯炉の補修方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16483383A JPS6057184A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 窯炉の補修方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057184A true JPS6057184A (ja) | 1985-04-02 |
| JPH0559352B2 JPH0559352B2 (ja) | 1993-08-30 |
Family
ID=15800792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16483383A Granted JPS6057184A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 窯炉の補修方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057184A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120152899A1 (en) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Alignment film repair apparatus and method thereof |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16483383A patent/JPS6057184A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120152899A1 (en) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Alignment film repair apparatus and method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0559352B2 (ja) | 1993-08-30 |
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