JPS6051696A - 分子線エピタキシャル装置のウエハ装着構造 - Google Patents
分子線エピタキシャル装置のウエハ装着構造Info
- Publication number
- JPS6051696A JPS6051696A JP16007183A JP16007183A JPS6051696A JP S6051696 A JPS6051696 A JP S6051696A JP 16007183 A JP16007183 A JP 16007183A JP 16007183 A JP16007183 A JP 16007183A JP S6051696 A JPS6051696 A JP S6051696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- temp
- molybdenum block
- shielding plate
- molecular beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超高真空のチャンバ内にウェハを装填し、この
ウェハには分子線の形でＧａ、ＡＩ！、Ａｓ等の拐料を
入射して膜生長させる分子線エピタキシャル装置におけ
るウェハ装着構造に係り、特にはモリブデンブロックに
ウェハを張り付けてなるウェハ装着構造に関する。
ウェハには分子線の形でＧａ、ＡＩ！、Ａｓ等の拐料を
入射して膜生長させる分子線エピタキシャル装置におけ
るウェハ装着構造に係り、特にはモリブデンブロックに
ウェハを張り付けてなるウェハ装着構造に関する。
分子線エピタキシャル装置は、一般に原理的には第１図
に示すようになっている。
に示すようになっている。
第１図において、１は内部が超高真空のチャンバ、２は
このチャンバ１内に装填されたＧａＡｓのウェハ、３は
ウェハ加熱用のヒータ、４はウニ・・２に分子線の形で
入射されるＧａ、ＡＩ！、Ａｓ等の材料供給源、５はヒ
ータ線、６は／ヤソタ、７は電子銃、８は質量分析器、
９はＲＨＫＥｌｉＤスクリーンである。第２図は上記チ
ャンバ１の一部破断斜視図である。第２図において、９
は／ヤノタ６の操作用ノブ、１０は液体窒素の容器、１
１はチャンバ１のウェハ装填穴１２からチャンバ１内に
装填されたウェハ２を分子線入射側に向けるなどの操作
用ノブである。このような分子線エビタキ／ヤル装置は
、ウェハ２上の膜生長の厚さを精度よく制御できるもの
であるが、従来、このウェハ２は第３図に示すように、
モリブデンブロノり１３の表面１４にインジウム等の張
り付は用部拐１５を介して張り付けられた状態でチャン
・く１内に装填される。一方、チャンバ１内には、前記
装填位置にあるモリブデンブロック１３を支持する部月
１６とヒータ３および感温素子としての熱電対１７とが
設けられる。したがって、モリブデンブロック１３がチ
ャンバ１内の所定の位置に装填されると、モリブデンブ
ロック１３の裏面１８側にはヒータ３七熱電対１７とが
配置されることになる。この熱電対１７はヒータ３によ
り加熱されるウニ・・２の温度を検知し、その検知出力
を図示しない温度制御回路に与えるものである。また、
この温度制御回路はこの検知出力に応答してヒータ３の
加熱動作を制御し、ウニ・・２が常に５５０°Ｃ，、、
’ｌ ＯＯ°Ｃ程度の所定の温度に保たれるようにする
。
このチャンバ１内に装填されたＧａＡｓのウェハ、３は
ウェハ加熱用のヒータ、４はウニ・・２に分子線の形で
入射されるＧａ、ＡＩ！、Ａｓ等の材料供給源、５はヒ
ータ線、６は／ヤソタ、７は電子銃、８は質量分析器、
９はＲＨＫＥｌｉＤスクリーンである。第２図は上記チ
ャンバ１の一部破断斜視図である。第２図において、９
は／ヤノタ６の操作用ノブ、１０は液体窒素の容器、１
１はチャンバ１のウェハ装填穴１２からチャンバ１内に
装填されたウェハ２を分子線入射側に向けるなどの操作
用ノブである。このような分子線エビタキ／ヤル装置は
、ウェハ２上の膜生長の厚さを精度よく制御できるもの
であるが、従来、このウェハ２は第３図に示すように、
モリブデンブロノり１３の表面１４にインジウム等の張
り付は用部拐１５を介して張り付けられた状態でチャン
・く１内に装填される。一方、チャンバ１内には、前記
装填位置にあるモリブデンブロック１３を支持する部月
１６とヒータ３および感温素子としての熱電対１７とが
設けられる。したがって、モリブデンブロック１３がチ
ャンバ１内の所定の位置に装填されると、モリブデンブ
ロック１３の裏面１８側にはヒータ３七熱電対１７とが
配置されることになる。この熱電対１７はヒータ３によ
り加熱されるウニ・・２の温度を検知し、その検知出力
を図示しない温度制御回路に与えるものである。また、
この温度制御回路はこの検知出力に応答してヒータ３の
加熱動作を制御し、ウニ・・２が常に５５０°Ｃ，、、
’ｌ ＯＯ°Ｃ程度の所定の温度に保たれるようにする
。
ところで、モリブデンブロック１３の熱輻射率は０・２
８であるのに対し、ウエノ・２上に生長するＧａＡｓ生
長層のそれは０．７である。また、モリブデンブロック
１３のウエノ・２を除く表面にもＧａＡｓ生長層が生成
されてくる。したがって、生長開始時のウェハ温度は、
モリブデンブロック１３の該表面１４にＧａＡｓ生長層
が生成されてくるにしたがって低下し、生長終了時のそ
れと比較して４００（：〜５０℃あるいはそれ以上に低
下してくる。しかるに、熱電対１７は、モリブデンブロ
ック１３の裏面に位置してモリブデンブロック１３の局
部的な温度をウェハ温度さしている。このため、実際の
ウェハ温度が大きく低下しているのにモリブデンブロッ
ク１３の局部的な温度が一定であることによりウエノ・
温度も一定であるとしてウェハ温度を制御するおそれが
あった。このような不安定な温度制御では、ウエノ・上
に所定の緒特性を満足するＧａＡｓ生長層を得ることが
できないという難点があった。
８であるのに対し、ウエノ・２上に生長するＧａＡｓ生
長層のそれは０．７である。また、モリブデンブロック
１３のウエノ・２を除く表面にもＧａＡｓ生長層が生成
されてくる。したがって、生長開始時のウェハ温度は、
モリブデンブロック１３の該表面１４にＧａＡｓ生長層
が生成されてくるにしたがって低下し、生長終了時のそ
れと比較して４００（：〜５０℃あるいはそれ以上に低
下してくる。しかるに、熱電対１７は、モリブデンブロ
ック１３の裏面に位置してモリブデンブロック１３の局
部的な温度をウェハ温度さしている。このため、実際の
ウェハ温度が大きく低下しているのにモリブデンブロッ
ク１３の局部的な温度が一定であることによりウエノ・
温度も一定であるとしてウェハ温度を制御するおそれが
あった。このような不安定な温度制御では、ウエノ・上
に所定の緒特性を満足するＧａＡｓ生長層を得ることが
できないという難点があった。
本発明は、実際のウェハ温度に正確に感温素子の検知出
力が対応するようにして安定した温度制御を可能にする
ことを主たる目的とする。その他の目的、特徴は後述す
る実施例により明らかとなる。
力が対応するようにして安定した温度制御を可能にする
ことを主たる目的とする。その他の目的、特徴は後述す
る実施例により明らかとなる。
以下、本発明を図面に示す一実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第４図はこの実施例の要部の断面図であり、第３図と対
応する部分には同一の符号が付される。
応する部分には同一の符号が付される。
第４図において、２はＧａＡｓのウエノ・、３はヒータ
、１３はモリブデンブロック、１５は張り付は用部拐、
１６は支持部材、１７は熱電対である。
、１３はモリブデンブロック、１５は張り付は用部拐、
１６は支持部材、１７は熱電対である。
この構成までは第３図と同様である。なお、この実施例
は第１図および第２図に示す分子線エビタキ／ヤル装置
に適用される。
は第１図および第２図に示す分子線エビタキ／ヤル装置
に適用される。
１９は、この実施例の要部に係るものであって、ウェハ
２を除くモリブデンブロック１３の表面１４を覆う遮蔽
板である。この遮蔽板１９は、分子線の形で入射される
膜生長用の材料が前記表面１４に付着することを防止で
きるようになっており、ねじ２０．２０によりモリブデ
ンブロック１３に固定される。したがって、この実施例
によれば、膜生長開始時から膜生長終了時までの間にモ
リブデンブロック１３にＧａＡｓ層が生長することが防
止され、これによりウエノ・温度が生長時間の経過に伴
なって大きく低下してくることなく一定に保たれること
になる。また、この遮蔽板１９がモリブデンブロック１
３からの輻射熱を反射するとともに、モリブデンブロッ
ク１３にＧａＡｓ等が生成されないので、ヒータ３の出
力を上げることなくウェハ温度を高めることができる。
２を除くモリブデンブロック１３の表面１４を覆う遮蔽
板である。この遮蔽板１９は、分子線の形で入射される
膜生長用の材料が前記表面１４に付着することを防止で
きるようになっており、ねじ２０．２０によりモリブデ
ンブロック１３に固定される。したがって、この実施例
によれば、膜生長開始時から膜生長終了時までの間にモ
リブデンブロック１３にＧａＡｓ層が生長することが防
止され、これによりウエノ・温度が生長時間の経過に伴
なって大きく低下してくることなく一定に保たれること
になる。また、この遮蔽板１９がモリブデンブロック１
３からの輻射熱を反射するとともに、モリブデンブロッ
ク１３にＧａＡｓ等が生成されないので、ヒータ３の出
力を上げることなくウェハ温度を高めることができる。
更に、このことがらヒータ３からの不要なガスの発生が
抑制されるので、より良い雰囲気でのエピタキシャル生
長が可能となり、この結果、生長膜の質を向上させるこ
とができる。特に、チャンバ１内の液体窒素の消費量も
、全体の発熱量低下により、少なくすることができる。
抑制されるので、より良い雰囲気でのエピタキシャル生
長が可能となり、この結果、生長膜の質を向上させるこ
とができる。特に、チャンバ１内の液体窒素の消費量も
、全体の発熱量低下により、少なくすることができる。
なお、遮蔽板１９はモリブデン、タングステン、タンタ
ル等の材料で構成するとよい。
ル等の材料で構成するとよい。
付けられたモリブデンブロックには、ウエノ・１を除く
その表面を覆う遮蔽板を設けたので、分子線の形で入射
される膜生長用の拐料がウニ・・を除くその表面に付着
ｊることか防止され、この結果、膜゛生長開始から終了
までの間のウエノ・温度を常に−定の温度に保つように
感温素子によりこの温度の検出をすることができ安定し
た温度制御が可能となる等の優れた効果が奏される。
その表面を覆う遮蔽板を設けたので、分子線の形で入射
される膜生長用の拐料がウニ・・を除くその表面に付着
ｊることか防止され、この結果、膜゛生長開始から終了
までの間のウエノ・温度を常に−定の温度に保つように
感温素子によりこの温度の検出をすることができ安定し
た温度制御が可能となる等の優れた効果が奏される。
第１図は分子線エビタキ／ヤル装置の原理説明に供する
該装置の模式図、第２図はこの装置のチャンバの一部切
欠き斜視図、第３図は従来例の断面図、第４図は本発明
の実施例の断面図である。 １・・チャンバ、２・・ウェハ、３ ・＋４−１’、１
３・・モリブデンブロック、１７・・熱電対、１９・遮
蔽板。 出 願 人 ローム株式会社 代 理 人 弁理士岡田和秀
該装置の模式図、第２図はこの装置のチャンバの一部切
欠き斜視図、第３図は従来例の断面図、第４図は本発明
の実施例の断面図である。 １・・チャンバ、２・・ウェハ、３ ・＋４−１’、１
３・・モリブデンブロック、１７・・熱電対、１９・遮
蔽板。 出 願 人 ローム株式会社 代 理 人 弁理士岡田和秀
Claims (1)
- ｉｌ＋ 超高真空〆のチャンバ内に、モリブデンブロッ
クの表面に張り付けられたウェハが装填される一方、こ
のチャンバ内には該チャンバ内のモリブデンブロックの
裏面側に位置してヒータおよびウェハの加熱温度を検知
する感温素子が設けられる分子線エピタキシャル装置に
適用される該モリブデンブロックには、ウェハ装填部を
除く該モリブデンブロックの表面を覆う遮蔽板を設け、
この遮蔽板は、分子線の形で入射さＩＬる膜生長用の材
料が該表面に付着することを防止する、分子線エピタキ
シャル装置のウニ・・装着構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16007183A JPS6051696A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 分子線エピタキシャル装置のウエハ装着構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16007183A JPS6051696A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 分子線エピタキシャル装置のウエハ装着構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6051696A true JPS6051696A (ja) | 1985-03-23 |
| JPS6337079B2 JPS6337079B2 (ja) | 1988-07-22 |
Family
ID=15707254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16007183A Granted JPS6051696A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 分子線エピタキシャル装置のウエハ装着構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051696A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140771U (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-27 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4930557A (ja) * | 1972-07-14 | 1974-03-19 | ||
| JPS54101779A (en) * | 1978-01-16 | 1979-08-10 | Western Electric Co | Epitaxial thin film growth method |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP16007183A patent/JPS6051696A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4930557A (ja) * | 1972-07-14 | 1974-03-19 | ||
| JPS54101779A (en) * | 1978-01-16 | 1979-08-10 | Western Electric Co | Epitaxial thin film growth method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337079B2 (ja) | 1988-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6786969B2 (en) | Method and apparatus for producing single crystal, substrate for growing single crystal and method for heating single crystal | |
| JP4034344B2 (ja) | ウエハの温度制御方法及び装置 | |
| US4159919A (en) | Molecular beam epitaxy using premixing | |
| JPS6051696A (ja) | 分子線エピタキシャル装置のウエハ装着構造 | |
| JP2688365B2 (ja) | 基板ホルダ | |
| JPS6050917A (ja) | 分子線エピタキシャル装置のウエハ温度制御装置 | |
| JP2003013207A (ja) | 光吸収膜の形成方法および形成装置 | |
| JPH0136979B2 (ja) | ||
| JPH05179436A (ja) | 薄膜堆積装置 | |
| Heyn et al. | Flux control and calibration of an As effusion cell in a molecular beam epitaxy system for GaAs and AlGaAs with a quadrupole mass spectrometer | |
| JPH01275750A (ja) | 金属薄膜の製造装置 | |
| JPH06177038A (ja) | 分子線エピタキシー法による水銀カドミウムテルル薄膜の形成方法およびそれに用いる基板ホルダー | |
| JP3079256B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP3451694B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPS60116767A (ja) | 分子線蒸着装置 | |
| JPS59223293A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH05217930A (ja) | ウエハ加熱装置 | |
| JPS60165713A (ja) | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 | |
| JPS60112690A (ja) | 分子線結晶成長装置用蒸発源セル | |
| JPS6142125A (ja) | Ｍｂｅ用基板およびその温度測定法 | |
| JPH01316940A (ja) | 気相エピタキシャル成長装置 | |
| JPH07201744A (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JPS602667A (ja) | 固体原料の昇華供給装置 | |
| JP2691032B2 (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JPH05117080A (ja) | 分子線結晶成長装置及び該装置を用いた分子線結晶成長方法 |