JPS6051696A - 分子線エピタキシャル装置のウエハ装着構造 - Google Patents

分子線エピタキシャル装置のウエハ装着構造

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JPS6051696A
JPS6051696A JP16007183A JP16007183A JPS6051696A JP S6051696 A JPS6051696 A JP S6051696A JP 16007183 A JP16007183 A JP 16007183A JP 16007183 A JP16007183 A JP 16007183A JP S6051696 A JPS6051696 A JP S6051696A
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JP
Japan
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wafer
temp
molybdenum block
shielding plate
molecular beam
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Application number
JP16007183A
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English (en)
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JPS6337079B2 (ja
Inventor
Haruo Tanaka
田中 治夫
Masahito Mushigami
雅人 虫上
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02Epitaxial-layer growth
    • C30B23/06Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は超高真空のチャンバ内にウェハを装填し、この
ウェハには分子線の形でGa、AI!、As等の拐料を
入射して膜生長させる分子線エピタキシャル装置におけ
るウェハ装着構造に係り、特にはモリブデンブロックに
ウェハを張り付けてなるウェハ装着構造に関する。
分子線エピタキシャル装置は、一般に原理的には第1図
に示すようになっている。
第1図において、1は内部が超高真空のチャンバ、2は
このチャンバ1内に装填されたGaAsのウェハ、3は
ウェハ加熱用のヒータ、4はウニ・・2に分子線の形で
入射されるGa、AI!、As等の材料供給源、5はヒ
ータ線、6は/ヤソタ、7は電子銃、8は質量分析器、
9はRHKEliDスクリーンである。第2図は上記チ
ャンバ1の一部破断斜視図である。第2図において、9
は/ヤノタ6の操作用ノブ、10は液体窒素の容器、1
1はチャンバ1のウェハ装填穴12からチャンバ1内に
装填されたウェハ2を分子線入射側に向けるなどの操作
用ノブである。このような分子線エビタキ/ヤル装置は
、ウェハ2上の膜生長の厚さを精度よく制御できるもの
であるが、従来、このウェハ2は第3図に示すように、
モリブデンブロノり13の表面14にインジウム等の張
り付は用部拐15を介して張り付けられた状態でチャン
・く1内に装填される。一方、チャンバ1内には、前記
装填位置にあるモリブデンブロック13を支持する部月
16とヒータ3および感温素子としての熱電対17とが
設けられる。したがって、モリブデンブロック13がチ
ャンバ1内の所定の位置に装填されると、モリブデンブ
ロック13の裏面18側にはヒータ3七熱電対17とが
配置されることになる。この熱電対17はヒータ3によ
り加熱されるウニ・・2の温度を検知し、その検知出力
を図示しない温度制御回路に与えるものである。また、
この温度制御回路はこの検知出力に応答してヒータ3の
加熱動作を制御し、ウニ・・2が常に550°C,、、
’l OO°C程度の所定の温度に保たれるようにする
ところで、モリブデンブロック13の熱輻射率は0・2
8であるのに対し、ウエノ・2上に生長するGaAs生
長層のそれは0.7である。また、モリブデンブロック
13のウエノ・2を除く表面にもGaAs生長層が生成
されてくる。したがって、生長開始時のウェハ温度は、
モリブデンブロック13の該表面14にGaAs生長層
が生成されてくるにしたがって低下し、生長終了時のそ
れと比較して400(:〜50℃あるいはそれ以上に低
下してくる。しかるに、熱電対17は、モリブデンブロ
ック13の裏面に位置してモリブデンブロック13の局
部的な温度をウェハ温度さしている。このため、実際の
ウェハ温度が大きく低下しているのにモリブデンブロッ
ク13の局部的な温度が一定であることによりウエノ・
温度も一定であるとしてウェハ温度を制御するおそれが
あった。このような不安定な温度制御では、ウエノ・上
に所定の緒特性を満足するGaAs生長層を得ることが
できないという難点があった。
本発明は、実際のウェハ温度に正確に感温素子の検知出
力が対応するようにして安定した温度制御を可能にする
ことを主たる目的とする。その他の目的、特徴は後述す
る実施例により明らかとなる。
以下、本発明を図面に示す一実施例に基づいて詳細に説
明する。
第4図はこの実施例の要部の断面図であり、第3図と対
応する部分には同一の符号が付される。
第4図において、2はGaAsのウエノ・、3はヒータ
、13はモリブデンブロック、15は張り付は用部拐、
16は支持部材、17は熱電対である。
この構成までは第3図と同様である。なお、この実施例
は第1図および第2図に示す分子線エビタキ/ヤル装置
に適用される。
19は、この実施例の要部に係るものであって、ウェハ
2を除くモリブデンブロック13の表面14を覆う遮蔽
板である。この遮蔽板19は、分子線の形で入射される
膜生長用の材料が前記表面14に付着することを防止で
きるようになっており、ねじ20.20によりモリブデ
ンブロック13に固定される。したがって、この実施例
によれば、膜生長開始時から膜生長終了時までの間にモ
リブデンブロック13にGaAs層が生長することが防
止され、これによりウエノ・温度が生長時間の経過に伴
なって大きく低下してくることなく一定に保たれること
になる。また、この遮蔽板19がモリブデンブロック1
3からの輻射熱を反射するとともに、モリブデンブロッ
ク13にGaAs等が生成されないので、ヒータ3の出
力を上げることなくウェハ温度を高めることができる。
更に、このことがらヒータ3からの不要なガスの発生が
抑制されるので、より良い雰囲気でのエピタキシャル生
長が可能となり、この結果、生長膜の質を向上させるこ
とができる。特に、チャンバ1内の液体窒素の消費量も
、全体の発熱量低下により、少なくすることができる。
なお、遮蔽板19はモリブデン、タングステン、タンタ
ル等の材料で構成するとよい。
付けられたモリブデンブロックには、ウエノ・1を除く
その表面を覆う遮蔽板を設けたので、分子線の形で入射
される膜生長用の拐料がウニ・・を除くその表面に付着
jることか防止され、この結果、膜゛生長開始から終了
までの間のウエノ・温度を常に−定の温度に保つように
感温素子によりこの温度の検出をすることができ安定し
た温度制御が可能となる等の優れた効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
第1図は分子線エビタキ/ヤル装置の原理説明に供する
該装置の模式図、第2図はこの装置のチャンバの一部切
欠き斜視図、第3図は従来例の断面図、第4図は本発明
の実施例の断面図である。 1・・チャンバ、2・・ウェハ、3 ・+4−1’、1
3・・モリブデンブロック、17・・熱電対、19・遮
蔽板。 出 願 人 ローム株式会社 代 理 人 弁理士岡田和秀

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. il+ 超高真空〆のチャンバ内に、モリブデンブロッ
    クの表面に張り付けられたウェハが装填される一方、こ
    のチャンバ内には該チャンバ内のモリブデンブロックの
    裏面側に位置してヒータおよびウェハの加熱温度を検知
    する感温素子が設けられる分子線エピタキシャル装置に
    適用される該モリブデンブロックには、ウェハ装填部を
    除く該モリブデンブロックの表面を覆う遮蔽板を設け、
    この遮蔽板は、分子線の形で入射さILる膜生長用の材
    料が該表面に付着することを防止する、分子線エピタキ
    シャル装置のウニ・・装着構造。
JP16007183A 1983-08-30 1983-08-30 分子線エピタキシャル装置のウエハ装着構造 Granted JPS6051696A (ja)

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JPS6051696A true JPS6051696A (ja) 1985-03-23
JPS6337079B2 JPS6337079B2 (ja) 1988-07-22

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH01140771U (ja) * 1988-03-18 1989-09-27

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4930557A (ja) * 1972-07-14 1974-03-19
JPS54101779A (en) * 1978-01-16 1979-08-10 Western Electric Co Epitaxial thin film growth method

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JPS4930557A (ja) * 1972-07-14 1974-03-19
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