JPS6037123A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6037123A JPS6037123A JP14496983A JP14496983A JPS6037123A JP S6037123 A JPS6037123 A JP S6037123A JP 14496983 A JP14496983 A JP 14496983A JP 14496983 A JP14496983 A JP 14496983A JP S6037123 A JPS6037123 A JP S6037123A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、モリブデンシリサイド、タングステンシリサ
イドを電極・配線材料として用いた半導体装置の製造方
法に係り、特にシリサイド表面にモリブデン、タングス
テンの酸化物を実質的に含まない酸化シリコン膜を形成
する方法に関する。
イドを電極・配線材料として用いた半導体装置の製造方
法に係り、特にシリサイド表面にモリブデン、タングス
テンの酸化物を実質的に含まない酸化シリコン膜を形成
する方法に関する。
従来、シリコン（８ｊ）上にモリブデンシリサイド、あ
るいはタングステンシリサイドを重ねて被着した構造に
おいて、０２などの酸化雰囲気中で熱処理してシリサイ
ド表面に酸化シリコン膜（ｓｔｏｚ）を形成する公知技
術があった。しかしながら、この場合シリコンの酸化が
進むだけでなく、モリブデン、タングステンの酸化も同
時に進むために、形成されたＳ ｔ ０２中にモリブデ
ン（ＭＯ）、タングステン（Ｗ）の酸化物が多く取り込
まれ、ＳｉＯ２の電気絶縁特性が劣化するという欠点が
あった。
るいはタングステンシリサイドを重ねて被着した構造に
おいて、０２などの酸化雰囲気中で熱処理してシリサイ
ド表面に酸化シリコン膜（ｓｔｏｚ）を形成する公知技
術があった。しかしながら、この場合シリコンの酸化が
進むだけでなく、モリブデン、タングステンの酸化も同
時に進むために、形成されたＳ ｔ ０２中にモリブデ
ン（ＭＯ）、タングステン（Ｗ）の酸化物が多く取り込
まれ、ＳｉＯ２の電気絶縁特性が劣化するという欠点が
あった。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、シリサイド
表面にＭｏ、Ｗの酸化物を実質的に含まないか、もしく
は極めて少ない５１０２を形成する半導体装置の製造方
法を提供することである。
表面にＭｏ、Ｗの酸化物を実質的に含まないか、もしく
は極めて少ない５１０２を形成する半導体装置の製造方
法を提供することである。
一般に、Ｍｏ、Ｗは非常に酸化しやす＜ 、Ｈ２Ｏある
いは０２と反応して容易に酸化物を形成する。
いは０２と反応して容易に酸化物を形成する。
しかしながら、Ｈ２ＯとＨｚを混合した雰囲気を用いれ
ば、ＭＯ，Ｗは酸化されずにＳｉを選択的に酸化できる
ことを見い出した。本熱処理法をシリサイドの酸化に応
用すれば、ＭＯ，Ｗは酸化されないためにＭＯ，Ｗの酸
化物を実質的に含まないか、もしくはそれらの酸化物が
極めて少ない８ ｔ Ｏ２を・形成できる。
ば、ＭＯ，Ｗは酸化されずにＳｉを選択的に酸化できる
ことを見い出した。本熱処理法をシリサイドの酸化に応
用すれば、ＭＯ，Ｗは酸化されないためにＭＯ，Ｗの酸
化物を実質的に含まないか、もしくはそれらの酸化物が
極めて少ない８ ｔ Ｏ２を・形成できる。
以下に本発明を、実施例によってさらに詳細に説明する
。
。
〔実施例１〕
第１図（１）に示すように、ｓｔ （ｉｏｏ）基板１上
にＷ膜２を約ｉ ｏ ｏ ｎｍ蒸着した後、水素中で６
７５Ｇ、３０分間加熱すると、第１図（２）に示すよう
にＷ膜２と３＋基板１とが反応して、タングステンシリ
サイド３が形成された（厚さは約２５０ｎ ｍ ）。こ
の構造の試料を、Ｈ２’Ｏｆ約９０％含む０２中で１０
０ＯＣ，４０分間加熱すると、第１図（３）に示すよう
にタングステ／シリサイド３上に酸化シリコン膜４が約
２５Ｏｒ１ｍ形成された。酸化シリコン膜４をアルゴン
イオンでエツチングしながら、オージェ電子分光によっ
て酸化シリコン膜中の元素分析を行なうと、Ｗ元素が約
０，１〜０．５％検出された。それに対して、第１図（
２）に示した試料をＨ２Ｏｅ ２０％含むＨ２中で３時
間加熱すると、タングステ／シリサイド３上に約２５Ｑ
ｎｍの酸化シリコン膜が形成されたが、酸化シリコン膜
中にはオージェ電子分光で調べた結果、Ｗ元素は検出さ
れなかった。
にＷ膜２を約ｉ ｏ ｏ ｎｍ蒸着した後、水素中で６
７５Ｇ、３０分間加熱すると、第１図（２）に示すよう
にＷ膜２と３＋基板１とが反応して、タングステンシリ
サイド３が形成された（厚さは約２５０ｎ ｍ ）。こ
の構造の試料を、Ｈ２’Ｏｆ約９０％含む０２中で１０
０ＯＣ，４０分間加熱すると、第１図（３）に示すよう
にタングステ／シリサイド３上に酸化シリコン膜４が約
２５Ｏｒ１ｍ形成された。酸化シリコン膜４をアルゴン
イオンでエツチングしながら、オージェ電子分光によっ
て酸化シリコン膜中の元素分析を行なうと、Ｗ元素が約
０，１〜０．５％検出された。それに対して、第１図（
２）に示した試料をＨ２Ｏｅ ２０％含むＨ２中で３時
間加熱すると、タングステ／シリサイド３上に約２５Ｑ
ｎｍの酸化シリコン膜が形成されたが、酸化シリコン膜
中にはオージェ電子分光で調べた結果、Ｗ元素は検出さ
れなかった。
〔実施例２〕
先の実施例の第１図（３）の構造の試料に、Ａｔ膜を９
００ｎｍ蒸着した後、フォトレジストをマスクにして、
４２０μｍ角のＡｔ電極５を形成した（第２図）。Ａｔ
電極５とＳｉ基板１との間に電界をかけて、厚さ２５Ｑ
ｎｍの酸化シリコン膜４の絶縁耐圧を測定した。酸化シ
リコン膜４ｋ、ＨｚＯを含む０２中で加熱して形成した
場合には、絶縁耐圧は２〜３ＭＶ／ｃｒｎと低い値を示
したが、Ｈ２Ｏを含むＨ２中で加熱して形成した場合で
は耐圧は４〜ｓＭＶ／ｃｍとなり前者に比べて良好であ
った。
００ｎｍ蒸着した後、フォトレジストをマスクにして、
４２０μｍ角のＡｔ電極５を形成した（第２図）。Ａｔ
電極５とＳｉ基板１との間に電界をかけて、厚さ２５Ｑ
ｎｍの酸化シリコン膜４の絶縁耐圧を測定した。酸化シ
リコン膜４ｋ、ＨｚＯを含む０２中で加熱して形成した
場合には、絶縁耐圧は２〜３ＭＶ／ｃｒｎと低い値を示
したが、Ｈ２Ｏを含むＨ２中で加熱して形成した場合で
は耐圧は４〜ｓＭＶ／ｃｍとなり前者に比べて良好であ
った。
上記説明から明らかなように、本発明によればシリサイ
ド上にモリブデン、タングステンの酸化物を実質的に含
まない酸化シリコン膜が形成できるので、絶縁耐圧の大
きい高品質の酸化シリコン膜を提供できる。
ド上にモリブデン、タングステンの酸化物を実質的に含
まない酸化シリコン膜が形成できるので、絶縁耐圧の大
きい高品質の酸化シリコン膜を提供できる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は本
発明の一実施例を示す図である。
発明の一実施例を示す図である。
Claims (1)
- モリブデンサイドおよびまたはタングステンシリサイド
を水分をｉｐｐｍから５０％まで含む水素中で熱処理し
て、シリサイド表面上に酸化シリコン膜を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14496983A JPS6037123A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14496983A JPS6037123A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037123A true JPS6037123A (ja) | 1985-02-26 |
| JPH0433130B2 JPH0433130B2 (ja) | 1992-06-02 |
Family
ID=15374402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14496983A Granted JPS6037123A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61212040A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14496983A patent/JPS6037123A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61212040A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0789549B2 (ja) * | 1985-03-18 | 1995-09-27 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0433130B2 (ja) | 1992-06-02 |
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