JPS6039163A - ソ−スガス供給システム - Google Patents
ソ−スガス供給システムInfo
- Publication number
- JPS6039163A JPS6039163A JP14748483A JP14748483A JPS6039163A JP S6039163 A JPS6039163 A JP S6039163A JP 14748483 A JP14748483 A JP 14748483A JP 14748483 A JP14748483 A JP 14748483A JP S6039163 A JPS6039163 A JP S6039163A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- way valve
- gas
- changing over
- source gas
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装齢の製造工程で用いられるＯＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ）法の実施に使用するソースガス供給システム
に関するものである。
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ）法の実施に使用するソースガス供給システム
に関するものである。
以下、シランを供給するシステムを例に取って説明する
。
。
第１図はＯＶＤ法の実施に使用される従来のソースガス
供給システムの一例を示す系統図である。
供給システムの一例を示す系統図である。
第１図において、（！）はシステムへ璧素（Ｎ２）を導
入するためのＮ２導入用二方バルブ、（２）はシステム
ヘシランを導入するためのシラン導入用三方バ／ｌ／
フ、（３）はシラン導入用三方バルブ（２）から導入さ
れるシランの流量を測る流量計（Ｎ２導入用二方バルブ
（１）から導入されるＮ２の流量を測ることも可能であ
る）、（４１はＮ２導入用二方パルプ＋Ｉｉから導入さ
れたＮ２を排気するためのＮ２排気用二方バルブ、（５
）はシランを反応管に流すために電気信号によりシラン
の供給・停止を行う反応制御用ニガパルプ、（６）は反
応管内の残留有害ガスをパージ（−掃）するために反応
管へＮ２を流ずためのＮ２送入用二方パルプである。Ｎ
２導入用二方バルブ（１）、シラン導入用三方バルブ（
２）、流量計（３）、Ｎ２排気用二方バルブ（４）およ
び反応制御用三方バルブ（５）がソースカス供給システ
ムを構成する。
入するためのＮ２導入用二方バルブ、（２）はシステム
ヘシランを導入するためのシラン導入用三方バ／ｌ／
フ、（３）はシラン導入用三方バルブ（２）から導入さ
れるシランの流量を測る流量計（Ｎ２導入用二方バルブ
（１）から導入されるＮ２の流量を測ることも可能であ
る）、（４１はＮ２導入用二方パルプ＋Ｉｉから導入さ
れたＮ２を排気するためのＮ２排気用二方バルブ、（５
）はシランを反応管に流すために電気信号によりシラン
の供給・停止を行う反応制御用ニガパルプ、（６）は反
応管内の残留有害ガスをパージ（−掃）するために反応
管へＮ２を流ずためのＮ２送入用二方パルプである。Ｎ
２導入用二方バルブ（１）、シラン導入用三方バルブ（
２）、流量計（３）、Ｎ２排気用二方バルブ（４）およ
び反応制御用三方バルブ（５）がソースカス供給システ
ムを構成する。
次に、上記の従来のシステムの動作について説明する。
シランを反応管に流す前に、反応管を真空にした状態（
真空系は図示してない）でシラン導入用ニガパルプ（２
）および反応制御用三方パルプ（５）を閉じ、Ｎ２導入
用二方パルプ［１１およびＮ２排気用二方バルブを開は
ソースガス供給システム内の残留有害ガスをパージする
。次にＮ２導入用二方バルブｆｌｊとＮ２排気用二方パ
ルプ（４）を閉じ、シラン導入用三方バルブ（２）およ
び反応制御用三方バルブ（５）を開け、反応管内にシラ
ンを送給してＣｖＤを行わせる。流量計（３）は両状態
とも開状態である。
真空系は図示してない）でシラン導入用ニガパルプ（２
）および反応制御用三方パルプ（５）を閉じ、Ｎ２導入
用二方パルプ［１１およびＮ２排気用二方バルブを開は
ソースガス供給システム内の残留有害ガスをパージする
。次にＮ２導入用二方バルブｆｌｊとＮ２排気用二方パ
ルプ（４）を閉じ、シラン導入用三方バルブ（２）およ
び反応制御用三方バルブ（５）を開け、反応管内にシラ
ンを送給してＣｖＤを行わせる。流量計（３）は両状態
とも開状態である。
従来のソースガス供給システムは上記のように構成され
ているので、図に示す配管の接合部Ａとシラン導入用三
方バルブ（２）との間および図に示す配管の接合部Ｂと
反応制御用三方バルブ（５）との間にデッドスペースが
でき、このデッドスペースでソースガスが淀む。このよ
うなソースカス供給システムを用いてＯＶＤを行うと、
生成膜にシリコン粒子の塊からなる異物が発生していた
。
ているので、図に示す配管の接合部Ａとシラン導入用三
方バルブ（２）との間および図に示す配管の接合部Ｂと
反応制御用三方バルブ（５）との間にデッドスペースが
でき、このデッドスペースでソースガスが淀む。このよ
うなソースカス供給システムを用いてＯＶＤを行うと、
生成膜にシリコン粒子の塊からなる異物が発生していた
。
この発明は、上記の欠点を除く目的でなされたものであ
り、システムへ導入するガスの切り換えを第１の三方バ
ルブで行い、システムから排気とシステムから反応管へ
のソースガスの送給との切り換えを第２の三方バルブで
行うことによって、デッドスペースが無く反応管へソー
スガスを送ってＯＶＤを行っても、生成膜にシリコン粒
子の塊からなる異物が発生し、ないソースガス供給シス
テムを提案するものである。
り、システムへ導入するガスの切り換えを第１の三方バ
ルブで行い、システムから排気とシステムから反応管へ
のソースガスの送給との切り換えを第２の三方バルブで
行うことによって、デッドスペースが無く反応管へソー
スガスを送ってＯＶＤを行っても、生成膜にシリコン粒
子の塊からなる異物が発生し、ないソースガス供給シス
テムを提案するものである。
以下、実施例に基づいてこの発明を説明する。
第２図はこの発明によるソースガス供給システムの一実
施例を示す系統図である。第２図において、第１図と同
一符号は第１図にて示したものと同様のものを表わして
いる。（２１）はＮ２とシランとを切り換えてシステム
へ導入する導入ガス切換用三方バルブ、翰はＮ２の排便
とシランの反応管への送給とを切り換えて行う反応・排
気切換用三方パルプである。
施例を示す系統図である。第２図において、第１図と同
一符号は第１図にて示したものと同様のものを表わして
いる。（２１）はＮ２とシランとを切り換えてシステム
へ導入する導入ガス切換用三方バルブ、翰はＮ２の排便
とシランの反応管への送給とを切り換えて行う反応・排
気切換用三方パルプである。
次に、実施例のシステムの動作について説明する〇
シランを反応管に流す前に、反応管を真空にした状態で
導入ガス切換用三方バルブ（２１）をＮ２導入側にし、
反応・排気切換用三方パルプ□□□をＩＪ□排気側にし
て、ソースガス供給システムにＮ２を導入・排気してシ
ステム内の残留有害ガスをパージする。
導入ガス切換用三方バルブ（２１）をＮ２導入側にし、
反応・排気切換用三方パルプ□□□をＩＪ□排気側にし
て、ソースガス供給システムにＮ２を導入・排気してシ
ステム内の残留有害ガスをパージする。
次に、導入ガス切換用三方バルブ（２１）をシラン導入
側にし、反応・排気切換用三方パルプ（２ｚを反応側に
して尊大ガス切換用三方パルプ（２１）から導入された
シランを流量計および反応・排気切換用三方パルプ□□
□を通して反応管内へ送給してＯＶＤを行う。
側にし、反応・排気切換用三方パルプ（２ｚを反応側に
して尊大ガス切換用三方パルプ（２１）から導入された
シランを流量計および反応・排気切換用三方パルプ□□
□を通して反応管内へ送給してＯＶＤを行う。
この実施例においては、導入ガスの切換および反応・排
気切換をそれぞれ一つの三方バルブによって行っている
ので、切換部分に従来のシステムのようなデッドスペー
スが無いからソースガスが淀むことがなく、実施例のシ
ステムからンー゛スガスを反応管へ送ってＯＶＤを行っ
ても、生成膜にシリコン粒子の塊による異物が発生する
ことがない。
気切換をそれぞれ一つの三方バルブによって行っている
ので、切換部分に従来のシステムのようなデッドスペー
スが無いからソースガスが淀むことがなく、実施例のシ
ステムからンー゛スガスを反応管へ送ってＯＶＤを行っ
ても、生成膜にシリコン粒子の塊による異物が発生する
ことがない。
上記の実施例においては、反応用ソースカスとしてシラ
ンを用いる場合について述べたが、シランの代りにジク
ロロシラン、トリクロールシランなどをソースガスとし
て用いる場合にも、この発明によるソースガス供給シス
テムを用いることができる。
ンを用いる場合について述べたが、シランの代りにジク
ロロシラン、トリクロールシランなどをソースガスとし
て用いる場合にも、この発明によるソースガス供給シス
テムを用いることができる。
以上詳述したように、この発明によるソースガス供給シ
ステムにおいては、システムへの導入ガスの切り換えを
一つの三方バルブで行いシステムからの排気とシステム
から反応管へのソースガスの送給との切り換えも今一つ
の三方バルブで行うので、切り換え部分にデッドスペー
スが無いからソースガスが淀むことがなく、このシステ
ムからソースガスを反応管へ送ってＣｖＤを行うと、生
成膜にシリコン粒子の塊からなる異物が発生することが
ない。
ステムにおいては、システムへの導入ガスの切り換えを
一つの三方バルブで行いシステムからの排気とシステム
から反応管へのソースガスの送給との切り換えも今一つ
の三方バルブで行うので、切り換え部分にデッドスペー
スが無いからソースガスが淀むことがなく、このシステ
ムからソースガスを反応管へ送ってＣｖＤを行うと、生
成膜にシリコン粒子の塊からなる異物が発生することが
ない。
第１図は従来のソースガス供給システムの一例を示す系
統図、第２図はこの発明によるソースガス供給システム
の一実施例を示す系統図である。 図において、（２１）は導入ガス切換用三方バルブ、翰
は反応・排気切換用三方パルプである。 なお、図中同一符号は同−才たけ相当部分を示す０ 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭５８−１４７４８４８２、発明
の名称 ソースガス供給システム３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５、 補
正の対象 図面の第２図 ６、 補正の内容 ｉｌ＋ 図面の第２図音別紙朱記書きのとおりに訂正す
る。 ７、 添付書類の目録 （ｌ 訂正後の第２図をボす図面 １通以上
統図、第２図はこの発明によるソースガス供給システム
の一実施例を示す系統図である。 図において、（２１）は導入ガス切換用三方バルブ、翰
は反応・排気切換用三方パルプである。 なお、図中同一符号は同−才たけ相当部分を示す０ 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭５８−１４７４８４８２、発明
の名称 ソースガス供給システム３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５、 補
正の対象 図面の第２図 ６、 補正の内容 ｉｌ＋ 図面の第２図音別紙朱記書きのとおりに訂正す
る。 ７、 添付書類の目録 （ｌ 訂正後の第２図をボす図面 １通以上
Claims (1)
- ｉｌｌ システム内の残留ガスをパージするためのパー
ジ用ガスのシステムへの導入と反応管へ送るためのソー
スガスのシステムへの導入とを切す換え行う導入ガス切
換用三方パルプおよびシステム１１ｉ ツバ−シ用ガス
の排気と反応管へのソースガスの送給とを切り倹え行う
反応・排気切換用三方パルプを備えたことを特徴とする
ソースカス供給システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14748483A JPS6039163A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | ソ−スガス供給システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14748483A JPS6039163A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | ソ−スガス供給システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039163A true JPS6039163A (ja) | 1985-02-28 |
Family
ID=15431432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14748483A Pending JPS6039163A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | ソ−スガス供給システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039163A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104411865A (zh) * | 2012-06-19 | 2015-03-11 | 欧司朗Oled股份有限公司 | Ald覆层设备 |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14748483A patent/JPS6039163A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104411865A (zh) * | 2012-06-19 | 2015-03-11 | 欧司朗Oled股份有限公司 | Ald覆层设备 |
| CN104411865B (zh) * | 2012-06-19 | 2016-10-05 | 欧司朗Oled股份有限公司 | Ald覆层设备 |
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