JPS6043894B2 - タングステン、銀および銅より成る複合金属の製法 - Google Patents
タングステン、銀および銅より成る複合金属の製法Info
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- JPS6043894B2 JPS6043894B2 JP2918878A JP2918878A JPS6043894B2 JP S6043894 B2 JPS6043894 B2 JP S6043894B2 JP 2918878 A JP2918878 A JP 2918878A JP 2918878 A JP2918878 A JP 2918878A JP S6043894 B2 JPS6043894 B2 JP S6043894B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/021—Composite material
- H01H1/023—Composite material having a noble metal as the basic material
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に電力用接触子として使用されるタングス
テン、銀および銅より成る滲透形複合金属の製法に関す
る。
テン、銀および銅より成る滲透形複合金属の製法に関す
る。
公知の不均質金属焼結材料は二つの異なる金属例えば
タングステン／銅又はタングステン／銀より成り、種々
の方法で成分の比較的一様な濃度分布、すなわち比較的
一様な組織をもつて製造される。
タングステン／銅又はタングステン／銀より成り、種々
の方法で成分の比較的一様な濃度分布、すなわち比較的
一様な組織をもつて製造される。
しカル３成分系の不均質金属焼結材料においては、例え
ば溶解現象、析出および偏析が原因でしばしば不均一な
濃度分布に至る。これは特にΞつの異なる組織の金属相
を有する接触材料に対して当てはまる。 本発明は部材
全体が一様な組成を有する三つの異なる組成の金属相よ
り成る不均質接触材料を造ることを目的とする。
ば溶解現象、析出および偏析が原因でしばしば不均一な
濃度分布に至る。これは特にΞつの異なる組織の金属相
を有する接触材料に対して当てはまる。 本発明は部材
全体が一様な組成を有する三つの異なる組成の金属相よ
り成る不均質接触材料を造ることを目的とする。
不均質焼結材料では組織の不均一性が接点性能を著しく
ばらつかせるに至る。そこて表面にある金属相が著しく
純度が上り一方例えば最初の接点表面に出る深い箇所に
あつた層は別の組織とそれと共に別の接点接能を示す場
合が例えばあられれる。本発明により特に接触子用材料
は容積全体にわたつて一様な接点性能をもつて造られな
ければならぬ。 本発明に基づきこれはタングステン、
銀および銅より成る混合粉末をスケルトンに焼結してこ
のスケルトンに銀−銅合金を落慶し、その際落浸合金中
の銀と銅の割合をスケルトン中の割合と同一であるよう
にすることによつて達成される。
ばらつかせるに至る。そこて表面にある金属相が著しく
純度が上り一方例えば最初の接点表面に出る深い箇所に
あつた層は別の組織とそれと共に別の接点接能を示す場
合が例えばあられれる。本発明により特に接触子用材料
は容積全体にわたつて一様な接点性能をもつて造られな
ければならぬ。 本発明に基づきこれはタングステン、
銀および銅より成る混合粉末をスケルトンに焼結してこ
のスケルトンに銀−銅合金を落慶し、その際落浸合金中
の銀と銅の割合をスケルトン中の割合と同一であるよう
にすることによつて達成される。
この方法で得られた材料は相互に接触するタングステ
ン粒子のスケルトン、銅に富む相より成り、その場合後
者の両相の容積比はどこでもほぼ同じである。この両相
はほぼ平均の孔の大きさを有するすべての領域において
実際にほぼ同じ容積比で分けられる。それによつて材料
全体にわたつて変らない特性を得る。本発明に基づき先
ずタングステン、銀および銅の混合粉末が圧縮と焼結に
より多孔質のスケルトンに緻密化され強化されるように
進めるのが有効である。用いられるタングステンの量は
この場合タングステンの容積占有率が０．４と０．７の
間にあるように決める。スケルトン中の穴の直径は１０
μと５０μの間にあるのがよい。これは例えば５μと１
００μの間の平均粒径を持つタングステン粒子を用いる
とにより達成される。混合原料中の銀一銅分量は仕上り
複合金属中の分量の５０％以下であり、少くとも５％以
上になるようにめるのがよい。混合粉末の緻密化のため
の加圧力は１００ｒ１Ｖ４Ｎ／Ｗｌの間である。
ン粒子のスケルトン、銅に富む相より成り、その場合後
者の両相の容積比はどこでもほぼ同じである。この両相
はほぼ平均の孔の大きさを有するすべての領域において
実際にほぼ同じ容積比で分けられる。それによつて材料
全体にわたつて変らない特性を得る。本発明に基づき先
ずタングステン、銀および銅の混合粉末が圧縮と焼結に
より多孔質のスケルトンに緻密化され強化されるように
進めるのが有効である。用いられるタングステンの量は
この場合タングステンの容積占有率が０．４と０．７の
間にあるように決める。スケルトン中の穴の直径は１０
μと５０μの間にあるのがよい。これは例えば５μと１
００μの間の平均粒径を持つタングステン粒子を用いる
とにより達成される。混合原料中の銀一銅分量は仕上り
複合金属中の分量の５０％以下であり、少くとも５％以
上になるようにめるのがよい。混合粉末の緻密化のため
の加圧力は１００ｒ１Ｖ４Ｎ／Ｗｌの間である。
焼結は６００℃と１２００℃との間の温度で１５〜２吟
間行う。中でも約１１００℃Ｃで約４紛間焼結するのが
よい。つＳ゛いてスケルトンの調整の為の混合粉末にお
いても銀と銅に適用される量の割合と銀と銅から成る合
金（融解）によつて溶浸する。この割合は１：１０と１
０：１との間にあるのが有効である。溶浸は保護ふん囲
気、例えば水素、フォーミングガス又はアンモニア分解
ガス中で行う。さらに混合粉末および（あるいは）溶浸
融体にニッケル、コバルトおよび（あるいは）鉄のよう
な濡れを促進する成分を添加するのが有効である。
間行う。中でも約１１００℃Ｃで約４紛間焼結するのが
よい。つＳ゛いてスケルトンの調整の為の混合粉末にお
いても銀と銅に適用される量の割合と銀と銅から成る合
金（融解）によつて溶浸する。この割合は１：１０と１
０：１との間にあるのが有効である。溶浸は保護ふん囲
気、例えば水素、フォーミングガス又はアンモニア分解
ガス中で行う。さらに混合粉末および（あるいは）溶浸
融体にニッケル、コバルトおよび（あるいは）鉄のよう
な濡れを促進する成分を添加するのが有効である。
これらの分は仕上り複合金属においては銅に富む相に出
てくる。複合金属のこの濡れ促進成分の含有量は１重量
％以下であるのが有効である。すでにスケルトンの調製
の際に混合粉末はブレス型の中で接触子の所期の形状に
される。溶浸は焼結スケルトンの空孔を満すのに十分な
Ａｇ−Ｃｕ盤状体の上にスケルトンを置くことによつて
行う。本発明を実施例を引用してなお詳細に説明する。
てくる。複合金属のこの濡れ促進成分の含有量は１重量
％以下であるのが有効である。すでにスケルトンの調製
の際に混合粉末はブレス型の中で接触子の所期の形状に
される。溶浸は焼結スケルトンの空孔を満すのに十分な
Ａｇ−Ｃｕ盤状体の上にスケルトンを置くことによつて
行う。本発明を実施例を引用してなお詳細に説明する。
それぞれ０．０６３Ｔｎｍ以下の粒径を持つ還元タング
ステン粉末、電解銀粉末および電解銅粉末を８０：９．
８：１０．２の重量比で互に混合する。
ステン粉末、電解銀粉末および電解銅粉末を８０：９．
８：１０．２の重量比で互に混合する。
この混合粉末になお約０．５重量％のカーボニルニツケ
ル粉末（粒径０．０１ｗｎ以下）を混ぜる。銅製金型（
量産の為には硬質金属型に代られるが）の中で５００Ｍ
Ｎ／ｄの加圧力て緻密化して所期の接触子の形状の角の
固い圧縮体にする。
ル粉末（粒径０．０１ｗｎ以下）を混ぜる。銅製金型（
量産の為には硬質金属型に代られるが）の中で５００Ｍ
Ｎ／ｄの加圧力て緻密化して所期の接触子の形状の角の
固い圧縮体にする。
引つＳ゛いてこの圧縮体を１１００℃においてアンモニ
ア分解ガス中で焼結する。９．８：１０．２（すなわち
４９％：５１％）の重量比の銀と銅の粉末を圧縮して前
記の圧縮体とほぼ同じ圧縮面積を持つ盤状体をつくる。
この盤状体を圧縮体の下か又はその上に置く。盤状体の
量はその際焼結スケルトンの空孔を溶浸の際に満すのに
十分である。溶浸は１１００′Ｃで２吟間行う。つＳ゛
いて溶浸された接触子を室温まで冷却する。得られた滲
透形複合金属は６５重量％（約４熔量％）のタングステ
ン含有量を有し実質的にもはや空孔を示さない。実施例
による接触子の特性が概略の組成が１７％Ａｇｌｌ８％
ＣＵｌＯ．２％Ｎｉならびに残部Ｗの接触子と比較され
た。
ア分解ガス中で焼結する。９．８：１０．２（すなわち
４９％：５１％）の重量比の銀と銅の粉末を圧縮して前
記の圧縮体とほぼ同じ圧縮面積を持つ盤状体をつくる。
この盤状体を圧縮体の下か又はその上に置く。盤状体の
量はその際焼結スケルトンの空孔を溶浸の際に満すのに
十分である。溶浸は１１００′Ｃで２吟間行う。つＳ゛
いて溶浸された接触子を室温まで冷却する。得られた滲
透形複合金属は６５重量％（約４熔量％）のタングステ
ン含有量を有し実質的にもはや空孔を示さない。実施例
による接触子の特性が概略の組成が１７％Ａｇｌｌ８％
ＣＵｌＯ．２％Ｎｉならびに残部Ｗの接触子と比較され
た。
比較試料は圧縮焼結により得られたタングステンスケル
トンを用いられる銀および銅全体を含むＡｇ−Ｃｕ合金
で溶浸して造られた。
トンを用いられる銀および銅全体を含むＡｇ−Ｃｕ合金
で溶浸して造られた。
試験用開閉器において投入電流１ｍ＝１０００Ａおよび
しや断電流Ｉｍ＝１５００Ａで両材料を試験した。その
場合比較試料においては、新しい試料でも接触子高さの
１１３もしくは２１３除去の後でも実施例による接触子
の消耗値よりも約３０％以上であり著しい変動を示す・
アーク消耗値を示した。最終組成の混合粉末から焼結に
よりつくつた比較試料における結果も同様であつた。
しや断電流Ｉｍ＝１５００Ａで両材料を試験した。その
場合比較試料においては、新しい試料でも接触子高さの
１１３もしくは２１３除去の後でも実施例による接触子
の消耗値よりも約３０％以上であり著しい変動を示す・
アーク消耗値を示した。最終組成の混合粉末から焼結に
よりつくつた比較試料における結果も同様であつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ タングステン、銀および銅より成る混合粉末をスケ
ルトンに焼結し、該スケルトンに銀−銅合金を溶浸し、
その際前記溶浸合金中の銀と銅の割合を前記スケルトン
中の割合と同一であるように成されることを特徴とする
タングステン、銀および銅より成る複合金属の製法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の製法において、混合粉
末中の銀−銅分量が仕上り複合金属の中の分量の５０％
以下であることを特徴とするタングステン、銀および銅
より成る複合金属の製法。 ３ 特許請求の範囲第１項又は第２項記載の製法におい
て、スケルトンおよび（あるいは）溶浸材料に鉄、ニッ
ケル又はコバルトのような濡れ性改善成分を添加すると
を特徴とするタングステン、銀および銅より成る複合金
属の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2712555.9 | 1977-03-22 | ||
| DE19772712555 DE2712555C3 (de) | 1977-03-22 | 1977-03-22 | Verfahren zum Herstellen eines Durchdringungsverbundmetalles aus Wolfram, Silber und Kupfer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53117606A JPS53117606A (en) | 1978-10-14 |
| JPS6043894B2 true JPS6043894B2 (ja) | 1985-10-01 |
Family
ID=6004334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2918878A Expired JPS6043894B2 (ja) | 1977-03-22 | 1978-03-14 | タングステン、銀および銅より成る複合金属の製法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043894B2 (ja) |
| DE (1) | DE2712555C3 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111961911A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-11-20 | 浙江耐迩合金科技有限公司 | 高抗熔焊性能银基电接触材料的制备方法 |
| CN114318100A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-04-12 | 合肥工业大学 | 一种银掺杂钨铜复合材料及其制备方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2746279B2 (ja) * | 1990-06-18 | 1998-05-06 | 日本タングステン 株式会社 | 半導体装置用基板材料及びその製造方法 |
| JPH05293326A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-11-09 | Iwatani Internatl Corp | 酸化エチレン系滅菌ガスの廃棄処理方法及びその装置 |
| CN114932222B (zh) * | 2022-06-17 | 2023-11-07 | 合肥工业大学智能制造技术研究院 | 一种提高钨铜合金致密度的方法 |
-
1977
- 1977-03-22 DE DE19772712555 patent/DE2712555C3/de not_active Expired
-
1978
- 1978-03-14 JP JP2918878A patent/JPS6043894B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111961911A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-11-20 | 浙江耐迩合金科技有限公司 | 高抗熔焊性能银基电接触材料的制备方法 |
| CN111961911B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-04-26 | 浙江耐迩合金科技有限公司 | 高抗熔焊性能银基电接触材料的制备方法 |
| CN114318100A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-04-12 | 合肥工业大学 | 一种银掺杂钨铜复合材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53117606A (en) | 1978-10-14 |
| DE2712555C3 (de) | 1980-03-13 |
| DE2712555A1 (de) | 1978-09-28 |
| DE2712555B2 (de) | 1979-07-05 |
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