JPS6035315B2 - セラミツク粉末材料の製造方法 - Google Patents
セラミツク粉末材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS6035315B2 JPS6035315B2 JP52001949A JP194977A JPS6035315B2 JP S6035315 B2 JPS6035315 B2 JP S6035315B2 JP 52001949 A JP52001949 A JP 52001949A JP 194977 A JP194977 A JP 194977A JP S6035315 B2 JPS6035315 B2 JP S6035315B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- silicon nitride
- powder
- ceramic powder
- powder material
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高強度のセラミックス焼結体を得るに適したセ
ラミック粉末材料の改良に関し、特に窒化珪素を主体と
する粉末材料についての発明である。
ラミック粉末材料の改良に関し、特に窒化珪素を主体と
する粉末材料についての発明である。
窒化珪素焼結体は高温強度に優れた嫌結体を得ることが
できるので世界各地で研究が進められている。
できるので世界各地で研究が進められている。
たとえばマグネシアを添加した窒化珪素粉末をホットプ
レスする方法、ィットリアを添加した窒化珪素粉末をホ
ットプレスする方法などはち密な窒化珪素焼結体を得る
方法として知られている。
レスする方法、ィットリアを添加した窒化珪素粉末をホ
ットプレスする方法などはち密な窒化珪素焼結体を得る
方法として知られている。
しかし、ち密化されただけでは十分な高温強度が得られ
ない。即ち、ち密化されただけの焼結体はそのなかにガ
ラス質を含み、このガラス質部分が高温強度の不十分な
原因となる。
ない。即ち、ち密化されただけの焼結体はそのなかにガ
ラス質を含み、このガラス質部分が高温強度の不十分な
原因となる。
本発明者は競結体中のガラス質を減少させるため、粉末
材料について研究を行い、本発明を完成した。
材料について研究を行い、本発明を完成した。
したがって、本発明の主たる目的は、高温強度が十分に
優れた焼絹体を得るに適したセラミック粉末材料を得る
ことにある。
優れた焼絹体を得るに適したセラミック粉末材料を得る
ことにある。
本発明の他の目的は以下の説明により理解されるであろ
う。
う。
本発明の基本的技術思想は、セラミック粉末材料中の酸
素量の規制にある。
素量の規制にある。
窒化珪素粉末は種々の不純物を含んでいるものであり、
単に珪素と窒素とのみで構成されているものではない。
単に珪素と窒素とのみで構成されているものではない。
たとえば窒化珪素粉末粒子の表面はシIJ力が付着して
いるのが一般的であり、不可避の不純物として鉄、カル
シウムなども存在することが多い。これらの不純物の多
くは酸素と結合してセラミック粉末材料中に存在するの
が一般的である。
いるのが一般的であり、不可避の不純物として鉄、カル
シウムなども存在することが多い。これらの不純物の多
くは酸素と結合してセラミック粉末材料中に存在するの
が一般的である。
この配化物が焼結体の高温強度の不十分さの原因となる
と考えられる。本発明者は種々実験の結果特に不可避の
不純物に対応する配素量が特に問題となると考えた。
と考えられる。本発明者は種々実験の結果特に不可避の
不純物に対応する配素量が特に問題となると考えた。
即ち、放射化分析値で不可避不純物に対応する配秦量が
2.の重量%以下となるように加熱処理された窒化珪素
を主体とするセラミック粉末は高温強度にすぐれた焼緒
体を得るに適した材料であることが分った。この不可避
不純物に対応する配素量はさらに好ましくは1.の重量
%以下、最も好ましくは0.5重量%以下とするとよい
ことも分った。
2.の重量%以下となるように加熱処理された窒化珪素
を主体とするセラミック粉末は高温強度にすぐれた焼緒
体を得るに適した材料であることが分った。この不可避
不純物に対応する配素量はさらに好ましくは1.の重量
%以下、最も好ましくは0.5重量%以下とするとよい
ことも分った。
この優れた窒化珪素粉末を得るには、原料粉末を140
0〜1900つCIこ加熱処理する方法が適している。
0〜1900つCIこ加熱処理する方法が適している。
この加熱温度は好ましくは1500〜185000であ
り、さらに好ましくは1550〜1800ooである。
上記の加熱処理をしない窒化珪素粉末において酉己素原
子は、窒化珪素粒子の周囲にSi02として存在し、こ
のSi02がィットリア、アルミナ等の焼緒助剤と液相
を作り蹄結を促進するとともに、窒化珪素グレィンを特
定方向に優先的に伸長せしめ窒化珪素特有の長柱状グレ
ィン組織を作り高強度化に寄与する。ところが、このと
きのSi02を含む液相は、窒化珪素粒子とぬれ性が悪
く、凝集しやすいためすべてが有効に働かない。このた
め前記の窒化珪素粉末ではある特定量以上のSi02が
必要となる。従って配素量としては2重量%以上含まれ
ていることが必要であった。しかし、このような粉末を
本発明方法により高温で加熱処理を行なうと、窒化珪素
粒子周囲のSi02は、Sj○として飛散し同時に残り
の酸素が窒化珪素粒子の表面に固浴し、Si02含有液
相とのぬれ性が改善される。
り、さらに好ましくは1550〜1800ooである。
上記の加熱処理をしない窒化珪素粉末において酉己素原
子は、窒化珪素粒子の周囲にSi02として存在し、こ
のSi02がィットリア、アルミナ等の焼緒助剤と液相
を作り蹄結を促進するとともに、窒化珪素グレィンを特
定方向に優先的に伸長せしめ窒化珪素特有の長柱状グレ
ィン組織を作り高強度化に寄与する。ところが、このと
きのSi02を含む液相は、窒化珪素粒子とぬれ性が悪
く、凝集しやすいためすべてが有効に働かない。このた
め前記の窒化珪素粉末ではある特定量以上のSi02が
必要となる。従って配素量としては2重量%以上含まれ
ていることが必要であった。しかし、このような粉末を
本発明方法により高温で加熱処理を行なうと、窒化珪素
粒子周囲のSi02は、Sj○として飛散し同時に残り
の酸素が窒化珪素粒子の表面に固浴し、Si02含有液
相とのぬれ性が改善される。
そのためにより少ないSi02量、すなわちより少なし
、配表量で充分に窒化珪素粒子を最柱状化する効果を得
ることができる。本発明方法においては、加熱処理を施
こすことにより配素量を減少させて上記効果を得るもの
であって、得られた粉末としては配素量2%以下とする
のがよい。これ以上多いと粒界に過多の液相が生成しや
すく本発明方法の効果を充分得られず、高温特性を改善
しえない。さらに、アルミナやィットリアを添加した窒
化珪素粉末においては、通常の方法による分析値でアル
ミニウムが0.05〜2.5重量%、イットリウムが0
.4〜8.の重量%の範囲にあり、放射化分析値で全酸
素重量%(Wo)がアルミニウム重量%(W^夕)とイ
ットリウム重量%(WY)の関係式酸素原子量W。
、配表量で充分に窒化珪素粒子を最柱状化する効果を得
ることができる。本発明方法においては、加熱処理を施
こすことにより配素量を減少させて上記効果を得るもの
であって、得られた粉末としては配素量2%以下とする
のがよい。これ以上多いと粒界に過多の液相が生成しや
すく本発明方法の効果を充分得られず、高温特性を改善
しえない。さらに、アルミナやィットリアを添加した窒
化珪素粉末においては、通常の方法による分析値でアル
ミニウムが0.05〜2.5重量%、イットリウムが0
.4〜8.の重量%の範囲にあり、放射化分析値で全酸
素重量%(Wo)がアルミニウム重量%(W^夕)とイ
ットリウム重量%(WY)の関係式酸素原子量W。
<x十1.5×(WA夕×アルミニウム原子量酸m腺f
且十WY×イットリウム原子量) においてx<2.0であれば優れた焼結体を得らる。
且十WY×イットリウム原子量) においてx<2.0であれば優れた焼結体を得らる。
上記式中xの値はさらに好ましくは1.0以下、最も好
ましくは0.5以下であればよい。この添加物を含む窒
化珪素粉末において良好なセラミック粉末材料となすた
めには、アルミナを0.1〜5重量%とイットリアを0
.5〜1の重量%とを添加した窒化珪素粉末を1400
〜1900qoに加熱処理すればよい。この加熱温度は
好ましくは1500〜185000であり、さらに好ま
しくは1550〜180000である。アルミナやィッ
トリアを添加した窒化珪素原料を用いる場合、加熱処理
して得られるセラミック粉末材料粉末はイットリウムの
一部又は全部が窒化珪素と酸化ィットリアとの化合物と
して存在するとより好ましい。
ましくは0.5以下であればよい。この添加物を含む窒
化珪素粉末において良好なセラミック粉末材料となすた
めには、アルミナを0.1〜5重量%とイットリアを0
.5〜1の重量%とを添加した窒化珪素粉末を1400
〜1900qoに加熱処理すればよい。この加熱温度は
好ましくは1500〜185000であり、さらに好ま
しくは1550〜180000である。アルミナやィッ
トリアを添加した窒化珪素原料を用いる場合、加熱処理
して得られるセラミック粉末材料粉末はイットリウムの
一部又は全部が窒化珪素と酸化ィットリアとの化合物と
して存在するとより好ましい。
この化合物の存在はX線回折によって確認できる。この
化合物を生成させるには、加熱処理温度をi60000
以上にするとよい。
化合物を生成させるには、加熱処理温度をi60000
以上にするとよい。
実施例 1
0は放射化分析で、N‘まガス分析で、他は通常の湿式
分析で調査した結果Si58.6重量%、N36.1重
量%、04.立重量%、Feo.25重量%Cao.2
1重量%である釜化珪素粉末を170000で1時間窒
化アルミニウム容器中で加熱したところSj59.2重
量%、N36.9重量%、01.8重量%、Feo.2
8重量%、Cao.25重量%の粉末が得られた。
分析で調査した結果Si58.6重量%、N36.1重
量%、04.立重量%、Feo.25重量%Cao.2
1重量%である釜化珪素粉末を170000で1時間窒
化アルミニウム容器中で加熱したところSj59.2重
量%、N36.9重量%、01.8重量%、Feo.2
8重量%、Cao.25重量%の粉末が得られた。
加熱処理を施さない粉末と加熱処理を施して酸素量を減
少した粉末とに対し、それぞれアルミブ2重量%及びィ
ットリァ5%重量%をを添加し成.形後1800ooに
て2時間500k9/cその加圧を施しつつ孫結した。
少した粉末とに対し、それぞれアルミブ2重量%及びィ
ットリァ5%重量%をを添加し成.形後1800ooに
て2時間500k9/cその加圧を施しつつ孫結した。
この結果加熱処理を施さない窒化珪素粉末を使用したも
のの1200ooにおける抗折強度は53k9/cめで
あった。一方加熱処理を施して配素量を減少した窒化珪
素を用いたものの1200oCにおける抗折強度は75
k9/めであった。抗折試験に供した試料サイズは3×
3×35(肌)であり、試験条件はクロスヘットスピー
ド0.5側/秒、スパン20の/仇である。
のの1200ooにおける抗折強度は53k9/cめで
あった。一方加熱処理を施して配素量を減少した窒化珪
素を用いたものの1200oCにおける抗折強度は75
k9/めであった。抗折試験に供した試料サイズは3×
3×35(肌)であり、試験条件はクロスヘットスピー
ド0.5側/秒、スパン20の/仇である。
実施例 2
アルミナ2.5重量%、イツトリア4.笹重量%を混合
した窒化珪素原料粉末を用意し、1750q0にて2時
間窒化アルミニウム容器中で加熱処理した。
した窒化珪素原料粉末を用意し、1750q0にて2時
間窒化アルミニウム容器中で加熱処理した。
得られた粉末を実施例1と同様に分析したところSi5
5.7重量%、A夕1.3重量%、Y3.8重量%、F
eo.31重量%、Cao.26重量%、N32.6重
量%、02.母重量%であった。また、X線回折したと
ころ窒化珪素とィットリアのモル比1:1の化合物(S
i3N4・Y203)が生成されており、粉末全体のイ
ットリウム量のうち90%がこの酸窒化物化合物として
存在していることが分った。この粉末を成形後1800
00にて2時間、500k9/あの加圧を施しつつ焼結
した。
5.7重量%、A夕1.3重量%、Y3.8重量%、F
eo.31重量%、Cao.26重量%、N32.6重
量%、02.母重量%であった。また、X線回折したと
ころ窒化珪素とィットリアのモル比1:1の化合物(S
i3N4・Y203)が生成されており、粉末全体のイ
ットリウム量のうち90%がこの酸窒化物化合物として
存在していることが分った。この粉末を成形後1800
00にて2時間、500k9/あの加圧を施しつつ焼結
した。
得られた暁絹体を実施例1と同様の条件で抗折試験を施
したところ120000で92k9/地の強度が得られ
た。
したところ120000で92k9/地の強度が得られ
た。
上記実施例1及び2では加熱処理を室化アルミニウムの
容器中で行ったが、これに限定されるものではなく、窒
化ほう素、炭化けし、素、など収容粉末と反応を生じな
いものであればよい。
容器中で行ったが、これに限定されるものではなく、窒
化ほう素、炭化けし、素、など収容粉末と反応を生じな
いものであればよい。
また加熱処理雰囲気は非酸化性雰囲気であればよく、た
とえば不活性ガス雰囲気、窒素雰囲気などが使用できる
。
とえば不活性ガス雰囲気、窒素雰囲気などが使用できる
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 窒化珪素を主体とする粉末を1400〜1900℃
に加熱して、放射化分析値で不可避不純物に対応する酸
素量が2.0重量%以下となすことを特徴とするセラミ
ツク粉末材料の製造方法。 2 加熱温度は1500〜1850℃である特許請求の
範囲第1項に記載のセラミツク粉末材料の製造方法。 3 窒化珪素を主体とする粉末はアルミナを0.1〜5
重量%とイツトリアを0.5〜10重量%を含む特許請
求の範囲第1項または第2項のいずれかに記載のセラミ
ツク粉末材料の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52001949A JPS6035315B2 (ja) | 1977-01-13 | 1977-01-13 | セラミツク粉末材料の製造方法 |
SE7800350A SE427650B (sv) | 1977-01-13 | 1978-01-12 | Kiselnitridpulvermaterial samt sett att framstella detsamma |
GB1497/78A GB1602821A (en) | 1977-01-13 | 1978-01-13 | Ceramic powder material and method for manufacturing the same |
DE2801474A DE2801474C2 (de) | 1977-01-13 | 1978-01-13 | Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen keramischen Materials aus Si↓3↓ N↓4↓, Al↓2↓ O↓3↓ und Y↓2↓ O↓3↓ |
US06/078,584 US4284432A (en) | 1977-01-13 | 1979-09-21 | Ceramic powder material and method for manufacturing the same |
US06/221,813 US4341874A (en) | 1977-01-13 | 1980-12-31 | Si3 N4 Ceramic powder material and method for manufacturing the same |
SE8207111A SE8207111L (sv) | 1977-01-13 | 1982-12-13 | Sett vid framstellning av ett keramiskt pulvermaterial |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52001949A JPS6035315B2 (ja) | 1977-01-13 | 1977-01-13 | セラミツク粉末材料の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5388011A JPS5388011A (en) | 1978-08-03 |
JPS6035315B2 true JPS6035315B2 (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11515848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52001949A Expired JPS6035315B2 (ja) | 1977-01-13 | 1977-01-13 | セラミツク粉末材料の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6035315B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5820782A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-07 | 住友電気工業株式会社 | 窒化けい素焼結体およびその製造方法 |
JPH01313308A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 易焼結性アルフア窒化ケイ素粉末 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5257100A (en) * | 1975-11-07 | 1977-05-11 | Toshiba Corp | Method for production of sintered material of silicon nitride system |
-
1977
- 1977-01-13 JP JP52001949A patent/JPS6035315B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5257100A (en) * | 1975-11-07 | 1977-05-11 | Toshiba Corp | Method for production of sintered material of silicon nitride system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5388011A (en) | 1978-08-03 |
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