JPH0255293A - 減圧気相成長装置 - Google Patents
減圧気相成長装置Info
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- JPH0255293A JPH0255293A JP20548788A JP20548788A JPH0255293A JP H0255293 A JPH0255293 A JP H0255293A JP 20548788 A JP20548788 A JP 20548788A JP 20548788 A JP20548788 A JP 20548788A JP H0255293 A JPH0255293 A JP H0255293A
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- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 16
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は減圧気相成長装置に関する。
従来、減圧化学的気相成長装置は、反応炉から真空ポン
プに至る配管にフィルタが１つ取付けられているのみで
あった。
プに至る配管にフィルタが１つ取付けられているのみで
あった。
上述した従来の減圧気相成長装置は１反応炉から真空ポ
ンプに至る配管にフィルタが１つしかないため、以下の
欠点がある。すなわち、（１）フィルタが反応物で詰ま
った場合、装置を止めて交換する必要があり、その都度
真空系を大気に戻すため、交換後、真空系の点検など手
間が繁雑である。
ンプに至る配管にフィルタが１つしかないため、以下の
欠点がある。すなわち、（１）フィルタが反応物で詰ま
った場合、装置を止めて交換する必要があり、その都度
真空系を大気に戻すため、交換後、真空系の点検など手
間が繁雑である。
（２）装置の稼動中にフィルタが詰まった場合、反応炉
中の圧力が上昇し、所望の気相反応が維持不可能になり
、反応中の製品が不良品になる。
中の圧力が上昇し、所望の気相反応が維持不可能になり
、反応中の製品が不良品になる。
という欠点がある。
また、前記欠点をなくすために、フィルタを取外した場
合には、反応副生成物が多い反応ではポンプに副生成物
が多量に取り込まれることになり、ポンプの故障が頻発
し１反応が確実に行えなくなるという問題がある。
合には、反応副生成物が多い反応ではポンプに副生成物
が多量に取り込まれることになり、ポンプの故障が頻発
し１反応が確実に行えなくなるという問題がある。
本発明の目的は前記課題を解決した減圧気相成長装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来の減圧気相成長装置に対し、本発明は装置
の稼動を停止させることなく、フィルタの交換を可能と
したという相違点を有する。
の稼動を停止させることなく、フィルタの交換を可能と
したという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る減圧気相成長装
置においては、反応炉から真空ポンプに至る配管の途中
に、選択的に切替えて作動させる複数のフィルタを並列
に接続したものである。
置においては、反応炉から真空ポンプに至る配管の途中
に、選択的に切替えて作動させる複数のフィルタを並列
に接続したものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明を反応副生成物としてシリコン酸化物が
多く発生するシリコン酸化膜減圧気相成長装置に適用し
た実施例１を示す模式図である。
多く発生するシリコン酸化膜減圧気相成長装置に適用し
た実施例１を示す模式図である。
図において、１旧はモノシランガスボンベ、１０２は酸
素ボンベ、１０３は窒素ボンベ、１０４はモノシランバ
ルブ、１０５は酸素バルブ、１１７は窒素バルブ。
素ボンベ、１０３は窒素ボンベ、１０４はモノシランバ
ルブ、１０５は酸素バルブ、１１７は窒素バルブ。
１０６は反応炉であり、反応炉１０６には配管（図中の
線）を通じてモノシランガス、−酸化窒素ガスがそれぞ
れのボンベから供給され、内部でシリコン酸化膜を製品
表面に成膜する。窒素ガスは窒素バルブを通じモノシラ
ン配管に導入され配管のパージに用いる。１０７は真空
ポンプで１反応炉１０６から配管を通じガスを排気し、
反応炉中を減圧する。
線）を通じてモノシランガス、−酸化窒素ガスがそれぞ
れのボンベから供給され、内部でシリコン酸化膜を製品
表面に成膜する。窒素ガスは窒素バルブを通じモノシラ
ン配管に導入され配管のパージに用いる。１０７は真空
ポンプで１反応炉１０６から配管を通じガスを排気し、
反応炉中を減圧する。
１０８は排気ガス処理装置で、真空ポンプ１０７から排
気された未反応ガスを処理する。１０９は圧力計で、反
応炉中の圧力をモニターしている。１１０は圧力調整装
置で、反応炉１０６内の真空ポンプ１０７による減圧の
度合いを調整し１反応炉１０６内を所望の圧力に調整す
る。
気された未反応ガスを処理する。１０９は圧力計で、反
応炉中の圧力をモニターしている。１１０は圧力調整装
置で、反応炉１０６内の真空ポンプ１０７による減圧の
度合いを調整し１反応炉１０６内を所望の圧力に調整す
る。
本発明では反応炉１０６と真空ポンプ１０７との間に、
２個のフィルタ１１１とフィルタ１１２を並列に接続し
である。フィルタ１１１はバルブ１１３とバルブ１１４
により真空系から分離可能、かつ交換可能にしてあり、
同様にフィルタ１１２はバルブ１１５とバルブ１１６に
より真空系から分離可能、かつ交換可能にしである。使
用時はバルブ１１３又はバルブ１１５のどちらかを閉じ
でおき、バルブ１１４とバルブ１１６の両方は開けて用
いる。これはフィルタ】１１とフィルタ１１２の一方を
用い、一方は待機状態にしておくためである。例えば、
バルブ１１３を開け、フィルタ１１１を用い、バルブ１
１５を閉じ、フィルタ１１２を待機状態にし、装置を稼
動したときにフィルタ１１１の詰まり１反応炉内の圧力
上昇が圧力計１０９により観察されたとき直ちに、バル
ブ１１５ を開けてフィルタ１１２を用いる。この操作
により反応炉１０６内の圧力上昇が防止できる。さらに
、この後バルブ１１３とバルブ１１４を閉じフィルタ１
１１を真空系から切り離し、フィルタの交換を装置稼動
中に行い、その後にバルブ１１４を開け、フィルタ１１
１を待機状態にする。
２個のフィルタ１１１とフィルタ１１２を並列に接続し
である。フィルタ１１１はバルブ１１３とバルブ１１４
により真空系から分離可能、かつ交換可能にしてあり、
同様にフィルタ１１２はバルブ１１５とバルブ１１６に
より真空系から分離可能、かつ交換可能にしである。使
用時はバルブ１１３又はバルブ１１５のどちらかを閉じ
でおき、バルブ１１４とバルブ１１６の両方は開けて用
いる。これはフィルタ】１１とフィルタ１１２の一方を
用い、一方は待機状態にしておくためである。例えば、
バルブ１１３を開け、フィルタ１１１を用い、バルブ１
１５を閉じ、フィルタ１１２を待機状態にし、装置を稼
動したときにフィルタ１１１の詰まり１反応炉内の圧力
上昇が圧力計１０９により観察されたとき直ちに、バル
ブ１１５ を開けてフィルタ１１２を用いる。この操作
により反応炉１０６内の圧力上昇が防止できる。さらに
、この後バルブ１１３とバルブ１１４を閉じフィルタ１
１１を真空系から切り離し、フィルタの交換を装置稼動
中に行い、その後にバルブ１１４を開け、フィルタ１１
１を待機状態にする。
（実施例２）
第２図は本発明の第２の実施例として反応副生成物とし
て塩化アンモニウムが発生する、ジクロルシランとアン
モニアを原料ガスとして用いるシリコン窒化膜減圧気相
成長装置に適用した例を示す模式図である。
て塩化アンモニウムが発生する、ジクロルシランとアン
モニアを原料ガスとして用いるシリコン窒化膜減圧気相
成長装置に適用した例を示す模式図である。
２０１はジクロルシランガスボンベ、２０２はアンモニ
アガスボンベ、２０３は窒化ガスボンベである。
アガスボンベ、２０３は窒化ガスボンベである。
２０４はジクロルシランガスバルブ、２０５はアンモニ
アガスバルブ、２０６は窒化ガスバルブ、２０７は窒素
ガスバルブである。ジクロルシランガスとアンモニアは
配管（図中線）を通じて反応炉２０８に導入され、シリ
コン窒化膜を成膜する。窒素ガスはジクロルシラン、ア
ンモニアの配管へ窒化ガスバルブ２０６、窒素ガスバル
ブ２０７を通じて導入され、それぞ九の配管のパージに
用いる。２０９は圧力計で、反応炉２０８内の圧力をモ
ニターする。２１０は圧力調整装置で、真空ポンプ２１
７による排気を調整し、反応炉２０８内の圧力を所望の
値にする。２１８は排気ガス処理装置で、未反応ガスな
どを処理する。
アガスバルブ、２０６は窒化ガスバルブ、２０７は窒素
ガスバルブである。ジクロルシランガスとアンモニアは
配管（図中線）を通じて反応炉２０８に導入され、シリ
コン窒化膜を成膜する。窒素ガスはジクロルシラン、ア
ンモニアの配管へ窒化ガスバルブ２０６、窒素ガスバル
ブ２０７を通じて導入され、それぞ九の配管のパージに
用いる。２０９は圧力計で、反応炉２０８内の圧力をモ
ニターする。２１０は圧力調整装置で、真空ポンプ２１
７による排気を調整し、反応炉２０８内の圧力を所望の
値にする。２１８は排気ガス処理装置で、未反応ガスな
どを処理する。
本発明では反応炉２０８と真空ポンプ２１７の間に２つ
のフィルタ２１２とフィルタ２１５が並列に接続してあ
り、フィルタ２１２はバルブ２１１とバルブ２１３によ
り装置の真空系から分離可能、かつ交換可能であり、フ
ィルタ２１５は、バルブ２１４とバルブ２１６により装
置の真空系から分離可能、かつ交換可能になっている。
のフィルタ２１２とフィルタ２１５が並列に接続してあ
り、フィルタ２１２はバルブ２１１とバルブ２１３によ
り装置の真空系から分離可能、かつ交換可能であり、フ
ィルタ２１５は、バルブ２１４とバルブ２１６により装
置の真空系から分離可能、かつ交換可能になっている。
使用時には反応炉２０８側の２つのバルブ２１１，２１
４の一方を開け、一方を閉じておき、真空ポンプの２つ
のバルブ２１３．２１６の両方を開けておくことにより
、２つのフィルタ２１２．２１５の一方を使用し、一方
を待機状態にしておく。こうしておくことにより、使用
中のフィルタが反応副生成物などにより詰まっても、反
応炉側のバルブを切り換えることにより待機状態のフィ
ルタを使用し、詰まったフィルタを待機状態にでき、フ
ィルタの詰まりによる炉内の圧力上昇を回避でき、所望
の反応を完了させることができる。待機状態だったフィ
ルタを用いている間に詰まったフィルタはその前後のバ
ルブを閉じ、真空系から切り離し、フィルタの交換を行
い、しかる後にポンプ側のバルブを開け、待機状態にし
ておく。
４の一方を開け、一方を閉じておき、真空ポンプの２つ
のバルブ２１３．２１６の両方を開けておくことにより
、２つのフィルタ２１２．２１５の一方を使用し、一方
を待機状態にしておく。こうしておくことにより、使用
中のフィルタが反応副生成物などにより詰まっても、反
応炉側のバルブを切り換えることにより待機状態のフィ
ルタを使用し、詰まったフィルタを待機状態にでき、フ
ィルタの詰まりによる炉内の圧力上昇を回避でき、所望
の反応を完了させることができる。待機状態だったフィ
ルタを用いている間に詰まったフィルタはその前後のバ
ルブを閉じ、真空系から切り離し、フィルタの交換を行
い、しかる後にポンプ側のバルブを開け、待機状態にし
ておく。
上記操作により装置使用中にフィルタの詰まりがあって
も、所望の反応に影響を与えることなく、フィルタの交
換が可能になる。また、フィルタの交換後は２つのフィ
ルタが使用状態と待機状態が入れ替わるだけで、交換前
と全く同じ状態にすることができる。
も、所望の反応に影響を与えることなく、フィルタの交
換が可能になる。また、フィルタの交換後は２つのフィ
ルタが使用状態と待機状態が入れ替わるだけで、交換前
と全く同じ状態にすることができる。
以上説明したように本発明は減圧気相成長装置の反応系
と真空ポンプの間に、複数のフィルタを並列に取付ける
ことにより、装置稼動中のフィルタの詰まりによる圧力
上昇による反応の中断及び不慮の反応の発生を防止でき
、かつ装置の真空を保ったままフィルタ交換ができる効
果がある。
と真空ポンプの間に、複数のフィルタを並列に取付ける
ことにより、装置稼動中のフィルタの詰まりによる圧力
上昇による反応の中断及び不慮の反応の発生を防止でき
、かつ装置の真空を保ったままフィルタ交換ができる効
果がある。
また、フィルタを常に用いるため、真空ポンプに不純物
を吸引させる確率を減少でき、真空ポンプの故障を防止
できる効果がある。
を吸引させる確率を減少でき、真空ポンプの故障を防止
できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す模式図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す模式図である。
本発明の第２の実施例を示す模式図である。
Claims (1)
- （１）反応炉から真空ポンプに至る配管の途中に、選択
的に切替えて作動させる複数のフィルタを並列に接続し
たことを特徴とする減圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20548788A JPH0255293A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20548788A JPH0255293A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 減圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0255293A true JPH0255293A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16507666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20548788A Pending JPH0255293A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0255293A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100861106B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-09-30 | 세메스 주식회사 | 다수개의 필터부를 포함하는 필터링 시스템 |
| JP2015204461A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | アイクストロン、エスイー | Ｃｖｄリアクタにおける排ガス洗浄装置および方法 |
| JP2021008391A (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-28 | 住友電気工業株式会社 | ガラス原料供給装置およびガラス原料供給装置のフィルタ交換方法 |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP20548788A patent/JPH0255293A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100861106B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-09-30 | 세메스 주식회사 | 다수개의 필터부를 포함하는 필터링 시스템 |
| JP2015204461A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | アイクストロン、エスイー | Ｃｖｄリアクタにおける排ガス洗浄装置および方法 |
| JP2021008391A (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-28 | 住友電気工業株式会社 | ガラス原料供給装置およびガラス原料供給装置のフィルタ交換方法 |
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