JPS6035728B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPS6035728B2 JPS6035728B2 JP55021099A JP2109980A JPS6035728B2 JP S6035728 B2 JPS6035728 B2 JP S6035728B2 JP 55021099 A JP55021099 A JP 55021099A JP 2109980 A JP2109980 A JP 2109980A JP S6035728 B2 JPS6035728 B2 JP S6035728B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- magnetic head
- magnetoresistive element
- crystal
- thermal expansion
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果素子を用いる薄膜磁気ヘッドにか
かり、その高調波歪の低下、および多チャンネル薄膜磁
気へッド‘こおけるチャンネル間の出力ならびに高調波
歪のばらつきを改善することを目的とする。
かり、その高調波歪の低下、および多チャンネル薄膜磁
気へッド‘こおけるチャンネル間の出力ならびに高調波
歪のばらつきを改善することを目的とする。
従来、第１図に示すような磁気抵抗効果素子１を用いた
薄膜磁気ヘッドは、記録媒体２からの信号磁界Ｈｓに対
し、その比抵抗変化△ｐは第２図のように非直線的に変
化する。
薄膜磁気ヘッドは、記録媒体２からの信号磁界Ｈｓに対
し、その比抵抗変化△ｐは第２図のように非直線的に変
化する。
直線領域で動作を行わせるためには、動作点をＰ点のよ
うな位置になるよう各種手段を用いてバイアス磁界ＨＢ
が設定され、高調波歪を改善する工夫がなされてきた。
しかし、このバイアス磁界の調整だけでは、広いダイナ
ミックレンジにわたって、高調波歪を低減することはむ
ずかしい。すなわち、磁気抵抗効果素子の長さ方向（磁
気ヘッドとしてはトラック中方向）にスピンが秩序よく
配列していないと、スピンの分散が多い等方的な磁気特
性に近づくため、第３図に示す如く、比抵抗変化△ｐと
印加磁界日との関係は、直線領域の少ない状態になる。
またこのような状態では、高調波歪とくに第２次高調域
歪は信号磁界が小さいほど小さいという単純な振舞いで
はなく、信号磁界のレベル変化に対して複雑な振舞いを
する。さらに、多チャンネル薄膜磁気ヘッドの場合には
、隣接するチャンネルを構成する磁気抵抗効果素子をそ
れぞれのスピン配向のそろっていることが重要で、その
配向特性がふぞろいの場合には、各チャンネルに最適な
バイアス磁界が設定されたとしても、高調波歪特性にば
らつきが生じてしまう。また、信号磁界のレベルの変化
に対応する出力波形の第２次高調波歪特性の挙動は例え
ば第４図の如くふぞろいとなり、特性のよい磁気ヘッド
とはなり得ない。本発明の構成を述べる。基板として少
なくとも一つの結晶軸方向で熱側鞍張係数の異なる基板
を用いる。今、一つの結晶軸方向の熱膨張数をＱ，、別
の結晶軸方向の熱膨咳張係数をＱ２とする。そしてＱ，
＞Ｑ２とする。後続する各種薄膜を積層する基板面上に
、前記熱膨張係数がＱ，，Ｑ２ である結晶軸を有する
基板３を準備する。ついで磁気抵抗効果素子となるＦｅ
−Ｎｊ合金，Ｎｊ−Ｃｏ合金等の強磁性材料を母合金と
して真空蒸着法などの方法により強磁性薄膜４を形成す
る（第５図）。強磁性薄膜４をホトリソグラフィ−の手
法およびエッチング手法により所望のパターン形状の磁
気抵抗効果素子５とする。通常第６図に示すように矩形
状にエッチングされ、多チャンネルの場合には同図×方
向（最終磁気ヘッドとしてのトラック中方向）に並んだ
構成となる。前記強磁性薄膜の形成に際しては、磁場中
で生成させると誘導磁気異万性を生じさせ、スピンを秩
序よく配向させることができるので多くの場合、磁場中
で生成される。この磁場の方向はｘ方向と平行である。
Ｎｉ−Ｆｅ強磁性薄膜の磁歪定数入が負である組成（例
えば８６％Ｎｉ−１４％Ｆｅ）を用いる。その熱膨張係
数Ｂはほぼ１２０ｘｌｏ−７／℃である。通常、熱膨張
係数の異なる結晶軸は直交関係にあり、８＞Ｑ，〉Ｑ２
の場合でも、Ｑ，＞Ｑ２＞６の場合でも、熱膨張係数Ｑ
，の結晶軸が前記ｘ方向に平行になるように基板を設置
すれば、熱膨張係数Ｑ２の結晶軸はｘ方向と直角な方向
になる。このように選択することにより、第５図示す強
磁性薄膜４の特性は磁歪による異方性エネルギーＫ＝−
３／２入ｏｃｏｓ２０（ここで、入は等方磁歪としたと
きの磁歪定数、。は強磁性薄膜４中の内部応力で引張り
応力のときには符号が正，圧縮応力のときには符号が負
である。８‘まスピンの飽和磁化Ｍｓの向きと応力との
なす角）が最小になるようにスピンが配列する。
うな位置になるよう各種手段を用いてバイアス磁界ＨＢ
が設定され、高調波歪を改善する工夫がなされてきた。
しかし、このバイアス磁界の調整だけでは、広いダイナ
ミックレンジにわたって、高調波歪を低減することはむ
ずかしい。すなわち、磁気抵抗効果素子の長さ方向（磁
気ヘッドとしてはトラック中方向）にスピンが秩序よく
配列していないと、スピンの分散が多い等方的な磁気特
性に近づくため、第３図に示す如く、比抵抗変化△ｐと
印加磁界日との関係は、直線領域の少ない状態になる。
またこのような状態では、高調波歪とくに第２次高調域
歪は信号磁界が小さいほど小さいという単純な振舞いで
はなく、信号磁界のレベル変化に対して複雑な振舞いを
する。さらに、多チャンネル薄膜磁気ヘッドの場合には
、隣接するチャンネルを構成する磁気抵抗効果素子をそ
れぞれのスピン配向のそろっていることが重要で、その
配向特性がふぞろいの場合には、各チャンネルに最適な
バイアス磁界が設定されたとしても、高調波歪特性にば
らつきが生じてしまう。また、信号磁界のレベルの変化
に対応する出力波形の第２次高調波歪特性の挙動は例え
ば第４図の如くふぞろいとなり、特性のよい磁気ヘッド
とはなり得ない。本発明の構成を述べる。基板として少
なくとも一つの結晶軸方向で熱側鞍張係数の異なる基板
を用いる。今、一つの結晶軸方向の熱膨張数をＱ，、別
の結晶軸方向の熱膨咳張係数をＱ２とする。そしてＱ，
＞Ｑ２とする。後続する各種薄膜を積層する基板面上に
、前記熱膨張係数がＱ，，Ｑ２ である結晶軸を有する
基板３を準備する。ついで磁気抵抗効果素子となるＦｅ
−Ｎｊ合金，Ｎｊ−Ｃｏ合金等の強磁性材料を母合金と
して真空蒸着法などの方法により強磁性薄膜４を形成す
る（第５図）。強磁性薄膜４をホトリソグラフィ−の手
法およびエッチング手法により所望のパターン形状の磁
気抵抗効果素子５とする。通常第６図に示すように矩形
状にエッチングされ、多チャンネルの場合には同図×方
向（最終磁気ヘッドとしてのトラック中方向）に並んだ
構成となる。前記強磁性薄膜の形成に際しては、磁場中
で生成させると誘導磁気異万性を生じさせ、スピンを秩
序よく配向させることができるので多くの場合、磁場中
で生成される。この磁場の方向はｘ方向と平行である。
Ｎｉ−Ｆｅ強磁性薄膜の磁歪定数入が負である組成（例
えば８６％Ｎｉ−１４％Ｆｅ）を用いる。その熱膨張係
数Ｂはほぼ１２０ｘｌｏ−７／℃である。通常、熱膨張
係数の異なる結晶軸は直交関係にあり、８＞Ｑ，〉Ｑ２
の場合でも、Ｑ，＞Ｑ２＞６の場合でも、熱膨張係数Ｑ
，の結晶軸が前記ｘ方向に平行になるように基板を設置
すれば、熱膨張係数Ｑ２の結晶軸はｘ方向と直角な方向
になる。このように選択することにより、第５図示す強
磁性薄膜４の特性は磁歪による異方性エネルギーＫ＝−
３／２入ｏｃｏｓ２０（ここで、入は等方磁歪としたと
きの磁歪定数、。は強磁性薄膜４中の内部応力で引張り
応力のときには符号が正，圧縮応力のときには符号が負
である。８‘まスピンの飽和磁化Ｍｓの向きと応力との
なす角）が最小になるようにスピンが配列する。
８＞Ｑ，＞Ｑ２の場合、強磁性薄膜４中にはｘ方向と直
角方向により大きな引張り応力が働き、入が負であるた
め、ｃｏｓ２８＝０，つまり８＝９００でエネルギー最
小となる。
角方向により大きな引張り応力が働き、入が負であるた
め、ｃｏｓ２８＝０，つまり８＝９００でエネルギー最
小となる。
すなわちｘ方向にスピンが配向するのを助ける。逆にＱ
，＞Ｑ２＞８の場合、強磁性薄膜４中にはｘ方向と平行
方向により大きな圧縮応力が働くため、ｃｏｓ２０＝１
すなわち０＝００でヱネルギー最小となる。すなわち、
ｘ方向にスピンが配向するのを助ける。第６図のように
、磁気抵抗効果素子５は通常矩形状をしており、長さそ
、中ｗの比は〆／ｗ＞＞１となり、形状異方性の点から
も素子５の長さその方向にスピンは配同した方が異方性
エネルギーは４・さくなる。
，＞Ｑ２＞８の場合、強磁性薄膜４中にはｘ方向と平行
方向により大きな圧縮応力が働くため、ｃｏｓ２０＝１
すなわち０＝００でヱネルギー最小となる。すなわち、
ｘ方向にスピンが配向するのを助ける。第６図のように
、磁気抵抗効果素子５は通常矩形状をしており、長さそ
、中ｗの比は〆／ｗ＞＞１となり、形状異方性の点から
も素子５の長さその方向にスピンは配同した方が異方性
エネルギーは４・さくなる。
このように磁場中生成による誘導磁気異万性，形状効果
による形状異方性を利用するのはこれまでも行われてき
たが、従来例で示したように未だ最終ヘッド時でのスピ
ン配向が不完全と考えられるために、本発明ではこれに
加えて磁歪による誘導磁気異万性を付加させることに特
徴がある。
による形状異方性を利用するのはこれまでも行われてき
たが、従来例で示したように未だ最終ヘッド時でのスピ
ン配向が不完全と考えられるために、本発明ではこれに
加えて磁歪による誘導磁気異万性を付加させることに特
徴がある。
磁歪定数入が完全に０であれば、磁歪による誘導磁気異
方性は寄与しない。また、入があまり大きいと磁気ヘッ
ドとしたとき、記録媒体と摺接することによって逆磁歪
効果が働き、ノイズの増加をきたす。ところで、本発明
で＾く０の場合のみに言及しているのは以下に示す理由
からである。第６図に示すような状態で磁気抵抗効果素
子５はそのｘ方向にスピンを配列していても、最終保持
板の接着で歪が入ることがわかった。すなわち第６図に
示した状態のあと、第７図に示すように磁気抵抗効果素
子５に電流を供給するための導体層６を形成した後、Ｓ
ｉ○等の絶縁層７を生成基板３と同じ材質、もしくはソ
ーダガラス等の保持板８を樹脂あるいは低融点ガラス等
で接着する。この際、第８図に示すように矩形状の性質
から保持板８の長手方向（ｘ方向と平行）により大きく
たわむ。このたわみ量は数一ｍ／１仇ゆであるが、明ら
かにｘ方向と直角な方向に比べてたわみ量は大きい。こ
のたわみは磁気抵抗効果素子５にｘ方向の圧縮応力とし
て異万的に作用する。したがって、磁歪定数が負であれ
ば、この圧縮応力によってｘ方向にスピンを配向するの
を助けるが、正の場合はｘ方向と直角方向にスピンを向
ける。すなわちｘ方向にスピンが配向してし、てもこの
プ。セス時にスピン配向を乱す。磁歪定数入が完全に零
であれば、保持板接着時にスピンの配向を乱すことはな
いが、実際の強磁性薄膜で常に＾＝０を実現することは
不可能と言える。
方性は寄与しない。また、入があまり大きいと磁気ヘッ
ドとしたとき、記録媒体と摺接することによって逆磁歪
効果が働き、ノイズの増加をきたす。ところで、本発明
で＾く０の場合のみに言及しているのは以下に示す理由
からである。第６図に示すような状態で磁気抵抗効果素
子５はそのｘ方向にスピンを配列していても、最終保持
板の接着で歪が入ることがわかった。すなわち第６図に
示した状態のあと、第７図に示すように磁気抵抗効果素
子５に電流を供給するための導体層６を形成した後、Ｓ
ｉ○等の絶縁層７を生成基板３と同じ材質、もしくはソ
ーダガラス等の保持板８を樹脂あるいは低融点ガラス等
で接着する。この際、第８図に示すように矩形状の性質
から保持板８の長手方向（ｘ方向と平行）により大きく
たわむ。このたわみ量は数一ｍ／１仇ゆであるが、明ら
かにｘ方向と直角な方向に比べてたわみ量は大きい。こ
のたわみは磁気抵抗効果素子５にｘ方向の圧縮応力とし
て異万的に作用する。したがって、磁歪定数が負であれ
ば、この圧縮応力によってｘ方向にスピンを配向するの
を助けるが、正の場合はｘ方向と直角方向にスピンを向
ける。すなわちｘ方向にスピンが配向してし、てもこの
プ。セス時にスピン配向を乱す。磁歪定数入が完全に零
であれば、保持板接着時にスピンの配向を乱すことはな
いが、実際の強磁性薄膜で常に＾＝０を実現することは
不可能と言える。
したがって、本発明のようにむしろ積極的に磁歪定数＾
が負の領域を用いることにより、スピン配向を維持し、
乱さない構成を目指すことが有効である。以上の説明の
中では基板３上に直接磁気抵抗効果素子５を配置すると
したが、この間にバイアス印加用高抗磁力薄膜、あるい
はバイアス印加用導電層、また、層間絶縁のための絶縁
層などの多層の薄膜層がそれぞれの目的に応じて介在し
ても、本発明の効果は存在する。
が負の領域を用いることにより、スピン配向を維持し、
乱さない構成を目指すことが有効である。以上の説明の
中では基板３上に直接磁気抵抗効果素子５を配置すると
したが、この間にバイアス印加用高抗磁力薄膜、あるい
はバイアス印加用導電層、また、層間絶縁のための絶縁
層などの多層の薄膜層がそれぞれの目的に応じて介在し
ても、本発明の効果は存在する。
また、磁気抵抗効果素子５の生成後、電流供給手段とな
る導体層６と保持板８との間に種々の目的に応じて多層
の薄膜層が介在しても本発明の効果は存在する。具体例
を第９図に示す。
る導体層６と保持板８との間に種々の目的に応じて多層
の薄膜層が介在しても本発明の効果は存在する。具体例
を第９図に示す。
基板３として単結晶アルミナを用い、Ｃ軸と平行な結晶
軸と、Ｃ軸を直角な結晶軸が同じ面内に有する基板を用
い、その面を蒸着面とする。単結晶アルミナの場合、Ｃ
軸と平行な結晶軸方向の熱膨張係数がＱ，＝５３×１０
‐７／℃，Ｃ軸と直角な結晶軸方向の熱膨張係数がＱ２
＝４５×１０‐７ノ℃であり、強磁性薄膜生成のため
の母合金として８６％Ｎｉ−１４％Ｆｅを用いると強磁
性薄膜４は磁歪定数入は負である。強磁性薄膜４の熱膨
張係数は８＝１２０×１０‐７／℃であるので、Ｃ軸と
直角な結晶軸をｘ方向と直角になるように基板３を配置
し、強磁性薄膜４を電子ビーム蒸着法により生成する。
この際、直流磁場をｘ方向に印加しながら磁場中蒸着を
行なう。の後は前述したような（第６図，第７図参照）
プロセスを経て保持援着までを行なう。磁気ヘッドとし
ては、その後、最終前面加工を行ない、導電体層６を外
部回路と端子接続をして完成させる。この具体例の場合
にはＢａ−Ｆｅ永久磁石片を後部に設置し、バイアス磁
界ＨＢを得て、磁気ヘッドを線形動作させる。このよう
にして得られた磁気ヘッドの動作の一部を第１０図で示
す。
軸と、Ｃ軸を直角な結晶軸が同じ面内に有する基板を用
い、その面を蒸着面とする。単結晶アルミナの場合、Ｃ
軸と平行な結晶軸方向の熱膨張係数がＱ，＝５３×１０
‐７／℃，Ｃ軸と直角な結晶軸方向の熱膨張係数がＱ２
＝４５×１０‐７ノ℃であり、強磁性薄膜生成のため
の母合金として８６％Ｎｉ−１４％Ｆｅを用いると強磁
性薄膜４は磁歪定数入は負である。強磁性薄膜４の熱膨
張係数は８＝１２０×１０‐７／℃であるので、Ｃ軸と
直角な結晶軸をｘ方向と直角になるように基板３を配置
し、強磁性薄膜４を電子ビーム蒸着法により生成する。
この際、直流磁場をｘ方向に印加しながら磁場中蒸着を
行なう。の後は前述したような（第６図，第７図参照）
プロセスを経て保持援着までを行なう。磁気ヘッドとし
ては、その後、最終前面加工を行ない、導電体層６を外
部回路と端子接続をして完成させる。この具体例の場合
にはＢａ−Ｆｅ永久磁石片を後部に設置し、バイアス磁
界ＨＢを得て、磁気ヘッドを線形動作させる。このよう
にして得られた磁気ヘッドの動作の一部を第１０図で示
す。
出力波形に含まれる第２次高調波歪の良好なしベル特性
は、スピン配向がよくそろっていることを示しており、
チャンネル間のばらつきも著しく低減されていることが
わかる。また、従来例の第３図に示したスピン配向の悪
い場合には、高調波歪の増加のみならず出力値も低下さ
せるが、本具体例により得られた出力は計算より推定さ
れる値とほぼ同じ出力値を示し、かつチャンネル間での
出力値のばらつきも極めて４・さし、。熱膨張係数が異
なる基板材料としては単結晶アルミナの他に、技，Ｂｉ
，グラファィト，ＣｄＳ，Ｍｇ，Ｓｂ，水晶，Ｔｉ０２
（ルチル），Ｚｎ等があり、種々の用途に応じ、適当な
基板材料が選択される。
は、スピン配向がよくそろっていることを示しており、
チャンネル間のばらつきも著しく低減されていることが
わかる。また、従来例の第３図に示したスピン配向の悪
い場合には、高調波歪の増加のみならず出力値も低下さ
せるが、本具体例により得られた出力は計算より推定さ
れる値とほぼ同じ出力値を示し、かつチャンネル間での
出力値のばらつきも極めて４・さし、。熱膨張係数が異
なる基板材料としては単結晶アルミナの他に、技，Ｂｉ
，グラファィト，ＣｄＳ，Ｍｇ，Ｓｂ，水晶，Ｔｉ０２
（ルチル），Ｚｎ等があり、種々の用途に応じ、適当な
基板材料が選択される。
これらの材料においても、熱膨張係数の異なる結晶軸は
直交しており、熱膨張係数Ｑ，，Ｑ２においてＱ，＞Ｑ
２ であり、強磁性薄膜の熱膨張係数８としたとき、Ｑ
，＞８＞Ｑ２の状態の場合大きな熱風鞍張係数Ｑ，を有
する結晶軸がｘ方向に平行に配置されるように基板を用
いれば、Ｑ，の方向では圧縮応力が働き、ｑ２ の方向
では引張り応力が作用する。それらが入＜０の強磁性薄
膜を用いる場合、スピンをｘ方向に配向させるのを助け
ることは、これまでの記述から容易に推測できることで
ある。本発明の効果は、熱膨張係数の異なる基板を結晶
軸の点から吟味して用い、あわせて磁歪定数入が負の組
成の強磁性薄膜から磁気抵抗効果素子を生成することに
よって、従来からの磁場中蒸着による誘導磁気異方性、
形状異万性に加えて磁歪による誘導磁気異万性を磁気抵
抗効果素子に生ぜしめることが可能となり、これが保持
板接着などの磁気ヘッド作製プロセスにおいてスピン配
向を乱さないことが可能となる。
直交しており、熱膨張係数Ｑ，，Ｑ２においてＱ，＞Ｑ
２ であり、強磁性薄膜の熱膨張係数８としたとき、Ｑ
，＞８＞Ｑ２の状態の場合大きな熱風鞍張係数Ｑ，を有
する結晶軸がｘ方向に平行に配置されるように基板を用
いれば、Ｑ，の方向では圧縮応力が働き、ｑ２ の方向
では引張り応力が作用する。それらが入＜０の強磁性薄
膜を用いる場合、スピンをｘ方向に配向させるのを助け
ることは、これまでの記述から容易に推測できることで
ある。本発明の効果は、熱膨張係数の異なる基板を結晶
軸の点から吟味して用い、あわせて磁歪定数入が負の組
成の強磁性薄膜から磁気抵抗効果素子を生成することに
よって、従来からの磁場中蒸着による誘導磁気異方性、
形状異万性に加えて磁歪による誘導磁気異万性を磁気抵
抗効果素子に生ぜしめることが可能となり、これが保持
板接着などの磁気ヘッド作製プロセスにおいてスピン配
向を乱さないことが可能となる。
これによって高調波歪率が小さく、チャンネル間での出
力値，高調波歪率のばらつきの少ない良好な薄膜磁気ヘ
ッドを実現し得る。そして、基板として単結晶アルミナ
を用いた場合には摩耗特性が箸るしく向上する。
力値，高調波歪率のばらつきの少ない良好な薄膜磁気ヘ
ッドを実現し得る。そして、基板として単結晶アルミナ
を用いた場合には摩耗特性が箸るしく向上する。
第１図は磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドの動
作原理を示す斜視図、第２図はスピン配向が良好な場合
の比抵抗変化△ｐ対印加磁界日の関係を示す図、第３図
はスピン配向が乱れた場合の比抵抗変化△ｐ対印加磁界
日の関係を示す図、第４図は従来の薄膜磁気ヘッドの第
２次高調波歪のレベル特性を示す図、第５図から第７図
までは本発明の磁気ヘッドの構成を示すプロセス図、第
８図は保持板接着後のたわみを示す図、第９図は本発明
の具体例を示すプロセス図、第１０図は本発明による薄
膜磁気ヘッドの第２次高調波歪のレベル特性を示す図で
ある。 ３・・・・・・基板、５・・・・・・磁気抵抗効果素子
、６・・・・・・導体層、７・・…・絶縁層、８・・・
・・・保持板。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図
作原理を示す斜視図、第２図はスピン配向が良好な場合
の比抵抗変化△ｐ対印加磁界日の関係を示す図、第３図
はスピン配向が乱れた場合の比抵抗変化△ｐ対印加磁界
日の関係を示す図、第４図は従来の薄膜磁気ヘッドの第
２次高調波歪のレベル特性を示す図、第５図から第７図
までは本発明の磁気ヘッドの構成を示すプロセス図、第
８図は保持板接着後のたわみを示す図、第９図は本発明
の具体例を示すプロセス図、第１０図は本発明による薄
膜磁気ヘッドの第２次高調波歪のレベル特性を示す図で
ある。 ３・・・・・・基板、５・・・・・・磁気抵抗効果素子
、６・・・・・・導体層、７・・…・絶縁層、８・・・
・・・保持板。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも二つの熱膨張係数が異なる第１，第２の
結晶軸を同じ面内に有し、前記面を蒸着面とする基板上
に直接あるいは複数層の第１群の薄膜層を介して磁気抵
抗効果素子を有し、導体層により前記磁気抵抗効果素子
の長さ方向に電流供給手段を具備し、その上部に直接に
あるいは複数層の第２群の薄膜層を介して保持板が接着
されていることを特徴とする薄膜磁気ヘツド。 ２ 第１の結晶軸の熱膨張係数が第２の結晶軸の熱膨張
係数に比べて大きく、前記基板上において、前記第１の
結晶軸の方向が磁気抵抗効果素子の長さ方向に平行であ
り、かつ、前記磁気抵抗効果素子の磁歪定数が負である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気
ヘツド。 ３ 保持板がほぼ矩形状をしており、前記保持板の長手
方向が磁気抵抗効果素子の長さ方向に平行になるように
接着されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の薄膜磁気ヘツド。 ４ 基板が単結晶アルミナであり、第１，第２の結晶軸
がそれぞれＣ軸に平行な軸、Ｃ軸に直角な軸であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツ
ド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55021099A JPS6035728B2 (ja) | 1980-02-21 | 1980-02-21 | 薄膜磁気ヘッド |
| US06/236,307 US4394699A (en) | 1980-02-21 | 1981-02-20 | Thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55021099A JPS6035728B2 (ja) | 1980-02-21 | 1980-02-21 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56117322A JPS56117322A (en) | 1981-09-14 |
| JPS6035728B2 true JPS6035728B2 (ja) | 1985-08-16 |
Family
ID=12045416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55021099A Expired JPS6035728B2 (ja) | 1980-02-21 | 1980-02-21 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4394699A (ja) |
| JP (1) | JPS6035728B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4783711A (en) * | 1985-07-12 | 1988-11-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive sensor having magnetic shields of ferrite |
| US5225951A (en) * | 1985-12-27 | 1993-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film magnetic head with reduced internal stresses |
| CN1246829C (zh) | 2000-06-20 | 2006-03-22 | 西加特技术有限责任公司 | 带有分层的写线圈的磁盘驱动器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4164770A (en) * | 1977-09-21 | 1979-08-14 | Eastman Technology, Inc. | Thin film magnetoresistive head |
| US4242710A (en) * | 1979-01-29 | 1980-12-30 | International Business Machines Corporation | Thin film head having negative magnetostriction |
| US4225892A (en) * | 1979-02-05 | 1980-09-30 | International Business Machines Corporation | Wear resistant magnetorestrictive head |
| US4317147A (en) * | 1979-12-20 | 1982-02-23 | International Business Machines Corporation | Sandwich type magnetoresistive read head |
-
1980
- 1980-02-21 JP JP55021099A patent/JPS6035728B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-02-20 US US06/236,307 patent/US4394699A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56117322A (en) | 1981-09-14 |
| US4394699A (en) | 1983-07-19 |
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