JPS62293724A - 表面清浄化方法 - Google Patents
表面清浄化方法Info
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- JPS62293724A JPS62293724A JP13884186A JP13884186A JPS62293724A JP S62293724 A JPS62293724 A JP S62293724A JP 13884186 A JP13884186 A JP 13884186A JP 13884186 A JP13884186 A JP 13884186A JP S62293724 A JPS62293724 A JP S62293724A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明はシリコン表面の清浄化方法に関する。
（従来の技術）
近年高速バイポーラ素子、マイクロ波用素子あるいは超
格子溝道素子などへの応用を目的としてこれまでのシリ
コン薄膜成長技術に比べ、より低温で成長が行なわれ、
従って、不純物分布を乱すことがほとんどないという特
徴を有する高真空内でのシリコン分子線成長（ＳｉＭＢ
Ｅ）技術が盛んに研究開発されている。
格子溝道素子などへの応用を目的としてこれまでのシリ
コン薄膜成長技術に比べ、より低温で成長が行なわれ、
従って、不純物分布を乱すことがほとんどないという特
徴を有する高真空内でのシリコン分子線成長（ＳｉＭＢ
Ｅ）技術が盛んに研究開発されている。
この様なシリコン分子線成長技術において、単結晶シリ
コン基板表面の清浄度によってその上に成長するシリコ
ン膜の結晶性が大きく左右される。従って基板表面の清
浄化方法については、これまでにも数々の方法が検討さ
れてきた。たとえば、日本電子工業振興協会による「シ
リコン新デバイスに関する調査研究報告書１（昭和５７
年３月）］５２ページから６６ページに［Ｓｉの分子線
成長技術］と題して発表された報告においては表面清浄
化のための第１の方法として高真空中で高温加熱する方
法、第２の方法としてイオンビームで基板表面をスパッ
タする方法、第３の方法としてガリウムビームを照射す
る方法、さらに第４の方法としてレーザ照射を行なう方
法が示されている。
コン基板表面の清浄度によってその上に成長するシリコ
ン膜の結晶性が大きく左右される。従って基板表面の清
浄化方法については、これまでにも数々の方法が検討さ
れてきた。たとえば、日本電子工業振興協会による「シ
リコン新デバイスに関する調査研究報告書１（昭和５７
年３月）］５２ページから６６ページに［Ｓｉの分子線
成長技術］と題して発表された報告においては表面清浄
化のための第１の方法として高真空中で高温加熱する方
法、第２の方法としてイオンビームで基板表面をスパッ
タする方法、第３の方法としてガリウムビームを照射す
る方法、さらに第４の方法としてレーザ照射を行なう方
法が示されている。
また、最近では見方、弁上、高須により、第３０回応用
物理学関係連合講演会講演予稿集（昭和５８年４月）５
０２ページに［超高真空中ウェハー清浄化（２）ｊと題
して発表された講演において第５の方法として、基板洗
浄時に表面に形成された薄い酸化シリコン膜上にさらに
シリコンを極薄く堆積し、７１０°Ｃという低温で極薄
シリコン膜が薄い酸化膜と反応し、両方が共に蒸発し清
浄な表面が得られるという方法が示された。また、柏崎
、辰巳、津屋により第４５回応用物理学会学術講演会講
演予稿集（昭和５９年１０月）６５１ページにｒｓｉＭ
ＢＥの欠陥密度低減−オゾン処理と成長速度依存性」と
題して発表された講演において新たな第６の方法として
、洗浄の途中で洗浄溶液中にオゾンを含むガスを導入し
、表面の保護酸化膜とシリコン基板界面の汚染を減少さ
せるという方法が示された。
物理学関係連合講演会講演予稿集（昭和５８年４月）５
０２ページに［超高真空中ウェハー清浄化（２）ｊと題
して発表された講演において第５の方法として、基板洗
浄時に表面に形成された薄い酸化シリコン膜上にさらに
シリコンを極薄く堆積し、７１０°Ｃという低温で極薄
シリコン膜が薄い酸化膜と反応し、両方が共に蒸発し清
浄な表面が得られるという方法が示された。また、柏崎
、辰巳、津屋により第４５回応用物理学会学術講演会講
演予稿集（昭和５９年１０月）６５１ページにｒｓｉＭ
ＢＥの欠陥密度低減−オゾン処理と成長速度依存性」と
題して発表された講演において新たな第６の方法として
、洗浄の途中で洗浄溶液中にオゾンを含むガスを導入し
、表面の保護酸化膜とシリコン基板界面の汚染を減少さ
せるという方法が示された。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べた第１、第３、第４、第５、第６の方法では、
いずれもシリコン基板をあらかじめ洗浄溶液中で洗浄し
ているので、この洗浄段階での清浄化程度が最終的なウ
ェハー清浄化程度に影響を与える。第６の方法では、オ
ゾンの効果によりかなりの汚染が除去でき、（１００）
、（１１０）面ではシリコン分子線成長によるシリコン
エピタキシャル膜中の欠陥をなくすことができるが、（
１１１）面では、いまだに１０２ｃｍ＝程度の欠陥がの
こる。また、第２の方法では超高真空内で表面をエツチ
ングでき汚染除去には有効であるがスパッタによって表
面に大きなダメージを与えこれを回復させるために高温
熱処理を必要とする、という欠点があった。
いずれもシリコン基板をあらかじめ洗浄溶液中で洗浄し
ているので、この洗浄段階での清浄化程度が最終的なウ
ェハー清浄化程度に影響を与える。第６の方法では、オ
ゾンの効果によりかなりの汚染が除去でき、（１００）
、（１１０）面ではシリコン分子線成長によるシリコン
エピタキシャル膜中の欠陥をなくすことができるが、（
１１１）面では、いまだに１０２ｃｍ＝程度の欠陥がの
こる。また、第２の方法では超高真空内で表面をエツチ
ングでき汚染除去には有効であるがスパッタによって表
面に大きなダメージを与えこれを回復させるために高温
熱処理を必要とする、という欠点があった。
本発明の目的は、この様な従来の欠点を除去せしめて、
シリコン分子線により十分良好な結晶性を有するエピタ
キシャル成長膜を得ることができるような、あるいはこ
れに限らず一般の集積回路の製造工程等においても適用
できる表面清浄化方法を提供することにある。
シリコン分子線により十分良好な結晶性を有するエピタ
キシャル成長膜を得ることができるような、あるいはこ
れに限らず一般の集積回路の製造工程等においても適用
できる表面清浄化方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、表面に薄い酸化シリコン膜を有する、シリコ
ン基板を高真空中にて加熱する表面清浄化において、加
熱中に波長９００〜３０００人のＵＶ光を照射すること
を特徴とする （実施例） 次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。本実施例では、単結晶基板を沸騰した過酸化水素水と
アンモニア水を含む溶液中で洗浄してシリコン基板表面
に薄い酸化シリコン膜を形成し、次いで高真空中にて短
時間６００°Ｃないし８００°Ｃに加熱し、その後高真
空中７３０℃以下にて電子ビーム蒸着法により、基板表
面の薄い酸化シリコン膜の上に薄い酸化シリコン膜の膜
厚の４０％ないし８０％の膜厚のシリコン薄膜を形成し
、しかる後に高真空中にて７３０°Ｃ以上で短時間加熱
する表面清浄化のシリコン予備堆積法に本発明を応用し
た例について述べる。
ン基板を高真空中にて加熱する表面清浄化において、加
熱中に波長９００〜３０００人のＵＶ光を照射すること
を特徴とする （実施例） 次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。本実施例では、単結晶基板を沸騰した過酸化水素水と
アンモニア水を含む溶液中で洗浄してシリコン基板表面
に薄い酸化シリコン膜を形成し、次いで高真空中にて短
時間６００°Ｃないし８００°Ｃに加熱し、その後高真
空中７３０℃以下にて電子ビーム蒸着法により、基板表
面の薄い酸化シリコン膜の上に薄い酸化シリコン膜の膜
厚の４０％ないし８０％の膜厚のシリコン薄膜を形成し
、しかる後に高真空中にて７３０°Ｃ以上で短時間加熱
する表面清浄化のシリコン予備堆積法に本発明を応用し
た例について述べる。
通常のシリコンウェハーは第１図（ａ）に示す様にシリ
コン基板１０の表面には厚さ１０数Ａの自然酸化シリコ
ン膜２０が存在し、この酸化シリコン膜２０の表面に炭
素等の汚染不純物３０が存在し、また酸化シリコン膜２
０とシリコン基板１０との界面にも炭素等の汚染不純物
３１が存在している。
コン基板１０の表面には厚さ１０数Ａの自然酸化シリコ
ン膜２０が存在し、この酸化シリコン膜２０の表面に炭
素等の汚染不純物３０が存在し、また酸化シリコン膜２
０とシリコン基板１０との界面にも炭素等の汚染不純物
３１が存在している。
次に２８％アンモニア水と３０％過酸化水素水と水とを
１：４：２０の比率で混合し、沸ｊ、すした溶液中でシ
リコンウェハーを５分ないし１０分間洗浄するとアンモ
ニア水のエツチング作用と過酸化水素水の酸化シリコン
膜形成作用が操り返し作用することにより、第１図（ｂ
）に示す様に酸化シリコン膜２０は除去され、新たに表
面に炭素等の汚染不純物がごくわずかしか存在しない良
質の酸化シリコン膜２１が厚さ１０人程度形成される。
１：４：２０の比率で混合し、沸ｊ、すした溶液中でシ
リコンウェハーを５分ないし１０分間洗浄するとアンモ
ニア水のエツチング作用と過酸化水素水の酸化シリコン
膜形成作用が操り返し作用することにより、第１図（ｂ
）に示す様に酸化シリコン膜２０は除去され、新たに表
面に炭素等の汚染不純物がごくわずかしか存在しない良
質の酸化シリコン膜２１が厚さ１０人程度形成される。
このとき酸化シリコン膜２０とシリコン基板１０との界
面に存在した炭素等の汚染不純物３１は、大部分除去さ
れる。さらに、空気中にさらすことにより表面には炭素
汚染３２が付着する。
面に存在した炭素等の汚染不純物３１は、大部分除去さ
れる。さらに、空気中にさらすことにより表面には炭素
汚染３２が付着する。
次に、１０ ”Ｔｏｒｒ程度の良好な真空度の真空容器
中にて、短時間、例えば１分ないし２分、６００°Ｃな
いし８５０°Ｃに加熱すると第１図（Ｃ）に示す様に前
記酸化シリコン膜２１の表面から炭素３２が脱離する。
中にて、短時間、例えば１分ないし２分、６００°Ｃな
いし８５０°Ｃに加熱すると第１図（Ｃ）に示す様に前
記酸化シリコン膜２１の表面から炭素３２が脱離する。
さらに、８５０°Ｃ以上に加熱すると第１図（ｄ）に示
す様に酸化シリコン膜２１が蒸発する。しかし、酸化シ
リコン膜２１の一部は脱離せず表面に残存する。この状
想で、基板温度を成長温度である４００°Ｃないし８０
０°Ｃに下げ、分子線成長を行なうと表面に残存する酸
化シリコン粒４１を核として結晶欠陥が発生する。この
酸化シリコン粒４１を除去するためには、基板温度を１
０００°Ｃ以上に上げて表面でシリコンのサーマルエツ
チングを起こし表面を削らなければならない。しかし、
このような高温に上げると基板のドーピングプロファイ
ルを変えてしまい分子線成長の大きな長所である低温成
長という特徴が失われる。
す様に酸化シリコン膜２１が蒸発する。しかし、酸化シ
リコン膜２１の一部は脱離せず表面に残存する。この状
想で、基板温度を成長温度である４００°Ｃないし８０
０°Ｃに下げ、分子線成長を行なうと表面に残存する酸
化シリコン粒４１を核として結晶欠陥が発生する。この
酸化シリコン粒４１を除去するためには、基板温度を１
０００°Ｃ以上に上げて表面でシリコンのサーマルエツ
チングを起こし表面を削らなければならない。しかし、
このような高温に上げると基板のドーピングプロファイ
ルを変えてしまい分子線成長の大きな長所である低温成
長という特徴が失われる。
そこで、表面保護用のシリコン酸化膜２１を加熱によっ
て除去する際、基板表面に水銀キセノン（Ｈｇ−Ｘｅ）
ランプより９００人ないし３０００人の紫外光（ＵＶ光
）をあてると第１図（ｅ）に示す様に表面上に残存する
酸化シリコン粒４１が分解しＳｉＯとなって表面から脱
離し、きわめて清浄な表面が得られる。
て除去する際、基板表面に水銀キセノン（Ｈｇ−Ｘｅ）
ランプより９００人ないし３０００人の紫外光（ＵＶ光
）をあてると第１図（ｅ）に示す様に表面上に残存する
酸化シリコン粒４１が分解しＳｉＯとなって表面から脱
離し、きわめて清浄な表面が得られる。
次に、この表面清浄化法を実際にシリコン分子線成長に
用いた例についてさらに具体的に説明する。
用いた例についてさらに具体的に説明する。
第２図は、面方位が（１１１）で比抵抗が１０〜２０Ω
ｃｍであるｐ型シリコン基板を、２８％アンモニア水と
３０％過酸化水素水と水とを１：４：２０の比率で混合
し沸騰させた溶液中で１０分間洗浄し、次いで１Ｏ−１
０Ｔｏｒｒの超高真空内で前記のシリコン予備堆積法に
よって表面の清浄化を行った時の清浄化加熱時間とその
後のシリコン分子線成長膜の結晶欠陥密度との関係にお
いて清浄化加熱時にＵＶ光を照射した場合としない場合
を比較したものである。清浄化加熱時温度は、７８０°
Ｃ１成長温度は、７００’Ｃ１成長速度は、７Ａ／Ｓ、
成長膜厚は、ｌｐｍである。
ｃｍであるｐ型シリコン基板を、２８％アンモニア水と
３０％過酸化水素水と水とを１：４：２０の比率で混合
し沸騰させた溶液中で１０分間洗浄し、次いで１Ｏ−１
０Ｔｏｒｒの超高真空内で前記のシリコン予備堆積法に
よって表面の清浄化を行った時の清浄化加熱時間とその
後のシリコン分子線成長膜の結晶欠陥密度との関係にお
いて清浄化加熱時にＵＶ光を照射した場合としない場合
を比較したものである。清浄化加熱時温度は、７８０°
Ｃ１成長温度は、７００’Ｃ１成長速度は、７Ａ／Ｓ、
成長膜厚は、ｌｐｍである。
ＵＶ光は、５００ＷＩ７）Ｈｇ−Ｘｅランプからの光を
コールドミラーによって反射し、スブラジル製のビュー
イングボートを通して真空内へ導入した。結晶欠陥密度
は、シリコン分子線成長後の試料に通常用いられている
ジルトルエツチングを行い光学顕微鏡を用いてエッチピ
ットを数えることによって行った。第２図より清浄化時
間が１分の時には余り大きな差は認められないが、清浄
化加熱時間が１０分になると差が認められ、ＵＶ光を照
射した場合、その後成長した膜の結晶性が大きく改善さ
れることがわかる。“清浄化時間が１０分以上で結晶性
が悪化しているのは、試料ホルダー近傍が加熱されて不
純物の蒸発が起こり、これが基板表面に再付着するため
であると考えられる。
コールドミラーによって反射し、スブラジル製のビュー
イングボートを通して真空内へ導入した。結晶欠陥密度
は、シリコン分子線成長後の試料に通常用いられている
ジルトルエツチングを行い光学顕微鏡を用いてエッチピ
ットを数えることによって行った。第２図より清浄化時
間が１分の時には余り大きな差は認められないが、清浄
化加熱時間が１０分になると差が認められ、ＵＶ光を照
射した場合、その後成長した膜の結晶性が大きく改善さ
れることがわかる。“清浄化時間が１０分以上で結晶性
が悪化しているのは、試料ホルダー近傍が加熱されて不
純物の蒸発が起こり、これが基板表面に再付着するため
であると考えられる。
第３図は、面方位が（１１１）で比抵抗が１０〜２０Ω
ｃｍであるｐ型シリコン基板を、２８％アンモニア水と
３０％過酸化水素水と水とを１：４：２０の比率で混合
し沸騰させた溶液中で１０分間洗浄し、次いで１Ｏ−１
０Ｔｏｒｒの超高真空内で前記のシリコン予備堆積法に
よって表面の清浄化を行った時の清浄化加熱時間とその
後のシリコン分子線成長膜の結晶欠陥密度との関係にお
いて清浄化加熱時にＵＶ光を照射した場合としない場合
を比較したものである。清浄化加熱時温度は、１０分、
成長温度は、７００°Ｃ１成長速度は、７人／ｓ、成長
膜厚は、ｌｐｍとした。この場合も、ＵＶ光を照射した
場合としない場合で有意な差が認められた。ＵＶ光を照
射しない場合には、清浄化加熱温度が７８０°Ｃ以下で
は酸化シリコン膜が取れず、その上に堆積したシリコン
層は多結晶状態となるが、ＵＶ光を照射した場合には欠
陥密度は増えるもののエピタキシャル成長しており、酸
化シリコン膜が取れる温度は約５０°Ｃ低くなっている
のがわかる。
ｃｍであるｐ型シリコン基板を、２８％アンモニア水と
３０％過酸化水素水と水とを１：４：２０の比率で混合
し沸騰させた溶液中で１０分間洗浄し、次いで１Ｏ−１
０Ｔｏｒｒの超高真空内で前記のシリコン予備堆積法に
よって表面の清浄化を行った時の清浄化加熱時間とその
後のシリコン分子線成長膜の結晶欠陥密度との関係にお
いて清浄化加熱時にＵＶ光を照射した場合としない場合
を比較したものである。清浄化加熱時温度は、１０分、
成長温度は、７００°Ｃ１成長速度は、７人／ｓ、成長
膜厚は、ｌｐｍとした。この場合も、ＵＶ光を照射した
場合としない場合で有意な差が認められた。ＵＶ光を照
射しない場合には、清浄化加熱温度が７８０°Ｃ以下で
は酸化シリコン膜が取れず、その上に堆積したシリコン
層は多結晶状態となるが、ＵＶ光を照射した場合には欠
陥密度は増えるもののエピタキシャル成長しており、酸
化シリコン膜が取れる温度は約５０°Ｃ低くなっている
のがわかる。
清浄化条件を最適に選んだ場合のシリコン予備堆積法に
おいて、清浄化加熱時にＵＶ光を照射した場合としない
場合の、その後成長したシリコン膜内の結晶欠陥密度の
比較を第１表に示す。
おいて、清浄化加熱時にＵＶ光を照射した場合としない
場合の、その後成長したシリコン膜内の結晶欠陥密度の
比較を第１表に示す。
第１表結晶欠陥密度の比較
第１表の結晶欠陥密度の値より、本発明の方法と従来の
方法とを比較して本発明の方法が優れていることがわか
る。
方法とを比較して本発明の方法が優れていることがわか
る。
ところで本実施例ではシリコン基板の表面に薄い酸化シ
リコキン膜を形成する際に過酸化水素水を含む溶液中で
洗浄する場合について説明したが、これに限る必要はな
く沸騰した硝酸溶液１月こ浸すような方法あるいはすで
に十分清浄な自然酸化膜が形成されていれば、そのまま
、高真空中にて加熱する方法でもよい。
リコキン膜を形成する際に過酸化水素水を含む溶液中で
洗浄する場合について説明したが、これに限る必要はな
く沸騰した硝酸溶液１月こ浸すような方法あるいはすで
に十分清浄な自然酸化膜が形成されていれば、そのまま
、高真空中にて加熱する方法でもよい。
なお、本実施例ではシリコンウェハーを対象としたが、
本発明の方法は表面にのみシリコンが存在する５Ｏ３（
Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ）基板や更に
一般に５ＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔ
ｏｒ）基板等にも当然適用できる。
本発明の方法は表面にのみシリコンが存在する５Ｏ３（
Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ）基板や更に
一般に５ＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔ
ｏｒ）基板等にも当然適用できる。
また、以上の説明では本発明をシリコン分子線成長技術
における清浄化法に適用した場合を例にとって説明した
が、これに限られるものではなく集積回路製造等のウェ
ハー処理工程に広く一般的に適用できるものである。ま
たＵＶ光の波長も本実施例では９００〜３００人の範囲
を用いたが波長４０００Å以下であれば他の範囲の波長
のＵＶ光も用いることができる。
における清浄化法に適用した場合を例にとって説明した
が、これに限られるものではなく集積回路製造等のウェ
ハー処理工程に広く一般的に適用できるものである。ま
たＵＶ光の波長も本実施例では９００〜３００人の範囲
を用いたが波長４０００Å以下であれば他の範囲の波長
のＵＶ光も用いることができる。
（発明の効果）
以上、詳細に述べた通り本発明によれば、シリコン表面
に洗浄液中で保護用の酸化シリコン膜を形成し、これを
高真空中で蒸発させる時、紫外光を照射することによっ
て表面上に残存する酸化シリコン粒を除去する表面清浄
化方法が得られ、シリコン分子線成長法によりエピタキ
シャル膜を形成すると結晶欠陥の極めて少ない良質の膜
が得られる。更に分子線成長法に限らず一般の集積回路
の製造工程にも適用できる。
に洗浄液中で保護用の酸化シリコン膜を形成し、これを
高真空中で蒸発させる時、紫外光を照射することによっ
て表面上に残存する酸化シリコン粒を除去する表面清浄
化方法が得られ、シリコン分子線成長法によりエピタキ
シャル膜を形成すると結晶欠陥の極めて少ない良質の膜
が得られる。更に分子線成長法に限らず一般の集積回路
の製造工程にも適用できる。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は本発
明の一実施例を説明するためのシリコンウェハー模式断
面図である。 第２図は、シリコン予備堆積法によって表面の清浄化を
行った時の清浄化加熱時間とその後のシリコン分子線成
長膜の結晶欠陥密度との関係において清浄化加熱時にＵ
Ｖ光を照射した場合としない場合を比較した図である。 第３図は、シリコン予備堆積法によって表面の清浄化を
行った時の清浄化加熱温度とその後のシリコン分子線成
長膜の結晶欠陥密度との関係において清浄化加熱時にＵ
Ｖ光を照射した場合としない場合を比較した図である。 図において、１０・・・シリコン基板、２０・・・酸化
シリコン膜、２１・・・洗浄後の酸化シリコン膜、３０
，３２・・・酸化シリコン表面の炭素等の汚染不純物、
３１・・・酸化シリコン膜とシリコン基板との界面に存
在する炭素等の汚染不純物、４１・・・酸化シリコン粒
。 茅 Ｉ 国 第 ２８ θ １０ ２θ ３θ ４θ績オ砒
褒熱峙藺（仄／’ｎ） ＄ ３ 図
明の一実施例を説明するためのシリコンウェハー模式断
面図である。 第２図は、シリコン予備堆積法によって表面の清浄化を
行った時の清浄化加熱時間とその後のシリコン分子線成
長膜の結晶欠陥密度との関係において清浄化加熱時にＵ
Ｖ光を照射した場合としない場合を比較した図である。 第３図は、シリコン予備堆積法によって表面の清浄化を
行った時の清浄化加熱温度とその後のシリコン分子線成
長膜の結晶欠陥密度との関係において清浄化加熱時にＵ
Ｖ光を照射した場合としない場合を比較した図である。 図において、１０・・・シリコン基板、２０・・・酸化
シリコン膜、２１・・・洗浄後の酸化シリコン膜、３０
，３２・・・酸化シリコン表面の炭素等の汚染不純物、
３１・・・酸化シリコン膜とシリコン基板との界面に存
在する炭素等の汚染不純物、４１・・・酸化シリコン粒
。 茅 Ｉ 国 第 ２８ θ １０ ２θ ３θ ４θ績オ砒
褒熱峙藺（仄／’ｎ） ＄ ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、表面に薄い酸化シリコン膜を有するシリコン基板を
高真空中にて加熱する表面清浄化において、加熱中に紫
外光を照射することを特徴とする表面清浄化方法。 ２、シリコン基板を過酸化水素水を含む溶液中で洗浄す
ることによって表面に薄い酸化シリコン膜を形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の表面清浄
化方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13884186A JPS62293724A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 表面清浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13884186A JPS62293724A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 表面清浄化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293724A true JPS62293724A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15231445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13884186A Pending JPS62293724A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 表面清浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293724A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104752195A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 含硅氧介质层及其表面处理方法、半导体器件及互连层 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028235A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6187338A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Nec Corp | 多重ビ−ム照射Ｓｉ表面ドライ洗浄法 |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP13884186A patent/JPS62293724A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028235A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6187338A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Nec Corp | 多重ビ−ム照射Ｓｉ表面ドライ洗浄法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104752195A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 含硅氧介质层及其表面处理方法、半导体器件及互连层 |
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