JPS604163A - スルフアイド化合物 - Google Patents
スルフアイド化合物Info
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- JPS604163A JPS604163A JP58112459A JP11245983A JPS604163A JP S604163 A JPS604163 A JP S604163A JP 58112459 A JP58112459 A JP 58112459A JP 11245983 A JP11245983 A JP 11245983A JP S604163 A JPS604163 A JP S604163A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なスルファイド化合物に関する。
本発明のスルファイド化合物は下記一般式(I)で表わ
される。
される。
〔式中R□は低級アルキル基を、R2は水素原子または
低級アル中ル基を、R3け水素原子、低級アル十ル基、
シクロアル中ル基、カルボ牛ジメチル基シル基及びR5
は水素原子、低級アルコ+シ基、ハロゲン原子、水酸基
、トリフルオロメチル基、低級アシル基、低級アル士ル
基、テトラリリルカルバモイル基、カルボ士ジメチル基
、3−(2−オ十ソー4−ハイド0+シテトラハイド0
フリル)オ十シ基または低級アルコ+ジカルボニルメチ
ルカルバモイル基を示す)を夫々示す。またR2及びR
3は互いに結合してメチレン鎖となり之等の結合する窒
素原子と共に複素環基を形成してもよい。
低級アル中ル基を、R3け水素原子、低級アル十ル基、
シクロアル中ル基、カルボ牛ジメチル基シル基及びR5
は水素原子、低級アルコ+シ基、ハロゲン原子、水酸基
、トリフルオロメチル基、低級アシル基、低級アル士ル
基、テトラリリルカルバモイル基、カルボ士ジメチル基
、3−(2−オ十ソー4−ハイド0+シテトラハイド0
フリル)オ十シ基または低級アルコ+ジカルボニルメチ
ルカルバモイル基を示す)を夫々示す。またR2及びR
3は互いに結合してメチレン鎖となり之等の結合する窒
素原子と共に複素環基を形成してもよい。
aは1〜3の整数を示す。〕
上記一般式(I)中R□、R2、R3及びR5で表わさ
れる低級アル+ル基としては炭素数1〜6のアル士ル基
、例えばメチル、エチル、づOヒル、インづ0ピル、づ
チル、インづチル、t−づチル、ベシチル、へ+シル基
等を例示できる。
れる低級アル+ル基としては炭素数1〜6のアル士ル基
、例えばメチル、エチル、づOヒル、インづ0ピル、づ
チル、インづチル、t−づチル、ベシチル、へ+シル基
等を例示できる。
一般式(I)中R3で表わされるシフ0アル+ル基とし
ては、炭素数5〜7のシフ0アル+ル基部ちシクロペシ
チル、シフOへ牛シル、シクロへづチアルコ+シ基とし
ては、炭素数IQ−6のアル]十シ基例えばメト+シ、
エト+シ、づロピルオ+シ、イソづ0ピルオ十シ、づト
十シ、t−づト十シ。
ては、炭素数5〜7のシフ0アル+ル基部ちシクロペシ
チル、シフOへ牛シル、シクロへづチアルコ+シ基とし
ては、炭素数IQ−6のアル]十シ基例えばメト+シ、
エト+シ、づロピルオ+シ、イソづ0ピルオ十シ、づト
十シ、t−づト十シ。
級アシル基としては、炭素数2〜6のアシル基例えばア
セチル、づ0ヒオニル、づチリル、ピバロイル、力づロ
イル基等を;低級アルコ士ジカルボニルメチルカルバt
イル基としては、炭素数4〜9のアルコ十ジカルボニル
メチルカルバ七イル基例えばメト牛ジカルボニルメチル
カルバtイル、エト十ジカルボニルメチルカルバモイル
、づ口ごルオ+ジカルボニルメチルカルバ七イル、イソ
づOヒルオ+ジカルボニルメチルカルバ七イル、づト十
ジカルボニルメチルカルバ七イル、を−づト十ジカルボ
ニルメチルカルバモイル、へ士シ0士ジカルボニルメチ
ルカルバtイル基等を夫々例示することができる。
セチル、づ0ヒオニル、づチリル、ピバロイル、力づロ
イル基等を;低級アルコ士ジカルボニルメチルカルバt
イル基としては、炭素数4〜9のアルコ十ジカルボニル
メチルカルバ七イル基例えばメト牛ジカルボニルメチル
カルバtイル、エト十ジカルボニルメチルカルバモイル
、づ口ごルオ+ジカルボニルメチルカルバ七イル、イソ
づOヒルオ+ジカルボニルメチルカルバ七イル、づト十
ジカルボニルメチルカルバ七イル、を−づト十ジカルボ
ニルメチルカルバモイル、へ士シ0士ジカルボニルメチ
ルカルバtイル基等を夫々例示することができる。
また上記一般式(■)中R2及びR3が互いに結合して
形成し得るメチレン鎖としては、例えばエチレン、トリ
メチレン、テトラメチレジ、ベシタメチレシ、へ+サメ
チレシ鎖等を例示することができる。
形成し得るメチレン鎖としては、例えばエチレン、トリ
メチレン、テトラメチレジ、ベシタメチレシ、へ+サメ
チレシ鎖等を例示することができる。
本発明の上記一般式(I)で表わされるスルフィド化合
物は、例えば下記反応式(,4) K示す方法に従い、
一般式(I[[)で表わされ抗アレル甲−作用を有する
スルホニウム化合物を容易に誘導することができ、かか
る抗アレルギー作用を有する医薬品の合成原料として有
用である。
物は、例えば下記反応式(,4) K示す方法に従い、
一般式(I[[)で表わされ抗アレル甲−作用を有する
スルホニウム化合物を容易に誘導することができ、かか
る抗アレルギー作用を有する医薬品の合成原料として有
用である。
反応式(A)
(I) (I[)
(III)
〔各式中R工、R2、R3及びルは上記に同じ。R6は
低級アルキル基及びYは酸残基を示す。〕上記反応式(
A)K示す反応は、溶媒中または無溶媒で、約−30〜
150℃、好ましくは0〜100℃の温度条件下に、約
0.5〜72時間を要して行なわれる。溶媒としてはメ
タノール、エタノール、−5oパノール等のアルコール
類;アセトニトリル、ニドOメタシ、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホ士サイド等の極性溶媒;メチリン
ク0ライド、りOoホルム等のハ0ゲシ化炭化水素;ベ
シゼン、トルニジ、士シレシ等の芳香族炭化水素類;エ
チルエーテル、joヒルエーテル等のエーテル類:その
他アセトシ、石油エーテル、酢酸エチル、水及びこれら
溶媒の混合溶媒等を使用できる。反応は必要に応じて密
閉容器中で行なうことができる。また一般式(II)で
表わされる化合物は、通常本発明の一般式(I)で表わ
されるスルファイド化合物に対して、過剰量、好ましく
は約l〜4倍モル量用いられる。上記反応式(A)に示
す一般式(m)で表わされるスルホニウム化合物の合成
の詳細は、後記参考例に示す通りである。
低級アルキル基及びYは酸残基を示す。〕上記反応式(
A)K示す反応は、溶媒中または無溶媒で、約−30〜
150℃、好ましくは0〜100℃の温度条件下に、約
0.5〜72時間を要して行なわれる。溶媒としてはメ
タノール、エタノール、−5oパノール等のアルコール
類;アセトニトリル、ニドOメタシ、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホ士サイド等の極性溶媒;メチリン
ク0ライド、りOoホルム等のハ0ゲシ化炭化水素;ベ
シゼン、トルニジ、士シレシ等の芳香族炭化水素類;エ
チルエーテル、joヒルエーテル等のエーテル類:その
他アセトシ、石油エーテル、酢酸エチル、水及びこれら
溶媒の混合溶媒等を使用できる。反応は必要に応じて密
閉容器中で行なうことができる。また一般式(II)で
表わされる化合物は、通常本発明の一般式(I)で表わ
されるスルファイド化合物に対して、過剰量、好ましく
は約l〜4倍モル量用いられる。上記反応式(A)に示
す一般式(m)で表わされるスルホニウム化合物の合成
の詳細は、後記参考例に示す通りである。
以下本発明化合物の製造につき詳述する。
本発明の化合物は種々の方法で製造され、例えば下記反
応式CB>に示される方法で容易に製造される。
応式CB>に示される方法で容易に製造される。
反応式(B)
(rv) (v)
(I)
〔各式中R□、R2、R3及びルは上記に同じ。〕上記
反応式(B)に示される方法は、一般式(IV)で表わ
されるカルボン酸と、一般式(v)で表わされるアミン
との、通常のアミド結合生成反応を利用したものである
。上記方法においては一般式料化合物を用いたアミド結
合生成反応においては、公知のアミド結合生成反応と同
様の反応条件、操作等を採用することができる。該反応
はより詳細には以下の各方法のいずれかに従い容易に実
施することができる。
反応式(B)に示される方法は、一般式(IV)で表わ
されるカルボン酸と、一般式(v)で表わされるアミン
との、通常のアミド結合生成反応を利用したものである
。上記方法においては一般式料化合物を用いたアミド結
合生成反応においては、公知のアミド結合生成反応と同
様の反応条件、操作等を採用することができる。該反応
はより詳細には以下の各方法のいずれかに従い容易に実
施することができる。
(−1’) カルポジ酸ハライド法;即ち一般式(IV
)のカルボン酸のハライド化合物に、一般式(V)のア
ミンを反応させる方法 (0) ジシク0へ士ジルカルボジイミド法;即ち一般
式(IV)のカルボン酸とじシフ0へ+ジルカルボジイ
ミドと一般式(v)のアミンとを反応させる方法 Q〜 カルポニルジイミタジール法;即ち一般式(IV
)のカルボン酸にカルボニルジイミタジールを反応させ
た後、生成物に一般式(■)のアミンを反応させる方法 (= カルポジ酸無水物法;即ち一般式(IV)のカル
ポジ酸を例えば無水酢酸等の脱水剤によりカルボン酸無
水物とした後、これに一般式(v)のアミンを反応させ
る方法 (削 カルボン酸エステル法;即ち一般式(IV)のカ
ルボン酸と、例えば低級アルコール等との反応により得
られるエステルに、一般式(■)のアミンを高温高圧下
に反応させる方法 (へ 活性エステル法:即ち一般式(IV)のカルポジ
酸を例えばp−ニドOフェニルエステル、N−しドロ士
シコハク酸イミドエステル等の活性エステルとした後、
これに一般式(V)のアミンを反応させる方法 (ト)混合酸無水物法;即ち一般式(IV)のカルボン
酸に例えばへ〇カルボン酸アル+ルエステルを反応させ
て混合酸無水物とし、これに一般式(V)のアミンを反
応きせる方法 上記(−1’l〜(ト)の方法のうちでは、(イ)f示
すカルボジ酸ハライド法が特に好ましいものである。該
カルボン酸ハライド法において、一般式(IV)のカル
ボン酸のハライド化合物は、常法に従い一般式(IV)
のカルボン酸とハロゲン化剤例えば塩化チオニル、オ士
シ塩化リン、オ+シ臭化すシ、五塩化リン、五臭化リン
等とを無溶媒又は適当な溶媒中で反応させることにより
得られる。該カルボン酸ハライドと、一般式(V)のア
ミンとの反応は、好ましくは塩基性化合物、例えばナト
リウム、カリウム等のアルカリ金属、これらの水素化物
、これらの水酸化物又はこれらの炭酸塩或いはヒリジン
、七ルホリシ、ピペリ、;シ、ごペラジシ、トリエチル
ア、l:、7等の存在下、無溶媒或いは溶媒中、約0〜
200℃、好ましくは約0〜100℃の温度条件下に約
0.1〜24時間を要して行なわれる。一般式(■)の
アミンは、カルポジ酸ハライドに対し、過剰量使用して
も良いが、好ましくは理論量の約1〜4倍モル量使用す
るのが良い。溶媒としては例えばり00ホルム、メチレ
ンクロライド、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類;
ジオ+サン、テトラハイド0フラジ、ジエチルエーテル
、イソプロヒルエーテル等のエーテル類:ニトロメタシ
、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ牛シト等の極
性溶媒類:ベシiy、トルエy1十シレシ等の芳香族炭
化水素類:酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類及び
水又はこれらの混合溶媒等が有利に使用できる。
)のカルボン酸のハライド化合物に、一般式(V)のア
ミンを反応させる方法 (0) ジシク0へ士ジルカルボジイミド法;即ち一般
式(IV)のカルボン酸とじシフ0へ+ジルカルボジイ
ミドと一般式(v)のアミンとを反応させる方法 Q〜 カルポニルジイミタジール法;即ち一般式(IV
)のカルボン酸にカルボニルジイミタジールを反応させ
た後、生成物に一般式(■)のアミンを反応させる方法 (= カルポジ酸無水物法;即ち一般式(IV)のカル
ポジ酸を例えば無水酢酸等の脱水剤によりカルボン酸無
水物とした後、これに一般式(v)のアミンを反応させ
る方法 (削 カルボン酸エステル法;即ち一般式(IV)のカ
ルボン酸と、例えば低級アルコール等との反応により得
られるエステルに、一般式(■)のアミンを高温高圧下
に反応させる方法 (へ 活性エステル法:即ち一般式(IV)のカルポジ
酸を例えばp−ニドOフェニルエステル、N−しドロ士
シコハク酸イミドエステル等の活性エステルとした後、
これに一般式(V)のアミンを反応させる方法 (ト)混合酸無水物法;即ち一般式(IV)のカルボン
酸に例えばへ〇カルボン酸アル+ルエステルを反応させ
て混合酸無水物とし、これに一般式(V)のアミンを反
応きせる方法 上記(−1’l〜(ト)の方法のうちでは、(イ)f示
すカルボジ酸ハライド法が特に好ましいものである。該
カルボン酸ハライド法において、一般式(IV)のカル
ボン酸のハライド化合物は、常法に従い一般式(IV)
のカルボン酸とハロゲン化剤例えば塩化チオニル、オ士
シ塩化リン、オ+シ臭化すシ、五塩化リン、五臭化リン
等とを無溶媒又は適当な溶媒中で反応させることにより
得られる。該カルボン酸ハライドと、一般式(V)のア
ミンとの反応は、好ましくは塩基性化合物、例えばナト
リウム、カリウム等のアルカリ金属、これらの水素化物
、これらの水酸化物又はこれらの炭酸塩或いはヒリジン
、七ルホリシ、ピペリ、;シ、ごペラジシ、トリエチル
ア、l:、7等の存在下、無溶媒或いは溶媒中、約0〜
200℃、好ましくは約0〜100℃の温度条件下に約
0.1〜24時間を要して行なわれる。一般式(■)の
アミンは、カルポジ酸ハライドに対し、過剰量使用して
も良いが、好ましくは理論量の約1〜4倍モル量使用す
るのが良い。溶媒としては例えばり00ホルム、メチレ
ンクロライド、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類;
ジオ+サン、テトラハイド0フラジ、ジエチルエーテル
、イソプロヒルエーテル等のエーテル類:ニトロメタシ
、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ牛シト等の極
性溶媒類:ベシiy、トルエy1十シレシ等の芳香族炭
化水素類:酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類及び
水又はこれらの混合溶媒等が有利に使用できる。
上記反応式(B)に示す反応に従い得られる一般式(I
)の本発明化合物は、通常用いられている分離手段、例
えば沈殿法、抽出法、再結晶法、蒸留法、カラムクロマ
トクラフィーまたはづレパラテイづ薄層クロマトグラフ
ィー等により容易に単離、精製することができる。
)の本発明化合物は、通常用いられている分離手段、例
えば沈殿法、抽出法、再結晶法、蒸留法、カラムクロマ
トクラフィーまたはづレパラテイづ薄層クロマトグラフ
ィー等により容易に単離、精製することができる。
以下本発明化合物の製造例を実施例として挙げ、次いで
本発明化合物からの抗アレル甲−作用を有するスルホニ
ウム化合物の合成例を参考例とじて挙げ、本発明を更に
詳しく説明する。
本発明化合物からの抗アレル甲−作用を有するスルホニ
ウム化合物の合成例を参考例とじて挙げ、本発明を更に
詳しく説明する。
実施例 1
2−シクロへ中ジルカルバモイルエチルメチルスルファ
イド(化合物l)の合成 エーテル100m1Kシクロへ士シルアミシ21.4F
及びトリエチルアミ、724.Oりを溶解させる。これ
に、氷冷下、β−メチルメルカづトづ口じオニルクロラ
イド30.Orを加える。室温で2時間攪拌し、反応液
を水洗する。芒硝脱水後、エーテル層を濃縮し、残渣を
シクロへ十サシよ秒再結晶して2−シフOへ中ジルカル
バモイルエチルメチルスルファイド(化合物1 ) 4
2.5 F (収率97.7%)を得る。
イド(化合物l)の合成 エーテル100m1Kシクロへ士シルアミシ21.4F
及びトリエチルアミ、724.Oりを溶解させる。これ
に、氷冷下、β−メチルメルカづトづ口じオニルクロラ
イド30.Orを加える。室温で2時間攪拌し、反応液
を水洗する。芒硝脱水後、エーテル層を濃縮し、残渣を
シクロへ十サシよ秒再結晶して2−シフOへ中ジルカル
バモイルエチルメチルスルファイド(化合物1 ) 4
2.5 F (収率97.7%)を得る。
m193−94℃
実施例 2
実施例1と同様の操作により、後記表1に示す化合物5
.6及び8を合成した。
.6及び8を合成した。
実施例 3
2−(メチルフェニルカルバモイル)エチルメチルスル
ファイド(化合物2)の合成 ベンl/looゴにメチルアニリシ10.7f及びヒリ
ジシ9.49Fを溶解させる。これに、水冷下、β−メ
チルメルカづトー5oヒオニルクDライドI3.9fを
加える。室温で1時間攪拌し、反応液を水洗する。芒硝
脱水後、ベシゼン層を濃縮し、残渣を減圧蒸留して2−
(メチルフェニルカルバモイル)エチルメチルスルファ
イド(化合物2)19.9F(収率95.2チ)を得る
。
ファイド(化合物2)の合成 ベンl/looゴにメチルアニリシ10.7f及びヒリ
ジシ9.49Fを溶解させる。これに、水冷下、β−メ
チルメルカづトー5oヒオニルクDライドI3.9fを
加える。室温で1時間攪拌し、反応液を水洗する。芒硝
脱水後、ベシゼン層を濃縮し、残渣を減圧蒸留して2−
(メチルフェニルカルバモイル)エチルメチルスルファ
イド(化合物2)19.9F(収率95.2チ)を得る
。
hP149−150℃/ 2 tmHf実施例 4
実施例3と同様の操作により、後記表1に示す化合物4
、l0111及びI3を合成した。
、l0111及びI3を合成した。
実施例 5
2−(カルボ+ジメチルカルバtイル)エチルメチルス
ルファイド(化合物3)の合成水酸化ナトリウム8.5
f及び水100rLIKJリシン7.519を溶解し、
氷冷下、β−メチルメルカづト″50ヒオニルク0ライ
ド13.9tを滴下する。同温度で1時間攪拌する。反
応液を塩酸酸性にした後、酢酸エチルで抽出する。酢酸
エチル層を水洗し、芒硝脱水後、濃縮する。残渣をり0
0ホルムより再結晶して2−(カルボ士ジメチルカルバ
tイル)エチルメチルスルファイド(化合物3)16.
5F(収率93.2%)を得る。
ルファイド(化合物3)の合成水酸化ナトリウム8.5
f及び水100rLIKJリシン7.519を溶解し、
氷冷下、β−メチルメルカづト″50ヒオニルク0ライ
ド13.9tを滴下する。同温度で1時間攪拌する。反
応液を塩酸酸性にした後、酢酸エチルで抽出する。酢酸
エチル層を水洗し、芒硝脱水後、濃縮する。残渣をり0
0ホルムより再結晶して2−(カルボ士ジメチルカルバ
tイル)エチルメチルスルファイド(化合物3)16.
5F(収率93.2%)を得る。
yxp97−98℃
実施例 6
実施例5と同様の操作により、後記表1に示す化合物7
.16.19.20.2!、22及び23を合成した。
.16.19.20.2!、22及び23を合成した。
実施例 7
2−(4−ハイド0+ジフエニルカルバ七イル)エチル
メチルスルファイド(化合物9)の合成メチレンクロラ
イド600m及びジメチルホルムアミド100dの混合
溶媒に、4−アミノフエノール24.8fを溶解し、氷
冷下β−メチルメル力づトづOピオニルクロライド+5
.8fを滴下する。滴下後室温で12時間攪拌する。反
応液をIN−塩酸水溶液、ついで水で洗浄し、芒硝脱水
後濃縮する。残渣をりOoホルムより再結晶して2−(
4−ハイドロ牛ジフェニルカルバtイル)エチルメチル
スルファイド(化合物9 ) 22.5 y(収率93
.4%)を得る。
メチルスルファイド(化合物9)の合成メチレンクロラ
イド600m及びジメチルホルムアミド100dの混合
溶媒に、4−アミノフエノール24.8fを溶解し、氷
冷下β−メチルメル力づトづOピオニルクロライド+5
.8fを滴下する。滴下後室温で12時間攪拌する。反
応液をIN−塩酸水溶液、ついで水で洗浄し、芒硝脱水
後濃縮する。残渣をりOoホルムより再結晶して2−(
4−ハイドロ牛ジフェニルカルバtイル)エチルメチル
スルファイド(化合物9 ) 22.5 y(収率93
.4%)を得る。
mP 115−116℃
実施例 8
2−(4−アセチルフェニルカルバ七イル)エチルメチ
ルスルファイド(化合物12)の合成ジメチルホルムア
ミド20−に4−アセチルアニリン13.5F及びトリ
エチルアミ、715.2Fを溶解し、氷冷下β−メチル
メルカづトづロヒオニルク0ライドI3.9fを滴下す
る。滴下後室温で2時間攪拌する。反応液を濃縮し、残
渣を酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル層を水洗し、芒硝
脱水後、濃縮する。残渣をアセトニトリルより再結晶し
て、2−(4−アセチルフェニルカルバ七イル)エチル
メチルスルファイド(化合物12 ) 21.82(収
率92.0チ)を得る。
ルスルファイド(化合物12)の合成ジメチルホルムア
ミド20−に4−アセチルアニリン13.5F及びトリ
エチルアミ、715.2Fを溶解し、氷冷下β−メチル
メルカづトづロヒオニルク0ライドI3.9fを滴下す
る。滴下後室温で2時間攪拌する。反応液を濃縮し、残
渣を酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル層を水洗し、芒硝
脱水後、濃縮する。残渣をアセトニトリルより再結晶し
て、2−(4−アセチルフェニルカルバ七イル)エチル
メチルスルファイド(化合物12 ) 21.82(収
率92.0チ)を得る。
mP 107℃
実施例 9
実施例8と同様の操作により、後記表1に示す化合物1
4.15.17及び18を合成した。
4.15.17及び18を合成した。
参考例 l
ジメチル−2−シフ0へ牛ジルカルバtイルエチルスル
ホニウム p−トルエンスルホネートの合成 2−シフ0へ+ジルカルバ上イルエチルメチルスルファ
イド2.0Ifをメチレンクロライド30m1に溶解彼
、これにp−トルニジスルホン酸メチル5.589を加
えて室温で48時間攪拌する。反応液にエーテルを加え
不溶部を炉取し、エタノール−エーテルより再結晶して
、ジメチル−2−シクロへ+ジルカルバモイルエチルス
ルホニウムp−トルエンスルホネート3.68f(収率
94.8係)を得る。
ホニウム p−トルエンスルホネートの合成 2−シフ0へ+ジルカルバ上イルエチルメチルスルファ
イド2.0Ifをメチレンクロライド30m1に溶解彼
、これにp−トルニジスルホン酸メチル5.589を加
えて室温で48時間攪拌する。反応液にエーテルを加え
不溶部を炉取し、エタノール−エーテルより再結晶して
、ジメチル−2−シクロへ+ジルカルバモイルエチルス
ルホニウムp−トルエンスルホネート3.68f(収率
94.8係)を得る。
扉P 187−188℃
上記各実施例で得られた化合物(化合物1−23)の構
造と共に、各側における収率(チ)並びに各化合物のm
p (℃)と元素分析値又はb p (’C)と核磁
気共鳴スペクトル(NMR)分析結果(δ値、 ppm
)を下記表IN示す。尚表1中元素分析値における(
)を付して示した数値は計算値(チ)を、また()を付
さないで示した数値は実測値(チ)を示すものとする。
造と共に、各側における収率(チ)並びに各化合物のm
p (℃)と元素分析値又はb p (’C)と核磁
気共鳴スペクトル(NMR)分析結果(δ値、 ppm
)を下記表IN示す。尚表1中元素分析値における(
)を付して示した数値は計算値(チ)を、また()を付
さないで示した数値は実測値(チ)を示すものとする。
またNMRはDMS O−d6中、TMSを内部標準物
質として測定した値である。
質として測定した値である。
(以 上)
手続補正書軸発)
1、事件の表示
昭和58年特 許 願第 112459号2° 発明0
名称 スルファイド化合物3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大鵬薬品工業株式会社 自 発 別紙添附の通り 補 正 の 内 容 1 明細書第5頁第3〜4行に「スルフィド化合物」と
あるを1スルファイド化合物」と訂正する。
名称 スルファイド化合物3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大鵬薬品工業株式会社 自 発 別紙添附の通り 補 正 の 内 容 1 明細書第5頁第3〜4行に「スルフィド化合物」と
あるを1スルファイド化合物」と訂正する。
2 明細書第18頁1表1」中化合物番号2の化合物の
欄の記載を次の通り訂正する。
欄の記載を次の通り訂正する。
3 明細書第22頁「表1」中化合物番号14のml又
は6戸の欄に「ml282〜281.5℃」とちるを「
m lj 280.0〜281.5°C」と訂正する。
は6戸の欄に「ml282〜281.5℃」とちるを「
m lj 280.0〜281.5°C」と訂正する。
(以 上)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中R工は低級アル+ル基を、R2は水素原子または
低級アルキル基を、R3は水素原子、低級アル+ル基、
シクOアル+ル基、カルボ+シメカルボ中シル基及びR
5は水素原子、低級アルコ十シ基、ハロゲン原子、水酸
基、トリフルオロメチル基、低級アシル基、低級アル中
ル基、テトラリリル力ルバ七イル基、カルボ士ジメチル
基、3−(2−オ十ンー4−ハイド0+シテトラハイド
Oフリル)オ十シ基または低級アルコ牛ジカルボニルメ
チルカルバ七イル基を示す)を夫々示す。またR2及び
R3は互いに結合してメチレン鎖となり之等の結合する
窒素原子と共に複素環基を形成してもよい。ルは1〜3
の整数を示す。〕 で表わされるスルファイド化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58112459A JPS604163A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | スルフアイド化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58112459A JPS604163A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | スルフアイド化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS604163A true JPS604163A (ja) | 1985-01-10 |
JPH0427977B2 JPH0427977B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=14587161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58112459A Granted JPS604163A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | スルフアイド化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS604163A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009275371A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 自動車用ドア |
CN108440358A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-08-24 | 重庆柳江医药科技有限公司 | 甲磺司特及中间体的制备方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016060126A (ja) | 2014-09-18 | 2016-04-25 | リンテック株式会社 | 印刷用シートおよびその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1921841A1 (de) * | 1968-05-06 | 1969-11-20 | Ciba Geigy | Schaedlingsbekaempfungsmittel |
JPS5037651A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 | ||
JPS5463044A (en) * | 1977-09-29 | 1979-05-21 | Reckitt & Colmann Prod Ltd | Organic compound |
JPS5511503A (en) * | 1978-06-05 | 1980-01-26 | Sankyo Co Ltd | Condensed heterocyclic compound |
JPS5630411A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-27 | Nitto Chem Ind Co Ltd | Preparation of acrylamide polymer |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP58112459A patent/JPS604163A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1921841A1 (de) * | 1968-05-06 | 1969-11-20 | Ciba Geigy | Schaedlingsbekaempfungsmittel |
JPS5037651A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 | ||
JPS5463044A (en) * | 1977-09-29 | 1979-05-21 | Reckitt & Colmann Prod Ltd | Organic compound |
JPS5511503A (en) * | 1978-06-05 | 1980-01-26 | Sankyo Co Ltd | Condensed heterocyclic compound |
JPS5630411A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-27 | Nitto Chem Ind Co Ltd | Preparation of acrylamide polymer |
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---|---|---|---|---|
JP2009275371A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 自動車用ドア |
CN108440358A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-08-24 | 重庆柳江医药科技有限公司 | 甲磺司特及中间体的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0427977B2 (ja) | 1992-05-13 |
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