JPS6030005A - 導電被膜形成用組成物 - Google Patents
導電被膜形成用組成物Info
- Publication number
- JPS6030005A JPS6030005A JP13759283A JP13759283A JPS6030005A JP S6030005 A JPS6030005 A JP S6030005A JP 13759283 A JP13759283 A JP 13759283A JP 13759283 A JP13759283 A JP 13759283A JP S6030005 A JPS6030005 A JP S6030005A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- conductive film
- powder
- paste
- forming conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミック基板のキャビティ部に滴下、焼成し
て該キャビティ部底部に導電被膜を形成するための組成
物の改良に関するものである。
て該キャビティ部底部に導電被膜を形成するための組成
物の改良に関するものである。
所謂ザーディツプ（ＯｅｒＤ工Ｐ）型の半導体パッケー
ジはキャビティを有するセラミック製の基板を用いる。
ジはキャビティを有するセラミック製の基板を用いる。
半導体素子をキャビティに固着する一般的方法はろう付
番プであるが、この場合はキャビディ底部に予めメタラ
イズ層が形成されている必要がある。このメタライズ層
の形成用に従来金、銀、白金、パラジウム等の貴金属を
少なくとも一種金属粉末又は合金粉末で６５〜ｇｓ重量
メと軟化点ダ３０〜１．００ ＣＮ熱膨張係数ダθ〜ｉ
ｏθｘ ｉｏ−ン’ｒ：程度のガクス粉末０．３〜５重
ｊｔグとバランス量の有機質ビヒクルとを混練したペー
スト状の導電組成物が用いられてきた。このような組成
物は通常の厚膜ペーストと同様に３本ロールミルで製造
されるが、そのままでは粘性が大きいので、シンナーで
希釈してキャビティへ滴下される。ところで希釈した該
組成物を滴下、塗布したセラミック基板を直ちに焼成炉
内に入れるとビヒクル中の溶剤及びシンナーが急激に蒸
発するため沸騰し、滑らかな導電被膜が得られないので
、通常焼成前に一旦乾燥処理を行なって溶剤及びシンナ
ーを蒸発させるようにしている。
番プであるが、この場合はキャビディ底部に予めメタラ
イズ層が形成されている必要がある。このメタライズ層
の形成用に従来金、銀、白金、パラジウム等の貴金属を
少なくとも一種金属粉末又は合金粉末で６５〜ｇｓ重量
メと軟化点ダ３０〜１．００ ＣＮ熱膨張係数ダθ〜ｉ
ｏθｘ ｉｏ−ン’ｒ：程度のガクス粉末０．３〜５重
ｊｔグとバランス量の有機質ビヒクルとを混練したペー
スト状の導電組成物が用いられてきた。このような組成
物は通常の厚膜ペーストと同様に３本ロールミルで製造
されるが、そのままでは粘性が大きいので、シンナーで
希釈してキャビティへ滴下される。ところで希釈した該
組成物を滴下、塗布したセラミック基板を直ちに焼成炉
内に入れるとビヒクル中の溶剤及びシンナーが急激に蒸
発するため沸騰し、滑らかな導電被膜が得られないので
、通常焼成前に一旦乾燥処理を行なって溶剤及びシンナ
ーを蒸発させるようにしている。
この乾燥処理の温度は高い程乾燥時間が短縮されるので
あるが、温度を高くすると一時的にペースト組成物の粘
度が低下し、キャビティ内で対流が起こる結果微細な粒
子がペースト表面に集まり易くなる。溶剤とシンナーが
蒸発するにつれて粘度が増すと対流は起こらなくなるが
、一旦ペースト表面に集まった微粉は再び元に戻ること
はなくその結果これを焼成すると導電被膜表面に色ムラ
を生じたり、半導体素子の接合性（接合し易さの度合。
あるが、温度を高くすると一時的にペースト組成物の粘
度が低下し、キャビティ内で対流が起こる結果微細な粒
子がペースト表面に集まり易くなる。溶剤とシンナーが
蒸発するにつれて粘度が増すと対流は起こらなくなるが
、一旦ペースト表面に集まった微粉は再び元に戻ること
はなくその結果これを焼成すると導電被膜表面に色ムラ
を生じたり、半導体素子の接合性（接合し易さの度合。
ろう材を用いる場合は濡れの度合◇）が不良になったり
する。このため通常乾燥温度をｇＯ〜１０θＣとしてい
るが、生産性の点から１３θ〜１５θＣで処理できる組
成物が望まれていた。
する。このため通常乾燥温度をｇＯ〜１０θＣとしてい
るが、生産性の点から１３θ〜１５θＣで処理できる組
成物が望まれていた。
本発明者等は、上記従来の導電被膜形成用組成物の欠点
を解消すべく種々実験の結果、ナフテン酸又はす７テン
酸の金属塩を少量含有せしめると高温乾燥でも外観、接
合性共に良好な導電被膜が得られることを見出して本発
明に到達した。更に詳しくは、本発明は導電被膜形成用
組成物中にナフテン酸又はナフテン酸の金４塩を０．２
〜／θ重１％含有せしめた点に特徴がある。
を解消すべく種々実験の結果、ナフテン酸又はす７テン
酸の金属塩を少量含有せしめると高温乾燥でも外観、接
合性共に良好な導電被膜が得られることを見出して本発
明に到達した。更に詳しくは、本発明は導電被膜形成用
組成物中にナフテン酸又はナフテン酸の金４塩を０．２
〜／θ重１％含有せしめた点に特徴がある。
ナフテン酸の金属塩とはナフテン酸銅、°ナフテン酸亜
鉛、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸マンガン、ナフテ
ン酸鉛、ナフテン酸カルシウム等を包含する。
鉛、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸マンガン、ナフテ
ン酸鉛、ナフテン酸カルシウム等を包含する。
ナフテン酸及びナフテン酸の金属塩はペースト） 状＃
１成物中にθ、２〜ｌｏ重量％含有されている必要があ
る。０．２重量％未満では色ムラ防止の効果があまり無
く、７０重量％を超えると焼成被膜に亀裂が入り易くな
る。より好ましい含有割合はλ〜ｇ′ 重ＩＩｋ％であ
る。
１成物中にθ、２〜ｌｏ重量％含有されている必要があ
る。０．２重量％未満では色ムラ防止の効果があまり無
く、７０重量％を超えると焼成被膜に亀裂が入り易くな
る。より好ましい含有割合はλ〜ｇ′ 重ＩＩｋ％であ
る。
ナフテン酸又はす７テン酸の金＃Ｉ塩の添加により色ム
ラが無くなる理由は未だ明らかでないが、無添加の場合
と比較して乾燥後の被膜に光沢が認められることから、
乾燥処理の初期においてペースト表面に薄い乾燥膜が生
成し、この乾燥膜がペースト中の微細粒子の対流を防止
するのであろうと推測される。
ラが無くなる理由は未だ明らかでないが、無添加の場合
と比較して乾燥後の被膜に光沢が認められることから、
乾燥処理の初期においてペースト表面に薄い乾燥膜が生
成し、この乾燥膜がペースト中の微細粒子の対流を防止
するのであろうと推測される。
本発明により従来より高温の乾燥処理を行なっ５ ても
色ムチが無く、半導体素子接合性の良好な導電被膜が得
られるようになり、生産性向上に寄与することができた
。
色ムチが無く、半導体素子接合性の良好な導電被膜が得
られるようになり、生産性向上に寄与することができた
。
以下に実施例を示す。
゛実施例
実験ＡｌＮ１゜
平均粒径／、Ｓμｍの粒状銀粉、平均粒径３μｍの粒状
金粉、平Ｊθ粒径０．０２μｍのパテジウム粉、平均粒
径θ、／ ｆｉｍの白金粉、平均粒径Ｊ、４ｔｐｍの硼
珪酸鉛ガラ７、 （ＰｂＯｔＯｌＢ ２０ ａ ’Ｏ５
ｓ１０２３０各重量％）粉）ナフテン酸銅、ナフテン酸
、ナフテン酸亜鉛、有機質ビヒクル（ターピネオールに
エチルセルロースを溶解したもの）を第７表に示すよう
に種々の割合で調合し、３本ロールミルで混練して均一
なペースト状とした。次いでこれらのペーストを各々タ
ーピネオールで２倍に希釈し、＆、、７ｊ−Ｘ＃、、：
？Ｘθ、４ｔ６深さのキャビティを有する黒色アルミナ
基板（／？、、７ Ｘ ｔ、、ｇ／ｘ ｙ、ｅｐｂ厚）
に滴下し、／３０Ｃで２θ分間乾燥後、ピーク温度９０
０ｃ、ピーク時間ｇ分、全焼成時間６０分のベルト式焼
成炉で焼成した。このようにして得られた導電被膜を外
観検査し、色ムラ、変色の有無を調べた。次いでこの導
電被膜に２鴎角、厚さ、２ｏμｍの硅素２重層石含有金
−硅幸合金ろう材を介して７．５鴎角、厚さ。、グπｎ
のＳｉチップをグイボンダーを用いて接合した後、Ｓ１
チツプの剥離試験を行なってチップ接合性（この場合ろ
う材と被膜の濡れ性）を調べた。
金粉、平Ｊθ粒径０．０２μｍのパテジウム粉、平均粒
径θ、／ ｆｉｍの白金粉、平均粒径Ｊ、４ｔｐｍの硼
珪酸鉛ガラ７、 （ＰｂＯｔＯｌＢ ２０ ａ ’Ｏ５
ｓ１０２３０各重量％）粉）ナフテン酸銅、ナフテン酸
、ナフテン酸亜鉛、有機質ビヒクル（ターピネオールに
エチルセルロースを溶解したもの）を第７表に示すよう
に種々の割合で調合し、３本ロールミルで混練して均一
なペースト状とした。次いでこれらのペーストを各々タ
ーピネオールで２倍に希釈し、＆、、７ｊ−Ｘ＃、、：
？Ｘθ、４ｔ６深さのキャビティを有する黒色アルミナ
基板（／？、、７ Ｘ ｔ、、ｇ／ｘ ｙ、ｅｐｂ厚）
に滴下し、／３０Ｃで２θ分間乾燥後、ピーク温度９０
０ｃ、ピーク時間ｇ分、全焼成時間６０分のベルト式焼
成炉で焼成した。このようにして得られた導電被膜を外
観検査し、色ムラ、変色の有無を調べた。次いでこの導
電被膜に２鴎角、厚さ、２ｏμｍの硅素２重層石含有金
−硅幸合金ろう材を介して７．５鴎角、厚さ。、グπｎ
のＳｉチップをグイボンダーを用いて接合した後、Ｓ１
チツプの剥離試験を行なってチップ接合性（この場合ろ
う材と被膜の濡れ性）を調べた。
第７表にこれらの結果を示す。
第７表において、外観の欄は色ムラ、変色の詔められな
かったものを○、認められたものを×で示し、接合性の
欄は剥離試験の結果導電被膜とろう材の間で剥離してい
る部分が全体の１／４以下のものを○印、１／４以上の
ものをＸで示しである〇第１表 第１表の結果からペースト中にナフテン酸又はナフテン
酸の金属塩を７〜１０重量％含有せしめることにより、
導電被膜の外観及び接合性が改善されることが判る。
かったものを○、認められたものを×で示し、接合性の
欄は剥離試験の結果導電被膜とろう材の間で剥離してい
る部分が全体の１／４以下のものを○印、１／４以上の
ものをＸで示しである〇第１表 第１表の結果からペースト中にナフテン酸又はナフテン
酸の金属塩を７〜１０重量％含有せしめることにより、
導電被膜の外観及び接合性が改善されることが判る。
出願人 住友金属鉱山株式会社
代理人 弁理土中村勝成
Claims (1)
- （１）金、銀、白金、パラジウム等の貴金属を少なくと
も一種金属粉末又は合金粉末として含有し、ガラス粉末
と共に有機質ビヒクルに分散セしめた滴下塗布型の導電
被膜形成用組成物において、ナフテン酸又はす７テン酸
の金属塩を、００．２〜ｌθ重量％含有せしめたことを
特徴とする導電被膜形成用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13759283A JPS6030005A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 導電被膜形成用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13759283A JPS6030005A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 導電被膜形成用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030005A true JPS6030005A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15202304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13759283A Pending JPS6030005A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 導電被膜形成用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030005A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024036A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-14 |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP13759283A patent/JPS6030005A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024036A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-14 |
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