JPS6046942A - 光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPS6046942A JPS6046942A JP15476883A JP15476883A JPS6046942A JP S6046942 A JPS6046942 A JP S6046942A JP 15476883 A JP15476883 A JP 15476883A JP 15476883 A JP15476883 A JP 15476883A JP S6046942 A JPS6046942 A JP S6046942A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/06—Concentric circular ports
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/20—Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B2207/36—Fuel or oxidant details, e.g. flow rate, flow rate ratio, fuel additives
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/50—Multiple burner arrangements
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光フアイバー用スート母材の製造方法に関し、
特にＶＡＤ法による単一モード型及びクラッドとコアを
有するマルチモード型光ファイバー用スート母材の製造
方法に関する。
特にＶＡＤ法による単一モード型及びクラッドとコアを
有するマルチモード型光ファイバー用スート母材の製造
方法に関する。
（従来技術）
単一モード光ファイバ母材をＶＡＤ法により製造する際
には、第１図に示すような装置により、以下に示す原料
及びＨ２ガス０２ガス不活性ガスを用いて多孔質ガラス
母材（以下スート母材という）を作製し、しかるのち該
スート母材を透明ガラス化するという方法が公知となっ
ておりすでに一般的に用いられている（特公昭５６−１
０９８５４、特公昭５７−７Ｓ７０３７号公報）。
には、第１図に示すような装置により、以下に示す原料
及びＨ２ガス０２ガス不活性ガスを用いて多孔質ガラス
母材（以下スート母材という）を作製し、しかるのち該
スート母材を透明ガラス化するという方法が公知となっ
ておりすでに一般的に用いられている（特公昭５６−１
０９８５４、特公昭５７−７Ｓ７０３７号公報）。
第１図に於いて１はコア用ガラス微粒子合成トーチ（以
下コア用トーチと呼ぶ）２及び３はクラッド用ガラス微
粒子合成トーチ（以下クラッド用トーチと呼ぶ）である
。ガラス原料としてはコアにＳｉＯ／４ 、 Ｇｅ０１
４を用い、クラッドにはＳｉｔ：ｉ／４を用いる。場合
によってはクラッドＫＳｉ（、ｌ’４とふっ素化合物を
用いたり、或いはコアＫ ５ｉＣ１！４のみを用い、ク
ラッドに８ｉ（ｌ！４とふつ素化合物を用いる場合等が
ある。これらのガラス原料を酸・水素火炎中での火炎加
水分解反応によりガラス微粒子とし、該ガラス微粒子を
出発材５の端部処堆積させ、出発材５を回転させながら
、上方に引き上げていくことにより、スート母材４を軸
方向に成長させる。６は反応容器、７は排気系である。
下コア用トーチと呼ぶ）２及び３はクラッド用ガラス微
粒子合成トーチ（以下クラッド用トーチと呼ぶ）である
。ガラス原料としてはコアにＳｉＯ／４ 、 Ｇｅ０１
４を用い、クラッドにはＳｉｔ：ｉ／４を用いる。場合
によってはクラッドＫＳｉ（、ｌ’４とふっ素化合物を
用いたり、或いはコアＫ ５ｉＣ１！４のみを用い、ク
ラッドに８ｉ（ｌ！４とふつ素化合物を用いる場合等が
ある。これらのガラス原料を酸・水素火炎中での火炎加
水分解反応によりガラス微粒子とし、該ガラス微粒子を
出発材５の端部処堆積させ、出発材５を回転させながら
、上方に引き上げていくことにより、スート母材４を軸
方向に成長させる。６は反応容器、７は排気系である。
以上のようにして作製したスート母材は加熱炉により脱
水及び透明化処理をし、単一モード光ファイバ用透明ガ
ラス母材を作製する。
水及び透明化処理をし、単一モード光ファイバ用透明ガ
ラス母材を作製する。
このようにして得られた母材の屈折率分布の一例を第２
図（ａＪ〜（０）に示す。第２図（ａＪはコア用原料と
して５ｉＣ１！４とＧ ａ Ｃ１４をクラッド用原料と
してＳｉｎ／４を、第２図（ｂＪはコア用原料として５
ｉＣ１！４とＧｅ ｃｌ ４をノラツド用原料として５
ＩＣ１！４とふっ素化合物を、第２図（ｃ）はコア用原
料として５ｉ（３／４を、クラッド用原料としてＳ工Ｃ
Ｉ！４とふっ素化合物を各々用いた場合の屈折率分布を
示したものである。
図（ａＪ〜（０）に示す。第２図（ａＪはコア用原料と
して５ｉＣ１！４とＧ ａ Ｃ１４をクラッド用原料と
してＳｉｎ／４を、第２図（ｂＪはコア用原料として５
ｉＣ１！４とＧｅ ｃｌ ４をノラツド用原料として５
ＩＣ１！４とふっ素化合物を、第２図（ｃ）はコア用原
料として５ｉ（３／４を、クラッド用原料としてＳ工Ｃ
Ｉ！４とふっ素化合物を各々用いた場合の屈折率分布を
示したものである。
ところで単一モード光ファイバにおいて伝搬する光（Ｌ
Ｐｏ、モード〕の電界強度分布はコアを中心としてクラ
ッド層まで広く拡っているため、低損失の単一モード光
ファイバを得るためには、損失要因であるジャケット管
のＯＨ吸収の影響がなくなるようＯＲ含有量の極めて低
いクラッド層を十分に厚く取る必要がある。
Ｐｏ、モード〕の電界強度分布はコアを中心としてクラ
ッド層まで広く拡っているため、低損失の単一モード光
ファイバを得るためには、損失要因であるジャケット管
のＯＨ吸収の影響がなくなるようＯＲ含有量の極めて低
いクラッド層を十分に厚く取る必要がある。
また、第２図（ｂＪ、（ＣＪに示したようなりラッド部
１ｃＦ（ふっ素）を添加し、クラッド層の屈折率をジャ
ケット管の屈折率より下げた形の単一モード光ファイバ
では、ＬＰ１．モードのカットオフ波長よりある程度長
波長領域で急激に損失増加が起こるという現象がある。
１ｃＦ（ふっ素）を添加し、クラッド層の屈折率をジャ
ケット管の屈折率より下げた形の単一モード光ファイバ
では、ＬＰ１．モードのカットオフ波長よりある程度長
波長領域で急激に損失増加が起こるという現象がある。
この急激な損失増加はＬＰｏ、モードの放射損失と呼ば
れ、この放射損失の起きる波長はクラッド／コア径比が
大きい稈長波長帯へ移行する（文献Ｌ 、 Ｇ 、 ０
ｏｈｅｎ他Ｔｈｅ Ｉｎ５ｔｉｔｕｔｅ ｏｆ ｇｌｅ
ｏｔｒｉｃａｌ ａｎｄ ｇｌｓｃｔｒｏｎｉｃｓＥｎ
ｇｉｎｅｅｒｓ、Ｉｎｃ、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑ
ｕａｕｔｕｍｌＣｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｖｏｌ、 ＱＩ
Ｃ−１８、Ａ １０ 、０ｃｔｏｂｅｒ １９８２ ｐ
。
れ、この放射損失の起きる波長はクラッド／コア径比が
大きい稈長波長帯へ移行する（文献Ｌ 、 Ｇ 、 ０
ｏｈｅｎ他Ｔｈｅ Ｉｎ５ｔｉｔｕｔｅ ｏｆ ｇｌｅ
ｏｔｒｉｃａｌ ａｎｄ ｇｌｓｃｔｒｏｎｉｃｓＥｎ
ｇｉｎｅｅｒｓ、Ｉｎｃ、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑ
ｕａｕｔｕｍｌＣｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｖｏｌ、 ＱＩ
Ｃ−１８、Ａ １０ 、０ｃｔｏｂｅｒ １９８２ ｐ
。
１４６７〜１４７２）。したがって第２図（ｂ）。
（ＣＪに示すような単一モード光ファイバでは前述した
ようなジャケット管のＯＨ吸収の影響を低減する目的に
加え、使用波長域での放射損失の影響をできるだけ抑え
るためにもクラッド／コア径比を十分大きくすることが
必要となる。
ようなジャケット管のＯＨ吸収の影響を低減する目的に
加え、使用波長域での放射損失の影響をできるだけ抑え
るためにもクラッド／コア径比を十分大きくすることが
必要となる。
ここで単一モード光ファイバ製造にＶＡＤ法を用いると
、スート母材を脱水処理するのでクラッド層のＯＨ含有
量は十分近くなり有利であるが、さらに゛上記理由によ
りスート母材作製の際り２ツド径／コア径の比率を十分
大きくする必要がある。
、スート母材を脱水処理するのでクラッド層のＯＨ含有
量は十分近くなり有利であるが、さらに゛上記理由によ
りスート母材作製の際り２ツド径／コア径の比率を十分
大きくする必要がある。
しかるにＶＡＤ法ではスート母材のコア径を小さくする
には技術的に限度があること、また母材のコア径を小さ
くすると同一長さの母材から得られるファイバ長が短か
くなり生産性が落ちること等の理由より、あまりスート
母材のコア径を小さくすることはできない。このためス
ート母材を作製する際には十分クラツド径を大きくする
ことが必要となってくる。
には技術的に限度があること、また母材のコア径を小さ
くすると同一長さの母材から得られるファイバ長が短か
くなり生産性が落ちること等の理由より、あまりスート
母材のコア径を小さくすることはできない。このためス
ート母材を作製する際には十分クラツド径を大きくする
ことが必要となってくる。
このため第１図に示したように２本のクラッド用トーチ
を用いてクラッド層の大径化を行つている。以下第１図
に於いて２はコア周囲に第１クラッド層を主に形成する
ための第１クラツドトーチ、３は第１クラッド層の周囲
にさらに第２クラッド層を主に形成する目的で設けられ
た第２クラツドトーチと呼ぶこととする。
を用いてクラッド層の大径化を行つている。以下第１図
に於いて２はコア周囲に第１クラッド層を主に形成する
ための第１クラツドトーチ、３は第１クラッド層の周囲
にさらに第２クラッド層を主に形成する目的で設けられ
た第２クラツドトーチと呼ぶこととする。
クラツド径を大きくすることによって現われる最も大き
な障害はスート母材が割れ易くなるということである。
な障害はスート母材が割れ易くなるということである。
この割れの原因としてはスート母材中の嵩密度分布の不
均一性が挙げられ、特に第２クラッド層の嵩密度が低い
場合が割れが多い。
均一性が挙げられ、特に第２クラッド層の嵩密度が低い
場合が割れが多い。
ここで本発明者らは、スート母材の嵩密度とスート母材
のガラス微粒子堆積表面の温度との関係を調べてみるた
めに、いろいろな条件で作成したスス体の表面温度分布
と嵩密度分布を測定した。この実験の結果スス体の作成
条件に関係なくスス体表面温度と嵩密度忙は第３図に示
すような非常に高い相関関係があることを見出した。
のガラス微粒子堆積表面の温度との関係を調べてみるた
めに、いろいろな条件で作成したスス体の表面温度分布
と嵩密度分布を測定した。この実験の結果スス体の作成
条件に関係なくスス体表面温度と嵩密度忙は第３図に示
すような非常に高い相関関係があることを見出した。
そこでスート母材の外周部にあたる第２クララド層は第
１クラッド層に比して体積が太き（、第２クラッド層表
面は加熱されにくいので第２クラッド層の嵩密度は低く
なり易いと考えられる。
１クラッド層に比して体積が太き（、第２クラッド層表
面は加熱されにくいので第２クラッド層の嵩密度は低く
なり易いと考えられる。
即ち割れ全防止する目的で第２クラッド層スートの嵩密
度を高くするためには第２クラッド層スートの表面温度
を茜くする必要があると考えられる。Ｍ２クラツドノ碕
スートの表面温度を高くするためには、まず第２クラツ
ド用トーチのＨ２流量を増し、第２クラツド用トーチの
火炎を強くし、さらに第２クラツド用トーチと第２クラ
ツドＪ鏝表面との距離を近づけ、第２クラッド層スート
表面がより強く加熱されるような処置が有効であると考
えられる。しかしながらＨ２流量を上げ、第２クラツド
用トーチをスート母材側に近づけても第４図（ａＪに示
すように第２クラッド層のスート付着収率が下るために
、クラッド層を厚くできないということが起こり得る。
度を高くするためには第２クラッド層スートの表面温度
を茜くする必要があると考えられる。Ｍ２クラツドノ碕
スートの表面温度を高くするためには、まず第２クラツ
ド用トーチのＨ２流量を増し、第２クラツド用トーチの
火炎を強くし、さらに第２クラツド用トーチと第２クラ
ツドＪ鏝表面との距離を近づけ、第２クラッド層スート
表面がより強く加熱されるような処置が有効であると考
えられる。しかしながらＨ２流量を上げ、第２クラツド
用トーチをスート母材側に近づけても第４図（ａＪに示
すように第２クラッド層のスート付着収率が下るために
、クラッド層を厚くできないということが起こり得る。
或いは収率が高げれば第４図（ｂ）の点線で示した位置
に第２クラッド層が形成されるところだが、収率が低い
ために実線で示した位置忙第２クラッド層が形成され結
果的に第２クラツド用トーチと第２クラッド層の距離が
離れ、第２クラッド層の表面温度が下りスート母材の安
定形成が不可能となるといった現象も現れてくる。
に第２クラッド層が形成されるところだが、収率が低い
ために実線で示した位置忙第２クラッド層が形成され結
果的に第２クラツド用トーチと第２クラッド層の距離が
離れ、第２クラッド層の表面温度が下りスート母材の安
定形成が不可能となるといった現象も現れてくる。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記のよ５な欠点を克服してコア径に
比してクラツド径の十分大きい単一モード光ファイバ用
スート母材を安定に作製する方法を提供することであり
、さらにマルチモード型光ファイバ用スート母材製造に
も応用できる方法を提供することである。
比してクラツド径の十分大きい単一モード光ファイバ用
スート母材を安定に作製する方法を提供することであり
、さらにマルチモード型光ファイバ用スート母材製造に
も応用できる方法を提供することである。
（発明の構成ン
本発明者らは上記のような欠点を解消する目的で種々検
討の結果第２クラッド層の収率を下げることなく第２ク
ラッド層と第２クラツド用トーチの距離を近づけ、さら
忙第２クラツドノ（−すのＨ２流量を増すことにより第
２クラッド層゛表面を十分に加熱する状態を実現し、コ
ア径に比してクラツド径の十分大きい太径スート母材の
安定合成を可能とする本発明の方法に到達した。
討の結果第２クラッド層の収率を下げることなく第２ク
ラッド層と第２クラツド用トーチの距離を近づけ、さら
忙第２クラツドノ（−すのＨ２流量を増すことにより第
２クラッド層゛表面を十分に加熱する状態を実現し、コ
ア径に比してクラツド径の十分大きい太径スート母材の
安定合成を可能とする本発明の方法に到達した。
すなわち本発明の要旨は、コア用トーチにより出発棒の
一端にコア用スートを堆積させ、とれを軸方向に成長さ
せると同時に第１り２ツド用トーチによりコア用スート
の周囲に第１クラツド用スートを形成しさらに第１クラ
ツド用スートの周辺に第２クラツド用トーチにより第２
クラツド用スートを形成する単一モード光７アイバ用ス
ート母材製造方法において、Ｍ２クラッド用トーチとし
て同心多重管を用いこの第２クラツド用トーチに供給す
る０□ 流量が３．０〜６．０Ｊｌ１分の範囲でかつこ
の第２クラツド用トーチの最外層の内径をｄとし、第２
クラツド用トーチに供給するＨ 流量をｖＨとした時、
ることを特徴とする方法処ある。
一端にコア用スートを堆積させ、とれを軸方向に成長さ
せると同時に第１り２ツド用トーチによりコア用スート
の周囲に第１クラツド用スートを形成しさらに第１クラ
ツド用スートの周辺に第２クラツド用トーチにより第２
クラツド用スートを形成する単一モード光７アイバ用ス
ート母材製造方法において、Ｍ２クラッド用トーチとし
て同心多重管を用いこの第２クラツド用トーチに供給す
る０□ 流量が３．０〜６．０Ｊｌ１分の範囲でかつこ
の第２クラツド用トーチの最外層の内径をｄとし、第２
クラツド用トーチに供給するＨ 流量をｖＨとした時、
ることを特徴とする方法処ある。
以下に本発明を実験結果に基づき具体的に説明を行う。
まず第２クラツドトーチの断面形状について検討を行っ
た。断面形状が非円のものはトーチの加工が困難である
ため寸法精度が悪くなり。
た。断面形状が非円のものはトーチの加工が困難である
ため寸法精度が悪くなり。
トーチを交換した際のスート成長状態の再現性が悪くな
り易いという欠点がある。そこで比較的加工が容易で寸
法精度の良いものが得られる、同心多重管トーチを用い
て以下の実験を行った。
り易いという欠点がある。そこで比較的加工が容易で寸
法精度の良いものが得られる、同心多重管トーチを用い
て以下の実験を行った。
第５図は以下の実験及び実施例で用いた同心４Ｍ管１・
−チの構造を示すもので、いずれの場合も中心層の第１
層には５ＩＣ１４とキャリアガスのＡｒ、第２層にはＨ
２、第３層にはＡｒ、そして第４層には０２ を流した
。
−チの構造を示すもので、いずれの場合も中心層の第１
層には５ＩＣ１４とキャリアガスのＡｒ、第２層にはＨ
２、第３層にはＡｒ、そして第４層には０２ を流した
。
スートの安定合成のためには、第２クラッド層の収率を
上げることが重要であることを前に述べたが、この収率
を上げるためには、トーチのＨ流ｉｔ ＶＨをトーチの
断面積（トーチ最外層の内径をｄとした時πｄ２／４と
表わせる）で割考えられる。この考え方は、ガラス微粒
子堆積機構の１つとして考えられるサーモホリシス効果
に基づくものである。サーモホリシス効果とは高温の微
粒子と低温の堆積面との温度差が大きい程微粒子の堆積
が起り易いというものである。ここでｖＨ／πｄ２／４
という値は、燃焼源であるＨ２ の空間密度を表わす
ものであり、微粒子温度と高い正の相関があるものと考
えられるので、ｖＨ／πｄ２／４ が大きいほどガラス
微粒子温度が高くなりその結果、ガラス微粒子と堆積面
との温度差が大きくなりサーモホリシス効果により収率
が上ると期待される。
上げることが重要であることを前に述べたが、この収率
を上げるためには、トーチのＨ流ｉｔ ＶＨをトーチの
断面積（トーチ最外層の内径をｄとした時πｄ２／４と
表わせる）で割考えられる。この考え方は、ガラス微粒
子堆積機構の１つとして考えられるサーモホリシス効果
に基づくものである。サーモホリシス効果とは高温の微
粒子と低温の堆積面との温度差が大きい程微粒子の堆積
が起り易いというものである。ここでｖＨ／πｄ２／４
という値は、燃焼源であるＨ２ の空間密度を表わす
ものであり、微粒子温度と高い正の相関があるものと考
えられるので、ｖＨ／πｄ２／４ が大きいほどガラス
微粒子温度が高くなりその結果、ガラス微粒子と堆積面
との温度差が大きくなりサーモホリシス効果により収率
が上ると期待される。
そこで第６図に示すような系において実験を行った。８
は第１トーチ、９は第２トーチである０第１トーチ８は
第１トーチ８によって形成された、スート１０の成長速
度が一定となるよう原料流量、Ｈ２流量とも固定し第２
トーチ９の内径ｄ及びＨ２流量ＶＨを変化させて、第２
トーチ９によつ【形成されたスート層１１０重量から第
２トーチの付着収率を測定した。ただし本実験では第２
トーチの０２ 流量社３．０〜６．０ノ／分の範囲で行
った。
は第１トーチ、９は第２トーチである０第１トーチ８は
第１トーチ８によって形成された、スート１０の成長速
度が一定となるよう原料流量、Ｈ２流量とも固定し第２
トーチ９の内径ｄ及びＨ２流量ＶＨを変化させて、第２
トーチ９によつ【形成されたスート層１１０重量から第
２トーチの付着収率を測定した。ただし本実験では第２
トーチの０２ 流量社３．０〜６．０ノ／分の範囲で行
った。
なぜならば０２ 流量を３．ｏ−６１分以下とすると、
火炎の揺ぎが大きくなり、安定なスート母材合成ができ
ず、６．０４３７分以上とすると、バーナーから噴出し
たガス及びガラス微粒子の流速が速くなりすぎ、ガラス
微粒子の収率が極端に落ちたからである。この結果を第
７図に示す。
火炎の揺ぎが大きくなり、安定なスート母材合成ができ
ず、６．０４３７分以上とすると、バーナーから噴出し
たガス及びガラス微粒子の流速が速くなりすぎ、ガラス
微粒子の収率が極端に落ちたからである。この結果を第
７図に示す。
第７図よりｖ ／ａ ’ Ｋ が２．０ノ／分／ｉ以上
でｋｌ ４ ７５％以上の高収率となることが判った。またこの結果
は、第２トーチの０２ 流量が４．０〜６．０−ｅ／分
の範囲では、殆んど０２ 流ｔｈｔ処依存しないもので
あった。即ち本実験により第２トーチと【、て同心多重
管トーチを用いた場合０２流Ｍ７５Ｅ ４．０〜６．０
４３７分の範囲テ、ｖＨ／πｄ２／４） ２−０．８ノ
分／ｍｉｎを満たす条件下では、７５％以上の高収率を
保った状態で（その結果としてトーチとスート表面との
距離が近づいた状態で）Ｈ２流量を増加することができ
、第２トーチにより形成されたスート表面を十分に加熱
する状態を実現しクラッド／コア比の大きい大径スート
母材の安定合成が可能となることが判った。
でｋｌ ４ ７５％以上の高収率となることが判った。またこの結果
は、第２トーチの０２ 流量が４．０〜６．０−ｅ／分
の範囲では、殆んど０２ 流ｔｈｔ処依存しないもので
あった。即ち本実験により第２トーチと【、て同心多重
管トーチを用いた場合０２流Ｍ７５Ｅ ４．０〜６．０
４３７分の範囲テ、ｖＨ／πｄ２／４） ２−０．８ノ
分／ｍｉｎを満たす条件下では、７５％以上の高収率を
保った状態で（その結果としてトーチとスート表面との
距離が近づいた状態で）Ｈ２流量を増加することができ
、第２トーチにより形成されたスート表面を十分に加熱
する状態を実現しクラッド／コア比の大きい大径スート
母材の安定合成が可能となることが判った。
実際のファイバ母材の製造に本実験結果を適用する際に
は、単一モードファイバ用スート母材合成の場合は第６
図第２スート９が第２クラツドトーチに相幽することＫ
なる。またクラッド層を同時忙合成するマルチモード光
ファイバ用スート母材合成の場合は、第６図第２トーチ
９をクラッド用トーチ、第１トーチ８をコア用トーチと
すれば良い。
は、単一モードファイバ用スート母材合成の場合は第６
図第２スート９が第２クラツドトーチに相幽することＫ
なる。またクラッド層を同時忙合成するマルチモード光
ファイバ用スート母材合成の場合は、第６図第２トーチ
９をクラッド用トーチ、第１トーチ８をコア用トーチと
すれば良い。
次に本発明の実施例及び比較例を示す。
実施例
第８図（ａＪは第２クラツドトーチとして最外層の内径
が２２ｖｍの同心多重管トーチを用い第２クラツドトー
チの）１２ 流量を１２ノ／分ｖＨ／πｃ１２／４ ＝
１１６ ｉ ／分／ ｃｙｔｉ’、 ０２ 流量を５
．０１／分として合成した単一モード光ファイバ用スー
ト母材のカサ密度分布を示したものである。
が２２ｖｍの同心多重管トーチを用い第２クラツドトー
チの）１２ 流量を１２ノ／分ｖＨ／πｃ１２／４ ＝
１１６ ｉ ／分／ ｃｙｔｉ’、 ０２ 流量を５
．０１／分として合成した単一モード光ファイバ用スー
ト母材のカサ密度分布を示したものである。
第２クラッド層のカサ密度は高く安定な母材合成ができ
ている。またこの時の第２クラッド層の収率は７８％で
あった。
ている。またこの時の第２クラッド層の収率は７８％で
あった。
比較例
１方第８図（ｂＪは第８図（ａ）と最外層の外径が３０
簡の同心多重管トーチを用い、第２クラツドトーチのＨ
２流量を１１−ｅ／分（ＶＷ／Ｗｅｉ ／４＝＝１．５
６−６／分／ｄ）とし他の条件はすべて第８図（ａ）と
同一条件で合成した単一モード光ファイバスート母材の
カサ密度分布を示したものである。この場合は第２クラ
ッド層のカサ密度は低く非常に割れ易いものであった。
簡の同心多重管トーチを用い、第２クラツドトーチのＨ
２流量を１１−ｅ／分（ＶＷ／Ｗｅｉ ／４＝＝１．５
６−６／分／ｄ）とし他の条件はすべて第８図（ａ）と
同一条件で合成した単一モード光ファイバスート母材の
カサ密度分布を示したものである。この場合は第２クラ
ッド層のカサ密度は低く非常に割れ易いものであった。
またこの時の収率は４６％と低かった。
以上本発明の方法によればクラッド径／コア径此ノ大き
い、％にクラツド径が十分大きくかつクラッド層の嵩密
度が高く割れにくい光フアイバ用スート母材を安定処製
造することができる。
い、％にクラツド径が十分大きくかつクラッド層の嵩密
度が高く割れにくい光フアイバ用スート母材を安定処製
造することができる。
第１図： ＶＡＤ法による単一モード光ファイ／＜スー
ト母材製造の模式図 第２図ｔａ＞、（ｂ）、（０） ： ＷＡＤ法によって
得られる単一モ−ドファイバの屈折車分布の例 を示す図 第３図：スート表面温度と嵩密度の関係を示す図 第４図（ａＬｆｂ） ： Ｈ２流量を上げ、第２クラツ
ドトーチをスートに近づけても第２ク ラッド層の嵩密度が低くなｔ）割を 易くなる例を示す図 ８５図：実験及び実施例で用いた同心多重管トーチの構
造を示す図 第６図：実検配置図 第７図：Ｈ２流ｉ／トーチ断面積と収率の関係を示す図 第８図：実施例及び比較例で得た単一モードファイバス
ート母材の嵩密度分布 第２図 ２５１− 宅３図 屯４図
ト母材製造の模式図 第２図ｔａ＞、（ｂ）、（０） ： ＷＡＤ法によって
得られる単一モ−ドファイバの屈折車分布の例 を示す図 第３図：スート表面温度と嵩密度の関係を示す図 第４図（ａＬｆｂ） ： Ｈ２流量を上げ、第２クラツ
ドトーチをスートに近づけても第２ク ラッド層の嵩密度が低くなｔ）割を 易くなる例を示す図 ８５図：実験及び実施例で用いた同心多重管トーチの構
造を示す図 第６図：実検配置図 第７図：Ｈ２流ｉ／トーチ断面積と収率の関係を示す図 第８図：実施例及び比較例で得た単一モードファイバス
ート母材の嵩密度分布 第２図 ２５１− 宅３図 屯４図
Claims (1)
- コア用トーチにより出発棒の一端にコア用スートを堆積
させ、これを軸方向に成長させると同時に第１クラツド
用トーチによりコア用スートの周囲に第１クラツド用ス
ートを形成しさらに第１クラツド用スートの周辺に第２
クラツド用トーチにより第２り２ツド用スートを形成す
る、単一モード光７アイバ用スート母材友造方法忙おい
て、第２クラツド用トーチとして同心多重管を用いこの
第２クラツド用トーチに供給する０２ 流量が３．０〜
６．０９１分の範囲でかつこの第２クラツド用トーチの
最外層の内径をｄとし、第２クラツド用トーチに供給す
るＨ２ 流を満足する条件であることを特徴とする方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15476883A JPS6046942A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15476883A JPS6046942A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046942A true JPS6046942A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15591466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15476883A Pending JPS6046942A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046942A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216936A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバ用多孔質母材の製造方法 |
| JPH03191749A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 冷菓製造装置 |
| WO2001098219A3 (de) * | 2000-06-19 | 2002-06-20 | Heraeus Tenevo Ag | Verfahren für die herstellung eines sio2-rohlings sowie nach dem verfahren hergestellter rohling |
| EP2789589A1 (en) * | 2013-04-08 | 2014-10-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Glass optical fibre preform and method for its manufacture |
| CN115490418A (zh) * | 2022-09-06 | 2022-12-20 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种熔缩炉气封装置及气封方法 |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP15476883A patent/JPS6046942A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216936A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバ用多孔質母材の製造方法 |
| JPH03191749A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 冷菓製造装置 |
| JP2623015B2 (ja) * | 1989-12-19 | 1997-06-25 | 三洋電機株式会社 | 冷菓製造装置 |
| WO2001098219A3 (de) * | 2000-06-19 | 2002-06-20 | Heraeus Tenevo Ag | Verfahren für die herstellung eines sio2-rohlings sowie nach dem verfahren hergestellter rohling |
| EP2789589A1 (en) * | 2013-04-08 | 2014-10-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Glass optical fibre preform and method for its manufacture |
| CN115490418A (zh) * | 2022-09-06 | 2022-12-20 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种熔缩炉气封装置及气封方法 |
| CN115490418B (zh) * | 2022-09-06 | 2023-11-03 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种熔缩炉气封装置及气封方法 |
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