JPS6041229A - 半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及びその製造装置

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JPS6041229A
JPS6041229A JP58149237A JP14923783A JPS6041229A JP S6041229 A JPS6041229 A JP S6041229A JP 58149237 A JP58149237 A JP 58149237A JP 14923783 A JP14923783 A JP 14923783A JP S6041229 A JPS6041229 A JP S6041229A
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etching
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寿博 杉井
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隆司 伊藤
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61283129A (ja) * 1985-06-08 1986-12-13 Sony Corp エツチング方法
JPS62174969A (ja) * 1986-01-28 1987-07-31 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS6365648A (ja) * 1986-09-05 1988-03-24 Fujitsu Ltd 半導体基板の製造方法
JPS63110726A (ja) * 1986-10-29 1988-05-16 Hitachi Ltd エツチング方法
JPH01103836A (ja) * 1987-07-02 1989-04-20 Toshiba Corp ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
JPH01295424A (ja) * 1988-01-14 1989-11-29 Sanyo Electric Co Ltd 光励起エッチング方法
JPH02220438A (ja) * 1989-02-22 1990-09-03 Hitachi Ltd レーザ処理方法およびその装置
JPH0342825A (ja) * 1989-07-11 1991-02-25 Tokyo Electron Ltd アッシング方法
JP2021094711A (ja) * 2019-12-13 2021-06-24 Ｔｏｙｏ Ｔｉｒｅ株式会社 空気入りタイヤの製造装置及び製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55149643A (en) * 1979-05-07 1980-11-21 Perkin Elmer Corp Method and device for chemically treating material to be treated
JPS57202732A (en) * 1981-06-05 1982-12-11 Mitsubishi Electric Corp Fine pattern formation
JPS5863136A (ja) * 1981-10-09 1983-04-14 Seiko Epson Corp 光ドライエツチング装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55149643A (en) * 1979-05-07 1980-11-21 Perkin Elmer Corp Method and device for chemically treating material to be treated
JPS57202732A (en) * 1981-06-05 1982-12-11 Mitsubishi Electric Corp Fine pattern formation
JPS5863136A (ja) * 1981-10-09 1983-04-14 Seiko Epson Corp 光ドライエツチング装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61283129A (ja) * 1985-06-08 1986-12-13 Sony Corp エツチング方法
JPS62174969A (ja) * 1986-01-28 1987-07-31 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS6365648A (ja) * 1986-09-05 1988-03-24 Fujitsu Ltd 半導体基板の製造方法
JPS63110726A (ja) * 1986-10-29 1988-05-16 Hitachi Ltd エツチング方法
JPH01103836A (ja) * 1987-07-02 1989-04-20 Toshiba Corp ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
JPH01295424A (ja) * 1988-01-14 1989-11-29 Sanyo Electric Co Ltd 光励起エッチング方法
JPH02220438A (ja) * 1989-02-22 1990-09-03 Hitachi Ltd レーザ処理方法およびその装置
JPH0342825A (ja) * 1989-07-11 1991-02-25 Tokyo Electron Ltd アッシング方法
JP2021094711A (ja) * 2019-12-13 2021-06-24 Ｔｏｙｏ Ｔｉｒｅ株式会社 空気入りタイヤの製造装置及び製造方法

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