JP2559085B2 - 複合焼結材及びその製造方法 - Google Patents
複合焼結材及びその製造方法Info
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- Powder Metallurgy (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，複合焼結材とその製造
方法に関し，詳しくは，半導体支持用の電極材料または
半導体素子搭載用基板に用いられる複合焼結材とその製
造方法に関する。
方法に関し，詳しくは，半導体支持用の電極材料または
半導体素子搭載用基板に用いられる複合焼結材とその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体支持用の電極材料あるいは半導体
素子搭載用基板は放熱効果とともに，半導体素子や他の
外囲器材料と熱膨張係数が近似していることが必要とさ
れている。このための材料として，Ｃｕ−Ｗ系複合材或
いはＣｕ−Ｍｏ系複合材料が提案されている。しかし，
最近ＣｕやＡｌと，ＳｉやＷ，Ｍｏの中間レベルの熱膨
張係数を有する材料に対する要望も多くなってきてお
り，しかも段付き等の加工を施すことが要求される傾向
にある。
素子搭載用基板は放熱効果とともに，半導体素子や他の
外囲器材料と熱膨張係数が近似していることが必要とさ
れている。このための材料として，Ｃｕ−Ｗ系複合材或
いはＣｕ−Ｍｏ系複合材料が提案されている。しかし，
最近ＣｕやＡｌと，ＳｉやＷ，Ｍｏの中間レベルの熱膨
張係数を有する材料に対する要望も多くなってきてお
り，しかも段付き等の加工を施すことが要求される傾向
にある。
【０００３】従来は，熱膨張係数が近似した段付加工品
を製造する際，まずＷ又はＭｏの多孔質焼結体を作り，
この焼結体にＣｕを溶融含浸させて所定形状のブロック
を作り（以下，スケルトン法と呼ぶ）そのブロックを研
削加工，切削加工等によって，所定形状に削り出してい
る。
を製造する際，まずＷ又はＭｏの多孔質焼結体を作り，
この焼結体にＣｕを溶融含浸させて所定形状のブロック
を作り（以下，スケルトン法と呼ぶ）そのブロックを研
削加工，切削加工等によって，所定形状に削り出してい
る。
【０００４】もう一つの方法として，ＷやＭｏ粉とＣｕ
粉とを混合して混合粉を作り（以下，粉末混合法と呼
ぶ），それをプレス焼結後，圧延加工を行い，所定の厚
みの板を作り，それより加工を行い，所定の形状を得る
か又は最初から製品形状を考え，混合粉を所定形状でプ
レスし，焼結を行い，焼結品として所定の形状のものを
得る方法も提案されている。
粉とを混合して混合粉を作り（以下，粉末混合法と呼
ぶ），それをプレス焼結後，圧延加工を行い，所定の厚
みの板を作り，それより加工を行い，所定の形状を得る
か又は最初から製品形状を考え，混合粉を所定形状でプ
レスし，焼結を行い，焼結品として所定の形状のものを
得る方法も提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前述の
スケルトン法は，工程数が多く，工程制御も難しい。ま
た，スケルトン法では，ＷやＭｏの焼結体中にＣｕを含
浸させるために，ＷやＭｏの焼結体での気孔率の調整が
難しく，又，表面がＣｕ層で覆われるため，Ｃｕ含有量
のバラツキが大きく均質な状態が得にくく，Ｃｕを含浸
させる際に，Ｃｕが飛散して焼結炉内の周辺部材の汚染
が生じるという欠点がある。更に，スケルトン法で得ら
れる製品は，Ｃｕ含有量にバラツキを生じやすく，均一
な特性が得にくく，所定形状を削り出さなければならな
いのでコスト的に高くなるという欠点を有する。
スケルトン法は，工程数が多く，工程制御も難しい。ま
た，スケルトン法では，ＷやＭｏの焼結体中にＣｕを含
浸させるために，ＷやＭｏの焼結体での気孔率の調整が
難しく，又，表面がＣｕ層で覆われるため，Ｃｕ含有量
のバラツキが大きく均質な状態が得にくく，Ｃｕを含浸
させる際に，Ｃｕが飛散して焼結炉内の周辺部材の汚染
が生じるという欠点がある。更に，スケルトン法で得ら
れる製品は，Ｃｕ含有量にバラツキを生じやすく，均一
な特性が得にくく，所定形状を削り出さなければならな
いのでコスト的に高くなるという欠点を有する。
【０００６】一方，前述の粉末混合法では，焼結品とし
ての所定形状を得ようとすれば，焼結体の密度が上がり
難く，高温で焼結すればＣｕが溶出し形状が崩れてしま
う。
ての所定形状を得ようとすれば，焼結体の密度が上がり
難く，高温で焼結すればＣｕが溶出し形状が崩れてしま
う。
【０００７】また，大きな焼結体を作り，それを圧延加
工して所定の厚みの板を得ようとすれば加工が難しく，
割れ等が発生し，なかなか所定形状のものが得られな
い。
工して所定の厚みの板を得ようとすれば加工が難しく，
割れ等が発生し，なかなか所定形状のものが得られな
い。
【０００８】そこで，本発明の第１の技術的課題は，周
辺部材の汚染を防止することができる複合焼結材の製造
方法を提供することにある。
辺部材の汚染を防止することができる複合焼結材の製造
方法を提供することにある。
【０００９】また，本発明の第２の技術的課題は，所望
する形状の焼結製品を低価格で得ることができる複合粉
を用いた低価格の複合焼結材を提供することにある。
する形状の焼結製品を低価格で得ることができる複合粉
を用いた低価格の複合焼結材を提供することにある。
【００１０】更に，本発明の第３の技術的課題は，前記
複合焼結材を容易に製造する方法を提供することにあ
る。
複合焼結材を容易に製造する方法を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，Ｍｏ又
はＷからなるＭと，Ｃｕとを含む焼結体であって，前記
焼結体は，更に，少量のＦｅを含み，少なくとも９７％
の相対密度を有するとともに，前記Ｍ粒子が均一に分布
していることを特徴とする複合焼結材が得られる。
はＷからなるＭと，Ｃｕとを含む焼結体であって，前記
焼結体は，更に，少量のＦｅを含み，少なくとも９７％
の相対密度を有するとともに，前記Ｍ粒子が均一に分布
していることを特徴とする複合焼結材が得られる。
【００１２】ここで，本発明の複合焼結材において，Ｆ
ｅは含有Ｃｕ量に対し，０．５〜２％含有することが好
ましい。
ｅは含有Ｃｕ量に対し，０．５〜２％含有することが好
ましい。
【００１３】更に，本発明によれば，表面にＣｕの被膜
を有するＭｏ又はＷからなるＭ粉末と少量のＦｅとを混
合し，プレス成型し，焼結して少なくとも９７％の相対
密度を有する焼結体を得ることを特徴とする複合焼結材
の製造方法が得られる。
を有するＭｏ又はＷからなるＭ粉末と少量のＦｅとを混
合し，プレス成型し，焼結して少なくとも９７％の相対
密度を有する焼結体を得ることを特徴とする複合焼結材
の製造方法が得られる。
【００１４】ここで，本発明においては，前記複合粉を
混合し，所定矩形形状又はそれに段を施した物等にプレ
ス成型することが好ましい。
混合し，所定矩形形状又はそれに段を施した物等にプレ
ス成型することが好ましい。
【００１５】また，本発明の複合焼結材の製造方法にお
いて，前記複合粉に含有されるＦｅは，１０μｍ以下の
微粒Ｆｅ粉を含有Ｃｕ量に対し，０．５〜２．０％添加
することが好ましい。
いて，前記複合粉に含有されるＦｅは，１０μｍ以下の
微粒Ｆｅ粉を含有Ｃｕ量に対し，０．５〜２．０％添加
することが好ましい。
【００１６】また，前記複合粉を混合した混合粉の焼結
温度は１１００〜１３５０℃の範囲内であることが好ま
しい。というのは，Ｃｕ量によって焼結温度は異なる
が，１１００℃未満の温度であると，焼結が進まず焼結
体の密度を上昇させることができず，一方１３５０℃を
越える温度では，Ｃｕの浸み出しが始まるからである。
温度は１１００〜１３５０℃の範囲内であることが好ま
しい。というのは，Ｃｕ量によって焼結温度は異なる
が，１１００℃未満の温度であると，焼結が進まず焼結
体の密度を上昇させることができず，一方１３５０℃を
越える温度では，Ｃｕの浸み出しが始まるからである。
【００１７】
【作用】本発明においては，Ｍｏ及びＷの内のいずれか
一種からなるＭの表面に，Ｃｕ被覆層を生成させ，Ｍ−
Ｃｕの複合粉を生成し，その複合粉を用い，所定形状に
プレス成型し，焼結し，高密度の所定形状の焼結体を得
ている。この焼結体は，ほぼ真密度まで達しており，表
面へのＭ金属の浸み出しもない。
一種からなるＭの表面に，Ｃｕ被覆層を生成させ，Ｍ−
Ｃｕの複合粉を生成し，その複合粉を用い，所定形状に
プレス成型し，焼結し，高密度の所定形状の焼結体を得
ている。この焼結体は，ほぼ真密度まで達しており，表
面へのＭ金属の浸み出しもない。
【００１８】また，本発明による複合粉を用いて焼結を
行うと，スケルトン法の場合と異なり，Ｃｕ−Ｍとの接
触が少なく，スケルトンができにくいため，焼結品をサ
イジングする場合においても，割れの発生が少ない。
行うと，スケルトン法の場合と異なり，Ｃｕ−Ｍとの接
触が少なく，スケルトンができにくいため，焼結品をサ
イジングする場合においても，割れの発生が少ない。
【００１９】
【実施例】以下，本発明の実施例について，図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００２０】本発明の実施例に係る複合粉は，Ｍとして
Ｍｏ又はＷ粉の表面に，このＭｏ又はＷよりも低融点を
有するＣｕ被覆層を有する。この実施例では，複合粉
は，Ｃｕ被覆層を有する。この複合粉は，Ｃｕ塩類の水
溶液中に，Ｍｏ又はＷ粉及びそれらの酸化物を入れ，攪
拌乾燥し，表面にＣｕ塩類を付着させ，これらの粉を水
素気流中又は還元雰囲気中で還元し，Ｍｏ粉又はＷ粉の
表面にＣｕ層を形成することにより得られる。
Ｍｏ又はＷ粉の表面に，このＭｏ又はＷよりも低融点を
有するＣｕ被覆層を有する。この実施例では，複合粉
は，Ｃｕ被覆層を有する。この複合粉は，Ｃｕ塩類の水
溶液中に，Ｍｏ又はＷ粉及びそれらの酸化物を入れ，攪
拌乾燥し，表面にＣｕ塩類を付着させ，これらの粉を水
素気流中又は還元雰囲気中で還元し，Ｍｏ粉又はＷ粉の
表面にＣｕ層を形成することにより得られる。
【００２１】また，複合粉の原料粉として，Ｍｏ又はＷ
粉ではなく，Ｍｏ酸化物又はＷの酸化物も使用できる。
この酸化物を用いた場合は，Ｃｕ層が形成されると同時
に酸化物も還元される。
粉ではなく，Ｍｏ酸化物又はＷの酸化物も使用できる。
この酸化物を用いた場合は，Ｃｕ層が形成されると同時
に酸化物も還元される。
【００２２】このように，Ｍｏ，Ｗ又は，Ｍｏ，Ｗ酸化
物粉末に，Ｃｕ塩類水溶液でドープするため，Ｍｏ，Ｗ
又はＭｏ，Ｗ酸化物粉末粒子の凹部にまでＣｕ塩類水溶
液が十分に行き渡り，Ｍｏ，Ｗ又はＭｏ，Ｗ酸化物粉末
粒子表面に隙間なく付着し，還元後のＭｏ又はＷ粉末粒
子表面にもＣｕ層が一様に形成された複合粉を得ること
ができる。
物粉末に，Ｃｕ塩類水溶液でドープするため，Ｍｏ，Ｗ
又はＭｏ，Ｗ酸化物粉末粒子の凹部にまでＣｕ塩類水溶
液が十分に行き渡り，Ｍｏ，Ｗ又はＭｏ，Ｗ酸化物粉末
粒子表面に隙間なく付着し，還元後のＭｏ又はＷ粉末粒
子表面にもＣｕ層が一様に形成された複合粉を得ること
ができる。
【００２３】このため，この複合粉をプレス成型し，焼
結するとＣｕとＭｏ又はＷとの濡れ性もよく，実質的に
は，Ｃｕ単味の焼結に近似したものになるため，容易に
高密度の焼結体が低温で得られ，それ故焼結時のＣｕの
浸み出しや揮散もない。また，この実施例では，銅粉体
の焼結に略近い状態で焼結できる。
結するとＣｕとＭｏ又はＷとの濡れ性もよく，実質的に
は，Ｃｕ単味の焼結に近似したものになるため，容易に
高密度の焼結体が低温で得られ，それ故焼結時のＣｕの
浸み出しや揮散もない。また，この実施例では，銅粉体
の焼結に略近い状態で焼結できる。
【００２４】更に，得られた焼結体には，少量の残留ポ
アが生じている。このため，複合粉に微粒鉄（Ｆｅ）粉
を少量添加すると，焼結の際にＦｅ粉が焼結体中の残留
ポア内のガス成分（酸素や炭素）と反応して，Ｆｅの酸
化物又は炭化物としてこのガス成分を補促し，ポアを消
滅させるので，得られる焼結体密度を完全緻密化し真密
度まで上昇させる。更に，Ｆｅ粉を複合粉に少量添加す
ると焼結温度をも低下させることができる。また，上記
のようなＣｕ−Ｍｏ複合粉及びＣｕ−Ｗの複合粉は，Ｍ
ｏ又はＷ粉に電解メッキ，無電解メッキのいずれかを行
うことによっても，生成することができる。更に，Ｎｉ
−Ｍｏの複合粉及びＮｉ−Ｗの複合粉についてもＣｕの
代わりにＮｉを用いて，Ｃｕ層を形成する場合と同様に
生成することができる。
アが生じている。このため，複合粉に微粒鉄（Ｆｅ）粉
を少量添加すると，焼結の際にＦｅ粉が焼結体中の残留
ポア内のガス成分（酸素や炭素）と反応して，Ｆｅの酸
化物又は炭化物としてこのガス成分を補促し，ポアを消
滅させるので，得られる焼結体密度を完全緻密化し真密
度まで上昇させる。更に，Ｆｅ粉を複合粉に少量添加す
ると焼結温度をも低下させることができる。また，上記
のようなＣｕ−Ｍｏ複合粉及びＣｕ−Ｗの複合粉は，Ｍ
ｏ又はＷ粉に電解メッキ，無電解メッキのいずれかを行
うことによっても，生成することができる。更に，Ｎｉ
−Ｍｏの複合粉及びＮｉ−Ｗの複合粉についてもＣｕの
代わりにＮｉを用いて，Ｃｕ層を形成する場合と同様に
生成することができる。
【００２５】以下，本発明の実施例に係る複合焼結材の
製造の具体例を示す。
製造の具体例を示す。
【００２６】（比較例１） 塩化Ｃｕ溶液でドープし，その後還元して得た２０％Ｃ
ｕ−Ｍｏの複合粉と同様にして得た２０％Ｃｕ−Ｗの複
合粉と，同じ重量比でＣｕ及びＭｏを単に混合した混合
粉及び同様のＣｕ及びＷを単に混合した混合粉を２９４
ＭＰａで夫々プレス成型し，水素雰囲気中の各温度で，
２時間焼結した時の焼結体相対密度の比較を図１に示
す。図１において，○は２０％Ｃｕ−Ｍｏ複合粉，●は
２０％Ｃｕ−Ｗの複合粉，☆は２０％Ｃｕ及び残部Ｍｏ
からなる混合粉，★は２０％Ｃｕ及び残部Ｍｏからなる
混合粉を夫々示す。図１から複合粉を用いた焼結体は，
双方とも混合粉から形成した焼結体よりも相対密度が向
上していることが判明した。
ｕ−Ｍｏの複合粉と同様にして得た２０％Ｃｕ−Ｗの複
合粉と，同じ重量比でＣｕ及びＭｏを単に混合した混合
粉及び同様のＣｕ及びＷを単に混合した混合粉を２９４
ＭＰａで夫々プレス成型し，水素雰囲気中の各温度で，
２時間焼結した時の焼結体相対密度の比較を図１に示
す。図１において，○は２０％Ｃｕ−Ｍｏ複合粉，●は
２０％Ｃｕ−Ｗの複合粉，☆は２０％Ｃｕ及び残部Ｍｏ
からなる混合粉，★は２０％Ｃｕ及び残部Ｍｏからなる
混合粉を夫々示す。図１から複合粉を用いた焼結体は，
双方とも混合粉から形成した焼結体よりも相対密度が向
上していることが判明した。
【００２７】（比較例２） また，比較例１で用いた２０％Ｃｕ−Ｍｏ，及び２０％
Ｃｕ−Ｗの複合粉を所定形状にプレス成型し，１３００
℃で２時間焼結した時の特性値を表１に示す（ｎ＝５
０）。得られた焼結体の相対密度は９７．５〜９８．５
％でＣｕの浸み出しは見られなかった。
Ｃｕ−Ｗの複合粉を所定形状にプレス成型し，１３００
℃で２時間焼結した時の特性値を表１に示す（ｎ＝５
０）。得られた焼結体の相対密度は９７．５〜９８．５
％でＣｕの浸み出しは見られなかった。
【００２８】
【表１】
【００２９】（比較例３）比較例 ２の複合粉を所定形状にプレス成型し，焼結温度
を変化させて，相対密度を９０％，９５％，９７％の焼
結体を作り，その焼結体にＮｉメッキテストを行った。
その結果を表２に示す。
を変化させて，相対密度を９０％，９５％，９７％の焼
結体を作り，その焼結体にＮｉメッキテストを行った。
その結果を表２に示す。
【００３０】
【表２】
【００３１】表２で示すように，相対密度が９７％の焼
結体は，Ｃｕ−Ｍｏ，Ｃｕ−Ｗともにメッキ面が良好で
あったが，その他は不適当であった。
結体は，Ｃｕ−Ｍｏ，Ｃｕ−Ｗともにメッキ面が良好で
あったが，その他は不適当であった。
【００３２】（実施例１） 比較例１ と同様にして，Ｃｕ−Ｗの組成を変化させたも
のと，微粒Ｆｅ（１０μｍ）を０．２wt% 添加したもの
とをプレス成型し，焼結した。得られた焼結体試料の熱
伝導率及び熱膨脹率の測定結果を表３に示す。
のと，微粒Ｆｅ（１０μｍ）を０．２wt% 添加したもの
とをプレス成型し，焼結した。得られた焼結体試料の熱
伝導率及び熱膨脹率の測定結果を表３に示す。
【００３３】
【表３】
【００３４】
【発明の効果】以上，説明したように，本発明では，複
合粉を用いたので，成形体が低温で焼結できるため，Ｃ
ｕ金属の揮散が起こりにくく，炉内がＣｕで著しく汚染
されたり，飛散したＣｕが凝縮して治工具へも付着する
ことによる操炉での支障を防止することができるととも
に，Ｆｅを少量添加したので焼結体の密度を真密度まで
上昇でき，高密度の焼結体の製造ができ，低コストで，
周辺機器の汚染を防止し所望する形状の焼結体を得るこ
とができる。
合粉を用いたので，成形体が低温で焼結できるため，Ｃ
ｕ金属の揮散が起こりにくく，炉内がＣｕで著しく汚染
されたり，飛散したＣｕが凝縮して治工具へも付着する
ことによる操炉での支障を防止することができるととも
に，Ｆｅを少量添加したので焼結体の密度を真密度まで
上昇でき，高密度の焼結体の製造ができ，低コストで，
周辺機器の汚染を防止し所望する形状の焼結体を得るこ
とができる。
【００３５】本発明においては，複合粉は，Ｍ又はＭ酸
化物粉末粒子の表面にＣｕ塩類を隙間無く付着させ，還
元処理することにより，任意の組成でＭとＣｕの密着性
の良い複合粉が容易に得られるとともに組成比も容易に
コントロールできる。上記した複合粉にＦｅを少量添加
して焼結体を得ているので，殆ど後加工なしで，Ｍ−Ｃ
ｕの所定形状で均質で且つ高密度な焼結体が得られ，こ
のために低価格で歩留りの良い複合焼結材を製造するこ
とができる。この複合焼結材は，前記複合粉によってヒ
ートシンク材料の特性として必要な熱伝導率，熱膨脹係
数を容易に調整できる。
化物粉末粒子の表面にＣｕ塩類を隙間無く付着させ，還
元処理することにより，任意の組成でＭとＣｕの密着性
の良い複合粉が容易に得られるとともに組成比も容易に
コントロールできる。上記した複合粉にＦｅを少量添加
して焼結体を得ているので，殆ど後加工なしで，Ｍ−Ｃ
ｕの所定形状で均質で且つ高密度な焼結体が得られ，こ
のために低価格で歩留りの良い複合焼結材を製造するこ
とができる。この複合焼結材は，前記複合粉によってヒ
ートシンク材料の特性として必要な熱伝導率，熱膨脹係
数を容易に調整できる。
【図１】複合粉を用いた複合焼結材の焼結体密度と焼結
温度との関係を示す図である。
温度との関係を示す図である。
フロントページの続き (72)発明者 有川 正 富山県富山市岩瀬古志町２番地 東京タ ングステン株式会社富山製作所内 (56)参考文献 特開 昭63−286537（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−136501（ＪＰ，Ａ) 特公 昭48−25851（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭42−22134（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭36−20854（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｍｏ又はＷからなるＭと，Ｃｕとを含む
焼結体であって，前記焼結体は，更に，少量のＦｅを含
み，少なくとも９７％の相対密度を有するとともに，前
記Ｍ粒子が均一に分布していることを特徴とする複合焼
結材。 - 【請求項２】 請求項１記載の複合焼結材において，前
記Ｆｅは，重量比で前記Ｃｕに対して０．５〜２．０％
含有されていることを特徴とする複合焼結材。 - 【請求項３】 表面にＣｕの被膜を有するＭｏ又はＷか
らなるＭ粉末と少量のＦｅとを混合し，プレス成型し，
焼結して少なくとも９７％の相対密度を有する焼結体を
得ることを特徴とする複合焼結材の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の複合焼結材の製造方法に
おいて，前記Ｆｅを，重量比で前記Ｃｕに対して０．５
〜２．０％添加することを特徴とする複合焼結材の製造
方法。 - 【請求項５】 請求項３又は４記載の複合焼結材の製造
方法において，前記焼結体を得るための焼結温度は，１
１００〜１３５０℃の範囲内であることを特徴とする複
合焼結材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006891A JP2559085B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 複合焼結材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006891A JP2559085B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 複合焼結材及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05195006A JPH05195006A (ja) | 1993-08-03 |
| JP2559085B2 true JP2559085B2 (ja) | 1996-11-27 |
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ID=11650856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4006891A Expired - Fee Related JP2559085B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 複合焼結材及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2559085B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106148794B (zh) * | 2016-08-19 | 2017-11-28 | 北京尚华扬电子技术开发有限公司 | 一种掺杂纳米铁粉的铜钨合金及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4825851A (ja) * | 1971-08-12 | 1973-04-04 | ||
| JPS62136501A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | セラミツク用メタライズ粉およびこれを用いたセラミツク用メタライズペ−スト |
| JPS63286537A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nisshin Steel Co Ltd | 粒子分散型複合材料の製造法 |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP4006891A patent/JP2559085B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05195006A (ja) | 1993-08-03 |
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