JPS6039649A - ホトマスクの洗浄方法 - Google Patents
ホトマスクの洗浄方法Info
- Publication number
- JPS6039649A JPS6039649A JP58147302A JP14730283A JPS6039649A JP S6039649 A JPS6039649 A JP S6039649A JP 58147302 A JP58147302 A JP 58147302A JP 14730283 A JP14730283 A JP 14730283A JP S6039649 A JPS6039649 A JP S6039649A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- photomask
- mask
- remove
- cleaning
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の技術分野］
本発明は半導体装置の製造に使用されるホトマスクの洗
浄方法に関するものである。
浄方法に関するものである。
［発明の技術的費用］
微細加工の多いＩＣのホトエツチング工程で使用される
ホトマスクはガラス基板上にクロムと酸化クロムの積層
等の無機薄膜系によりパターンを形成したものが一般に
使用される。 ホトマスク使用時には洗浄にＪ：９４１
着している有機物や無機物を除去した後使用される。
ホトマスクはガラス基板上にクロムと酸化クロムの積層
等の無機薄膜系によりパターンを形成したものが一般に
使用される。 ホトマスク使用時には洗浄にＪ：９４１
着している有機物や無機物を除去した後使用される。
従来のホトマスクの洗浄工程流れ図を第１図に示づ。
まず最初にホ１〜マスクを浴温の過酸化水素水に３０〜
６０秒間浸漬しマスクを過酸化水素水（゛ぬらづ。 つ
ぎに８０−、１００℃の加熱硫酸液中に浸漬し、マスク
に何着していた過酸化水素と橘酸との反応ににリマスク
を汚染している有機物質を分解除去する。 その後マス
クを、流れる純水中に浸し、付着している酸を洗い流し
た後、回転乾燥機により１４着しくいる純水を遠心力で
除去する。
まず最初にホ１〜マスクを浴温の過酸化水素水に３０〜
６０秒間浸漬しマスクを過酸化水素水（゛ぬらづ。 つ
ぎに８０−、１００℃の加熱硫酸液中に浸漬し、マスク
に何着していた過酸化水素と橘酸との反応ににリマスク
を汚染している有機物質を分解除去する。 その後マス
クを、流れる純水中に浸し、付着している酸を洗い流し
た後、回転乾燥機により１４着しくいる純水を遠心力で
除去する。
し背Ｈ１技術の問題点］
従来の方法では過酸化水素と加熱硫酸との化学反応を利
用し、ホトマスクを汚染しでいる有機物を分解除去して
いたが、この洗浄り法には次のような欠点がある。
用し、ホトマスクを汚染しでいる有機物を分解除去して
いたが、この洗浄り法には次のような欠点がある。
一つはホ１へマスクのパターンの薄膜を構成し一ζいる
酸化クロムと金属クロムが硫酸液中に溶出する問題があ
る。 り［１ムは有害な産業廃巣物どして法規制を受り
−（いるため使用済みのクロムを含む硫酸液をそのまま
廃棄することはできない。
酸化クロムと金属クロムが硫酸液中に溶出する問題があ
る。 り［１ムは有害な産業廃巣物どして法規制を受り
−（いるため使用済みのクロムを含む硫酸液をそのまま
廃棄することはできない。
回収して産業廃棄物処理業者に廃棄依頼りる必要がある
。
。
つぎの問題は、りＬ１ムか硫酸液中に溶出づるので、ボ
］〜マスクのバダ−ンを構成しているじゃ光物質がそれ
だ（）流出減少する結果どなる。 このためパターン１
法が変化、したがつ（半導体素子の＼」ｄｌが変化を覆
る。 またクロムの溶出はパターン全面に均一におこな
われず部分的に減少が著しい個所が生り゛る場合もある
。 最近の超ＬＳＩ製造用ボ［・マスクにおいでは０．
１〜０．３μｍの寸法変動が問題となるため、従来の洗
浄方法は大きな問題となってぎでいる。
］〜マスクのバダ−ンを構成しているじゃ光物質がそれ
だ（）流出減少する結果どなる。 このためパターン１
法が変化、したがつ（半導体素子の＼」ｄｌが変化を覆
る。 またクロムの溶出はパターン全面に均一におこな
われず部分的に減少が著しい個所が生り゛る場合もある
。 最近の超ＬＳＩ製造用ボ［・マスクにおいでは０．
１〜０．３μｍの寸法変動が問題となるため、従来の洗
浄方法は大きな問題となってぎでいる。
なお、加熱硫酸液中での浸漬洗いは作業者に対して危険
が非常に伴い、安全面からも問題がある。
が非常に伴い、安全面からも問題がある。
［発明の目的］
本発明は従来技術の問題点であるクロムを含有づる強酸
発液処理という公害問題を解決し、同時にホトマスクの
パターン寸法変動を無くづるボ１ヘマスクの改良された
洗浄方法を提供覆ることを目的とする。
発液処理という公害問題を解決し、同時にホトマスクの
パターン寸法変動を無くづるボ１ヘマスクの改良された
洗浄方法を提供覆ることを目的とする。
［発明の概要］
本発明はホ１〜マスクの汚染有機物質を除去りるため酸
素のプラス７処１１１１を実施づる工程と、ホ１〜マス
クに被着する汚染非有機物質を除去りるため純水中で超
音波処理を実施りる工程と、純水を除去づるための乾燥
−１程どを含むことを特徴どする半導体製造用ボ１−ン
スクの洗浄り法（・・ある。
素のプラス７処１１１１を実施づる工程と、ホ１〜マス
クに被着する汚染非有機物質を除去りるため純水中で超
音波処理を実施りる工程と、純水を除去づるための乾燥
−１程どを含むことを特徴どする半導体製造用ボ１−ン
スクの洗浄り法（・・ある。
第２図に本発明によるホ１〜ンスクの洗浄方法の］ニ程
流れ図の一例を示Ｊ０ 従来の強酸を使用りる湿式法では前記の通り種々問題点
があり、り１」ム等の溶出は避りられない。
流れ図の一例を示Ｊ０ 従来の強酸を使用りる湿式法では前記の通り種々問題点
があり、り１」ム等の溶出は避りられない。
しかし酸素のプラズマ処理によれば有機物質は効果的に
除去され、り［Ｉムまたは酸化クロムの減少は起こらな
い。 りなわち酸素プラズマ中では励起酸素分子と酵素
原ｆが存在し、これ等が有機物質を分解除去づる反応種
どなると推測される。
除去され、り［Ｉムまたは酸化クロムの減少は起こらな
い。 りなわち酸素プラズマ中では励起酸素分子と酵素
原ｆが存在し、これ等が有機物質を分解除去づる反応種
どなると推測される。
他方ホトマスクのしゃ光性膜の表面は通常酸化り［１ム
層であり、化学的には安定Ｃ・、プラズマ中に存在づる
励起酸素分子や酸素原子によってはほとんど分解される
ことがない。
層であり、化学的には安定Ｃ・、プラズマ中に存在づる
励起酸素分子や酸素原子によってはほとんど分解される
ことがない。
次にホトマスクに被着づる汚染非有機物質は酸素プラズ
マ処理では十分除去することができないので純水中で超
音波洗浄を実施づる。 超音波による振動圧ツノにより
、又は発生と破壊を繰り返Ｊ気泡により、マスクに被着
づる汚染非有機物質が効果的に除去される。 要りれば
界面活ｆ［剤（非イオン系が好い）の適量を純水に含ま
せてもよい。
マ処理では十分除去することができないので純水中で超
音波洗浄を実施づる。 超音波による振動圧ツノにより
、又は発生と破壊を繰り返Ｊ気泡により、マスクに被着
づる汚染非有機物質が効果的に除去される。 要りれば
界面活ｆ［剤（非イオン系が好い）の適量を純水に含ま
せてもよい。
プラス′マ処３！ｌ！Ｉ稈と純水中の超音波洗浄工程以
後は、従来どほぼ同一の乾燥処Ｊ！ｌ！をおこない、ボ
１〜マスクの洗浄工程を終了する。
後は、従来どほぼ同一の乾燥処Ｊ！ｌ！をおこない、ボ
１〜マスクの洗浄工程を終了する。
［発明の実施例１
本発明の実施例を承り第２図のボ１〜マスク洗浄Ｊ二程
流れ図を参照して以下説明りる。
流れ図を参照して以下説明りる。
ボ１〜マスクはガラス基板若しくは看１英Ｍ根上にし１
ｂ光性物質によるパターンを形成したもので、パターン
は金ＪｆＪＩり［１ム層の上に酸化クロム層を積層し１
ζ薄膜等が使用される。
ｂ光性物質によるパターンを形成したもので、パターン
は金ＪｆＪＩり［１ム層の上に酸化クロム層を積層し１
ζ薄膜等が使用される。
最初のＭ素プラズマ処理の条件は次の通りである。 通
常のプラズマエツヂングに使用されるものと同型のプラ
ズマ発生装置で、外部電極方式、円筒型プラズマ装置を
使用した。 酸素圧は０．１〜０，８ｔｏｒｒ、高周波
電力的３００Ｗ、周波数１３，５６Ｍ１−１ｚ、ＩＩＩ
素の流ｈ１約４００ ｃｃ／ｍｉｎとし、処理ｙ、１間
１０・〜３０分間（マスクにイ」者する有機物質は効果
的に分解除去され？、。 次に非有機物質を除去覆るた
め純水中で超高波処理をおこなう。 通常の超音波洗浄
装置を使用し、周波数２０〜４０ｋｌ−１２、出力 １
００〜５００Ｗで処理時間は約５分間でよい。
常のプラズマエツヂングに使用されるものと同型のプラ
ズマ発生装置で、外部電極方式、円筒型プラズマ装置を
使用した。 酸素圧は０．１〜０，８ｔｏｒｒ、高周波
電力的３００Ｗ、周波数１３，５６Ｍ１−１ｚ、ＩＩＩ
素の流ｈ１約４００ ｃｃ／ｍｉｎとし、処理ｙ、１間
１０・〜３０分間（マスクにイ」者する有機物質は効果
的に分解除去され？、。 次に非有機物質を除去覆るた
め純水中で超高波処理をおこなう。 通常の超音波洗浄
装置を使用し、周波数２０〜４０ｋｌ−１２、出力 １
００〜５００Ｗで処理時間は約５分間でよい。
次にゴミ等を洗い流すために純水中で５分程度流し洗い
を覆る。 最後に回転乾燥機により遠心力を利用して純
水を除去乾燥する。 この洗浄に使用づる純水は脱イオ
ン化した高比抵抗（２５℃、１０Ｍ ０以上）のもので
、ゴミ等の微粒子を含まないものである。
を覆る。 最後に回転乾燥機により遠心力を利用して純
水を除去乾燥する。 この洗浄に使用づる純水は脱イオ
ン化した高比抵抗（２５℃、１０Ｍ ０以上）のもので
、ゴミ等の微粒子を含まないものである。
本実施例で・はＭｈ中のプラズマ処理二［程後純水中で
超音波処理１稈を実施しζいるが、必要があれば超音波
処理上程後プラズマ処理工程を実施してもよい。 また
要りればプラズマ処理工程と純水中の超音波処理工程を
交万に複数回繰り返し実施してもよい。
超音波処理１稈を実施しζいるが、必要があれば超音波
処理上程後プラズマ処理工程を実施してもよい。 また
要りればプラズマ処理工程と純水中の超音波処理工程を
交万に複数回繰り返し実施してもよい。
「ざｔ明の効果」
ホ１−マスクに被着４る有機、非有機の汚染物質を除去
する場合、従来の強酸液を使用りる湿式法に代えＣＡ発
明による酸素ブラスマ処理を実施づる工程と純水中ぐ超
音波処理に実施りる工程とをおこなえばパターンのしゃ
光性膜はほとんど影響を受【ノずクロム又は酸化り［ｊ
ムが溶出することもなく汚染物質を除去できる。 した
がっ（クロム含有強酸廃液処理の公害問題も消失し、ま
たホトマスクのパターンの−Ｊ−法変動も無くなり、特
性均一で高品質の半導体装置を歩留り良く製造すること
が可能となる。 また加熱硫酸を取り扱う必要がなくな
り、作業者に対Ｊる安全面からも火傷などの心配が無く
なり作業性が向上ηる。
する場合、従来の強酸液を使用りる湿式法に代えＣＡ発
明による酸素ブラスマ処理を実施づる工程と純水中ぐ超
音波処理に実施りる工程とをおこなえばパターンのしゃ
光性膜はほとんど影響を受【ノずクロム又は酸化り［ｊ
ムが溶出することもなく汚染物質を除去できる。 した
がっ（クロム含有強酸廃液処理の公害問題も消失し、ま
たホトマスクのパターンの−Ｊ−法変動も無くなり、特
性均一で高品質の半導体装置を歩留り良く製造すること
が可能となる。 また加熱硫酸を取り扱う必要がなくな
り、作業者に対Ｊる安全面からも火傷などの心配が無く
なり作業性が向上ηる。
第１図は従来のホトマスクの洗浄方法の工程流れ図、第
２図は本発明によるホトマスクの洗浄方法の工程流れ図
である。 第１図 況浄滑水トマズク 第２図 溌シ゛１ｔン
２図は本発明によるホトマスクの洗浄方法の工程流れ図
である。 第１図 況浄滑水トマズク 第２図 溌シ゛１ｔン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 無機薄膜系ハードマスクに対し酸素プラズマ処理を
実施する工程と、【−純水中で超音波処理を実施ηる」
二稈と、乾燥工程とを含むことを特徴とＪる半導体製ｊ
告用ホｈマスクの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147302A JPS6039649A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | ホトマスクの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147302A JPS6039649A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | ホトマスクの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039649A true JPS6039649A (ja) | 1985-03-01 |
Family
ID=15427124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58147302A Pending JPS6039649A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | ホトマスクの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039649A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972437A (en) * | 1996-02-20 | 1999-10-26 | Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. | Method for fabricating a thin film semiconductor device |
-
1983
- 1983-08-13 JP JP58147302A patent/JPS6039649A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972437A (en) * | 1996-02-20 | 1999-10-26 | Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. | Method for fabricating a thin film semiconductor device |
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