JPH01287673A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH01287673A JPH01287673A JP11844588A JP11844588A JPH01287673A JP H01287673 A JPH01287673 A JP H01287673A JP 11844588 A JP11844588 A JP 11844588A JP 11844588 A JP11844588 A JP 11844588A JP H01287673 A JPH01287673 A JP H01287673A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（Ｉｌ！！要〕
基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン
形成方法に関し、 露光時間の短縮化を目的とし、 基板上に塗布したキノンジアジド化合物を含有するレジ
スト膜に、マスクパターンを露光後現像することにより
、前記基板上にレジストパターンを形成するレジストパ
ターン形成方法において、前記レジスト膜が塗布された
基板を水に浸漬する工程を含むように構成する。
形成方法に関し、 露光時間の短縮化を目的とし、 基板上に塗布したキノンジアジド化合物を含有するレジ
スト膜に、マスクパターンを露光後現像することにより
、前記基板上にレジストパターンを形成するレジストパ
ターン形成方法において、前記レジスト膜が塗布された
基板を水に浸漬する工程を含むように構成する。
（産業上の利用分野〕
本発明はレジストパターン形成方法に係わり、特に基板
上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成
方法に関する。
上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成
方法に関する。
近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）が益々微細化されてき
ており、それに伴ってリソグラフィプロセスのレジスト
パターンの微細化が要求されている。
ており、それに伴ってリソグラフィプロセスのレジスト
パターンの微細化が要求されている。
このため、露光時間が長くなる傾向にあり、露光時間の
短縮化が重要となる。
短縮化が重要となる。
第３図は従来のレジストパターン形成方法の一例の工程
説明図を示す。まず、レジスト塗布工程１により基板で
あるシリコン（Ｓ ｉ ）ウェーハ上に、レジストを均
一に塗布してレジスト膜を形成する。このレジスト塗布
は例えばスピンナを用いて行なわれる。
説明図を示す。まず、レジスト塗布工程１により基板で
あるシリコン（Ｓ ｉ ）ウェーハ上に、レジストを均
一に塗布してレジスト膜を形成する。このレジスト塗布
は例えばスピンナを用いて行なわれる。
次にプレベーク工程２により、ベーキングを行ない、塗
布したレジスト膜中の残った溶液を蒸発させ、レジスト
とウェーハとの接着性を強め、露光による光化学反応の
効率を高める。
布したレジスト膜中の残った溶液を蒸発させ、レジスト
とウェーハとの接着性を強め、露光による光化学反応の
効率を高める。
次に露光工程３により、ウェーハ上にマスク上のパター
ンを位置合せし、紫外線を一定時間照射する。そして現
像工程４によりウェーハを現像し、マスクパターンと同
じレジストパターンをウェーハ上に形成させる。
ンを位置合せし、紫外線を一定時間照射する。そして現
像工程４によりウェーハを現像し、マスクパターンと同
じレジストパターンをウェーハ上に形成させる。
ここで、露光工程３及び現像工程４は例えば第４図に示
す如き化学式に基づく光反応を利用している。すなわち
、第４図において感光剤としてのナフトキノンジアジド
は光照射によってＮ２が放出されてカルベン（ケテン中
間体）となり、これが水（Ｈ２０）と反応してアルカリ
可溶性のインデンカルボン酸となる。
す如き化学式に基づく光反応を利用している。すなわち
、第４図において感光剤としてのナフトキノンジアジド
は光照射によってＮ２が放出されてカルベン（ケテン中
間体）となり、これが水（Ｈ２０）と反応してアルカリ
可溶性のインデンカルボン酸となる。
そこで、露光工程３において、このナフトキノンジアジ
ドを含有するレジスト膜を紫外線で露光し、現像工程４
においてアルカリ水溶液で現像すると、露光部分が溶解
してポジ型レジストパターンが形成される。
ドを含有するレジスト膜を紫外線で露光し、現像工程４
においてアルカリ水溶液で現像すると、露光部分が溶解
してポジ型レジストパターンが形成される。
第４図かられかるように、露光したナフトキノンジアジ
ドは水の存在下で初めてアルカリ可溶性のインデンカル
ボン酸に変わるが、この水がいつ、どこから取り込まれ
るのか従来は明確ではなく、インデンカルボン酸に変化
するまでの反応時間が遅いという問題があった。
ドは水の存在下で初めてアルカリ可溶性のインデンカル
ボン酸に変わるが、この水がいつ、どこから取り込まれ
るのか従来は明確ではなく、インデンカルボン酸に変化
するまでの反応時間が遅いという問題があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、露光時間の
短縮化を可能にしたレジストパターン形成方法を提供す
ることを目的とする。
短縮化を可能にしたレジストパターン形成方法を提供す
ることを目的とする。
本発明のレジストパターン形成方法は、キノンジアジド
化合物を含有するレジスト膜が塗布された基板を水に浸
漬する工程を含むようにしたものである。
化合物を含有するレジスト膜が塗布された基板を水に浸
漬する工程を含むようにしたものである。
この水に浸漬する工程はプレベーク工程から現像工程ま
での任意の工程間に設けられるが、例えばプレベーク工
程と露光工程の間に設けられる。
での任意の工程間に設けられるが、例えばプレベーク工
程と露光工程の間に設けられる。
本発明ではレジスト膜が塗布された基板を水に浸漬する
ので、露光前又は露光後のレジスト膜に水が人聞に含ま
れており、従来にくらべてケテン中間体と水との反応速
度が速くなる。
ので、露光前又は露光後のレジスト膜に水が人聞に含ま
れており、従来にくらべてケテン中間体と水との反応速
度が速くなる。
つまり、本発明では露光エネルギーが少なくても充分に
露光反応が終了することになる。
露光反応が終了することになる。
第１図は本発明の一実施例の工程説明図を示す。
同図中、第３図と同一工程には同一符号を付し、その説
明を省略する。本実施例では、ナフトキノンジアジドを
含むレジスト膜が表面に被覆されているウェーハに対し
てベーキングを行なった後、水に浸漬する工程５により
水に浸される。
明を省略する。本実施例では、ナフトキノンジアジドを
含むレジスト膜が表面に被覆されているウェーハに対し
てベーキングを行なった後、水に浸漬する工程５により
水に浸される。
この浸漬工程５に用いられる水は、半導体製造時に用い
られるのと同じ超純水である。この浸漬工程５は例えば
上記のウェーハ及びレジスト膜を１分間、水に浸した後
、Ｎ２ガスをブローしてレジスト膜表面及びウェーハ裏
面を乾燥させる。その後に露光工程３により従来と同様
にして露光が行なわれる。
られるのと同じ超純水である。この浸漬工程５は例えば
上記のウェーハ及びレジスト膜を１分間、水に浸した後
、Ｎ２ガスをブローしてレジスト膜表面及びウェーハ裏
面を乾燥させる。その後に露光工程３により従来と同様
にして露光が行なわれる。
これにより、本実施例による光反応は第２図に示す如き
化学式に基づいて行なわれる。第２図において、ウェー
ハ上のレジスト膜を構成するナノ１−キノンジアジドは
、浸漬工程５により水を大量に含有された後、露光工程
３により露光されるので、直ちにインデンカルボン酸に
変化する。
化学式に基づいて行なわれる。第２図において、ウェー
ハ上のレジスト膜を構成するナノ１−キノンジアジドは
、浸漬工程５により水を大量に含有された後、露光工程
３により露光されるので、直ちにインデンカルボン酸に
変化する。
従って実施例によれば、露光エネルギーが少なくても露
光反応が終了する。
光反応が終了する。
因みに、本発明者の試作実験結果によれば、レジストと
してＴＳＭＲ−８９００を用い、ウェーハ上に１．２μ
ｍの膜厚で形成し、また現像液としてＴＭＡＨＯを水に
２．３８％含有したものを使用して、６０秒間現像液に
浸すデイツプ方式による現像を行なった場合、従来方法
では露光エネルギーが１６０ｍＪ／ｃｉであったのに対
し、本実施例方法では露光エネルギーが１３０ｍＪ／ｃ
ｉと少なくて済むことが確認された。
してＴＳＭＲ−８９００を用い、ウェーハ上に１．２μ
ｍの膜厚で形成し、また現像液としてＴＭＡＨＯを水に
２．３８％含有したものを使用して、６０秒間現像液に
浸すデイツプ方式による現像を行なった場合、従来方法
では露光エネルギーが１６０ｍＪ／ｃｉであったのに対
し、本実施例方法では露光エネルギーが１３０ｍＪ／ｃ
ｉと少なくて済むことが確認された。
なお、本実施例が最も露光エネルギーが少なく、短時間
の露光が可能であるが、水に浸漬する工程５は露光工程
３と現像工程４との間に設けることも可能である。また
、本発明はレジストとしてナフトキノンジアジドに限ら
ず、キノンジアジド化合物を含有する感光剤すべてに適
用することができるものである。
の露光が可能であるが、水に浸漬する工程５は露光工程
３と現像工程４との間に設けることも可能である。また
、本発明はレジストとしてナフトキノンジアジドに限ら
ず、キノンジアジド化合物を含有する感光剤すべてに適
用することができるものである。
上述の如く、本発明によれば、レジスト膜が塗布された
基板を水に浸漬する工程を設けたので、従来にくらべて
ケテン中間体と水との反応速度を速くでき、簡単な工程
の追加だけで少ない露光エネルギーで露光でき、露光時
間を短縮化できるので微細パターン形成プロセスの歩留
りを向上できる等の特長を有するものである。
基板を水に浸漬する工程を設けたので、従来にくらべて
ケテン中間体と水との反応速度を速くでき、簡単な工程
の追加だけで少ない露光エネルギーで露光でき、露光時
間を短縮化できるので微細パターン形成プロセスの歩留
りを向上できる等の特長を有するものである。
第１図は本発明の一実施例の工程説明図、第２図は本発
明の一実施例の化学式を示す図、第３図は従来の一例の
工程説明図、 第４図は従来の一例の化学式を示す図である。 図において、 １はレジスト塗布工程、 ２はプレベーク工程、 ３は露光工程、 ４は現像工程、 ５は水に浸漬する工程 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 ａｔ図 １！２図
明の一実施例の化学式を示す図、第３図は従来の一例の
工程説明図、 第４図は従来の一例の化学式を示す図である。 図において、 １はレジスト塗布工程、 ２はプレベーク工程、 ３は露光工程、 ４は現像工程、 ５は水に浸漬する工程 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 ａｔ図 １！２図
Claims (2)
- （１）基板上に塗布したキノンジアジド化合物を含有す
るレジスト膜に、マスクパターンを露光後現像すること
により、前記基板上にレジストパターンを形成するレジ
ストパターン形成方法において、 前記レジスト膜が塗布された基板を水に浸漬する工程（
５）を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法
。 - （２）前記水に浸漬する工程（５）は、プレベーク工程
（２）と露光工程（３）との間に設けたことを特徴とす
る請求項１記載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11844588A JPH01287673A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11844588A JPH01287673A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287673A true JPH01287673A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14736821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11844588A Pending JPH01287673A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01287673A (ja) |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP11844588A patent/JPH01287673A/ja active Pending
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