JPS6028235A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6028235A JPS6028235A JP13611983A JP13611983A JPS6028235A JP S6028235 A JPS6028235 A JP S6028235A JP 13611983 A JP13611983 A JP 13611983A JP 13611983 A JP13611983 A JP 13611983A JP S6028235 A JPS6028235 A JP S6028235A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
- H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し特に半導体基板表
面を清浄化する方法に関する。
面を清浄化する方法に関する。
集積回路を含む半導体装置の製作過程では半導体基板上
にＰ糾：膜、導体方１及び半導体膜の成長が多数回任用
される。これら各種のか形成法としては真空蒸着法、真
空スパッタ法、イオンクラスタビーム法、減圧気相成長
法等、多くの方法が挙げられる。これらの膜形成法に於
いては成長条件の制御と共に換が形成される基板表面の
清浄度が非常に重要である。これは膜が成長される基板
表面が汚染されていて異物質が残存していると、成長さ
れた膜中に異物質が拡散し股が汚染される、異物質を成
長核として、膜の異常成長が生じ、不均−な膜が成長す
る、膜と基板との密着度が悪く成長された膜が基板から
剥離してしまう等の望ましからざる現象が生してしまう
為である。
にＰ糾：膜、導体方１及び半導体膜の成長が多数回任用
される。これら各種のか形成法としては真空蒸着法、真
空スパッタ法、イオンクラスタビーム法、減圧気相成長
法等、多くの方法が挙げられる。これらの膜形成法に於
いては成長条件の制御と共に換が形成される基板表面の
清浄度が非常に重要である。これは膜が成長される基板
表面が汚染されていて異物質が残存していると、成長さ
れた膜中に異物質が拡散し股が汚染される、異物質を成
長核として、膜の異常成長が生じ、不均−な膜が成長す
る、膜と基板との密着度が悪く成長された膜が基板から
剥離してしまう等の望ましからざる現象が生してしまう
為である。
従来、半導体装置の製造過程に於いて用いられる基板表
面の清浄化法は、湿式の化学洗浄である。
面の清浄化法は、湿式の化学洗浄である。
即ち基板がシリコン基板である場合には通常数十度Ｃの
温度に熱せられた硝酸、塩酸、硫酸等のシリコン基板を
侵さない化学液中に浸漬する方法や同じく数十度Ｃに熱
せられたアンモニア、過酸化水素水、水の混合液に浸漬
する方法等が使用される。これらの化学液による洗浄後
基板は純水によシ水洗され乾燥され、膜形成が行われる
。又、基板がシリコン以外の半導体基板に於いても、同
様に基板が侵されない様な化学液によって洗浄され水洗
後膜形成が行われる。
温度に熱せられた硝酸、塩酸、硫酸等のシリコン基板を
侵さない化学液中に浸漬する方法や同じく数十度Ｃに熱
せられたアンモニア、過酸化水素水、水の混合液に浸漬
する方法等が使用される。これらの化学液による洗浄後
基板は純水によシ水洗され乾燥され、膜形成が行われる
。又、基板がシリコン以外の半導体基板に於いても、同
様に基板が侵されない様な化学液によって洗浄され水洗
後膜形成が行われる。
しかしながらこれ等通常の化学的洗浄法によって清浄化
された半導体基板表面には、化学液の分子、原子が水洗
によって必ずしも全て除去されず残っている。水洗後、
乾燥工程を終だ後でも水分子が吸着している。化学液や
純水中に含まれる有機物質等が吸着している、空気中に
曝される事によシ空気中の水分子を含む多くのガス分子
が吸着している等、基板を構成している原子以外の不純
物原子が吸着している事が多く、基板上に形成された膜
質の制御や特に又膜と基板界面の化学的物理的不安定性
の為に電気的特性の制御が困難となる事が多かった。こ
の為半導体基板上に金属膜を蒸着形成してショットキー
バリヤー構造を形成した時に、理論的な値からずれると
かその特性が一定しない、又半導体と金属間のオーミッ
ク抵触を形成した時の抵抗値が大きくかつ特性が一定し
ない等大きな問題点が生じていた。
された半導体基板表面には、化学液の分子、原子が水洗
によって必ずしも全て除去されず残っている。水洗後、
乾燥工程を終だ後でも水分子が吸着している。化学液や
純水中に含まれる有機物質等が吸着している、空気中に
曝される事によシ空気中の水分子を含む多くのガス分子
が吸着している等、基板を構成している原子以外の不純
物原子が吸着している事が多く、基板上に形成された膜
質の制御や特に又膜と基板界面の化学的物理的不安定性
の為に電気的特性の制御が困難となる事が多かった。こ
の為半導体基板上に金属膜を蒸着形成してショットキー
バリヤー構造を形成した時に、理論的な値からずれると
かその特性が一定しない、又半導体と金属間のオーミッ
ク抵触を形成した時の抵抗値が大きくかつ特性が一定し
ない等大きな問題点が生じていた。
本発明の目的は上記の欠点を除去した基板表面の清浄化
法を含む半導体装置の製造方法を提供する事がある。
法を含む半導体装置の製造方法を提供する事がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、通常の化学的洗浄を
行った後、半導体基板を真空中に設置し、該基板表面に
紫外線を含む第１の光線と、赤外線を含む第２の光線を
同時にもしくは独立に照射しその後膜形成を行う事を特
徴とする。
行った後、半導体基板を真空中に設置し、該基板表面に
紫外線を含む第１の光線と、赤外線を含む第２の光線を
同時にもしくは独立に照射しその後膜形成を行う事を特
徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法によれば通常の化学的洗
浄後基板表面に吸着していた異分子のうち水分子及び有
機物質の少くも一部が照射された紫外線の光子エネルギ
ーを吸収する事によシ切断され、表面から解難しやすく
なって除去され、清浄な基板表面が得られる。従ってそ
の後膜形成を行うと、非常に膜質に均一になシ、かつ基
板と膜の界面の状態が良好になるという大きな利点を有
する様になる。
浄後基板表面に吸着していた異分子のうち水分子及び有
機物質の少くも一部が照射された紫外線の光子エネルギ
ーを吸収する事によシ切断され、表面から解難しやすく
なって除去され、清浄な基板表面が得られる。従ってそ
の後膜形成を行うと、非常に膜質に均一になシ、かつ基
板と膜の界面の状態が良好になるという大きな利点を有
する様になる。
次に本発明をよシよく理解する為に図面を用いて説明す
る。
る。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の第１の実施例の装置概略図である。この第１の実施例
に於いては、チャンバー１０１位石英板１０２によシ２
ンプ（Ｌａｍｐ）室１０３と基板室１０４に分割されて
いる。Ｌ ａ ｍ ｐ室１０３内には低圧水銀ランプ１
０５が反射ミラー１０６と共に設置されている。基板室
１０４内にはサセプター１０７がおかれ該サセプター１
０７上に、石英板１０２と対向する様に半導体基板１０
８が置かれる。ランプ室１０３内は、水銀ランプ１０５
から照射される紫外光が吸収されてしまわない様に１０
−１〜ＩＱ−”Ｔｏｒ４度の真空に引かれる。又基板室
１０４は出来るだけ高い真空度が望ましく１０−’Ｔｏ
ｒｒ以上に設定する。
の第１の実施例の装置概略図である。この第１の実施例
に於いては、チャンバー１０１位石英板１０２によシ２
ンプ（Ｌａｍｐ）室１０３と基板室１０４に分割されて
いる。Ｌ ａ ｍ ｐ室１０３内には低圧水銀ランプ１
０５が反射ミラー１０６と共に設置されている。基板室
１０４内にはサセプター１０７がおかれ該サセプター１
０７上に、石英板１０２と対向する様に半導体基板１０
８が置かれる。ランプ室１０３内は、水銀ランプ１０５
から照射される紫外光が吸収されてしまわない様に１０
−１〜ＩＱ−”Ｔｏｒ４度の真空に引かれる。又基板室
１０４は出来るだけ高い真空度が望ましく１０−’Ｔｏ
ｒｒ以上に設定する。
ここでこの第１図に示された本発明の第１の実施例の装
置に於ける清浄方法についてのべる。半導体基板１０８
は予め化学的洗浄法によシ洗浄される。その後基板室１
０４内に設置され、上記の真空度まで引かれる。ランプ
室１０３は常時１０−１〜１０−”Ｔｏｒｒに引かれて
いる。基板１０８がサセプター１０７上に設置され、基
板室１０４が所定の真空度に達した後ランプ１０５が点
灯され、半導体基板１０８の表面はランプ１０５からの
紫外光の照射をうける。所定の時間だけ照射された後半
導体基板１０８は出来れば基板室１０４から大気中にさ
らされない様に次工程に移す。
置に於ける清浄方法についてのべる。半導体基板１０８
は予め化学的洗浄法によシ洗浄される。その後基板室１
０４内に設置され、上記の真空度まで引かれる。ランプ
室１０３は常時１０−１〜１０−”Ｔｏｒｒに引かれて
いる。基板１０８がサセプター１０７上に設置され、基
板室１０４が所定の真空度に達した後ランプ１０５が点
灯され、半導体基板１０８の表面はランプ１０５からの
紫外光の照射をうける。所定の時間だけ照射された後半
導体基板１０８は出来れば基板室１０４から大気中にさ
らされない様に次工程に移す。
第２図は第１図に示された本発明の第１の実施例の装置
によって表面を清浄化した時の効果を、ショットキーダ
イオードを試作して評価した結果である。ショットキー
ダイオードは、砒素をドナーとして含む１０〜１５Ω−
ｃｍの比抵抗の（ｉｏｏ）のＮ型シリコン基板上に形成
された。ショットキーダイオードの製作手順は以下の如
くである。先づシリコン基板上に熱酸化によシ約５００
ＯＡのシリコン酸化膜を形成し、フォトリソグラフィー
技術とエツチング技術によシ１０μＸＩ（１ｍ角にシリ
コン酸化膜を開孔しシリコン基板を露出させる。
によって表面を清浄化した時の効果を、ショットキーダ
イオードを試作して評価した結果である。ショットキー
ダイオードは、砒素をドナーとして含む１０〜１５Ω−
ｃｍの比抵抗の（ｉｏｏ）のＮ型シリコン基板上に形成
された。ショットキーダイオードの製作手順は以下の如
くである。先づシリコン基板上に熱酸化によシ約５００
ＯＡのシリコン酸化膜を形成し、フォトリソグラフィー
技術とエツチング技術によシ１０μＸＩ（１ｍ角にシリ
コン酸化膜を開孔しシリコン基板を露出させる。
次にアンモニア、過酸化水素、水の混合液によシ化学的
に洗浄し、１０分間純水中で水洗し、乾燥させる。その
後第１図に示された装置内に設置されランプ１０５から
紫外線を照射した。この時の紫外線の照射エネルギーは
約ＩＱｍＷ／ｃｍ２であシ永板室１０４の真空度は５
Ｘ １０”” Ｔｏｒｒである。所定の時間紫外線を照
射した後、基板室１０４の真空を破らずに、該基板室１
０４に連って設けられているスパッタ室にシリコン基板
を移し白金スノくツタを行い、その後熱処理をしショッ
トキーノ（リヤーを形成した。
に洗浄し、１０分間純水中で水洗し、乾燥させる。その
後第１図に示された装置内に設置されランプ１０５から
紫外線を照射した。この時の紫外線の照射エネルギーは
約ＩＱｍＷ／ｃｍ２であシ永板室１０４の真空度は５
Ｘ １０”” Ｔｏｒｒである。所定の時間紫外線を照
射した後、基板室１０４の真空を破らずに、該基板室１
０４に連って設けられているスパッタ室にシリコン基板
を移し白金スノくツタを行い、その後熱処理をしショッ
トキーノ（リヤーを形成した。
第２図に示される様に高真空下での紫外線照射時間が長
くなると共に、電流密度１０５（Ａ、７ｃｍ２）の時の
順方向電圧値は０．４３（Ｖ）から０．４６（Ｖ）まで
増大し、他方、順方向電流のｎ値は１．４から１．０８
に減少して１に近くなシ、ショットキーバリヤダイオー
ドの特性が改良されている事がわかった。この様に化学
的洗浄後すぐに白金をスパッタ形成して製作されたショ
ットキーダイオードの特性に比し紫外光を照射された後
白金をスパッタ形成されたショットキーダイオードは特
性が改善されている事が明白であシ紫外光照射によシ半
導体基板表面が清浄化している事がわかる。低圧水銀ラ
ンプ１０５の替わシにＸｅＬａｍｐ を使用した結果で
はちまシ顕著力効果は見られなかった。低圧水銀ランプ
は２５３７Ａと８４９Ａの波長の紫外線を照射するがＸ
ｅＬａｍｐでは４０００＾近傍の波長の紫外光が照射さ
れる。水分子のＯ−Ｈ結合の結合エネルギーは４．８８
Ｖ、有機物質のＣ）ｌ結合のエネルギーは約４．５ｅＶ
である事から半導体基板１０８の表面清浄化には、少
くも上記の結合手の結合エネルギーよシも高いエネルギ
ーをもつた光子が必要と考えられ、〜３ｏｏｏＡ以下の
波長の紫外光を照射するのが有効である。
くなると共に、電流密度１０５（Ａ、７ｃｍ２）の時の
順方向電圧値は０．４３（Ｖ）から０．４６（Ｖ）まで
増大し、他方、順方向電流のｎ値は１．４から１．０８
に減少して１に近くなシ、ショットキーバリヤダイオー
ドの特性が改良されている事がわかった。この様に化学
的洗浄後すぐに白金をスパッタ形成して製作されたショ
ットキーダイオードの特性に比し紫外光を照射された後
白金をスパッタ形成されたショットキーダイオードは特
性が改善されている事が明白であシ紫外光照射によシ半
導体基板表面が清浄化している事がわかる。低圧水銀ラ
ンプ１０５の替わシにＸｅＬａｍｐ を使用した結果で
はちまシ顕著力効果は見られなかった。低圧水銀ランプ
は２５３７Ａと８４９Ａの波長の紫外線を照射するがＸ
ｅＬａｍｐでは４０００＾近傍の波長の紫外光が照射さ
れる。水分子のＯ−Ｈ結合の結合エネルギーは４．８８
Ｖ、有機物質のＣ）ｌ結合のエネルギーは約４．５ｅＶ
である事から半導体基板１０８の表面清浄化には、少
くも上記の結合手の結合エネルギーよシも高いエネルギ
ーをもつた光子が必要と考えられ、〜３ｏｏｏＡ以下の
波長の紫外光を照射するのが有効である。
第３図は本発明の第２の実施例を示すための概略図であ
る。この第２の実施例に於いては、チャンバー２０１は
石英板２０２によ！ＪＬａｍｐ室２０３と基板室２０４
に分割されている。ランプ室２０３内には水銀ランプ２
０５とキセノンフラッシュランプ２０６が反射ミラー２
０７と共に設置されている。基板室２０４内にはサセプ
ター２０８とがおかれ該サセプター２０８上に、石英板
２０２と対向する様に半導体基板２０９が置かれている
。
る。この第２の実施例に於いては、チャンバー２０１は
石英板２０２によ！ＪＬａｍｐ室２０３と基板室２０４
に分割されている。ランプ室２０３内には水銀ランプ２
０５とキセノンフラッシュランプ２０６が反射ミラー２
０７と共に設置されている。基板室２０４内にはサセプ
ター２０８とがおかれ該サセプター２０８上に、石英板
２０２と対向する様に半導体基板２０９が置かれている
。
ランプ室２０３及び基板室２０４は第１の実施例と同様
にそれぞれ１０−１〜１０−２Ｔｏｒｒ 、 １０−’
Ｔｏｒｒ以上の真空度に保たれる。
にそれぞれ１０−１〜１０−２Ｔｏｒｒ 、 １０−’
Ｔｏｒｒ以上の真空度に保たれる。
ここで第２の実施例に於ける基板清浄化法について述べ
る。半導体基板２０９は予め化学的洗浄法によシ洗浄さ
れる。その後基板室２０４内に設置され上記真空度まで
引かれる。ランプ室２０３は常時、真空にされている。
る。半導体基板２０９は予め化学的洗浄法によシ洗浄さ
れる。その後基板室２０４内に設置され上記真空度まで
引かれる。ランプ室２０３は常時、真空にされている。
半導体基板２０９がサセプター２０８上に設定され基板
室２０４か所定の真空度に達しだ後、水銀ランプ２０５
が点灯され紫外光カニ半導体基板２０９表面を照射する
。
室２０４か所定の真空度に達しだ後、水銀ランプ２０５
が点灯され紫外光カニ半導体基板２０９表面を照射する
。
同時に、フラッシュランプ２０６が断続的に点灯され、
半導体基板２０９表面が加熱される。
半導体基板２０９表面が加熱される。
本発明の第２の実施例によれば、半導体基板２０９表面
は、ランプ２０５からの紫外光と、フラッシュランプ２
０６からの赤外線を含む光によって照射される。この為
、第１の実施例に於いてと同様に半導体基板２０９表面
に吸着している水分子、有機物質の結合が切断される効
果と共にフラッシュランプ２０６によシ瞬間的に加熱さ
れた時に小分子及び有機物質に与えられる運動エネルギ
ーによシそれら分子は半導体基板２０９表面からより速
やかに離脱する様になる。この為に半導体基板２０９表
面の清浄化がよシ短時間にかつ、。
は、ランプ２０５からの紫外光と、フラッシュランプ２
０６からの赤外線を含む光によって照射される。この為
、第１の実施例に於いてと同様に半導体基板２０９表面
に吸着している水分子、有機物質の結合が切断される効
果と共にフラッシュランプ２０６によシ瞬間的に加熱さ
れた時に小分子及び有機物質に与えられる運動エネルギ
ーによシそれら分子は半導体基板２０９表面からより速
やかに離脱する様になる。この為に半導体基板２０９表
面の清浄化がよシ短時間にかつ、。
より徹底して行われる様になる。
これらの効果を確める為に、第２図と同様のショットキ
ーダイオードを、本第２の実施例の装置を用いて清浄化
後製作した。清浄化の条件は紫外線の強度をｌＱｍＷ／
ｃｍ”としフラッシュランプの強度は４Ｊ／Ｃｍ２でパ
ルス巾は５０μｓｅｃで行いパルス間隔は５分で行った
。その結果ショットキーバルヤーダイオードの順方向特
性からの評価は、第１の実施例の装置の場合に比較し約
半分の時間で同様の効果がおる事を示した。
ーダイオードを、本第２の実施例の装置を用いて清浄化
後製作した。清浄化の条件は紫外線の強度をｌＱｍＷ／
ｃｍ”としフラッシュランプの強度は４Ｊ／Ｃｍ２でパ
ルス巾は５０μｓｅｃで行いパルス間隔は５分で行った
。その結果ショットキーバルヤーダイオードの順方向特
性からの評価は、第１の実施例の装置の場合に比較し約
半分の時間で同様の効果がおる事を示した。
この様に７ラツシーランプ２０６によって半導体基板２
０９を加熱する事は該基板表面を清浄化するのに効果が
ある裏がわかったが、以下に示す効果も併せもつもので
ある。゛即ち瞬間的な加熱であるために、半導体基板２
０９内に形成されている不純物拡散層の不純物再拡散が
生じず微細な素子の製作に適している。更に又、フラッ
シュランプ２０６からの光は、ミラー２０７によって半
導体基板２０９表面にのみ収束させる事ができる為、チ
ャンバー２０１の壁面を全く加熱しない。従って該壁面
に吸着している分子が加熱によ択壁面を離脱し、半導体
基板２０９表面に吸着するという事がない事である。
０９を加熱する事は該基板表面を清浄化するのに効果が
ある裏がわかったが、以下に示す効果も併せもつもので
ある。゛即ち瞬間的な加熱であるために、半導体基板２
０９内に形成されている不純物拡散層の不純物再拡散が
生じず微細な素子の製作に適している。更に又、フラッ
シュランプ２０６からの光は、ミラー２０７によって半
導体基板２０９表面にのみ収束させる事ができる為、チ
ャンバー２０１の壁面を全く加熱しない。従って該壁面
に吸着している分子が加熱によ択壁面を離脱し、半導体
基板２０９表面に吸着するという事がない事である。
第１図は本発明の第１の実施例を説明する為の外略図、
第２図は第１の実施例の効果を説明するための図、第３
図は本発明の第２の実施例を説明するだめの外略図、で
ある。 岡、図に於いて、１０１，２０１・・・・・・チャンバ
ー、１０２．２０２・・・・・・合成石英板、１０３，
２０３・・・・・・ランプ室、１０４，２０４・・・・
・・基板室、１０５，２０５・・・・・・低圧水銀ラン
プ、２０６・・・・・・７ラツシネランプ、１０６．２
０７・・・・・・ミラー、１０７，２０８・−・・・・
サセプタ＋、１０８，２０９・・・・・・半導体基板で
ある。 ２１ 図 、Ｙ！４、〃１時開（恰閏） Ｚ゛２ 図
第２図は第１の実施例の効果を説明するための図、第３
図は本発明の第２の実施例を説明するだめの外略図、で
ある。 岡、図に於いて、１０１，２０１・・・・・・チャンバ
ー、１０２．２０２・・・・・・合成石英板、１０３，
２０３・・・・・・ランプ室、１０４，２０４・・・・
・・基板室、１０５，２０５・・・・・・低圧水銀ラン
プ、２０６・・・・・・７ラツシネランプ、１０６．２
０７・・・・・・ミラー、１０７，２０８・−・・・・
サセプタ＋、１０８，２０９・・・・・・半導体基板で
ある。 ２１ 図 、Ｙ！４、〃１時開（恰閏） Ｚ゛２ 図
Claims (4)
- （１）１気圧以下の圧力下に置かれた半導体基板の表面
に３０００Ｘ以下の波長を有する紫外光を照射する事に
よシ該半導体基板表面を清浄化する工程を含む事を特徴
とする半導体装置の製造方法。 - （２） ３０００Ａ以下の波長を肩する紫外光と同時に
、もしくは交互に赤外線を含む光を照射する事によシ半
導体表面を清浄化する工程を含む事を特徴とする特許請
求の範囲第（１）項に記載の半導体装置の製造方法。 - （３）半導体基板清浄化後、該半導体基板を大気中に曝
す事なく、該半導体基板表面上に膜形成を行う工程を含
む手を特徴とする特許請求の範囲第（１）項もしくは第
０）項に記載の半導体装置の製造方法。 - （４）赤外線を含む光線を照射する光源としてフラッシ
ュランプもしくはレーザー光源を使用する事を特徴とす
る特許請求の範囲第（２）項に記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13611983A JPS6028235A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13611983A JPS6028235A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028235A true JPS6028235A (ja) | 1985-02-13 |
| JPH0451972B2 JPH0451972B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=15167744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13611983A Granted JPS6028235A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028235A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293724A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Nec Corp | 表面清浄化方法 |
| JPS63105970A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-11 | Applied Materials Japan Kk | 気相成長方法 |
| JPH08250483A (ja) * | 1996-01-16 | 1996-09-27 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 処理装置および処理方法 |
| JPH08288269A (ja) * | 1996-05-27 | 1996-11-01 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 処理装置 |
| US5744094A (en) * | 1991-04-12 | 1998-04-28 | Elopak Systems Ag | Treatment of material |
| US6797647B2 (en) | 2001-06-19 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating organic thin film |
| CN112216631A (zh) * | 2019-07-11 | 2021-01-12 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的装置和方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4999558A (ja) * | 1973-01-25 | 1974-09-20 | ||
| JPS5121784A (en) * | 1974-08-17 | 1976-02-21 | Fujitsu Ltd | Handotaisochino seizohoho |
| JPS5569266A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-24 | Hitachi Ltd | Selective adhering method of metal |
| JPS5815939A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-29 | ギヤ−ト・ジアンセン | サリチル酸ナトリウムの製造方法 |
-
1983
- 1983-07-26 JP JP13611983A patent/JPS6028235A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4999558A (ja) * | 1973-01-25 | 1974-09-20 | ||
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| JPS5815939A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-29 | ギヤ−ト・ジアンセン | サリチル酸ナトリウムの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63105970A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-11 | Applied Materials Japan Kk | 気相成長方法 |
| JPH0118149B2 (ja) * | 1986-10-23 | 1989-04-04 | Applied Materials Japan | |
| US5744094A (en) * | 1991-04-12 | 1998-04-28 | Elopak Systems Ag | Treatment of material |
| JPH08250483A (ja) * | 1996-01-16 | 1996-09-27 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 処理装置および処理方法 |
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| US6797647B2 (en) | 2001-06-19 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating organic thin film |
| CN112216631A (zh) * | 2019-07-11 | 2021-01-12 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的装置和方法 |
| JP2021015977A (ja) * | 2019-07-11 | 2021-02-12 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US11862491B2 (en) | 2019-07-11 | 2024-01-02 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
| CN112216631B (zh) * | 2019-07-11 | 2024-07-16 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的装置和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0451972B2 (ja) | 1992-08-20 |
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