JPS6045251A - 磁気バブルメモリ素子用フオトマスク - Google Patents
磁気バブルメモリ素子用フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS6045251A JPS6045251A JP58124705A JP12470583A JPS6045251A JP S6045251 A JPS6045251 A JP S6045251A JP 58124705 A JP58124705 A JP 58124705A JP 12470583 A JP12470583 A JP 12470583A JP S6045251 A JPS6045251 A JP S6045251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- pattern
- magnetic bubble
- pellet
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子用フォトマスク特に磁気
バブルメモリ素子各層に形成される各層くターンのレジ
ストレーション＋１１！ｌ定用マークを設けた磁気バブ
ルメモリ素子用フォトマスクに関するものである。
バブルメモリ素子各層に形成される各層くターンのレジ
ストレーション＋１１！ｌ定用マークを設けた磁気バブ
ルメモリ素子用フォトマスクに関するものである。
一般に磁気バブルメモリ素子の各層のノくターン形成は
、次のようにして行なわれる。すなわち、まず最初に表
面にＬＰＥ層を形成したＧ、 ａ、 ｕ基板上に第１の
絶縁層を形成し、次にその表面に被加工層として例えば
Ａｕを蒸着などにより全面に形成した後、その表面全面
に感光剤としてのフォトレジストを塗布する。次に、予
め所望のパターン形状を有するパターンをガラス基板上
に形成したフォトマスクを通して前記フォトレジスト膜
を露光し現像すると、フォトマスクの所望のパターンが
Ａｕ）−上に転写される。そして、このパターンをマス
ク毒としてフォトレジストのない部分のＡ層をエツチン
グして例えばコンダクタパターン層が形成される。次に
このコンダクタパターン層上に第２の絶縁層を形成して
前述と１［」様の方法を繰シ返して被加工層としてパー
マロイを用いることによって磁気バブル転送パターンを
形成する。
、次のようにして行なわれる。すなわち、まず最初に表
面にＬＰＥ層を形成したＧ、 ａ、 ｕ基板上に第１の
絶縁層を形成し、次にその表面に被加工層として例えば
Ａｕを蒸着などにより全面に形成した後、その表面全面
に感光剤としてのフォトレジストを塗布する。次に、予
め所望のパターン形状を有するパターンをガラス基板上
に形成したフォトマスクを通して前記フォトレジスト膜
を露光し現像すると、フォトマスクの所望のパターンが
Ａｕ）−上に転写される。そして、このパターンをマス
ク毒としてフォトレジストのない部分のＡ層をエツチン
グして例えばコンダクタパターン層が形成される。次に
このコンダクタパターン層上に第２の絶縁層を形成して
前述と１［」様の方法を繰シ返して被加工層としてパー
マロイを用いることによって磁気バブル転送パターンを
形成する。
このようなパターン形成方法において、フォトレジスト
膜を露光させるフォトマスクは、そのフォトマスク表面
に形成された素子パターンが可能な限９設計値通シに形
成されている必要がるる。
膜を露光させるフォトマスクは、そのフォトマスク表面
に形成された素子パターンが可能な限９設計値通シに形
成されている必要がるる。
しかしながら、フォトマスクを７オトリングラフイ技術
を用いて製作する過程において、何等かの原因によシフ
オドマスクの表面に形成されたマスクパターンがその幅
が細かったり、太かったｐあるいは歪んで形成される場
合がある。一般にフォトマスク上に形成されたマスクパ
ターンが設計値寸法と異なるずれ（レジストレー７ョン
）を表わす曾の一つにベレツト倒れがある。このペレッ
ト倒れは、第１図に示すようにフォトマスク上に形成さ
れたペレツ）Ｉが本来は矩形状に形成されなければなら
ないのに対して同図に示すようにペレット境界部２が平
行四辺形状に変形する歪みが発生する。この歪みの角度
θが大きくなると、コンダクタパターンＭあるいはパー
マロイパターン層などの他層 ° −−ニー ゛ 。
を用いて製作する過程において、何等かの原因によシフ
オドマスクの表面に形成されたマスクパターンがその幅
が細かったり、太かったｐあるいは歪んで形成される場
合がある。一般にフォトマスク上に形成されたマスクパ
ターンが設計値寸法と異なるずれ（レジストレー７ョン
）を表わす曾の一つにベレツト倒れがある。このペレッ
ト倒れは、第１図に示すようにフォトマスク上に形成さ
れたペレツ）Ｉが本来は矩形状に形成されなければなら
ないのに対して同図に示すようにペレット境界部２が平
行四辺形状に変形する歪みが発生する。この歪みの角度
θが大きくなると、コンダクタパターンＭあるいはパー
マロイパターン層などの他層 ° −−ニー ゛ 。
珍セ傘とのマスク合わせの誤差となり、この誤差が極端
に大きい場合には、例えば、磁気バブルをトランスファ
インあるいはトランスファアウトさせるゲート回路のコ
ンダクタパターンとパーマロイパターンとの位置関係が
設計値から大きくずれてゲート特性を大幅に低下させ、
所望の特性が得られず、不良チップとなってしまうとい
う問題があった。また、ペレット回転あるいはその他の
場合も同様であった。
に大きい場合には、例えば、磁気バブルをトランスファ
インあるいはトランスファアウトさせるゲート回路のコ
ンダクタパターンとパーマロイパターンとの位置関係が
設計値から大きくずれてゲート特性を大幅に低下させ、
所望の特性が得られず、不良チップとなってしまうとい
う問題があった。また、ペレット回転あるいはその他の
場合も同様であった。
また、従来の磁気バブルメモリ素子用フォトマオトマス
クを得ることが極めて困却であった。
クを得ることが極めて困却であった。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであシ、その目的とするところは、レジストレ
ーションを容易に測定可能にした磁気バブルメモリ素子
用フォトマスクを提供することにある。
れたものであシ、その目的とするところは、レジストレ
ーションを容易に測定可能にした磁気バブルメモリ素子
用フォトマスクを提供することにある。
このような目的を達成するために本発明による磁気バブ
ルメモリ素子用フォトマスクは、べ１／ツト内にレジス
トレーション測定用パターンを設けたものである。
ルメモリ素子用フォトマスクは、べ１／ツト内にレジス
トレーション測定用パターンを設けたものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に屁明する。
第２図は本発明による磁気バブルメモリ素子用フォトマ
スクの一例を示す要部平面図である。同図において、ペ
レット１内の少なくとも３個所の角部にレジストレーシ
ョン測定用の角形状のパターン３ａ、３ｂ、３ｃが形成
されている。この場合、これらのパターン３ａｔ ３ｂ
＋ ３Ｃは、各パターン３ａ、３ｂ、３ｃを直線で結ん
だとき、パターン３ｂ部分で形成される角度が９０°（
直角）となるいわゆる直角三角形を形成するように設け
られている。また、これらのパターン３ａ、３ｂ。
スクの一例を示す要部平面図である。同図において、ペ
レット１内の少なくとも３個所の角部にレジストレーシ
ョン測定用の角形状のパターン３ａ、３ｂ、３ｃが形成
されている。この場合、これらのパターン３ａｔ ３ｂ
＋ ３Ｃは、各パターン３ａ、３ｂ、３ｃを直線で結ん
だとき、パターン３ｂ部分で形成される角度が９０°（
直角）となるいわゆる直角三角形を形成するように設け
られている。また、これらのパターン３ａ、３ｂ。
３Ｃは、例えばこのフォトマスクがコンダクタパターン
形成用のフォトマスクの場合にはコンダクタパターン形
成用のマスクと同様に角形状を有するマスクで形成され
、また、パーマロイパターン形成用のフォトマスクの場
合にも同様に角形状を有するマスクで形成され、かつ両
者のマスクともフォトマスクの同一個所に同一寸法で形
成されている。
形成用のフォトマスクの場合にはコンダクタパターン形
成用のマスクと同様に角形状を有するマスクで形成され
、また、パーマロイパターン形成用のフォトマスクの場
合にも同様に角形状を有するマスクで形成され、かつ両
者のマスクともフォトマスクの同一個所に同一寸法で形
成されている。
こりような構成によれば、フォトマスク製作後、同図に
示すようにパターン３ａとパターン３ｂとを直線で結ぶ
一辺と、パターン３ｃとパターン３ｂとを直線で結ぶ一
辺とで形成される角度θ′を測定することによシ、この
ｄｌｌＪ定値と設計値とを比較し、ペレット倒れ盆を容
易に知ることができる。また、ペレット回転、その他の
場合も同様にして容易に測定することができる。
示すようにパターン３ａとパターン３ｂとを直線で結ぶ
一辺と、パターン３ｃとパターン３ｂとを直線で結ぶ一
辺とで形成される角度θ′を測定することによシ、この
ｄｌｌＪ定値と設計値とを比較し、ペレット倒れ盆を容
易に知ることができる。また、ペレット回転、その他の
場合も同様にして容易に測定することができる。
なお、前述した実施例においては、レジストレーション
測定用パターンを第３図（ａ）に示すように角形状のパ
ターン３とした場合について説明したが、同図（ｂ）に
示すように十字形状のパターン今に形成しても同様の効
果が得られることは勿論である。
測定用パターンを第３図（ａ）に示すように角形状のパ
ターン３とした場合について説明したが、同図（ｂ）に
示すように十字形状のパターン今に形成しても同様の効
果が得られることは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、レジストレーショ
ンを容易に測定することができるので、精度の高い磁気
バブルメモリ素子用フォトマスクを得ることができると
いう極めて優れた効果を有する。
ンを容易に測定することができるので、精度の高い磁気
バブルメモリ素子用フォトマスクを得ることができると
いう極めて優れた効果を有する。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子用フォトマスクの
一例を示す要部平面図、第２図は本発明による磁気バブ
ルメモリ素子用フォトマスクの一例を示す要部平面図、
第３図はレジストレーション測定用パターンの一例を示
す拡大平面図である。 ト・・・ペレット、２・・・・ペレット境界部、３１３
ａｔ３ｂ、３ｃ・・・・角形状のレジストレーション測
定用パターン、４・・・・十字形状のレジストレーショ
ン測 一定用パターン。 第１図 第３ （ｃ４−） 第２図 Ｃ 図 （シ）
一例を示す要部平面図、第２図は本発明による磁気バブ
ルメモリ素子用フォトマスクの一例を示す要部平面図、
第３図はレジストレーション測定用パターンの一例を示
す拡大平面図である。 ト・・・ペレット、２・・・・ペレット境界部、３１３
ａｔ３ｂ、３ｃ・・・・角形状のレジストレーション測
定用パターン、４・・・・十字形状のレジストレーショ
ン測 一定用パターン。 第１図 第３ （ｃ４−） 第２図 Ｃ 図 （シ）
Claims (1)
- 磁気バブルメモリ素子内の各１−に所要のノくターンを
形成するフォトマスクにおいて、前記フォトマスクのベ
レット内にレジストレーション測定用パターンを設けた
ことを０徴とする磁気バブルメそり素子用フォトマスク
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124705A JPS6045251A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 磁気バブルメモリ素子用フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124705A JPS6045251A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 磁気バブルメモリ素子用フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045251A true JPS6045251A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=14892055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58124705A Pending JPS6045251A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 磁気バブルメモリ素子用フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045251A (ja) |
-
1983
- 1983-07-11 JP JP58124705A patent/JPS6045251A/ja active Pending
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