JPS6042846A - 半導体ウエ−ハダイシング方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハダイシング方法Info
- Publication number
- JPS6042846A JPS6042846A JP58151447A JP15144783A JPS6042846A JP S6042846 A JPS6042846 A JP S6042846A JP 58151447 A JP58151447 A JP 58151447A JP 15144783 A JP15144783 A JP 15144783A JP S6042846 A JPS6042846 A JP S6042846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- semiconductor
- lines
- street
- quaha
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
この光用は多数の半導体素子を形成済み半導体クエーノ
ー金半導体菓子毎に細分割するダイシング方法に関する
。
ー金半導体菓子毎に細分割するダイシング方法に関する
。
ロ、従来技術
牛導゛体りエーハダｌシング方法には牛等体りエーハ（
以下単にクエーハと称す）裏ｔｍ（ｉ＝ダスンング用チ
ャックチーグル上ＶｃＬｈ１足して表面から各半導体素
子（以下単に素子と祢す）間をり工−ハ厚の１〜λの深
さまで切削し溝を形成し６ ま た後クエーパヲ接肴シー）Ｋ移し賛え貼布しておき接着
シートを引き伸ばしてグレーキングし各素子に＃１分割
する方法やまず初めにクエーハ誓面に接着シートを貼布
してから同様ＶＣ，クエ１ −への各菓子面金クエーハ厚のｇ〜百の深さまで切削し
て７ｈを形成し、その後接材シートを放射状に伸展させ
てクエーハを各素子毎に細分割する方法かある。この各
方法はクエーハに途中の深さまで＃４を形成してこの溝
を起点として引裂き各素子に分割するため、この細分西
り闘°の機緘的ショックで素子が接材シートから外れた
り１＠接する素子同士が一部重なって接材シートからの
素子取出を難しくしたりすることがあった０そこでこれ
ら問題を解決するものとして、クエーハの各素子間を尚
連回転する円形プレードで完全カットする方式のダイシ
ング方法が賞出される傾向にある。
以下単にクエーハと称す）裏ｔｍ（ｉ＝ダスンング用チ
ャックチーグル上ＶｃＬｈ１足して表面から各半導体素
子（以下単に素子と祢す）間をり工−ハ厚の１〜λの深
さまで切削し溝を形成し６ ま た後クエーパヲ接肴シー）Ｋ移し賛え貼布しておき接着
シートを引き伸ばしてグレーキングし各素子に＃１分割
する方法やまず初めにクエーハ誓面に接着シートを貼布
してから同様ＶＣ，クエ１ −への各菓子面金クエーハ厚のｇ〜百の深さまで切削し
て７ｈを形成し、その後接材シートを放射状に伸展させ
てクエーハを各素子毎に細分割する方法かある。この各
方法はクエーハに途中の深さまで＃４を形成してこの溝
を起点として引裂き各素子に分割するため、この細分西
り闘°の機緘的ショックで素子が接材シートから外れた
り１＠接する素子同士が一部重なって接材シートからの
素子取出を難しくしたりすることがあった０そこでこれ
ら問題を解決するものとして、クエーハの各素子間を尚
連回転する円形プレードで完全カットする方式のダイシ
ング方法が賞出される傾向にある。
この完全カット方式のダイシング方法の従来例を第１図
乃至第３図を参照しながら説明すると、（１）はクエー
へ１２１１！ｌ・・・に９ニーＪＩｌｌに格子状配列に
形成された多数の素子％（３）はクエーＩ’ ＋１１の
裏面に貼された接着シー）、１４１は接着シー ） １
３１を着脱可能ＩＣ張設保持する円形ステージ、１６１
は円形ステージ（４）上刃で菓子＋２１１２＋ １１
＠ １１の配列方向に相対平行移動するダイサとしての
円板グレードである。尚、クエーノへ（１）は裏面に各
菓子＋２１１！Ｉ・・・の艇１１］］電極となるメクラ
イズ層（６１を形成した一般的なもので説明する。また
接喜シート１３）は伸長可能なシート本体（３−の上面
に接着剤（３ｂ）の層を波看したもので、この接着剤（
３ｂ）Ｖｃよりクエーハ１凰１が接省固定される。
乃至第３図を参照しながら説明すると、（１）はクエー
へ１２１１！ｌ・・・に９ニーＪＩｌｌに格子状配列に
形成された多数の素子％（３）はクエーＩ’ ＋１１の
裏面に貼された接着シー）、１４１は接着シー ） １
３１を着脱可能ＩＣ張設保持する円形ステージ、１６１
は円形ステージ（４）上刃で菓子＋２１１２＋ １１
＠ １１の配列方向に相対平行移動するダイサとしての
円板グレードである。尚、クエーノへ（１）は裏面に各
菓子＋２１１！Ｉ・・・の艇１１］］電極となるメクラ
イズ層（６１を形成した一般的なもので説明する。また
接喜シート１３）は伸長可能なシート本体（３−の上面
に接着剤（３ｂ）の層を波看したもので、この接着剤（
３ｂ）Ｖｃよりクエーハ１凰１が接省固定される。
・・１発明が解決しようとする問題点
上記完全カット方式はステージ（４１とグレード１６１
倉を目対多Ｕｊさせて一尚逮回賦するプレード１６１で
クエー−Ｉｌｌの′６素子間を第３図に示す如くクエー
ハ厚より深く接着・剤（３ｂ）からシート本体（３ａ］
の表層部にまでノー＜深さでｊ哄次ＶＪ萌して各菓子毎
に細分割する方法でるる。この方法によるとクエーハＩ
ｌｌ ｔ’Ｘクエーハカット完了の段階で各菓子毎に完
全細分割されるので、接着シート（３１の伸展時に素子
剥れ等のトラブルが発生する心配が黒くなる。
倉を目対多Ｕｊさせて一尚逮回賦するプレード１６１で
クエー−Ｉｌｌの′６素子間を第３図に示す如くクエー
ハ厚より深く接着・剤（３ｂ）からシート本体（３ａ］
の表層部にまでノー＜深さでｊ哄次ＶＪ萌して各菓子毎
に細分割する方法でるる。この方法によるとクエーハＩ
ｌｌ ｔ’Ｘクエーハカット完了の段階で各菓子毎に完
全細分割されるので、接着シート（３１の伸展時に素子
剥れ等のトラブルが発生する心配が黒くなる。
ところが、グレード（５１で接材シート１３］の接着剤
（３ｂ）をも必然的に同時カットしてしまうため、カッ
テノング時に接着剤（３ｂ）の切削屑が周辺に飛散して
一部が菓子１２１上に付着してグインング工程の歩留り
を低下させｆｃり、ブレード＋６１ ｉｃ自身に不都合
にも行程してしまい、グレード＋６１の切削能力を低下
させてしまうぽかりか、グレードの刃こぼれを連めてし
まい寿命を短くすることがあった。またグレード（６１
の切削能力低下によりカツテスング時に素子１２１に加
わる負何が大さくなって素子１２１が位置ずれを起す危
険性も大であった。
（３ｂ）をも必然的に同時カットしてしまうため、カッ
テノング時に接着剤（３ｂ）の切削屑が周辺に飛散して
一部が菓子１２１上に付着してグインング工程の歩留り
を低下させｆｃり、ブレード＋６１ ｉｃ自身に不都合
にも行程してしまい、グレード＋６１の切削能力を低下
させてしまうぽかりか、グレードの刃こぼれを連めてし
まい寿命を短くすることがあった。またグレード（６１
の切削能力低下によりカツテスング時に素子１２１に加
わる負何が大さくなって素子１２１が位置ずれを起す危
険性も大であった。
またクエーハ１１１は２［ＩＩ常その表面から完全カッ
トされるが、場合によってはクエーＪ％（五１の表面を
接着シート１３１に接着して裏面より完全カットするこ
とかめる。このような場合、７つノブレード１５１で完
全カットを進行させていくと蓑面のメクラＡズＩＪ １
６１の波切Ａｌｌ都端にＩ（りが生じた・９％最悪の場
合には素子１２１裏面から剥れることがあって完全カッ
トの信頼性が極めて低くかっ九二１間組点を解決するた
めの手段 本発り１は上記完全カット方式のダイシング方法の問題
点＆Ｃ嫌みなされたもので、これを解決する手段として
、次の（ａ）〜（Ｃ）の各工程力為らなるダイシング方
法を提供する。
トされるが、場合によってはクエーＪ％（五１の表面を
接着シート１３１に接着して裏面より完全カットするこ
とかめる。このような場合、７つノブレード１５１で完
全カットを進行させていくと蓑面のメクラＡズＩＪ １
６１の波切Ａｌｌ都端にＩ（りが生じた・９％最悪の場
合には素子１２１裏面から剥れることがあって完全カッ
トの信頼性が極めて低くかっ九二１間組点を解決するた
めの手段 本発り１は上記完全カット方式のダイシング方法の問題
点＆Ｃ嫌みなされたもので、これを解決する手段として
、次の（ａ）〜（Ｃ）の各工程力為らなるダイシング方
法を提供する。
（ａ）、格子状配列で多数の菓子が形成されたクエーハ
の夏向に、その表面の各素子間にある格子状の菓子分馳
予定婦（以下ストリート縁と称丁ンの交点と対応する多
数の所望箇所に１うｌメント用マーキング會形成する。
の夏向に、その表面の各素子間にある格子状の菓子分馳
予定婦（以下ストリート縁と称丁ンの交点と対応する多
数の所望箇所に１うｌメント用マーキング會形成する。
（ｂ）、上述アクスメント用マーキングを基準にしてク
エーハ民聞に１表面のストリート綴と対応する裏面スト
リートａｔ−罫書きして、この裏面ストリート線に沿っ
てクエーハｋ ＥＭ３ Ｋ ９ ｚ −ハ厚の、。程度
の深さのｔ＃を予め形成する口（Ｃ）、クエーハｊｌｉ
を接着シート上に貼布してクエーハ表面からクエーハｔ
グレードで一＆面ストリート線に沿って前記向に達する
床さまで切＾１１ して各菓子毎ｒｃＭＡ分割する＠こ
のようにすると接着シートの接肴削ｔ″９Ｉ期すること
無くクエーハの完全カットが可能で接稽剤により発生し
ていた従来トラブルが皆２）（（となる。またクエーハ
炎面にメタ２７１層が在り、これを上記工程（ｂ）の溝
形成時に選択切削しても、この切削は途中カットで行わ
れるので完全カット時のような７２２１１層の剥離等の
トラ１フ１フ発生が減少する・ ホ、実施例 上記りエーハ１凰１に対する本発明のダイシング方法を
！Ａグ図乃至％／図を参照しながら説明する◎ 先ず第ダ図に示すようＶｃ１枚のクエ・−・・口）の表
面をｍ％央■をｎとし、表面ｍには素子１２＋ １２１
・・・の形成時に各素子間にストリート４５１ Ｌ ｍ
が形成されているものＪ゛する。ここで表面ｎにもスト
リートｄｉを罫書きするため１例えば対向して」１下方
向に近接・離隔する一対のマーキングベンＩ７１１ａｌ
金剛Ｑし、上部マーキングベン＋７１で辰開ストリー
ト＠ Ｌ ｍの交点を押えると共に下部マーキンクベン
１８１をクエーハ矢面ｎの前記交点と対応する箇所を押
えて挾み付はマーキングすることにより、ｐ；ｓ図に示
すようにクエーハ畏囲ｎｌ／）多欲の例えばＶ箇所にア
ライメント用マーキングｔｉｌｌ ｔｉｌｌ・・・を形
成する。
エーハ民聞に１表面のストリート綴と対応する裏面スト
リートａｔ−罫書きして、この裏面ストリート線に沿っ
てクエーハｋ ＥＭ３ Ｋ ９ ｚ −ハ厚の、。程度
の深さのｔ＃を予め形成する口（Ｃ）、クエーハｊｌｉ
を接着シート上に貼布してクエーハ表面からクエーハｔ
グレードで一＆面ストリート線に沿って前記向に達する
床さまで切＾１１ して各菓子毎ｒｃＭＡ分割する＠こ
のようにすると接着シートの接肴削ｔ″９Ｉ期すること
無くクエーハの完全カットが可能で接稽剤により発生し
ていた従来トラブルが皆２）（（となる。またクエーハ
炎面にメタ２７１層が在り、これを上記工程（ｂ）の溝
形成時に選択切削しても、この切削は途中カットで行わ
れるので完全カット時のような７２２１１層の剥離等の
トラ１フ１フ発生が減少する・ ホ、実施例 上記りエーハ１凰１に対する本発明のダイシング方法を
！Ａグ図乃至％／図を参照しながら説明する◎ 先ず第ダ図に示すようＶｃ１枚のクエ・−・・口）の表
面をｍ％央■をｎとし、表面ｍには素子１２＋ １２１
・・・の形成時に各素子間にストリート４５１ Ｌ ｍ
が形成されているものＪ゛する。ここで表面ｎにもスト
リートｄｉを罫書きするため１例えば対向して」１下方
向に近接・離隔する一対のマーキングベンＩ７１１ａｌ
金剛Ｑし、上部マーキングベン＋７１で辰開ストリー
ト＠ Ｌ ｍの交点を押えると共に下部マーキンクベン
１８１をクエーハ矢面ｎの前記交点と対応する箇所を押
えて挾み付はマーキングすることにより、ｐ；ｓ図に示
すようにクエーハ畏囲ｎｌ／）多欲の例えばＶ箇所にア
ライメント用マーキングｔｉｌｌ ｔｉｌｌ・・・を形
成する。
次に上述マーキング＋９１ ＋９＋・・・を基＃４１’
ｌ：ｌ、てカ２図に示すようにクエーハ裏１１１］ｎに
表面ｍのストリートｇ Ｌ ｍと正確に対応するストリ
ート線Ｌｎを鼾皆さ−ｒる。而る後第２図に示すように
クエーハ１０を表面ｍを下にして囲えば真空吸看ステー
ジ＋１０１上ＶＣ吸誉させておいて、上になってクエー
ハ説ＥＩ３Ｉｎより表面ストリート＠Ｌｎにｍって例え
ば比較的カーの広いグレード（１りでもってｊ唄次切削
してｒ４ｔ１２１を形成する。この溝（１４のＲサｄｌ
ｎ ９ ” −ハ肉厚ｄ２ の約１／１゜Ｎ ）Ｘ
Ｔ、ＪＩｊｌ’滋のクエーハに′おいては２θ〜政ｌ０
ＰＨ１程度であり１この時メタライズ層（６１は完全カ
ットされるがグレード（１υにクエーハ（１）を浅くカ
ンテｌングするだけのものであるので、メタクスズ層１
６１にパリや剥れが生じる心配に無い。尚、？４αｇｌ
にグレード１１りによる切削に限らず、レーデ光照射で
順次形成する等してもよい。
ｌ：ｌ、てカ２図に示すようにクエーハ裏１１１］ｎに
表面ｍのストリートｇ Ｌ ｍと正確に対応するストリ
ート線Ｌｎを鼾皆さ−ｒる。而る後第２図に示すように
クエーハ１０を表面ｍを下にして囲えば真空吸看ステー
ジ＋１０１上ＶＣ吸誉させておいて、上になってクエー
ハ説ＥＩ３Ｉｎより表面ストリート＠Ｌｎにｍって例え
ば比較的カーの広いグレード（１りでもってｊ唄次切削
してｒ４ｔ１２１を形成する。この溝（１４のＲサｄｌ
ｎ ９ ” −ハ肉厚ｄ２ の約１／１゜Ｎ ）Ｘ
Ｔ、ＪＩｊｌ’滋のクエーハに′おいては２θ〜政ｌ０
ＰＨ１程度であり１この時メタライズ層（６１は完全カ
ットされるがグレード（１υにクエーハ（１）を浅くカ
ンテｌングするだけのものであるので、メタクスズ層１
６１にパリや剥れが生じる心配に無い。尚、？４αｇｌ
にグレード１１りによる切削に限らず、レーデ光照射で
順次形成する等してもよい。
次にクエーノ曲１上に従来同様の接着シート＋３１を貼
布してからステージ（１０１より外し、接材シート１３
）をクエーハ（１）を上にしてダイシング川ステージ（
４）上に張設する。
布してからステージ（１０１より外し、接材シート１３
）をクエーハ（１）を上にしてダイシング川ステージ（
４）上に張設する。
而る後第Ｌ？ｌＡに示すようにクエーハ…の上になった
表面ｍから表面ストリート線Ｌｍに沿って従来同様なグ
レード（５１でクエーハＩｌｌを完全カフ）ｆる。コノ
完全カットａプレーＦ ＋５１ ｖｘ Ｍ Ｏ２１の１
氏而に達する程度の深さで行う。つまり購Ｕ匂の形成に
よりグレード（６１で接有ソート１３１の接誉剤（３ｂ
）を切削することなくクエー、−ＩＩＩと順次完全カン
トすることが容易に可能となる。従ってｉａＪＭｔｌ
（３ｂ）ノ１７１Ｆ４１ＪＪ４ｆｉｉｌ’Ｆ１２１−ｐ
クレー Ｆ １３１に付盲する心配が無くなり、歩留り
同上、１ノード１５１の掟鍔命化が図れる。また溝ｉ１
匂の内の゛空間がクエーハ切＋ｌｊ時に窒／ｆ！効果を
発薄し、またクエ−＝ ！／：Ｉ ｎｌＪ屑の排出ｌ＾
としても作用するので、ダイシング工程の歩留りをより
一層同上させる。
表面ｍから表面ストリート線Ｌｍに沿って従来同様なグ
レード（５１でクエーハＩｌｌを完全カフ）ｆる。コノ
完全カットａプレーＦ ＋５１ ｖｘ Ｍ Ｏ２１の１
氏而に達する程度の深さで行う。つまり購Ｕ匂の形成に
よりグレード（６１で接有ソート１３１の接誉剤（３ｂ
）を切削することなくクエー、−ＩＩＩと順次完全カン
トすることが容易に可能となる。従ってｉａＪＭｔｌ
（３ｂ）ノ１７１Ｆ４１ＪＪ４ｆｉｉｌ’Ｆ１２１−ｐ
クレー Ｆ １３１に付盲する心配が無くなり、歩留り
同上、１ノード１５１の掟鍔命化が図れる。また溝ｉ１
匂の内の゛空間がクエーハ切＋ｌｊ時に窒／ｆ！効果を
発薄し、またクエ−＝ ！／：Ｉ ｎｌＪ屑の排出ｌ＾
としても作用するので、ダイシング工程の歩留りをより
一層同上させる。
へ、発明の効果
以上説明したように、本発明によればダイシング工程に
おける歩留り数台が図れ、且つダイシング用グレードの
成寿痙化がり能である。ま７ζクエー・・表面に予め溝
全形成しておき反対側の表面からｖＪ’ｔ）込んで貫通
させる両面カットによる完全カント方式のためクエーハ
男断時の機楓的ｊ？＆ｌ＋的ショックが小さくなり、接
有シート上での素子の位１ｄずれ等の不都合が頗少する
〇ダ、 １間の間車な説明 第７図μ従来の牛辱体りエー・・ダイシング工程を説明
するためのダイシング装置の平面図、吊、２１．ｄは遁
１図のムーム線に沿う断面図、第３図は第２図のＢ −
Ｂ ４１ｉｌｉ１１：沿う拡大ＩＢｉ聞凶、第Ｖ図乃至
第２図、は本発明の詳細な説明するためのもので、第７
図は牛導体りエーハ斜視図、価５図と第２図に半導体ク
エーハ裏聞凶に第２図と′４ｊ？図に半導体クエーハ部
分断面図である。
おける歩留り数台が図れ、且つダイシング用グレードの
成寿痙化がり能である。ま７ζクエー・・表面に予め溝
全形成しておき反対側の表面からｖＪ’ｔ）込んで貫通
させる両面カットによる完全カント方式のためクエーハ
男断時の機楓的ｊ？＆ｌ＋的ショックが小さくなり、接
有シート上での素子の位１ｄずれ等の不都合が頗少する
〇ダ、 １間の間車な説明 第７図μ従来の牛辱体りエー・・ダイシング工程を説明
するためのダイシング装置の平面図、吊、２１．ｄは遁
１図のムーム線に沿う断面図、第３図は第２図のＢ −
Ｂ ４１ｉｌｉ１１：沿う拡大ＩＢｉ聞凶、第Ｖ図乃至
第２図、は本発明の詳細な説明するためのもので、第７
図は牛導体りエーハ斜視図、価５図と第２図に半導体ク
エーハ裏聞凶に第２図と′４ｊ？図に半導体クエーハ部
分断面図である。
Ｉｌｌ・・牛辱体りエ−／％ 、 ＋２１・・半導体素
子、＋３１・・接材シート、１５１・・グレード、（９
）・・アライメント用マー千ング％畝・・ｒ４．Ｌｎ・
・裏面の素子分離予定線。
子、＋３１・・接材シート、１５１・・グレード、（９
）・・アライメント用マー千ング％畝・・ｒ４．Ｌｎ・
・裏面の素子分離予定線。
Claims (1)
- Ｉｌｌ 多数の半導体素子を形成した半導体クエー・・
表面の各半導体素子分離予定線の所望交叉点部分にアラ
イメント用マゝ−キングを形成する工捏、当該アライメ
ント用マーキングを基準に半導体クエー・・表面の各半
導体素子間に予め溝を形成する工程、この半導体クエー
Ｉ−裏面に接着シートを貼布し、て牛辱体りエー・・表
面から前記溝ＶＣ之するα１まで７レードで切断して半
導体素子毎に分割する工程とを含むことを特徴とする半
導体クエーＩｓダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151447A JPS6042846A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 半導体ウエ−ハダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151447A JPS6042846A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 半導体ウエ−ハダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042846A true JPS6042846A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15518793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151447A Pending JPS6042846A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 半導体ウエ−ハダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042846A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4967256A (en) * | 1988-07-08 | 1990-10-30 | Texas Instruments Incorporated | Overvoltage protector |
| US6869861B1 (en) | 2001-03-08 | 2005-03-22 | Amkor Technology, Inc. | Back-side wafer singulation method |
| US6943429B1 (en) * | 2001-03-08 | 2005-09-13 | Amkor Technology, Inc. | Wafer having alignment marks extending from a first to a second surface of the wafer |
| US7662669B2 (en) | 2007-07-24 | 2010-02-16 | Northrop Grumman Space & Mission Systems Corp. | Method of exposing circuit lateral interconnect contacts by wafer saw |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4987277A (ja) * | 1972-12-22 | 1974-08-21 | ||
| JPS5099075A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-06 |
-
1983
- 1983-08-18 JP JP58151447A patent/JPS6042846A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4987277A (ja) * | 1972-12-22 | 1974-08-21 | ||
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