JPS6049859A - 半田用フラツクスの這上り防止剤 - Google Patents

半田用フラツクスの這上り防止剤

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JPS6049859A
JPS6049859A JP15708783A JP15708783A JPS6049859A JP S6049859 A JPS6049859 A JP S6049859A JP 15708783 A JP15708783 A JP 15708783A JP 15708783 A JP15708783 A JP 15708783A JP S6049859 A JPS6049859 A JP S6049859A
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JP
Japan
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flux
soldering
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compound
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JP15708783A
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Yukio Otoshi
大歳 幸男
Fumio Hase
文夫 長谷
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Seimi Chemical Co Ltd
AGC Inc
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Asahi Glass Co Ltd
Seimi Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3612Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
    • B23K35/3613Polymers, e.g. resins

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特定のフッ累化合物を含む半田用フラックス
の這上シ防正剤に関する。
プリント基板に各穏部品を半田付けしたり、工Cf工C
ソケットに半田付けする場合等においては、予めフラッ
クス処理をして半田の接着性を向上させることが行なわ
れている。フラックス中には酸性成分が含まれているた
め、フラックスが半田付は部分以外の不必要な部分に接
触すると、腐食の原因となシ好ましくない。このため、
7ラツクス処理は必要とする部分だけに行なわれるよう
に、極めて慎重な配慮が必要であシ、半田処理自動化を
妨げる大きな要因となっている。又、電子部品において
は、スルポール部での半田付けが多いが、フラックスは
このスルホール部から′成子部品内部に浸透しゃすく、
いわゆるフラックスの這上りを防止する方法が必要とさ
れている。
本発明け、このような半田用フラックスの這上シを防止
する目的で見い出されたものであシ、炭素数4〜21個
のポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基
を含有する化合物を含むことを特徴とする半田用フラッ
クスの這上り防止剤に関するものである。
炭素数4〜21個のポリフルオロアルキル基又は、ポリ
フルオロエーテル基(以下、JlにRf 基と略記する
。)を含有する化合物としては、下記一般式(1)で表
わ烙れる化合物(以下化合物Iという)、又はRf?k
を含有する不急オIJエステルの単独重合体あるいは異
なるRf基を含有する不飽和エステル同志の共重合体(
μ下化合物■という)、又はRf 基を含有する不tζ
1す邪エステルと他の共重合I〜得る化合物との共重合
体(以下化合物■という)等が好適である。
CRfA(X)nl、)Z −−−(1)上記、一般式
(1)において、Rf は炭素数4〜21個の直鎖状又
は分岐状のポリフルオロアルキル基、又は炭素数4〜2
1個のポリフルオロエーテル基である。末端部に水素原
子や塩素原子を含んでいてもよいが、Rf として好ま
しいものは、直動状のパーフルオロアルキル基、又はパ
ーフルオロポリエーテル基である。、Aは、co 、S
O2,coo又はpが0〜10の(−OH2〜。
(−CH2祐Oでちる。Xは、NI’tlO2,’H4
0、N(02H40)2゜(−OH2−OH−)−、(
!00 、IIR”(OH2)qllR”02H40。
又はそ03HaO+−でらり qは1〜10、R1、H
2は■、アルキル基、又はアリール基でめる。nけ0又
け1であシ、n=0によシXが存在しなくともよい。m
は1〜4であk)、mVcより2は1−4価の有機基と
なり得る。その2としては、NR’(C!、H4N)q
IN 、1lIRI(G3H6N)qRl 、1(、S
H。
P(0)(01()n、C!0NH(OH2)qNHC
o 。
0011H(]H,)qNe。
0ONH(OH2)qN−C!0NH(OH2)、NC
0C0NE(0H2)qNCO である。ここで、q = 1〜10、n==o又は1、
Ml 、 R2はH,アルキル基又はアリール基である
化合物■又は化合物111を生成する炭素斂4〜21個
のポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエーテル基
を含有する不飽和エステルとしては、特に限定されるも
のではないが、例えば下記のアクリノート又はメタクリ
レートが好ましい。
air3(aF、)4anzoaoa(an3)−al
l。
0F3(OF2)6(OH,)20000(OH3)−
0H2CF3(OF2)600001(−OH,+OF
’3(OF2)、OR,0H20000H璽0H20F
3(OF2)7So、N(03H,)(OR,)、0C
OOH=GH2CFs(OF2)7(c+u2)4oa
oaa−an2C′F3(CF2)78O□N(CH3
)(CH2)20CoC(CH3)−OR2ay3(a
y2)7so2u(c、R5)(an2)、’oaoa
a−an。
0F3(OF、)、OCINH(OH2)20000H
−OR2ay3(ay2)s(CH2)2oaoam璽
0H2C丁!1(OIl′2)8 C0H2)tooo
ocOHs)−0HzCjF3(OF、)sooHH(
OH,)、0000(OH3)−0H2H(OF2)、
OOH,0OOOH−OH2OF、01(OF、)lo
OH2000(!(OHs)−0H。
c3F、 OOF OF2O00a、 H,N B O
OOH璽OH。
03F、0((3sF、0)20FOF300002H
41JI(C!0CR−OH2前記不飽和エステルと共
重合し得る化合物としては、本発明の作用効果を阻害し
ない限シ、広範囲に選択可能である。例えば、エチレン
、酢酸ビニル、塩化ビニル、弗化ビニル、ハロゲン化ビ
ニリデン、スチレン、α−メテルスfVン、P−メチル
スチレン、アクリル酸とそのアルキルエステル、メタク
リル酸とそのアルキルエステル、ポリ(オキ7アルキレ
ン)アクリノート、ポリ(オキシアルキレン)メタクリ
レート、アクリルアミド、メタクリルアミド、ジアセト
ンアクリルアミド、メチロール化ジアセトンアクリルア
ミド、N−メチロールアクリルアミド、ビニルアルキル
エーテル、ハロゲン化アルキルビニルエーテル、ビニル
アルキルケトン、ブタジェン、イソプレン、クロロブノ
ン、グリンジルアクリV−ト、ベンジルメタクリレート
、ペンジルアクリンート、シクロヘキシルアクリレート
、無水マンイン酸、アジリジニルアクリV−)又はメタ
クリV−ト、N−ビニルカルバゾールのごときパーフル
オロアルキル基を含まない重合し得る化合物の一循又は
二種以上を、共重合体の構成単位として共重合させるこ
とが可能である。これらの共重合成分のポリフルオロア
ルキル基又はポリフルオロポリエーテル基を含有する不
飽和エステルに対する共重合割合は、通常1〜70重量
%、特に10〜50重量%が適当である。
又、本発明の化合物■、化合物■を得るためには、原料
の重合し得る化合物を、適当な有機溶媒に溶かし、重合
開始源(使用する有機溶剤に溶ける過酸化物、アゾ化合
物あるいは電離性放射線など)の作用により、溶液重合
させる方法が通常採用される。溶液重合に好適な溶剤は
、) k j−y 、酢酸x−7−ル、イソプロピルア
ルコール、LL2−トリクロロ−1,2,2−トリフル
オロエタン、テトラクロルジフルオロエタン、メチルク
ロロホルム等である。
本発明における、前記化合物1.Il、1IliJ、そ
れぞれ単独で用いても良く、又は二種以上の混合物とし
ても使用し得る。化合物1. n、、III三種の混合
物の場合には、這上り防止性能及び原料の入手容易性等
の理由から化合物■を主体とすることが好ましい。本発
明の半田用フラックスの這上り防市剤におけるフッ素含
有率は、少なくとも20重量係以上、好ましくは50重
号優以上のフッ素を含有していることが適当である。本
発明の這上シ防止剤は、水に分散■せたもの、あるいは
有機溶剤中に分散又は@解させたものを、非半田面特に
、フラックスが知上シやすい部分にスプレーしたフ、刷
毛塗りしたり、かかる分散液や溶液中に非半田面’t&
漬することによシ、処理できる。有機溶剤としてり、ア
セトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸イソアミル等のエステル類、ジエ
チルエーテル、ジオキサン等ノエーテル類、メチルクロ
ロホルム、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン
、テトラクロロジフルオロエタン、1.1,2− ) 
17クロロー1.2.2−)リフルオロエタン、メタキ
シレンヘキサフルオライド等のハロゲン化炭化水素類の
1種又は2 fff1以上の混合物が採用され得る。か
かる溶液中にジクロロジフルオロメタン、モノフルオロ
トリクロロエタン、ジクロロテトラフルオロエタン等の
噴射剤を添加して適当な容器に充填すれば、スプレー処
理ができ、処理後、直ちに乾燥し、這上り防止性を発揮
し得る。溶剤中又は水中の本願遡上り防止剤の配合量は
、通常0.01〜10重量%、好ましくは0.1〜2重
量係である。
以下、本発明の実施例について、嘔らに説明する。
実施例 下記フッ素化合物Mを1.1.2− ト!Jフルオロ−
1,2,2−トリクロロエタンにそれぞれ溶解し、1重
i優溶液?作成した。この溶液をプリント基板の非半田
面に塗布し、常温で乾燥させた。容器に約2mの深さま
でフラックスを入れ、その上にこのプリント基板を乗せ
1分間放置した。1分後にプリント基板のスルポールを
通してフラックスが這上ったがどうかを目視で判定する
。結果を第1表に示す。
第1表 判定基準 特開昭60−49859(4)良 ;全く7
ラツクスが飛上らない 不良;7ラツクスが飛上る。
代理人 内 口1 明 イ宕1゛ξ萩原亮− 310−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 炭素数4〜21個のポリフルオロアルキル基又は
    ポリフルオロエーテル基を含有する化合物を含むことを
    特徴とする半田用フラックスの這上り防止剤。
JP15708783A 1983-08-30 1983-08-30 半田用フラツクスの這上り防止剤 Granted JPS6049859A (ja)

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