JPS6032047A - 微細加工方法 - Google Patents
微細加工方法Info
- Publication number
- JPS6032047A JPS6032047A JP14047283A JP14047283A JPS6032047A JP S6032047 A JPS6032047 A JP S6032047A JP 14047283 A JP14047283 A JP 14047283A JP 14047283 A JP14047283 A JP 14047283A JP S6032047 A JPS6032047 A JP S6032047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive
- pattern
- positive type
- type photoresist
- monochlorobenzene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、逆チー・ぐ−を有するポジ型フォトレノスト
の・母ターン形成に用いることができる微細加工方法に
関するものである。
の・母ターン形成に用いることができる微細加工方法に
関するものである。
（従来例の構成とその問題点−）
近年、半導体素子の集積化において、配線としてのアル
ミニウム（Ａｔ、 ）のｉＲターン形成を、フォトレノ
ストのみによるリフトオフによシ行なわれはじめている
。
ミニウム（Ａｔ、 ）のｉＲターン形成を、フォトレノ
ストのみによるリフトオフによシ行なわれはじめている
。
１２１ 下 ｋ乙 面ズ一 殊 昭 １ 裔 禍；Ｌ８
四＊σ）胛紛ネ…力ｎＴ づり≧ヒｙついて説明する。
四＊σ）胛紛ネ…力ｎＴ づり≧ヒｙついて説明する。
第１図は、従来の微細加工方法による逆チー・母−を有
するポジ型フォトレノストの断面図である。
するポジ型フォトレノストの断面図である。
第１図においてｌはボッ型フォトレノスト、２は前記ポ
ジ型フォトレジスト１の逆テーパ一部で走査型電子顕微
鏡（以下ＳＥＭと略す）の観察よシ、逆テーバ−長Ｘは
５ｏｏ〜２ｏｏｏＸ、逆チー ／ｅ−深さｙは５００〜
１００ＯＸである。３は前記ボッ型フォトレジストｌを
塗布する基板である。
ジ型フォトレジスト１の逆テーパ一部で走査型電子顕微
鏡（以下ＳＥＭと略す）の観察よシ、逆テーバ−長Ｘは
５ｏｏ〜２ｏｏｏＸ、逆チー ／ｅ−深さｙは５００〜
１００ＯＸである。３は前記ボッ型フォトレジストｌを
塗布する基板である。
まず、基板３にポジ型フォトレノスト１をスピナーによ
り１〜２μｍの厚さに塗布し８５〜９５℃の温度で１５
〜２５分間プリベークを行なう。その後３０℃のモノク
ロルベンゼンに５分間浸漬後、露光、現像を行ない、工
２ｏ〜１３０℃の温度でｌθ〜２０分間ポズトペークを
行なって、前記第１図に示した逆テーパ一部２を有する
ポジ型フォトレゾスト１の所定ノＰターンを得る。第２
図は、前記の逆チー・ぐ一部を有したポジ型フォトレジ
ストパターンに、金属を蒸着したときの半導体装置の断
面図である。筑２図において１は、揃チー・や−部２を
有するボッ型フォトレゾスト、３はポジ型フォトレジス
トを塗布した基板、４は蒸着した金属である。第２図に
示すように、ポジ型フォトレジスト１が逆チーツク一部
２を有することにより、蒸着した金属４の充分な段切れ
が生じ、所定パターンによる金属４のリフトオフが可能
となる。以上示したようなポジ型フォトレジストに逆チ
ーＡ−を持たせることは、すでに公知である。。
り１〜２μｍの厚さに塗布し８５〜９５℃の温度で１５
〜２５分間プリベークを行なう。その後３０℃のモノク
ロルベンゼンに５分間浸漬後、露光、現像を行ない、工
２ｏ〜１３０℃の温度でｌθ〜２０分間ポズトペークを
行なって、前記第１図に示した逆テーパ一部２を有する
ポジ型フォトレゾスト１の所定ノＰターンを得る。第２
図は、前記の逆チー・ぐ一部を有したポジ型フォトレジ
ストパターンに、金属を蒸着したときの半導体装置の断
面図である。筑２図において１は、揃チー・や−部２を
有するボッ型フォトレゾスト、３はポジ型フォトレジス
トを塗布した基板、４は蒸着した金属である。第２図に
示すように、ポジ型フォトレジスト１が逆チーツク一部
２を有することにより、蒸着した金属４の充分な段切れ
が生じ、所定パターンによる金属４のリフトオフが可能
となる。以上示したようなポジ型フォトレジストに逆チ
ーＡ−を持たせることは、すでに公知である。。
しかしながら、上記のような方法においては、逆テーパ
一部２の形状が不均一であシ、例えば前記従来例で示し
たように、逆テーパー長Ｘは５００〜２０００Ｘ１逆テ
ーパー深さｙは５ｏｏ〜１０００Ｘとかなりのばらつき
を有している。このことは、１〜２μｍの微細加工に用
いる場合、・ぐターン形状の変形として大きく影響し、
第２図にボしたように逆チー・ぐ−長が短い場合 （２
ａ）、蒸着金属の段切れが生じにくくなＦ（４ａ ）、
配線の短絡や、また逆に配線の欠落が生じゃすくなると
いう問題点を有していた。
一部２の形状が不均一であシ、例えば前記従来例で示し
たように、逆テーパー長Ｘは５００〜２０００Ｘ１逆テ
ーパー深さｙは５ｏｏ〜１０００Ｘとかなりのばらつき
を有している。このことは、１〜２μｍの微細加工に用
いる場合、・ぐターン形状の変形として大きく影響し、
第２図にボしたように逆チー・ぐ−長が短い場合 （２
ａ）、蒸着金属の段切れが生じにくくなＦ（４ａ ）、
配線の短絡や、また逆に配線の欠落が生じゃすくなると
いう問題点を有していた。
（発明の目的）
本発明の目的は、モノクロルベンゼンヲｆｆ４い、ポジ
型フォトレジストに逆チーＡ−を有するパターンの作成
方法を改良した微細加工方法を提供することである。
型フォトレジストに逆チーＡ−を有するパターンの作成
方法を改良した微細加工方法を提供することである。
（発明の構成）
本発明の微細加工方法は、スピナーにより塗布された、
ポジ型フォトレジストを露光前に４０〜４５℃のモノク
ロルベンゼンに３０秒〜１分３０秒浸漬することによシ
、前記−ジ型フォトレジストに逆チー・や−を有する１
〜２μｍの微細加工を行なうものであシ、これによシ前
記逆チー・や−の形状を改良し、前記ボッ型フォトレジ
ストの微細加エバターンを均一化し、さらにその次の工
程での金属のリフトオフを容易ならしめるものである。
ポジ型フォトレジストを露光前に４０〜４５℃のモノク
ロルベンゼンに３０秒〜１分３０秒浸漬することによシ
、前記−ジ型フォトレジストに逆チー・や−を有する１
〜２μｍの微細加工を行なうものであシ、これによシ前
記逆チー・や−の形状を改良し、前記ボッ型フォトレジ
ストの微細加エバターンを均一化し、さらにその次の工
程での金属のリフトオフを容易ならしめるものである。
（実施例の、説明）
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第３図は本発明の一実施例におけるポジ型フォトレジス
トの微細加工方法例おける工程断面図である。まず、基
板３の表面にポジ型フォトレジスト１ （５ｈｉｐｌｅ
ｙ社製、ＡＺ−１３５０Ｊ）を１．５μｍの厚さにスピ
ン塗布を行なう（第３図（ａ））。次に９０℃で２５分
間窒素雰囲気中でゾレペーク後、４０〜４５℃のモノク
ロルベンゼン（、試薬％級）に３０秒〜１分３０秒間浸
漬する。その後第３図（ｂ）に示すように所定のパター
ンを有したフォトマスク５を用いＫａｓｐｅｒ社ｇ２０
０１マスクアライナ−で露光を行なう。６は前記マスク
アライナ−による紫外光、５ａはフォトマスク５におけ
る紫外光６に対するマスク部で、パターン長ｔは１．０
μｍである。次にポジ型フォトレクスト現像液として、
５ｉｐｌｅｙ社製マイクロＩジッｌ−ＭＦ３１２を純水
で２倍に薄めた溶液を用いマシン現像を行なう。前記マ
シン現像における現像時間は５０秒、水洗は約５分であ
る。最後に１３０℃の窒素雰囲気中で１５分間ポストベ
ークを行なう。以上の工程による本実施例によシ、第３
図（Ｃ）に示した形状のポジ型フォトレジストの微細加
工を得ることができ、ＣＩｐｕＩｒｌ−＠ 知赤Ｊｘ
？−’ｆｆｒ 子−＊＃ −王シｙ ｌ＋ （１−（１
只 、０．１２μｍであった。このことは、従来例に比
べ、パターンの精度がかなシ改良されていることを示す
。さらに本実施例によるボッ型フォトレノストの、６タ
ーンに、アルミニウム（ＡＡ ）を帆８μｍの厚さに蒸
着後のリフトオフに関しても、前記アルミニウム（ｈｉ
）は前記パターンにおいて充分な段切れを生じ、充分
リフトオフすることができた。第４図は、本実施例にお
いてモノクロルベンゼンへの浸漬時間と温度とを変えた
ときのポジ型レノストのＳＥＭ観察による・母ターン形
状について示したものである。本実施例の温度（４０〜
４５℃）で２分以上および従来例の温度（３０℃）にお
いても、浸漬時間が１０分程度以上になると、ポジ型フ
ォトレノストの一部が黒化し、感光性の劣化がみられた
（第４図（Ｂ） ％−よび（６）領域にＮＧで表示）ま
た、モノクロルベンゼン温度が２５℃以下では浸漬時間
が２０分まで逆テーパー形状は見られず（第４図（ト）
領域）、さらに前記温度が５０℃以上では、ポジ型フォ
トレノストに亀裂や縞文様が生じ、前記ポジ型フォトレ
ノストの組成変化と思われる現象が生じ、感光性はまっ
たく見られなくなった（第４図（Ｇ）領域にＮＧで表示
）。以上のことから、前記実施例に示すように、４０〜
４５℃のモノクロルベンゼンに３０秒〜１分３（ｌ浸漬
することが、逆チーｉＲ−を有するポジ型フォトレジス
トの微細加工に適している。
トの微細加工方法例おける工程断面図である。まず、基
板３の表面にポジ型フォトレジスト１ （５ｈｉｐｌｅ
ｙ社製、ＡＺ−１３５０Ｊ）を１．５μｍの厚さにスピ
ン塗布を行なう（第３図（ａ））。次に９０℃で２５分
間窒素雰囲気中でゾレペーク後、４０〜４５℃のモノク
ロルベンゼン（、試薬％級）に３０秒〜１分３０秒間浸
漬する。その後第３図（ｂ）に示すように所定のパター
ンを有したフォトマスク５を用いＫａｓｐｅｒ社ｇ２０
０１マスクアライナ−で露光を行なう。６は前記マスク
アライナ−による紫外光、５ａはフォトマスク５におけ
る紫外光６に対するマスク部で、パターン長ｔは１．０
μｍである。次にポジ型フォトレクスト現像液として、
５ｉｐｌｅｙ社製マイクロＩジッｌ−ＭＦ３１２を純水
で２倍に薄めた溶液を用いマシン現像を行なう。前記マ
シン現像における現像時間は５０秒、水洗は約５分であ
る。最後に１３０℃の窒素雰囲気中で１５分間ポストベ
ークを行なう。以上の工程による本実施例によシ、第３
図（Ｃ）に示した形状のポジ型フォトレジストの微細加
工を得ることができ、ＣＩｐｕＩｒｌ−＠ 知赤Ｊｘ
？−’ｆｆｒ 子−＊＃ −王シｙ ｌ＋ （１−（１
只 、０．１２μｍであった。このことは、従来例に比
べ、パターンの精度がかなシ改良されていることを示す
。さらに本実施例によるボッ型フォトレノストの、６タ
ーンに、アルミニウム（ＡＡ ）を帆８μｍの厚さに蒸
着後のリフトオフに関しても、前記アルミニウム（ｈｉ
）は前記パターンにおいて充分な段切れを生じ、充分
リフトオフすることができた。第４図は、本実施例にお
いてモノクロルベンゼンへの浸漬時間と温度とを変えた
ときのポジ型レノストのＳＥＭ観察による・母ターン形
状について示したものである。本実施例の温度（４０〜
４５℃）で２分以上および従来例の温度（３０℃）にお
いても、浸漬時間が１０分程度以上になると、ポジ型フ
ォトレノストの一部が黒化し、感光性の劣化がみられた
（第４図（Ｂ） ％−よび（６）領域にＮＧで表示）ま
た、モノクロルベンゼン温度が２５℃以下では浸漬時間
が２０分まで逆テーパー形状は見られず（第４図（ト）
領域）、さらに前記温度が５０℃以上では、ポジ型フォ
トレノストに亀裂や縞文様が生じ、前記ポジ型フォトレ
ノストの組成変化と思われる現象が生じ、感光性はまっ
たく見られなくなった（第４図（Ｇ）領域にＮＧで表示
）。以上のことから、前記実施例に示すように、４０〜
４５℃のモノクロルベンゼンに３０秒〜１分３（ｌ浸漬
することが、逆チーｉＲ−を有するポジ型フォトレジス
トの微細加工に適している。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明は、スピナーに
よシ塗布されたポジ°型フォトレジストを、露光前に４
０〜４５℃のモノクロルベンゼンに３０秒〜１分３０秒
浸漬することによシ、逆テーパーを有するポジ型フォト
レジストのパターン形成を従来よシもよシ均一に行なう
ことができるという優れた効果が得られる。その効果に
よシ、１〜２μｍの微細・母ターンにおける半導体集積
回路のアルミニウム（ｈｔ ）などの配線のリフトオフ
を、よシ容易ならしめるという効果が得られる。
よシ塗布されたポジ°型フォトレジストを、露光前に４
０〜４５℃のモノクロルベンゼンに３０秒〜１分３０秒
浸漬することによシ、逆テーパーを有するポジ型フォト
レジストのパターン形成を従来よシもよシ均一に行なう
ことができるという優れた効果が得られる。その効果に
よシ、１〜２μｍの微細・母ターンにおける半導体集積
回路のアルミニウム（ｈｔ ）などの配線のリフトオフ
を、よシ容易ならしめるという効果が得られる。
第１図は、従来のモノクロルベンゼンｔ−用いた微細加
工方法によるポジ型フォトレジストの断面図、第２図は
従来例によるアルミニウム（Ａｔ）のりフトオフを行な
う前の半導体装置の断面図、第３図は、本発明の一実施
例におけるポ・ゾ型フォトレジストの微細加工方法を示
した工程断面図、第４図は、本発明によるポジ型フォト
レジストの逆チー・ぐ−を有する微細加工の改良を説明
した概念図である。 １・・・ポジ型フォトレジスト、２・・・逆チー・ぐ一
部、３・・・基板、４・・・金属、５・・・フォトマス
ク、６・・・紫外光、Ｘ・・・逆チー・母−長、ｙ・・
・逆チー／ｅ−深さ。 第１図 第２図 第３図
工方法によるポジ型フォトレジストの断面図、第２図は
従来例によるアルミニウム（Ａｔ）のりフトオフを行な
う前の半導体装置の断面図、第３図は、本発明の一実施
例におけるポ・ゾ型フォトレジストの微細加工方法を示
した工程断面図、第４図は、本発明によるポジ型フォト
レジストの逆チー・ぐ−を有する微細加工の改良を説明
した概念図である。 １・・・ポジ型フォトレジスト、２・・・逆チー・ぐ一
部、３・・・基板、４・・・金属、５・・・フォトマス
ク、６・・・紫外光、Ｘ・・・逆チー・母−長、ｙ・・
・逆チー／ｅ−深さ。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- スピナーにより塗布されたポジ型フォトレ・ノストを、
露光前に４０〜４５℃のモノクロルベンゼンに３０秒〜
１分３０秒浸漬することを特徴とするポジ型フォトレジ
ストの微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14047283A JPS6032047A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14047283A JPS6032047A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 微細加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032047A true JPS6032047A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15269391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14047283A Pending JPS6032047A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032047A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02196241A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-02 | Rohm Co Ltd | レジストパターンの作成方法 |
| EP0415412A2 (en) * | 1989-08-30 | 1991-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist pattern fabrication method |
| US6372414B1 (en) * | 1999-03-12 | 2002-04-16 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Lift-off process for patterning fine metal lines |
-
1983
- 1983-08-02 JP JP14047283A patent/JPS6032047A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02196241A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-02 | Rohm Co Ltd | レジストパターンの作成方法 |
| JPH0579982B2 (ja) * | 1989-01-25 | 1993-11-05 | Rohm Kk | |
| EP0415412A2 (en) * | 1989-08-30 | 1991-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist pattern fabrication method |
| US6372414B1 (en) * | 1999-03-12 | 2002-04-16 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Lift-off process for patterning fine metal lines |
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