JPS6045251A - 磁気バブルメモリ素子用フオトマスク - Google Patents

磁気バブルメモリ素子用フオトマスク

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Publication number
JPS6045251A
JPS6045251A JP58124705A JP12470583A JPS6045251A JP S6045251 A JPS6045251 A JP S6045251A JP 58124705 A JP58124705 A JP 58124705A JP 12470583 A JP12470583 A JP 12470583A JP S6045251 A JPS6045251 A JP S6045251A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
pattern
magnetic bubble
pellet
memory element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58124705A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Yanai
雅弘 箭内
Minoru Hiroshima
実 広島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58124705A priority Critical patent/JPS6045251A/ja
Publication of JPS6045251A publication Critical patent/JPS6045251A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ素子用フォトマスク特に磁気
バブルメモリ素子各層に形成される各層くターンのレジ
ストレーション+11!l定用マークを設けた磁気バブ
ルメモリ素子用フォトマスクに関するものである。
〔発明の背景〕
一般に磁気バブルメモリ素子の各層のノくターン形成は
、次のようにして行なわれる。すなわち、まず最初に表
面にLPE層を形成したG、 a、 u基板上に第1の
絶縁層を形成し、次にその表面に被加工層として例えば
Auを蒸着などにより全面に形成した後、その表面全面
に感光剤としてのフォトレジストを塗布する。次に、予
め所望のパターン形状を有するパターンをガラス基板上
に形成したフォトマスクを通して前記フォトレジスト膜
を露光し現像すると、フォトマスクの所望のパターンが
Au)−上に転写される。そして、このパターンをマス
ク毒としてフォトレジストのない部分のA層をエツチン
グして例えばコンダクタパターン層が形成される。次に
このコンダクタパターン層上に第2の絶縁層を形成して
前述と1[」様の方法を繰シ返して被加工層としてパー
マロイを用いることによって磁気バブル転送パターンを
形成する。
このようなパターン形成方法において、フォトレジスト
膜を露光させるフォトマスクは、そのフォトマスク表面
に形成された素子パターンが可能な限9設計値通シに形
成されている必要がるる。
しかしながら、フォトマスクを7オトリングラフイ技術
を用いて製作する過程において、何等かの原因によシフ
オドマスクの表面に形成されたマスクパターンがその幅
が細かったり、太かったpあるいは歪んで形成される場
合がある。一般にフォトマスク上に形成されたマスクパ
ターンが設計値寸法と異なるずれ(レジストレー7ョン
)を表わす曾の一つにベレツト倒れがある。このペレッ
ト倒れは、第1図に示すようにフォトマスク上に形成さ
れたペレツ)Iが本来は矩形状に形成されなければなら
ないのに対して同図に示すようにペレット境界部2が平
行四辺形状に変形する歪みが発生する。この歪みの角度
θが大きくなると、コンダクタパターンMあるいはパー
マロイパターン層などの他層 ° −−ニー ゛ 。
珍セ傘とのマスク合わせの誤差となり、この誤差が極端
に大きい場合には、例えば、磁気バブルをトランスファ
インあるいはトランスファアウトさせるゲート回路のコ
ンダクタパターンとパーマロイパターンとの位置関係が
設計値から大きくずれてゲート特性を大幅に低下させ、
所望の特性が得られず、不良チップとなってしまうとい
う問題があった。また、ペレット回転あるいはその他の
場合も同様であった。
また、従来の磁気バブルメモリ素子用フォトマオトマス
クを得ることが極めて困却であった。
〔発明の目的〕
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであシ、その目的とするところは、レジストレ
ーションを容易に測定可能にした磁気バブルメモリ素子
用フォトマスクを提供することにある。
〔発明の概要〕
このような目的を達成するために本発明による磁気バブ
ルメモリ素子用フォトマスクは、べ1/ツト内にレジス
トレーション測定用パターンを設けたものである。
〔発明の実施例〕
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に屁明する。
第2図は本発明による磁気バブルメモリ素子用フォトマ
スクの一例を示す要部平面図である。同図において、ペ
レット1内の少なくとも3個所の角部にレジストレーシ
ョン測定用の角形状のパターン3a、3b、3cが形成
されている。この場合、これらのパターン3at 3b
+ 3Cは、各パターン3a、3b、3cを直線で結ん
だとき、パターン3b部分で形成される角度が90°(
直角)となるいわゆる直角三角形を形成するように設け
られている。また、これらのパターン3a、3b。
3Cは、例えばこのフォトマスクがコンダクタパターン
形成用のフォトマスクの場合にはコンダクタパターン形
成用のマスクと同様に角形状を有するマスクで形成され
、また、パーマロイパターン形成用のフォトマスクの場
合にも同様に角形状を有するマスクで形成され、かつ両
者のマスクともフォトマスクの同一個所に同一寸法で形
成されている。
こりような構成によれば、フォトマスク製作後、同図に
示すようにパターン3aとパターン3bとを直線で結ぶ
一辺と、パターン3cとパターン3bとを直線で結ぶ一
辺とで形成される角度θ′を測定することによシ、この
dllJ定値と設計値とを比較し、ペレット倒れ盆を容
易に知ることができる。また、ペレット回転、その他の
場合も同様にして容易に測定することができる。
なお、前述した実施例においては、レジストレーション
測定用パターンを第3図(a)に示すように角形状のパ
ターン3とした場合について説明したが、同図(b)に
示すように十字形状のパターン今に形成しても同様の効
果が得られることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、レジストレーショ
ンを容易に測定することができるので、精度の高い磁気
バブルメモリ素子用フォトマスクを得ることができると
いう極めて優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の磁気バブルメモリ素子用フォトマスクの
一例を示す要部平面図、第2図は本発明による磁気バブ
ルメモリ素子用フォトマスクの一例を示す要部平面図、
第3図はレジストレーション測定用パターンの一例を示
す拡大平面図である。 ト・・・ペレット、2・・・・ペレット境界部、313
at3b、3c・・・・角形状のレジストレーション測
定用パターン、4・・・・十字形状のレジストレーショ
ン測 一定用パターン。 第1図 第3 (c4−) 第2図 C 図 (シ)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 磁気バブルメモリ素子内の各1−に所要のノくターンを
    形成するフォトマスクにおいて、前記フォトマスクのベ
    レット内にレジストレーション測定用パターンを設けた
    ことを0徴とする磁気バブルメそり素子用フォトマスク
JP58124705A 1983-07-11 1983-07-11 磁気バブルメモリ素子用フオトマスク Pending JPS6045251A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58124705A JPS6045251A (ja) 1983-07-11 1983-07-11 磁気バブルメモリ素子用フオトマスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58124705A JPS6045251A (ja) 1983-07-11 1983-07-11 磁気バブルメモリ素子用フオトマスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6045251A true JPS6045251A (ja) 1985-03-11

Family

ID=14892055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58124705A Pending JPS6045251A (ja) 1983-07-11 1983-07-11 磁気バブルメモリ素子用フオトマスク

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