JPS6033392B2 - １，２−ベンゾジアゼピン誘導体およびその製造方法 - Google Patents
１，２−ベンゾジアゼピン誘導体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6033392B2 JPS6033392B2 JP53110593A JP11059378A JPS6033392B2 JP S6033392 B2 JPS6033392 B2 JP S6033392B2 JP 53110593 A JP53110593 A JP 53110593A JP 11059378 A JP11059378 A JP 11059378A JP S6033392 B2 JPS6033392 B2 JP S6033392B2
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- JP
- Japan
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- formula
- benzodiazepine
- producing
- compound
- alkyl group
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式（１）
で示される１・２−ペンゾジアゼピン誘導体およびその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
式中Ｒ，は水素または低級アルキル基を、Ｒ２は低級ア
ルキル基を示す。
ルキル基を示す。
本発明の式（１）で示される化合物は新規な化合物であ
り、中枢神経抑制作用を有し、医薬品またはその中間体
として有用な化合物である。
り、中枢神経抑制作用を有し、医薬品またはその中間体
として有用な化合物である。
本発明の化合物（１）は、式（ｍ）で示される化合物を
アルキル化し、式（０）で示される化合物を製造し、こ
れを酸素ガスの存在下で光照射することにより製造する
ことができる。これを反応式で示せば次のとおりである
。なお、原料物質（ｍ）はＮ−ィミノキノリン議導体（
Ｗ）に光照射することにより製造することができる。
アルキル化し、式（０）で示される化合物を製造し、こ
れを酸素ガスの存在下で光照射することにより製造する
ことができる。これを反応式で示せば次のとおりである
。なお、原料物質（ｍ）はＮ−ィミノキノリン議導体（
Ｗ）に光照射することにより製造することができる。
（特開昭５１一７５０８霧参照）式中Ｒ，、Ｒ２は上記
と同じ意味を表わす。本発明の化合物を製造するに当っ
ては、上記原料物質（ｍ）を適当な有機溶媒に溶解し、
炭酸アルカリ、ナトリウムハイドライド、ｎーブチルリ
チウム等の塩基の存在下、ジェチル硫酸、ハロゲン化ア
ルキル等のアルキル化剤と反応させることにより化合物
（ロ）を製造することができる。反応温度は適当な温度
でよいが、ｎーブチルリチウムを用いた時は氷冷下ない
し一８０００で行うのが望ましい。溶液は原料物質を溶
解させるいかなる溶媒をも使用しうるが、ｎーブチルリ
チウムを用いる時はテトラヒドロフラン、ジェチルェー
テル等の非極‘性溶媒が望ましい。ここで得られた化合
物（ロ）を適当な有機溶媒に溶解し、酸素ガスの存在下
高圧水銀灯またはハロゲンランプで光照射することによ
り１・２−ペンゾジアゼピン誘導体を得ることができる
。
と同じ意味を表わす。本発明の化合物を製造するに当っ
ては、上記原料物質（ｍ）を適当な有機溶媒に溶解し、
炭酸アルカリ、ナトリウムハイドライド、ｎーブチルリ
チウム等の塩基の存在下、ジェチル硫酸、ハロゲン化ア
ルキル等のアルキル化剤と反応させることにより化合物
（ロ）を製造することができる。反応温度は適当な温度
でよいが、ｎーブチルリチウムを用いた時は氷冷下ない
し一８０００で行うのが望ましい。溶液は原料物質を溶
解させるいかなる溶媒をも使用しうるが、ｎーブチルリ
チウムを用いる時はテトラヒドロフラン、ジェチルェー
テル等の非極‘性溶媒が望ましい。ここで得られた化合
物（ロ）を適当な有機溶媒に溶解し、酸素ガスの存在下
高圧水銀灯またはハロゲンランプで光照射することによ
り１・２−ペンゾジアゼピン誘導体を得ることができる
。
光照射の際に用いられる溶媒は、化合物（ロ）を溶解さ
せるいかなる溶媒も使用しうるが、塩化メチレン、メタ
ノールが望ましい。光源は通常用いられる高圧水銀灯ま
たはハロゲンランプでよく、その強さは、その時使用さ
れる原料物質の量により適当に選択される。反応終了後
、目的化合物は常法に従って反応混合物から採取される
。
せるいかなる溶媒も使用しうるが、塩化メチレン、メタ
ノールが望ましい。光源は通常用いられる高圧水銀灯ま
たはハロゲンランプでよく、その強さは、その時使用さ
れる原料物質の量により適当に選択される。反応終了後
、目的化合物は常法に従って反応混合物から採取される
。
例えば塩化メチレンを溶媒として反応を行った場合は、
減圧下で溶媒を留去することにより目的化合物を得るこ
とができる。得られた目的化合物は、更に必要に応じて
再結晶、カラムクロマトグラフイーなどに付することに
より純品として得ることができる。次に例をあげて、本
発明を更に具体的に説明する。
減圧下で溶媒を留去することにより目的化合物を得るこ
とができる。得られた目的化合物は、更に必要に応じて
再結晶、カラムクロマトグラフイーなどに付することに
より純品として得ることができる。次に例をあげて、本
発明を更に具体的に説明する。
例１
１−メチル一３−オキソー１・２−ペンゾジアゼピンの
合成ＩＨ−１・２ーベンゾジアゼピン５夕を無水テトラ
ヒドロフラン（１５０泌）に溶かし−６５ｑｏで窒素ガ
スを通じながら、１．１倍モル量のｎープチルリチウム
のへキサン溶液を燈拝しながら滴下する。
合成ＩＨ−１・２ーベンゾジアゼピン５夕を無水テトラ
ヒドロフラン（１５０泌）に溶かし−６５ｑｏで窒素ガ
スを通じながら、１．１倍モル量のｎープチルリチウム
のへキサン溶液を燈拝しながら滴下する。
次に同じく１．１倍モルのョウ化メチル（５．４夕）の
テトラヒドロフラン溶液（１０ｗ‘）を滴下する。反応
液を室温に１〜２時間放置後、水（５０叫）を加えて塩
化メチレンで抽出する。
テトラヒドロフラン溶液（１０ｗ‘）を滴下する。反応
液を室温に１〜２時間放置後、水（５０叫）を加えて塩
化メチレンで抽出する。
抽出液は、水洗、乾燥後、溶媒を留去し、得られた残留
物をシリカゲルクロマトグラフィーに付す。塩化メチレ
ンーｎ−へキサン混液港出液を濃縮して１−メチル−Ｉ
Ｈ−１・２ーベンゾジアゼピンを得る。収量３．５９夕
（６８％）。ｍ．ｐ．６１〜６が○、赤色プリズム晶（
ｎーヘキサンから）。
物をシリカゲルクロマトグラフィーに付す。塩化メチレ
ンーｎ−へキサン混液港出液を濃縮して１−メチル−Ｉ
Ｈ−１・２ーベンゾジアゼピンを得る。収量３．５９夕
（６８％）。ｍ．ｐ．６１〜６が○、赤色プリズム晶（
ｎーヘキサンから）。
ＭＳｍ／ｅ：１５８（Ｍ十）。
ＮＭＲ（ＣＤＣ１３）：３，２４（祖、ｓ）、６，１２
（ＩＨ、ｄｄ）、６．９〜７．５（組、ｍ）。
（ＩＨ、ｄｄ）、６．９〜７．５（組、ｍ）。
元素分析値 Ｃ，虹，州２
計算値：Ｃ、７５．９２；日、６．３７；Ｎ、１７．７
１実測値：Ｃ、７５．７８：日、６．３３：Ｎ、１７．
６０ここで得た１−メチル−ＩＨ−１・２−ペンゾジア
ゼピン１．０夕のメタノール（３００の‘）溶液に増感
剤としてメチレンブルー（ローズベンガルでも可）（１
００の９）を加え、酸素ガスを通じながら、ハロゲンラ
ンプで、原料のロがなくなるまで光照射する（ロａでは
５時間、ｏｂでは４斑時間）。
１実測値：Ｃ、７５．７８：日、６．３３：Ｎ、１７．
６０ここで得た１−メチル−ＩＨ−１・２−ペンゾジア
ゼピン１．０夕のメタノール（３００の‘）溶液に増感
剤としてメチレンブルー（ローズベンガルでも可）（１
００の９）を加え、酸素ガスを通じながら、ハロゲンラ
ンプで、原料のロがなくなるまで光照射する（ロａでは
５時間、ｏｂでは４斑時間）。
反応液から溶媒を減圧留去し、得られた残留物をシリカ
ゲルクロマトグラフィーに付し、塩化メチレンーアセト
ン鷹液溶出液から１ーメチルー３ーオキソー１・２ーベ
ンゾジアゼピンを得る。収量６４０の９（６０％）。ｍ
．ｐ．１７０〜１７２０、無色プリズム晶（酢酸エチル
から）。
ゲルクロマトグラフィーに付し、塩化メチレンーアセト
ン鷹液溶出液から１ーメチルー３ーオキソー１・２ーベ
ンゾジアゼピンを得る。収量６４０の９（６０％）。ｍ
．ｐ．１７０〜１７２０、無色プリズム晶（酢酸エチル
から）。
ＭＳｍ／ｅ：１７４（Ｍ＋）。
ＩＲ 〃器袋伽‐１：２８５０（ＮＨ）、１６６０（Ｃ
＝０）。
＝０）。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）６：３，１２（粕、ｓ）、６．２
３（ＩＨ、ｄｄ）、６．９９（ＩＨ、ｄ）、６．９〜７
．４（４日、ｍ）、８．４（ＩＨ、ｂｒ、ＮＨ）。例２ １・５ージメチル−３ーオキソー１・２−ペンゾジァゼ
ピンの合成例１と同機の方法により、１・５−ジメチル
ーＩＨ−１・２−ペンゾジアゼピンおよび１・５−ジメ
チル−３−オキソ−１・２ーベンゾジアゼピンを得た。
３（ＩＨ、ｄｄ）、６．９９（ＩＨ、ｄ）、６．９〜７
．４（４日、ｍ）、８．４（ＩＨ、ｂｒ、ＮＨ）。例２ １・５ージメチル−３ーオキソー１・２−ペンゾジァゼ
ピンの合成例１と同機の方法により、１・５−ジメチル
ーＩＨ−１・２−ペンゾジアゼピンおよび１・５−ジメ
チル−３−オキソ−１・２ーベンゾジアゼピンを得た。
原料化合物と目的化合物の物性は次のとおりである。１
・５ージメチルーＩＨ−１・２ーベンゾジアゼＪピン収
率８４％。
・５ージメチルーＩＨ−１・２ーベンゾジアゼＪピン収
率８４％。
黄色油状物質
ＭＳｍ／ｅ：１７２（Ｍ十）。
ＮＭＲ（ＣＤＣ１３）６：２．２３（細、ｓ）、３．２
２（班、ｓ）、６．０５〜６．１８（ＩＨ、ｍ）、６．
９〜７．５（瓜、ｍ）。
２（班、ｓ）、６．０５〜６．１８（ＩＨ、ｍ）、６．
９〜７．５（瓜、ｍ）。
元素分析値 Ｃ，，日，２Ｎ２
計算値：Ｃ、７６．７１：日、７．０２；Ｎ、１６．２
７実測値：Ｃ、７６．６１：日、６．９３：Ｎ、１６．
２２１・５−ジメチルー３−オキソー１・２ーベンゾジ
アゼ、ン収率６５％。
７実測値：Ｃ、７６．６１：日、６．９３：Ｎ、１６．
２２１・５−ジメチルー３−オキソー１・２ーベンゾジ
アゼ、ン収率６５％。
ｍ．ｐ．２０１〜２０３℃、無色針状晶（酢酸エチルか
ら）。
ら）。
ＭＳｍ／ｅ：１８８（Ｍ十）。
ＩＲ リ益影肌‐１：２９００（ＮＨ）、１６７０（Ｃ
＝０）。
＝０）。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）６：２．２５（斑、ｓ）、３．０
９（３日、ｓ）、６．２５（ＩＨ、ｓ）、７．０〜７．
５（４日、ｍ）、９．０（ＩＨ、ｂｒ、ＮＨ）。元素分
析値 Ｃ，．日，２Ｎ２０
９（３日、ｓ）、６．２５（ＩＨ、ｓ）、７．０〜７．
５（４日、ｍ）、９．０（ＩＨ、ｂｒ、ＮＨ）。元素分
析値 Ｃ，．日，２Ｎ２０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（I） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＿１は水素または低級アルキル基を、Ｒ＿２は
低級アルキル基を示す）で示される１・２−ベンゾジア
ゼピン誘導体。 ２ 一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＿１は水素または低級アルキル基を、Ｒ＿２は
低級アルキル基を示す）で示される１・２−ベンゾジア
ゼピンを酸素ガスの存在下で光照射することを特徴とす
る一般式（I）▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＿１およびＲ＿２は上記と同じ意味を有する）
で示される１・２−ベンゾジアゼピン誘導体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53110593A JPS6033392B2 (ja) | 1978-09-08 | 1978-09-08 | １，２−ベンゾジアゼピン誘導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53110593A JPS6033392B2 (ja) | 1978-09-08 | 1978-09-08 | １，２−ベンゾジアゼピン誘導体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5536456A JPS5536456A (en) | 1980-03-14 |
| JPS6033392B2 true JPS6033392B2 (ja) | 1985-08-02 |
Family
ID=14539781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53110593A Expired JPS6033392B2 (ja) | 1978-09-08 | 1978-09-08 | １，２−ベンゾジアゼピン誘導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033392B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6749339B1 (en) | 1999-09-03 | 2004-06-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hydrodynamic bearing assembly and spindle motor having the same |
| WO2001021969A1 (fr) | 1999-09-17 | 2001-03-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Palier a pression dynamique dote de caracteristiques de demarrage ameliorees |
-
1978
- 1978-09-08 JP JP53110593A patent/JPS6033392B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5536456A (en) | 1980-03-14 |
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