JPS6042506B2 - 記憶内容のエラ−訂正方式 - Google Patents

記憶内容のエラ−訂正方式

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JPS6042506B2
JPS6042506B2 JP55139176A JP13917680A JPS6042506B2 JP S6042506 B2 JPS6042506 B2 JP S6042506B2 JP 55139176 A JP55139176 A JP 55139176A JP 13917680 A JP13917680 A JP 13917680A JP S6042506 B2 JPS6042506 B2 JP S6042506B2
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功 木村
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1076Parity data used in redundant arrays of independent storages, e.g. in RAID systems
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Detection And Correction Of Errors (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、情報処理装置の記憶装置に発生するソフトエ
ラーの障害処理に関するものである。
ここで「ソフトエラー」とは、自然界に存在する微・弱
な放射線により、半導体素子に一時的に発生する不良を
いう。従来、ダイナミック型MOSメモリ素子はIKビ
ット、狙ビットのスケールのものが多くメモリ素子の形
状が大きいのでソフトエラーは発生しなかつた。
しかし、近年、メモリの高集積化が進み、16にビット
や64にビットの大容量メモリ素子が多く用いられるよ
うになり、メモリ素子の形状が小さくなつたため、メモ
リ素子のケースに含まれているウラニウムやトリウムが
放射性崩壊する際に放出されるアルファ粒子が半導体セ
ルに電子・正孔対を生成し、この電荷対の動きによりソ
フトエラーが発生することがわかつた。
ソフトエラーにより、メモリセルの「1」情報が「O」
情報に変化するエラーを生じる。このソフトエラーは従
来の固定的に故障となる1ビットエラー(ここでは「ハ
ードエラー」という。)と異なり、一時的なエラーで、
再書込をすれば正常に戻る。またソフトエラーが起る頻
度はハードエラーと比べると1晧〜10Cf3と非常に
大きい。このソフトエラーの訂正を行う方法として、従
来第1図に示すような1台のシステム制御装置1から1
台の記憶装置2をアクセスするシステム構成が知られて
いる。
第1図で3は演算処理装置、5は入出力制御装置、6は
診断プロセッサをそれぞれ示す。すなわち、記憶装置2
はサイクルタイムを2つ有し、読出命令では、1ビット
エラーがなければサイクルタイム1(例えば500r1
s)で実行し、1ビットエラーがあれば、遅いサイクル
タイム2(例えば700r1s)に延して1ビットエラ
ーの訂正と書戻しを実行している。しかし最近多く使用
される高性能、大規模システムは、2台のシステム制御
装置から1台または2台の記憶装置をアクセスする構成
である。
このため、記憶装置のアクセスビジー制御は2台のシス
テム制御装置で行うので、従来のように記憶装置は1ビ
ットエラーがあつたからといつて読出命令のサイクルを
サイクルタイム1からサイクルタイム2へ延して、記憶
装置自身で1ビットエラーの訂正と再書込を行いソフト
エラーの処理を行うことができない。本発明はこの点を
改良するもので、ソフトエラー障害に対して、これを正
しくメモリ訂正し、再書込みすることができソフトエラ
ーの処理を正確に行うことができ、ソフトエラーの頻発
から次に起る2ビットエラーを防止することができシス
テムの信頼度を向上することができるメモリシステムを
提供することを目的とする。
本発明は、半導体メモリを使用した記憶装置と、この記
憶装置のアクセスビジー制御を行うシステム制御装置と
、診断プロセッサとを備え、上記記憶装置の記憶内容に
1ビットエラーが検出されたとき、再書込によりこのエ
ラーを訂正する記憶内容のエラー訂正方式において、上
記記憶装置一に、読出データの1ビットエラー訂正およ
び2ビットエラー検出を行うエラー訂正検出回路と、1
ビットエラーを生じたアドレスを保持するとともにこの
アドレスを上記診断プロセッサに与えるエラーアドレス
レジスタ回路と、1ビットエラー検一出時に上記診断プ
ロセッサに割込信号を与える割込発生回路と、各種命令
を解読しこれらの回路を制御する制御部とを含み、上記
診断プロセッサに、上記割込発生回路からの割込信号を
受付る割込受付回路と、上記エラーアドレスレジスタ回
路からのエラーアドレスを保持する割込アドレスレジス
タと、上記記憶装置のこの割込アドレスレジスタが保持
するアドレスへの再書込を指示するメモリアクセス制御
部とを含み、上記再書込の指示があつたときに上記記憶
装置でこのアドレスの内容を読出し、上記エラー訂正検
出回路で読出内容を訂正してこのアドレスに再書込みを
行うように制御することを特徴とする。
本発明一実施例を図面に基づいて説明する。
第2図は一般的な要部システム構成図である。システム
制御装置11および12には、演算処理装置3,および
32がそれぞれ接続されている。このシステム制御装置
11および1。には、さらに入出力制御装置51および
52が、それぞれ接続されている。このシステム制御装
置11および1。には、診断プロセッサ6が接続されて
いる。また、このシステム制御装置11および12には
、記憶装置21および2。がそれぞれ接続されている。
第3図は本発明一実施例の要部ブロック構成図である。
第3図は第2図で示した診断プロセッサ6、システム制
御装置11および記憶装置21のみを示している。他の
システム制御装置12、記憶装置22についても同様で
あり図面からは省略されている。すなわち、システム制
御装置11には、記憶装置21内の制御部9が接続され
ている。
この制御部9の出力は記憶部10に導かれている。この
記憶部10はエラー訂正検出回路11に接続されている
。このエラー訂正検出回路11の出力は割込発生回路1
2に導かれている。このエラー訂正検出回路11には、
上記制御部9の出力が導かれている。
この制御部9の出力は、割込発生回路12およびエラー
アドレスレジスタ回路13にそれぞれ導かれている。こ
の割込発生回路12の割込信号は、システム制御装置1
1を通して診断プロセッサ6内の割込受付回路14に導
かれている。また、エラーアドレスレジスタ回路13の
内容は、システム制御装置11を通して、診断プロセッ
サ6内の割込アドレスレジスタ15に導かれている。さ
らにメモリアクセス制御部16の出力は、システム制御
装置11を介して制御部9に導かれている。このような
回路構成で、システム制御装置11,12は、演算処理
装置31,32と入出力処理装置51,52からの記憶
装置21,22へのアクセス制御を行う。
診断プロセッサ6は、システム制御装置11,12、演
算処理装置31,32、入出力処理装置51,52記憶
装置21,2。の障害発生時に各装置からの割込みを受
付け、障害処理を行う。例えば、装置からのエラーステ
イタス情報の集収、再試行制御、診断動作、再構成等の
処理を行う。いま、演算処理装置31からの読出命令が
記憶装置21に転送される場合について本発明の特徴あ
る動作を説明する。
記憶装置21は制御回路9でこの命令を解読し、記憶部
10に命令パルス、アドレス等を与える。記憶部10か
らの読出データはエラー訂正検出回路11に送られ、1
ビットエラー訂正、2ビットエラーの検出が行われる。
もし、1ビットエラーが検出された場合には、読出デー
タは訂正されて、システム制御装置11を経由して演算
処理装置31へ送られる。このときに、エラーアドレス
はアドレスレジスタ回路13に保持され、同時に割込発
生回路12から割込信号17が、システム制御装置21
を経由して、診断プロセッサ6に転送される。
診断プロセッサ6では、割込信号17を受付回路14で
受取り、記憶装置21からのエラーアドレス18をアド
レスレジスタ15に取込み、これを保持する。さらに、
メモリアクセス制御部16は記憶装置21に対し、書込
バイト指定を全てROョ(すなわち書込バイト指定なし
、)で読出データをそのまま再書込するために、1つの
再書込命令を1ビットエラーを起したアドレスに対して
転送する。記憶装置21はこの命令を制御部9で受付け
、まず指定アドレスを読出し、読出データをエラー訂正
検出回路11に送り1ビットを訂正した後にその読出デ
ータを同一アドレスに再書込みする動作を行う。この部
分書込命令では1ビットエラーを検出しても、割込発生
回路12は割込信号17を出力しない。これによつて、
指定アドレスには1ビットが訂正された正しいデータが
書込まれるので、ソフトエラーによる障害は処理された
ことになる。ここで、診断プロセッサ6からのソフトエ
ラーを訂正する部分書込命令は、記憶装置21からの割
込信号17が送られてから直ちに出力される必要はなく
、診断プロセッサ6が処理中の動作があれば、その動作
の終了後に出力してもよい。
なお、上記実施例では主記憶装置のソフトエラーの場合
について説明したが、主記憶装置に限らず、演算処理装
置の内部にあるマイクロプログラム用メモリおよび高速
バッファメモリについても、1ビットエラー訂正2ビッ
トエラー検出機能を持つていれば、本発明を同様に実施
することができる。本発明は以上説明したように、記憶
装置で1ビットエラーを検出したときには、このアドレ
ス情報を割込信号により診断プロセッサに与え、このア
ドレス情報を診断プロセッサ内で保持し、診断プロセッ
サが記憶装置に対してこのアドレスに再書込の指定を与
え、記憶装置でこのアドレス読出データをエラー訂正し
て再書込することとした。
したがつて、高集積化メモリ素子で発生するソフトエラ
ーを訂正して再書込みすることができ、しかも従来と比
較してその処理を著しく正確に行うことができ、記憶装
置の信頼性を著しく向上することができ、システム全体
の信頼性も著しく向上することがてきる等の優れた効果
を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の要部システム構成図。 第2図・は一般的な要部システム構成図。第3図は本発
明一実施例の要部ブロック構成図。1,111。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体メモリを使用した記憶装置と、この記憶装置
    のアクセスビジー制御を行うシステム制御装置と、診断
    プロセッサと、 上記記憶装置の記憶内容に1ビットエラーが検出された
    とき再書込によりこのエラーを訂正する手段とを備えた
    記憶内容のエラー訂正方式において、上記記憶装置に、
    読出データの1ビットエラー訂正および2ビットエラー
    検出を行うエラー訂正検出回路と、1ビットエラーを生
    じたアドレスを保持するとともにこのアドレスを上記診
    断プロセッサに与えるエラーアドレスレジスタ回路と、
    1ビットエラー検出時に上記診断プロセッサに割込信号
    を与える割込発生回路と、各種命令を解読しこれらの回
    路を制御する制御部とを含み、 上記診断プロセッサに、 上記割込発生回路からの割込信号を受付ける割込受付回
    路と、上記エラーアドレスレジスタ回路からのエラーア
    ドレスを保持する割込アドレスレジスタと、上記記憶装
    置のこの割込アドレスレジスタが保持するアドレスへの
    再書込を指示するメモリアクセス制御部とを含み、 上記訂正する手段は、上記再書込の指示があつたときに
    上記記憶装置でこのアクセスの内容を読出し上記エラー
    訂正検出回路で読出内容を訂正してこのアドレスに再書
    込みを行う構成であることを特徴とする記憶内容のエラ
    ー訂正方式。
JP55139176A 1980-10-03 1980-10-03 記憶内容のエラ−訂正方式 Expired JPS6042506B2 (ja)

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JPH03157744A (ja) * 1989-11-15 1991-07-05 Nec Field Service Ltd エラー訂正再書き込み方式
JP4734003B2 (ja) * 2005-03-17 2011-07-27 富士通株式会社 ソフトエラー訂正方法、メモリ制御装置及びメモリシステム

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