JPS6030142A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JPS6030142A JPS6030142A JP13826983A JP13826983A JPS6030142A JP S6030142 A JPS6030142 A JP S6030142A JP 13826983 A JP13826983 A JP 13826983A JP 13826983 A JP13826983 A JP 13826983A JP S6030142 A JPS6030142 A JP S6030142A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明はＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による気相成長方法に関する
。
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による気相成長方法に関する
。
（ｂ）技術の背景
従来， ＭＯＳ−ＩＣ等半導体装置の表面に絶縁保護膜
を形成する際，反応ガス分子を基板上に堆積させる所謂
，気相成長法（ＣＶＤ ）が広く用いられている。本発
明は気相成長成膜時，振動を付加する具体策を提示する
ものである。
を形成する際，反応ガス分子を基板上に堆積させる所謂
，気相成長法（ＣＶＤ ）が広く用いられている。本発
明は気相成長成膜時，振動を付加する具体策を提示する
ものである。
（Ｃ）従来技術と問題点
従来，気相成長法によりシリコン等基坂上に絶縁保護膜
を形成する際，その成膜速度は主に，チャンバ内反応ガ
ス体と対象の成膜基板との親和性或いは付着係数と，反
応ガス濃度，温度により決まる。然し，反応ガス種類に
よっては付着係数が小さく，成膜し難いことが庚ある。
を形成する際，その成膜速度は主に，チャンバ内反応ガ
ス体と対象の成膜基板との親和性或いは付着係数と，反
応ガス濃度，温度により決まる。然し，反応ガス種類に
よっては付着係数が小さく，成膜し難いことが庚ある。
（ｄ）発明の目的
本発明は前記の問題点を解決することである。
本発明は前記付着係数が小さい等の理由で成膜困難な反
応ガス，或いは成膜効率の低い反応ガスに対しても，容
易に且つ均一に成膜が可能な一手段を提示する。
応ガス，或いは成膜効率の低い反応ガスに対しても，容
易に且つ均一に成膜が可能な一手段を提示する。
（ｅ）発明の構成
前記目的は．基板上に膜を気相成長させる際。
成膜中の前記基板に超音波若しくは超音波以上の振動を
付加してなすことにより達成しうる。
付加してなすことにより達成しうる。
（ｆ）発明の実施例
以下１本発明の一実施例を示す第１図〜第３図を参照し
て本発明の詳細な説明する。
て本発明の詳細な説明する。
第１図は２本発明の成膜手段を明示する基板側面図であ
る。
る。
第２図は、気相成長装置の簡略側断面図２及び第３図は
第２図装置の特に光パルス照射による本発明の成膜過程
を説明する基板側面図である。
第２図装置の特に光パルス照射による本発明の成膜過程
を説明する基板側面図である。
第１図は成膜対象基板１に対して、■はベルジャ内反応
ガス分子が基板周囲でランダム運動している状態を示す
。■は前記基板１をガス体に向かい移動させることによ
り基板上成膜のガス分子濃度が見ｆＪ）け上高くなる状
態を示す。■はＨの基板移動とは逆方向に基板がガス体
から遠のく移動をなす時で、この場合周囲ガス体は拡散
作用で瞬時に成膜ガスが充満する。更に、■状態は、基
板移動がガス体に向かい前記■状態と同様の見掛け」ニ
ガス分子濃度が高まる状態である。
ガス分子が基板周囲でランダム運動している状態を示す
。■は前記基板１をガス体に向かい移動させることによ
り基板上成膜のガス分子濃度が見ｆＪ）け上高くなる状
態を示す。■はＨの基板移動とは逆方向に基板がガス体
から遠のく移動をなす時で、この場合周囲ガス体は拡散
作用で瞬時に成膜ガスが充満する。更に、■状態は、基
板移動がガス体に向かい前記■状態と同様の見掛け」ニ
ガス分子濃度が高まる状態である。
即ち、同図は成膜基板１がＩ、ＩＩ、 Ｉ’ｌｌ、及び
■の状態を経過する励振の単サイクルが示される。
■の状態を経過する励振の単サイクルが示される。
然し前記の単動振号イクルにおいて、Ｉから１１゜或い
は■から■へとガス体に向かう基板移動の半周期間を速
くし、■から■へとガス体から遠のく基板移動の半周期
間を遅く駆動すれば、基板上の成膜速度が′向上し、又
、膜質の改善が図られる。
は■から■へとガス体に向かう基板移動の半周期間を速
くし、■から■へとガス体から遠のく基板移動の半周期
間を遅く駆動すれば、基板上の成膜速度が′向上し、又
、膜質の改善が図られる。
而して、前記励振の速度を、超音波周波数もしくは超音
波周波数以上の励振をすれば、従来小さい付着係数の為
、成膜が困難とされているガス体であっても薄膜形成が
容易となる。
波周波数以上の励振をすれば、従来小さい付着係数の為
、成膜が困難とされているガス体であっても薄膜形成が
容易となる。
第２図は２本発明の気相成長装置の実施例を示ず側断面
図である。
図である。
図中、■は成膜対象の基板、２は石英等からなる反応チ
ャンバ、３．！：４は夫々チャンバ２に供給する反応ガ
ス供給管、５は基Ｆｊ、ｌ載置の支持板。
ャンバ、３．！：４は夫々チャンバ２に供給する反応ガ
ス供給管、５は基Ｆｊ、ｌ載置の支持板。
６は前記支持板５に付設する例えば強誘電性俳器等から
なる超音波励振素子、７はその下方が真空ポンプに連結
されるチャンバ２の排気路である。
なる超音波励振素子、７はその下方が真空ポンプに連結
されるチャンバ２の排気路である。
更に、８はチャンバーに壁側の光窓、及び９ ｃａｔ前
記光窓８を介して基板１に紫外光照射をなす光源ランプ
である。該紫外光はフォトンエネルギにより反応ガスを
励起して光化学反応による成膜促進をなす他、ガス分子
の基板付着性をよくする効果が期待できる。
記光窓８を介して基板１に紫外光照射をなす光源ランプ
である。該紫外光はフォトンエネルギにより反応ガスを
励起して光化学反応による成膜促進をなす他、ガス分子
の基板付着性をよくする効果が期待できる。
か様な装置構成により、前回で説明せる基板１とガス体
とを、超音波周波数もしくはそれ以上の周波数で振動さ
せると気相成長薄膜が容易に形成される。
とを、超音波周波数もしくはそれ以上の周波数で振動さ
せると気相成長薄膜が容易に形成される。
次に、第２図装置の紫外ランプ９により気相成長をなす
実施例を説明する。
実施例を説明する。
第３図に於いて１図は成膜対象基板が超音波周波数もし
くは超音波以上の周波数で励振され、堆積薄膜が生成中
の状態図である。
くは超音波以上の周波数で励振され、堆積薄膜が生成中
の状態図である。
図中、Ｉ、ｎ、 ＩＴＩ、及び■の夫々は第１図と同じ
基板励振の単サイクル過程を示し、又、■と■の各状！
３図の矢印は、基板励振に同期して光照射がされるを示
している。
基板励振の単サイクル過程を示し、又、■と■の各状！
３図の矢印は、基板励振に同期して光照射がされるを示
している。
即ち、ＩＩ、及び■状態は、■からＩＩ、或いは■から
■へとガス体に向かう基板移動の期間、光窓８から紫外
光がチャンバ２内に入る様にされる。
■へとガス体に向かう基板移動の期間、光窓８から紫外
光がチャンバ２内に入る様にされる。
第２図装置の１１は、光源９と光窓８間に挿入されるそ
の周辺に多数の光スリンＩ−がある円盤、及び１２は前
記円盤１１の回転支軸である。これは高速で光源９を断
続する光チヨツパ形成部である。
の周辺に多数の光スリンＩ−がある円盤、及び１２は前
記円盤１１の回転支軸である。これは高速で光源９を断
続する光チヨツパ形成部である。
光チョッパは前記気相成長時の基板励振速度に同期させ
て照射する光励起パルスを得るものである。
て照射する光励起パルスを得るものである。
以下、光励起により５ｉＯｚ成欣時の気相成長実施例を
示す。
示す。
ＳｉＯλ成膜ガス体としてＳ ｉ １１４ と０２とを
用いるとすれば、フォトンエネルギの大きい紫外光によ
り０−、” ２０． ’５ｉｌ１４ ＋ ２０−＝ ５
ｉ（ｌｚ ＋ ２１１２の過程でＳｉＯλが形成される
。
用いるとすれば、フォトンエネルギの大きい紫外光によ
り０−、” ２０． ’５ｉｌ１４ ＋ ２０−＝ ５
ｉ（ｌｚ ＋ ２１１２の過程でＳｉＯλが形成される
。
この時の成ＦＡ条件として、５ｉｌ１４−ガスは１１／
ｍａｎ 。
ｍａｎ 。
０、ガスは２１／ｍｉｎ 、及びチャンバ２内は気圧１
００Ｔｏｒｒが適切である。尚、光パルスは１００Ｕ以
」二の出力が望ましい。
００Ｔｏｒｒが適切である。尚、光パルスは１００Ｕ以
」二の出力が望ましい。
斯様な基板励振手段と併用した光励起パルスとにより、
従来、１１着係数が小さい等の理由で成膜困ゲ汁な反応
ガス体或いは成膜す１率の低い反応ガス体に対しても、
均一・な気相成長膜が生成可能となる。
従来、１１着係数が小さい等の理由で成膜困ゲ汁な反応
ガス体或いは成膜す１率の低い反応ガス体に対しても、
均一・な気相成長膜が生成可能となる。
（ｇ）発明の効果
以上、詳細に説明した本発明の気相成長方法によれば、
ＶＬＳ４の製造時要求される良質のＭ膜が迅速に形成
される等の利点がある。
ＶＬＳ４の製造時要求される良質のＭ膜が迅速に形成
される等の利点がある。
第１図は本発明の成膜手段を明示する基板側面図、第２
図は気相成長装置の簡略側面図、及び第３図は第２図装
置の熱射光パルスによる本発明の成膜過程を説明する基
板側面図である。 図中、１は成膜対象の基板、２は反応チャンバ。 ３と４は反応ガス供給管、５は□基板１の支持板。 ６は超音波励振素子、７は排気管、８は光窓、９は紫外
光源、及び１１は光スリン１−盤である。
図は気相成長装置の簡略側面図、及び第３図は第２図装
置の熱射光パルスによる本発明の成膜過程を説明する基
板側面図である。 図中、１は成膜対象の基板、２は反応チャンバ。 ３と４は反応ガス供給管、５は□基板１の支持板。 ６は超音波励振素子、７は排気管、８は光窓、９は紫外
光源、及び１１は光スリン１−盤である。
Claims (2)
- （１）基板上に膜を気相成長させる際、成膜中の前記基
板に超音波若しくは超音波以上の振動を付加してなずご
とを特徴とする気相成長方法。 - （２）前記成膜中の基板面に、励振基板がガス体に向か
って移動する際励起光を照射し、励振基板がガス体から
遠ざかる際該励起光を遮断することを特徴とする特許 気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13826983A JPS6030142A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13826983A JPS6030142A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030142A true JPS6030142A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH0365656B2 JPH0365656B2 (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=15217974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13826983A Granted JPS6030142A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030142A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4065290B2 (ja) | 2005-05-23 | 2008-03-19 | 株式会社シマノ | 自転車用変速操作装置 |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP13826983A patent/JPS6030142A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0365656B2 (ja) | 1991-10-14 |
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