JPS602702B2 - 記憶装置アクセス制御装置 - Google Patents

記憶装置アクセス制御装置

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JPS602702B2
JPS602702B2 JP15900678A JP15900678A JPS602702B2 JP S602702 B2 JPS602702 B2 JP S602702B2 JP 15900678 A JP15900678 A JP 15900678A JP 15900678 A JP15900678 A JP 15900678A JP S602702 B2 JPS602702 B2 JP S602702B2
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幸和 蕪山
猛 桝井
慎一 清水
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【発明の詳細な説明】 本発明は、記憶装置アクセス制御装置、特に例えば画像
データを格納している画像メモリの如き記憶装置に対し
て、ビット単位のリードノラィトやx敵方向とy軸方向
との選択的な繰返しアクセスやアクセス指示領域の選択
などを可能にした記憶装置アクセス制御装置に関するも
のである。
例えば画像処理に当っては、パターン認識処理に典型的
に現われる如く、画像メモリ上の画像データを順次変更
処理して行ったり、所定の範囲の画像データを選択して
リードノラィトしたり、繰返し行なうリード/ライト・
アクセスを例えばx麹方向走査やy軸方向走査に合わせ
て選択したり、1回のりード/ライトに対応して処理さ
れる単位を1藷単位のみでなく1ビット、2ビット、4
ビット・・・などのビット単位で行なったりするように
される。このような各種のアクセス・モード‘こ対応し
て、当該アクセス・モードに対して好都合となるように
画像データを格納し直すことは得策でない。
即ちいわば単一の記憶装置の内容を、上記アクセス・モ
ードに見合うようにリードノライトし得るようにするこ
とが望まれる。本発明は上記の点を解決することを目的
としており、本発明の記憶装置アクセス制御装置は、1
語2(Wq)ビットをもってリードノライトされるx。
×れ個のアドレスをもつ2次元アドレス空間の記憶装置
をアクセスしてゆく記憶装置アクセス制御装置であって
、上記1回のりード/ライトに際して有効なビットを2
pビット(pは零又は正の整数)として指定するビット
幅指定データ、上記有効ビットが2pビットとして指定
されたときに上記2次元アドレス空間をmはo×nyo
個の座標値をもつよう仮想的に変換する2次元アドレス
空間のバイト幅を指示するバイト・カウント・データ、
及び変換されたアドレス空間の順次リ−ドノラィトされ
るvxwの大きさをもつアクセス指示領域の先頭座標位
置を指定する先頭座標位置デー夕が設定されるパラメー
タ・テーブルと、前記ビット幅指定データとバイト・カ
ウント・データと先頭座標位置データとに基づいて上記
記憶装置に対するアドレス情報を生成すると共に、前記
アドレス情報に基づいたアドレス番地がy磯方向に更新
される都度、前記バイト・カウント・データを加算した
結果をアドレス情報として生成するアドレス生成部とを
具備して成ることを特徴としている。以下図面を参照し
つつ説明する。第1図はxo×仇個のアドレスをもつ2
次元アドレス空間の記憶装置を実質上m神×岬。個の座
標値をもつよう仮想的な2次元記憶装置に変換して使用
する態様を説明する説明図、第2図はx軸方向アクセス
とy軸方向アクセスとを説明する説明図、第3図は本発
明のアクセス制御装置の一実施例全体構成、第4図は第
3図に示すアドレス生成部の一実施例構成、第5図は第
4図における初期値ロードを説明するタイム・チャート
、第6図は第4図図示のセレクト・ビット記憶装置(R
OM)を説明する説明図、第7図は第4図図示の構成の
動作を具体例にもとづいて説明する説明図を示す。
記憶装置は一般に1語2(Mq)ビット単位でリード/
ライトされるように構成されている。即ち、アドレスを
x。×れの座標軸で指示されるものと考えた2次元アド
レス空間の記憶装置の場合、所定のアドレス幻×匁を指
定することによって当該アドレスに格納されている2(
p十q)ビットのデータに対してリード/ライトされる
。しかし、画像処理に当つては、1語中の1ビット、2
ビット、4ビット・・・など所定のビット単位で処理さ
れる頻度が多い。
このため、現実には1語2(川q)ビット単位でリード
ノラィトされるが、処理装置と記憶装贋との間では2p
ビット単位でデータ送受が繰返し行なわれるよう構成す
ることが望まれる。第1図はこのことを表わしており、
第1図Aは25舷バイトの記憶装置1が実質上1024
×2048〔語〕×1〔ビット〕で利用される態様を示
し、第2図Bは同じ記憶装置1が512×512〔語〕
×8〔ビット〕で利用される態様を示している。しかし
、勿論、第1図A図示の利用態様の場合も、第1図B図
示の利用態様の場合も、・現実の記憶装置1はめ×仇〔
語〕×2(p+q)〔ビット〕の記憶装置であることに
は変わりはなくリード/ライト・アクセスに当っては2
(Mq)ビット単位でリード/ライトされるものである
。以下の実施例においては、1語8ビットで構成され、
1ビット単位の送受、2ビット単位の送受、4ビット単
位の送受、8ビット単位の送受が可能であるものとして
説明される。また画像処理に当っては、2次元平面をx
軸方向に走査したりy軸方向に走査したりすることを想
定すると明瞭になる如く、例えば繰返し行なわれるリー
ド・アクセスに当って、上記×鞠方向走査に見合うアク
セスを行なったり上記y軸方向走査に見合うアクセスを
行なったりすることが必要となる。
第2剛まこのことを説明している。即ち例えば第1図A
や第1図Bなどに示される如き利用態様のもとで、図示
の如く、先頭番地STADDIで始まるWDI×HTI
のアクセス指示領域Aをx軸方向に順次アクセスしたり
、先頭番地STADD2で始まるWD2×HT2のアク
セス指示領域Bをy軸方向に順次アクセスしたりするこ
とが必要である。第3図は、単一の均×仇〔譜〕×2(
川q)ビットの記憶装置に対して、第1図および第2図
に示す如きアクセス・モードを任意にとり得るようにし
たアクセス制御装置の一実施例全体構成を示す。
図中記憶装置は図示右側に存在するものとして図示され
てなく、2はアクセス制御装置、3は制御部であって例
えばマイクロプロセッサによって構成されてアクセス制
御装置2に対して後述するパラメータを供給するもの、
4はパラメータ・レジスタ処理部であって例えば9バイ
ト分のパラメータがセットされるもの、5はパラメータ
・レジスタ、6は制御信号生成部であって外部アクセス
元装置からのりード/ライト命令に応じてアドレス生成
部を制御するもの、7はアドレス生成部であって図示し
ない記憶装置に対してアドレス情報を生成しては供給す
るものを表わしている。
上記パラメータ・レジス夕5にセットされるパラメー外
ま例えば9バイト分で構成され、次の如きデータを含ん
でいる。■ PUB。
−上記2pビット単位でのデータ送受を指定するもので
、画像処理の場合で言えば1画素のビット数を1ビット
、2ビット、4ビット、8ビットのいずれかとして指定
する。【B)DRCT。
繰返し行なわれるアクセスがx軸方向に行なわれるかy
軸方向に行なわれるかを指定するもので、画像処理の場
合で言えばx敵方向走査かy軸方向走査かを指定する。
に)PLNO心 −記憶装置が複数のプレーンに区分し
て存在しており、いずれのブレーンに対してアクセスを
行なうかを指示する。
肋 LBCNT。
−xo×丸〔語〕×2(Mq)〔ビット〕の記憶装置を
第1図を参照して説明した如く実質上m為×nれ〔語〕
×2り〔ビット〕の記憶装置として利用する場合のx軸
方向の語数(バイト・カウント)則ち値m濁を指定する
。なお実際には値mはoは「8」の倍数に選ばれるよう
にされるため下位3ビットは「000」となることから
、該下位3ビットを省略して与える。このことから図示
の場合LBCNT/8として示される。‘E’(STA
DD)−(DLTI)。
一STADDは第2図図示のアクセス指示領域AやBの
先頭座際位置である。またDLTIは、上記方向指示情
報DRCTが論理「0」即ちx軸方向アクセスの場合に
は上記バイト・カウントLBCNTの値とされる。なお
、この場合即ち論理「0」の場合、第4図に関連して後
述するDLT2は値「1」とされる。情報DRCTが論
理「1」即ちy軸方向アクセスの場合には値「1」とさ
れる。なお、この場合別ち論理「1」の場合、上述のD
LT2は上記バイト・カウントL8CNTの値とされる
。上記の記載から明らかな如く上記(STADD)−(
DLTI)は、第2図図示の先頭座標STADDの1つ
若い座標位置の座標値を与えている。
【可 CTIおよびCT2。
−第2図図示のアクセス指定領域Aや8の横幅WDや高
さHTを指定する。なお、上記方向指示情報DRCTが
論理「0」の場合、CTIの値がx軸方向の距離(横幅
WD)を指示し、CT2の値がy軸方向の距離(高さH
T)を指示する。また方向指示情報DRCTが論理「1
」の場合、CTIの値がy軸方向の距離(横幅WD)を
指示し、CT2の値がx軸方向の距離(高さHT)を指
示する。上記第1図A,Bの構成を上記パラメータで示
すと、傘 第1図A図示の場合、LBCNT=1024
ビット(12&ゞイト)、PUB=1ビットとなる。
傘 第1図B図示の場合、LBCNT=512ビット(
6心ゞイト)、PUB=8ビットとなる。また上記第2
図図示の領域に関して上記パラメータで示すと、傘 領
域Aの場合、DRCT=0、CTI=10CT2=32
となる。
鱗 領域Bの場合、DRCT=1、CTI=40CT2
=32となる。
上記パラメータは、第3図図示の制御部3からロードさ
れる。
そして、制御部3が初期値ロード命令を発すると、パラ
メータ・レジスタ処理部4は、上記パラメータ自体をあ
るいはそれらパラメータにもとづいて生成された結果を
初期値として、制御信号生成部6やアドレス生成部7に
転送する。この状態において、アドレス生成部7は、制
御信号生成部6からの制御信号にもとづいて、図示しな
い記憶装置1に対するアクセス・アドレス情報を生成し
得る状態となる。そして、図示しないアクセス要求元か
ら制御信号生成部6に対してリード/ライト命令が発せ
られると、当該生成部6は制御信号CONTLを発し、
アドレス生成部7はアクセス・アドレス情報を生成する
。第4図は、第3図に示すアドレス生成部の一実施例構
成を示している。
図中8,9は夫々レジスタ、10はアドレス・レジスタ
、11,12は夫々加算回路、13,14は夫々マルチ
プレクサ、15はカウンタ、16はセレクト・ビット記
憶装置を表わしている。第5図は、第4図における初期
値ロードを説明するタイム・チャートを示している。
初期値ロードが開始されると、選択信号SLCIがマル
チプレクサ13に供給されてマルチプレクサ13はデー
タ(STADD)−(DLTI)を選択する。第2図図
示のアクセス指示領域Aをアクセスする場合、データD
LTI=L8CNTであり、第2図図示の先頭座標ST
ADDIからy軸方向に1つだけ若い座標値がマルチプ
レクサ13によって選択されることとなる。次いで改行
パルスCHGが発せられると、レジスタ8に上記データ
(STADD)−(DLTI)がセットされることにな
り、加算回路11の出力TADDは(STADD)−(
DLTI)十(DLTI)=(STADD)となる。
即ち、第2図図示領域Aで言えば先頭座標位置STAD
DIとなる。このときマルチプレクサ14において、選
択信号SLC2によってアドレス情報TADD側を選択
するようにされていることから、レジスター 川こは上
記位置STADDIが供給される。この状態でアクセス
命令が与えられると、レジスタ1川ま上記位置STAD
DIに対応したアドレス情報ADDを図示しない記憶装
置1に供給する。
以下マルチプレクサ14の出力CRADDは歩進パルス
FWDによってレジスタ9にセットされる。第2図図示
領域Aの場合、DLTI=LBCNT DLT2=1 であることから、加算回路1 2は(STADDI)十
1を出力し、該出力はマルチプレクサ14によって選択
され、レジスタ10には上記(STADDI)十1が供
給される。
以下同様にアクセスが行なわれる都度、アクセス先は第
2図図示領域A上を水平方向に移動してゆく。そして改
行位置に達したとき、上記改行パルスCHGが発せられ
、加算回路11の出力TADDは(STADDI)十(
LBCNT) となり、以下上記と同様にアクセス先が水平方向に移動
してゆく。
なお1語8ビット単位で記憶装置アクセスし、送受する
デ−タ単位に応じて同一番地を複数回アクセスする場合
(このとき、パラメータPUBは値「1」である)には
、アドレス情報(STADDI)を7回繰り返した後に
(STADDI)十1となる。
第2図図示領域Bの場合、 DLTI=1 DLT2=LBCNT であり、初期値ロード時にマルチプレクサ13によって
選択されるデータは(STADD2)−1 であって、第2図図示領域Bの先頭座標STADD2か
らx麹方向に1つだけ若い座標値となっている。
そして、加算回路1 1の出力はSTADD2となる。
一方上述の歩進パルスFWDが与えられる毎に加算回路
12の出力は(STADD2)十(LBCNT) (STADD2)十2(LBCNT) ≦ となってゆく。
即ち上記領域Bを垂直方向にアクセスしてゆくことにな
る。上述の如くアドレス・レジスタ10によってアクセ
ス・アドレス情報が更新されてゆくが、第1図を参照し
て説明したまた上記パラータPUBに関連して説明した
如く1ビット、2ビット、4ビット・・・の如くビット
単位でデータ送受が行なわれる必要がある。
しかし、記憶装置1はあくまでも上述の如く1語2(p
+q)ビットで構成され為×yo個のアドレスをもつ記
憶装置である。即ち上記(p+q)が値「3」であると
すると1語8ビットの記憶装置である。このため、8ビ
ット単位でリードノラィトが行なわれるために、現実に
例えばリードされた1語8ビットのりード・データ中の
いずれのビットを処理装置側に送信すべきかを指示する
必要が生じる。各アクセス毎にどのビットを有効な(送
受すべき)ビットとすべきかを指示するために、第4図
図示構成において、セレクト・ビット記憶袋鷹16がも
うけられ、該記憶菱贋16からの読出しデータによって
選択すべきビット位置を指示している。今上託送受する
データ単位が1ビット、2ビット、4ビット、8ビット
のいずれかであるとすると、セレクト・ビット記憶装置
16は第6図に説明的に示す如く構成される。
即ち、全体で32個のアドレスをもち、各アドレスに対
応して第6図図示のデータが格納される。これによって
、例えば上記パラメータPUBが2ビット単位を指示し
ているものとするとき、カウンタ15の内容が「000
」の場合に記憶装置16から「11000000(即ち
16隻表現で「CO」)が読出され、カウンタ15の内
容が歩進されて「001」となった場合に記憶菱道1
6から「00110000(即ち16進表現で「30」
)が謙出され、……てゆく。そして例えば「CO」が読
出された場合、1語8ビット単位でリード/ライトされ
る1語中の第7ビットと第6ビットのみが有効ビットで
あることを指示する。また例えば「30」が謙出された
場合、1語8ビット中の第5ビットと第4ビットのみが
有効ビットであることを指示する。なおパラメータPU
Bが値「2」を指示されている場合には、カウンタ15
の内容が「000」から「011」に達するまで、記憶
菱直1上の同一番地が繰返しアクセスされ、カウンタ1
5の内容が「100」に変化するとき上記歩進パルスF
WDが発せられてアドレス・レジスタ10の内容として
新しい情報CRADDがセットされる。.第7図は、第
4図図示の構成の動作を具体例にもとづいて説明する説
明図を示す。
第7図Aは、PUB=2ビット(送受単位ビット)DR
CT=0(x軸方向アクセス) LBCNT=32ゞィト(4×32=12範囲素)ST
ADD=第6バイト先頭位置(1行目の第21番目の画
素)DLTI=32 DLT2=1 CTI=WD=5 CT2=HT=Q で与えられる状態でのアクセスを表わしている。
即ち図示番地「6」を4回繰返しアクセスし、番地「7
」を1回アクセスし、番地「滋」を4回繰返しアクセス
し、番地「39」を1回アクセスし、……てゆくことを
表わしている。これらアクセスが繰返されるにつれて、
上述の如くセレクト・ビット記憶装置16からいずれの
ビットを有効とするかが指示される。第7図Bは上記繰
返しアクセスに関するタイム・チャートを示している。
初期ロード状態において、アドレス・レジスタ10は番
地「6」を指示し、セレクト・ビット記憶袋贋16は第
6図を参照すると判る如く「CO」を発している。この
状態で第1回目の例えばリード・アクセス命令が与えら
れると、記憶装置1から番地「6」の1語(8ビット)
がリードされかつ該1語中の第7ビットと第6ビットと
が有効ビットとしてアクセス要求元に送出される。そし
てカゥンタ15の内容が更新され、セレクト・ビット記
憶装置16は「30」を発する。次いで第2回目のIJ
−ド・アクセス命令が与えられると、記憶装置1から番
地「6」の1語分がリードされかつ該1語中の第5ビッ
トと第4ビットとが有効ビットとしてアクセス要求元に
送出される。
そしてセレクト・ビット記憶装置16は「に」を発する
。次いで第3回目のりード・アクセス命令が与えられる
と、記憶装置1から番地「6」の1語分がリードされか
つ該1語中の第3ビットと第2ビットとが有効ビットと
してアクセス要求元に送出される。
そして上記記憶装置16は「03」を発する。次いで第
4回目のりード・アクセス命令が与えられると、記憶装
置1から番地「6」の1語分がリードされかつ該1語中
の第1ビットと第0ビットとが有効ビットとしてアクセ
ス要求元に送出される。
このとき歩進パルスFWDが発せられ、アドレス情報C
RADDとして「7」が出力される。また上記記憶装置
16は「CO」を発する。次いで第5回目のりード・ア
クセス命令が与えられると、記憶装置1から番地「7」
の1語分がリードされかつ該1語中の第7ビットと第6
ビットとが有効ビットとしてアクセス要求元に送出され
る。このとき改行パルスCHGが発せられてアドレス情
報CRADDは「総一となると共に、第4図図示のカウ
ンタ15はクリャされて上記記憶装層16は「CO」を
発する。次いで第6回目のりード・アクセス命令が与え
られると、記憶装置1から番地「紙」の1諮分がリード
されかつ該1語中の第7ビットと第6ビットとが有効ビ
ットとしてアクセス要求元に送出される。
そして上記記憶袋鷹16は「30」を発する。以上説明
した如く、本発明によれば、1議2(p十q)ビットで
xoxyo個のアドレスをもつ記憶装置を用いつつ、(
i)実質上1語2pビットでmはoxnyo個のアドレ
スをもつ記憶装置として利用したり、(ii)x軸方向
アクセスやy軸方向アクセスを任意に選択したり、(i
iDmKo×nルアドレス平面上で任意の大きさのアク
セス指定領域を切出したりすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はxoxyo個のアドレスをもつ2次元アドレス
空間の記憶装置を実質上m神×収。 個の座機値をもつ仮想的な2次元記憶装置変換して使用
する態様を説明する説明図、第2図はx軸方向アクセス
とy軸方向アクセスとを説明する説明図、第3図は本発
明のアクセス制御装置の一実施例全体構成、第4図は第
3図に示すアドレス生成部の−実施例構成、第5図は第
4図における初期値ロードを説明するタイム・チャート
、第6図は第4図図示のセレクト・ビット記憶装置(R
OM)を説明する説明図、第7図は第4図図示の構成の
動作を具体例にもとづいて説明する説明図を示す。図中
、1は記憶装置、2はアクセス制御装置、3は制御部、
4はパラメータ・レジスタ処理部、5はパラメータ・レ
ジスタ、6は制御信号生成部、7はアドレス生成部、1
0はアドレス・レジスタ、16はセレクト・ビット記憶
装置を表わす。キ3凶 才1凶 づZ船 才4凶 才S凶 8 b ボ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 1語2^(^p^+^q^)ビツトをもつてリード
    /ライトされるx_0×y_0個のアドレスをもつ2次
    元アドレス空間の記憶装置をアクセスしてゆく記憶装置
    アクセス制御装置であって、上記1回のリード/ライト
    に際して有効なビツトを2^pビツト(pは零又は正の
    整数)として指定するビツト幅指定データ、上記有効ビ
    ツトが2^pビツトとして指定されたときに上記2次元
    アドレス空間をmx_0×ny_0個の座標値をもつよ
    う仮想的に変換する2次元アドレス空間のバイト幅を指
    示するバイト・カウント・データ、及び変換されたアド
    レス空間の順次リード/ライトされるv×wの大きさを
    もつアクセス指示領域の先頭座標位置を指定する先頭座
    標位置データが設定されるパラメータ・テーブルと、前
    記ビツト幅指定データとバイト・カウント・データと先
    頭座標位置データとに基づいて上記記憶装置に対するア
    ドレス情報を生成すると共に、前記アドレス情報に基づ
    いたアドレス番地がy軸方向に更新される都度、前記バ
    イト・カウント・データを加算した結果をアドレス情報
    として生成するアドレス生成部とを具備して成ることを
    特徴とする記憶装置アクセス制御装置。 2 上記パラメータ・テーブルは、上記アクセス指示領
    域をx軸方向に順次アクセスするかy軸方向に順次アク
    セスするかを指示するアクセス方向指示ビツトを含み、
    該アクセス方向指示ビツトにもとづいて、上記アドレス
    生成部の内容更新モードを制御することを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の記憶装置アクセス制御装置。 3 上記記憶装置は1語2^(^p^+^q^)ビツト
    をもってリード/ライトされる1語データ中の有効な2
    ^pビツトを指示されるよう構成されてなると共に、上
    記アドレス生成部は上記1語データ中のいずれのビツト
    を有効化するかを指示するビツト・セレクト情報を格納
    するセレクト・ビツト記憶装置がもうけられ、上記ビツ
    ト幅指定データにもとづいて、繰返し行われるアクセス
    に対応して上記セレクト・ビツト記憶装置がアクセスさ
    れ、その内容にもとづいて上記有効化されるビツト位置
    を指示するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
    第2項記載の記憶装置アクセス制御装置。
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