JPS604263B2 - 磁気デイスク基盤用Al合金板の製造方法 - Google Patents

磁気デイスク基盤用Al合金板の製造方法

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JPS604263B2
JPS604263B2 JP15187580A JP15187580A JPS604263B2 JP S604263 B2 JPS604263 B2 JP S604263B2 JP 15187580 A JP15187580 A JP 15187580A JP 15187580 A JP15187580 A JP 15187580A JP S604263 B2 JPS604263 B2 JP S604263B2
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宗男 水野
芳宏 美蔦
美紘 辻
吉延 北尾
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Kobe Steel Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、表面精度の高い磁気ディスク用基盤の素材と
なる山合金板の製造方法に関するものである。
電子計算機等の記憶媒体として利用されている磁気ディ
スクは、AI合金板の表面を切削加工して所定の厚さに
し、更に精密研磨若しくは精密切削して得られる基盤の
表面に磁性体薄膜を被覆したものである。
この種の磁気ディスク用基盤には一般に下記の様な特性
が要求される。‘1} 磁気ヘッドと磁気ディスクとの
間隙を一定に保ち記憶の応答特性を安定化させる為、精
密研磨若しくは精密切削後の表面精度が良好であること
即ち基盤全体のひずみや微4・うねりが少ないこと。■
一定厚の磁性体薄膜を形成する上で悪影響を及ぼす突
起や穴等の表面欠陥が少なく且つ4・さし、こと。
またたとえ微細な欠陥であってもそれらが局部的に集中
していないこと。{3} 基盤を作製する際の切削加工
や研磨を安定して行なうことができ、且つ使用時の高速
回転に十分耐え得る機械的強度を有していること。
【41 非磁性、軽量であること。{5} 耐食性が良
好で且つある程度の耐熱性を有していること。
一方磁気ディスク用基盤として現在最も多用されている
のはAA規格5086合金であるが、近年磁気ディスク
に対する大容量化及び高密度化の要請は益々強くなって
、1ビット当りの磁化領域は更に微4・化されており、
又磁性体膜の薄肉化及び磁気ヘッドと磁気ディスクの間
隙の減少化も望まれている。
しかし上記AA5086合金では、前記諸特性のうち表
面精度及び表面欠陥の点で高密度化に適合できる様な基
盤は得られ難い。本発明者等は前述の様な状況のもとで
、まず良好な表面精度が得られない原因を明らかにすべ
く研究を行なった。
その結果以下の事実が確認された。〔A〕 汎用されて
いるディスク用基盤は表面を精密研磨すると素材の圧延
方向と平行に細長く伸びた周期0.5〜2肋程度、最大
高さ(Pmax)0.1〜0.15r程度の微小うねり
が生成した。
この原因を追求したところ以下のことが判明した。{1
} ディスク用基盤の表面研磨後の微小うねりの周期と
マクロの組織とは対応しており、マクロ組織が粗い程微
小うねりの高さが大となる。
(2〕(i)粗いマクロ組織が形成される原因の1つは
銭塊のサブ組織の粗さ(金属間化合物の偏在)にあり、
鏡塊サブ組織を微細にすれば製品のマクロ組織も微細と
なり、微小うねりは軽減する。
{2)(ii)粗いマクロ組織が形成される今1つの原
因は以下の通りである。
熱間圧延終了後のマクロ組織は、通常は熱間圧延初期の
結晶粒が引き伸ばされた組織である。即ち熱間圧延中の
再結晶は動的再結晶であり、わずかな加工によって次々
に再結晶して行く為、個々の再結晶粒自体はたとえ微細
であっても全体としては熱間圧延初期に形成された結晶
粒径によって製品組織が左右され、引き伸ばされた初期
の結晶粒の中に若干方位の異なった再結晶粒が存在する
状態となっている。従って微小うねり軽減させる為には
、銭塊条件及び熱間圧延条件をコントロールしマクロ組
織を微細にする必要がある。
〔B〕 AA5086合金製のディスク用基盤には、金
属マトリックス中に直径もしくは長さが15ムm程度の
金属間化合物が多数存在していた。
この金属間化合物は主としてAI−Fe−Mn系共晶化
合物及びM軸Si系共晶化合物であり、これらの晶出物
は金属マトリックスとは不連続で且つマトリックスより
硬質であるから、基盤を切削及び研磨加工する際に表面
に突起状欠陥として残るか、或は脱落してその後に穴欠
陥が残る。その結果、切削や研磨を十分に行なっても表
面欠陥を皆無にすることはできない。本発明者等は前述
の様な研究結果を踏まえ、金属間化合物を形成する元素
の含有量を減少させると共に、銭魂組織を微細均一な羽
毛状晶組織とすれば、金属間化合物が少なくなると共に
微細化され、且つ均一な分布状態が与えられ、それらの
結果、表面精度を改善できるであろうと考え、かかる着
想を実現すべく添加合金元素の種類、添加量及び鋳造条
件等について鋭意研究を進めてきた。
その結果、下記の方法を採用すればそれらの目的が見事
に達成されることを知り、滋に本発明の完成をみた。即
ち本発明に係る磁気ディスク基盤用N合金板の製造方法
とは、Mg:3〜6%及びCr:0.04〜0.1%を
必須成分として含み、Si≦0.08%、Feミ0.1
%及びMnSO.2%であるAI合金溶湯を、方向の揃
った羽毛状組織を有し且つ製品表面として露出される部
位におけるデンドラィンの平均セルサィズが35仏m以
下となる様に鋳造し、得られた該銭塊を500oo以下
の熱延開始温度で熱間圧延した後所望の板厚まで冷間圧
延するところに要旨が存在する。
まず合金元素について説明する。
Mgはディスク用基盤に所定の機械的強度を与えるのに
不可欠の元素であり、3%以上添加しなければならない
しかし多すぎるとAI−Mg金属間化合物が生成し易く
なると共に、溶解・鋳造時の高温酸化によって非金属介
在物(Mぬ)が生成し表面積度が低下するので、6%以
下に止めるべきである。Crは合金の耐食性を高めると
共に、Mgの添加量が多い場合の熱間脆性の低下を防止
する作用があり、これらの効果を有効に発揮させる為に
は少なくとも0.04%以上を添加する必要がある。
しかし0.1%を超えるとAI−Fe−Mn系晶出物が
粗大化し、最終製品の表面積度が低下する。Feは粗大
なAI−Fe−Mn系晶出物〔通常AI6(Fe,Mn
)或はAI2(Fe−Mn)であるが、組成的にはAI
−Fe中にMnが含まれた状態〕の生成を助長し、製品
の表面精度を阻害する。
しかし0.1%以下であれば実害はない。SiはM鞍S
i系晶出物の生成を助長し製品の表面精度を劣化させる
が、0.08%禾満であれば実害は殆んど認められない
MnはCrと同様合金の耐食性を高める作用があるが、
0.2%を越えるとN−Fe−Mn系晶出物が粗大化し
、製品の表面精度が低下する。
上記の池徴量のZnやCu等が混入することもあるが、
これらは不純物量である限り殆んど悪影響は認められな
い。
しかしZnやCuは最終製品の耐食性を低下させると共
に晶出物となって表面精度を低下させる傾向があるので
、Znは0.25%以下、Cuは0.1%以下に夫々制
限することが望ましい。更に結晶組織の微細化剤として
徴量(0.01%程度以下)のTiやBを添加するのも
有効である。本発明では上記成分組成のAI合金を溶融
した後、常法に従って電気学的吸着現象を応用したフィ
ルターを通過させて非金属介在物を除去し鋳造する。鋳
造に当っては、特定の鋳造条件を設定することによって
参考写真1(鋳造断面の組織写真:1/2倍)及び参考
写真2(製品表面相当部の断面ミクロ写真:5針昔)に
現われる如く方向の揃った羽毛状晶で且つ製品表面に表
われてくる部位のデンドラィトの平均セルサイズを35
山m以下にする。この様な銭塊組織は高温高速鋳造法を
採用することによって容易に得られる。ちなみに鋳造条
件に考慮を払わない場合は、参考写真3(銭塊断面の組
織写真:1/2倍)及び参考写真4(羽毛状晶の乱れた
部分の粗大なヂンドラィトを示すミクロ写真:5ぴ音)
に現われる如く製品表面に相当する部位で羽毛状晶が乱
れると共に、粗大なデンドラィト組織が生じる。しかも
通常は参考写真5(製品表面相当部のミクロ組織:50
倍)にみられる如く、デンドラィトの平均セルサィズが
45rm以上と粗大になる。通常デンドラィトセルバウ
ンダリーには不純物が濃縮され、共晶化合物が生成し易
い。
従ってセルサィズは微細な方が濃縮度が小さく、晶出物
サイズが4・さくなると共に分布もより均一となる。ま
た羽毛状晶が乱れると(参考写真4)、晶出物の分布が
不均一になってミクロ偏析が生じる。銭魂組織には、前
述の羽毛状晶組織の他に粒状晶組織があり、参考写真6
はこの粒状組織(50倍)を示したものである。粒状組
織においては、各結晶粒内でデンドラィトが花弁状とな
っており、鋳造原料中に多量の結晶微細化剤を添加した
場合でも中心部のサイズは大きく、その微細化には限度
がある。更に粒状晶組織と羽毛状晶組織を比較すると、
粗大な羽毛状晶組織は粒状組織よりも晶出物サイズが大
きく且つ分布も不均一であるが、微細な羽毛状晶組織は
粒状晶組織よりも晶出物サイズが4・さく且つ分布も均
一である。即ち先に述べた特定の鋳造条件によって、鎌
塊組織を方向性の揃った微細な羽毛状晶組織としてやれ
ば、共晶化合物は微細で且つマトリックス中に均一に分
散した状態となり、次いで行なわれる均質化加熱、熱間
圧延、冷間圧延によって良質のAI合金板を得ることが
できる。次に鏡魂の均質加熱条件は特に限定されないが
、最も好ましいのは(450〜560qo)×(2〜4
8時間)である。
しかして45000、2時間未満ではMgの園溶分散に
よる均質化が不十分で且つ熱間割れを起こすことがあり
、また560午0を越えるとバーニングが発生し易く、
48時間超ではMgの固溶分散が飽和状態に達するので
それ以上の加熱は不経済である。また熱間圧延は500
℃以下の開始温度で行なわなければならない。
前述の如く熱間圧延中の再結晶は動的再結晶であり、各
パス毎に少ない加工度で次々に再結晶する為、個々の再
結晶粒はたとえ微細であっても熱間圧延初期の結晶粒と
密接な関係があり、引き伸ばされた初期の結晶粒の中に
方位の異なった再結晶粒が生成している。この熱間圧延
初期の結晶粒がマクロ組織を構成するから、マクロ組織
を微細にする為には熱間圧延初期の結晶粒径を小さくす
るのが有効である。この様な観点から、熱間圧延中にお
ける熱間圧延材の表面付近の結晶粒径を小さくする条件
を考えると、熱間圧延温度を下げると共に1パス当りの
圧下量を大きくすればよいが、熱間圧延開始温度を50
0oo以下に設定してやれば、ディスク用基盤として十
分小さなマクロ組織を得ることができる。この様にして
熱間圧延を行なった後は、所定の板厚まで冷間圧延して
磁気ディスク基盤用の板材とされるが、この板材は、マ
トリックス中に微細な晶出物が均一に分散した、ミクロ
偏析のない微細なマクロ組織を有している。従ってこれ
を切削加工乃び研磨加工すれば、粗大晶出物に起因する
凹凸や粗大なマクロ組織に起因する微小うねりのない高
表面精度のディスク用基盤を得ることができ、磁気ディ
スクの大容量化及び高密度化の要請に答え得ることにな
った。次に実施例を挙げて本発明の効果を明確にする。
実施例 1 第1表に示す成分組成のAI合金溶湯を、常法に従い電
気化学的吸着現象を応用したフィルターで処理して非金
属介在物を除去した後、高温高速鋳造法で鋳造し、方向
の揃った微細な羽毛状晶(デンドラィトの平均セルサィ
ズ:33山m)の銭塊を得た。
得られた錆塊を面削して厚さ360肌のスラブを得、各
スラブを510こ○で8時間灼熱処理した後、6柳厚ま
で熱間圧延した。
尚熱間圧延の開始温度は480〜46000とした。次
いで袷間圧延して2.16肌厚に調整した後、2500
0で2時間蛾鈍して半硬化材とした。片面を約0.1柳
切削した後340ooで2時鴇電蟻鈍して軟質材とし、
次にパフ研磨して仕上げ、夫々の表面積度等を測定した
。また各欧質材の機械的性質も測定した。これらの結果
を第2表及び第1図に示す。尚金属間化合物については
、各研磨物の表面を1000倍の顕微鏡で圧延方向に0
.1脚、圧延方向と直角な方向に5肌の領域(面積:0
.5柵)20点を選択してこれらを測定した後、1柵当
りに換算し、1〆m以下、1ムm超2〃m以下、2仏m
超3山m以下、・・・・・・に分類し、化合物の大きさ
と数の分布状況を調べた。
第1図の符号は第1,2表の符号に対応する。
第1表 溶湯の成分組成 鰍第2表性能試験 これらの結果からも明らかな様に、本発明の要件を満足
する符号1及び2は、比較例(符号3,4)に比べて金
属間化合物の数及びサイズ共に著しく小さい値を示して
おり、従来材(従来から使用されているAA規格508
6合金:符号5)に比べると更に顕著な差がみられる。
実施例 2第3表に示す成分組成のAI合金熔湯を、実
施例1と同様にフィルターで処理して非金属介在物を除
去した後鋳造し、(A)参考写真1,2に示す様な方向
の揃った微細な羽毛状晶、(B)参考写真3,4,5に
示す様に方向に不揃いな粗い羽毛状晶及び(C)参考写
真6に示す様な粒状晶を有する夫々の鍵塊を得、面削を
施こして厚さ960側のスラブを得た。
得られた各スラブを530q0で6時間均熱処理した後
、490〜48000を開始温度として4.5側厚まで
熱間圧延を行ない、更に冷間圧延して2.16柳に調整
した。
以下実施例1と同様にして半硬化暁銘、欧質化競錨及び
パフ研磨を行ない、表面精度及び機械的性質を調べた。
結果を第4表及び第2図に示す。
第3表 溶湯の成分組成 協 第4表性能試験 これらの結果からも明らかな様に、本発明の要件を満足
する符号6の合金板は微小うねりが少なく且つ金属間化
合物の数及びサイズ共に小さい値を示している。
これに対し方向の不揃いな粗い結晶組織を有する符号7
の合金板には、微小うねりがみられると共に金属間化合
物のサイズが大きい。しかもこの合金板の研磨表面には
金属間化合物の集合体が観察され(参考写真7:100
0倍)、表面欠陥を生じることが確認された。また粒状
晶組織を有する符号8の合金板は、微小うねりは少ない
けれども金属間化合物のサイズが若干大きく且つ数も多
く、十分な表面精度は期待できない。施例 3第5表に
示す成分組成のAI合金溶湯を用い、実施例1と同様に
してフィルター処理及び鰭造を行なって微細な羽毛状晶
組織を有する銭塊を得、面肖りして36物舷厚のスラブ
を3個作製した。
このスラブを52000で1畑時間均熱処理した後、開
始温度を51000、473oo及び43500として
4.5肌厚まで熱間圧延し、次いで冷間圧延して2.1
6肋厚に調整した。以下実施例1と同様にして半硬化焼
錨、軟質化暁錨及びパフ研磨仕上げを行なった後、微小
うねりの程度を調べた。結果を第6表に示す。
第5表 溶湯の成分組織 燐 第6表 熱間圧延条件及び性能 これらの結果からも明らかな様に、熱間圧延開始温度が
500qoを越えると(符号9)、マクロ組織が粗くな
ると共に微小うねりが現われ易くなるので、熱間圧延開
始温度は500℃以下にするのがよし、。
尚参考写真8,9及び10は符号9,10及び11で得
た研磨仕上げ板を王水でエッチングした後のマクロ写真
(3倍)で、この写真からも明らかな如く熱間圧延開始
温度を500℃以下に設定したもの(符号10,11)
の表面精度は極めて優れている。
【図面の簡単な説明】
第1,2図は実施例で得たAI合金板中の金属間化合物
の分布状況を示すグラフである。 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 Mg:3〜6%及びCr:0.04〜0.1%を必
    須成分として含み、Si≦0.08%、Fe≦0.1%
    及びMn≦0.2%であるAl合金溶湯を、方向性の揃
    った羽毛状組織を有し且つ製品表面として露出される部
    位におけるデンドライトの平均セルサイズが35μm以
    下となるように鋳造し、得られた鋳塊を500℃以下の
    熱延開始温度で熱間圧延した後所望の板厚まで冷間圧延
    することを特徴とする磁気デイスク基盤用Al合金板の
    製造方法。
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