JPS60262970A - 磁性体タ−ゲツト用カソ−ド装置 - Google Patents
磁性体タ−ゲツト用カソ−ド装置Info
- Publication number
- JPS60262970A JPS60262970A JP11827184A JP11827184A JPS60262970A JP S60262970 A JPS60262970 A JP S60262970A JP 11827184 A JP11827184 A JP 11827184A JP 11827184 A JP11827184 A JP 11827184A JP S60262970 A JPS60262970 A JP S60262970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- permanent magnet
- magnetic field
- magnetic material
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタリング装置に使用されるハその他の磁
性体のターゲラトラ備えたカソード電極に関する。
性体のターゲラトラ備えたカソード電極に関する。
従来磁性体のターゲット管スパッタする場合、例えば第
２図示のようにターゲラ）ａの背後に永久磁石ｂ２設け
、該ターゲット島の前方に該磁石すによる磁界ｏｔ影形
成てプラズマをその磁界Ｃ内に閉じ込めることが行なわ
れており、これによれはターゲットａＫ対向して設けた
基板ｄに磁性体の薄膜を高い速度で形成出来また基板と
に対する熱ダメージが少ない利点がある。
２図示のようにターゲラ）ａの背後に永久磁石ｂ２設け
、該ターゲット島の前方に該磁石すによる磁界ｏｔ影形
成てプラズマをその磁界Ｃ内に閉じ込めることが行なわ
れており、これによれはターゲットａＫ対向して設けた
基板ｄに磁性体の薄膜を高い速度で形成出来また基板と
に対する熱ダメージが少ない利点がある。
と仁ろがこの形式のものでは、磁性体の種類や厚さが変
化すると磁界Ｏの強さが変わり、カソード電極の特性に
変化を来たし、特に磁界０が強くなりすぎると基板ｄ［
形成される膜厚の一様性が損なわれる不都合を生じ勝ち
で磁気ディスク等の磁性薄膜としては不適当になり、薄
膜形成速度も悪くなる欠点が生ずる。磁界０の強さは永
久磁石すに代え電磁石を使用すれば調節出来るが、電源
及びその制御装置のために高価になり、コイルのスペー
ス分だけ大型化し、コイルの絶縁劣化、抵抗値変化があ
るため短寿命罠なって好ましくない。
化すると磁界Ｏの強さが変わり、カソード電極の特性に
変化を来たし、特に磁界０が強くなりすぎると基板ｄ［
形成される膜厚の一様性が損なわれる不都合を生じ勝ち
で磁気ディスク等の磁性薄膜としては不適当になり、薄
膜形成速度も悪くなる欠点が生ずる。磁界０の強さは永
久磁石すに代え電磁石を使用すれば調節出来るが、電源
及びその制御装置のために高価になり、コイルのスペー
ス分だけ大型化し、コイルの絶縁劣化、抵抗値変化があ
るため短寿命罠なって好ましくない。
本発明はターゲットの前方の磁界の強さを調節可能な安
価なカソード電極を提供することを目的とするもので、
１・その他の磁性体のターゲットの背後に永久磁石を設
けて該ターゲットの前方にプラズマを収束させる磁界を
＃成するようにしたものに於て、該永久磁石をターゲッ
トに対して接近離反自在に設けたことを特徴とする。
価なカソード電極を提供することを目的とするもので、
１・その他の磁性体のターゲットの背後に永久磁石を設
けて該ターゲットの前方にプラズマを収束させる磁界を
＃成するようにしたものに於て、該永久磁石をターゲッ
トに対して接近離反自在に設けたことを特徴とする。
本発明の実施例を図面第１図につき説明するに、ｔｉｔ
ＦＩ Ｆｅ、 Ｇｏ、バーＭＬ、 ０ｏ−Ｏｒ等の磁
性体からなる板状のターゲラ）、＋２１は該ターゲラ）
＋１１１に取付けたＯｕその他のバッキングプレー）
、＋３１ｔｊ：該ターゲラ） Ｉｌ＋のバッキングプレ
ー） （２１を介しての背後に設けた永久磁石で、該永
久磁石（３）はバッキングプレート（２１とカソードケ
ース（４）とで囲まれた密閉室（５）内に配置され、タ
ーゲット（１）の前方に磁界（６１ヲ形成する。ターゲ
ット（１）は磁性体であるので磁界（６）は形成され難
いが、該ターゲット（１）を適当に薄く形成するか又は
コバルトサマリウムのような強い磁石を使用し或は磁気
透過用の小孔をターゲラ） ｉｌ＋に形成することによ
りターゲラ） １１＋の前方に磁石（３）から漏洩或は
透過し穴磁界（６）金形成させることが出来る。該カソ
ードナース（４）は真空呈ａ漕の壁部（７）罠ターゲッ
ト田と基板（８）とが対向するように取付けられ、該バ
ンキングプレート（２１に放電電力が投入されると、タ
ーゲラ） １１１の前方に磁界（６）で収束されたプラ
ズマ放電が生じ、ターゲラ） ＋１１の磁性物質がスパ
ッタされ、基板（８）に薄膜状に付着する。
ＦＩ Ｆｅ、 Ｇｏ、バーＭＬ、 ０ｏ−Ｏｒ等の磁
性体からなる板状のターゲラ）、＋２１は該ターゲラ）
＋１１１に取付けたＯｕその他のバッキングプレー）
、＋３１ｔｊ：該ターゲラ） Ｉｌ＋のバッキングプレ
ー） （２１を介しての背後に設けた永久磁石で、該永
久磁石（３）はバッキングプレート（２１とカソードケ
ース（４）とで囲まれた密閉室（５）内に配置され、タ
ーゲット（１）の前方に磁界（６１ヲ形成する。ターゲ
ット（１）は磁性体であるので磁界（６）は形成され難
いが、該ターゲット（１）を適当に薄く形成するか又は
コバルトサマリウムのような強い磁石を使用し或は磁気
透過用の小孔をターゲラ） ｉｌ＋に形成することによ
りターゲラ） １１＋の前方に磁石（３）から漏洩或は
透過し穴磁界（６）金形成させることが出来る。該カソ
ードナース（４）は真空呈ａ漕の壁部（７）罠ターゲッ
ト田と基板（８）とが対向するように取付けられ、該バ
ンキングプレート（２１に放電電力が投入されると、タ
ーゲラ） １１１の前方に磁界（６）で収束されたプラ
ズマ放電が生じ、ターゲラ） ＋１１の磁性物質がスパ
ッタされ、基板（８）に薄膜状に付着する。
（９）は永久磁石（３）を固定したヨーク、ａＧは該ヨ
ーク（９）を挿通してカソードケース（４）に回転自在
に取付けた高さｍ節ボルトヲ示し、これを回転するとヨ
ーク（９）が磁石（３）と共に昇降し、ターゲット（１
）に接近離反自在となる。
ーク（９）を挿通してカソードケース（４）に回転自在
に取付けた高さｍ節ボルトヲ示し、これを回転するとヨ
ーク（９）が磁石（３）と共に昇降し、ターゲット（１
）に接近離反自在となる。
該カソードケース１４Ｊの例えば背板（４ａ）を取外し
自在に構成し、ターゲットｉｌｌ １に取外すことなく
これと永久磁石（３）との距＋Ｗｔ−調節することも可
能である。α１１はアースシールド、■は密閉室（５）
内にターゲット（１）の冷却水を循環窟せる冷却水流通
孔でおる。
自在に構成し、ターゲットｉｌｌ １に取外すことなく
これと永久磁石（３）との距＋Ｗｔ−調節することも可
能である。α１１はアースシールド、■は密閉室（５）
内にターゲット（１）の冷却水を循環窟せる冷却水流通
孔でおる。
その作動を説明するに、真空室α３内を真空化すると共
に少量のＡｒガスを注入し、バッキングプレート（２）
に放電電力を投入するとターゲラ） ＋１１の前方に永
久磁石出）の磁界（６）に収束されてプラズマ放電が発
生するのでターゲラ） （１１の磁性物質はスパッタさ
れて基板（８）に付着する。而して該ターゲット（１）
の材質が変わったりスノくツタリングの進行による厚さ
の変化で磁界（６）の強さが変わシ、迅速且つ却−に基
板（８）に薄膜を形成することが出来なくなるが、そう
した場合永久磁石（３）をターゲラＦ１１）から例えば
離反させて遠ざけ、適正な強さの磁界に修正することが
出来る。
に少量のＡｒガスを注入し、バッキングプレート（２）
に放電電力を投入するとターゲラ） ＋１１の前方に永
久磁石出）の磁界（６）に収束されてプラズマ放電が発
生するのでターゲラ） （１１の磁性物質はスパッタさ
れて基板（８）に付着する。而して該ターゲット（１）
の材質が変わったりスノくツタリングの進行による厚さ
の変化で磁界（６）の強さが変わシ、迅速且つ却−に基
板（８）に薄膜を形成することが出来なくなるが、そう
した場合永久磁石（３）をターゲラＦ１１）から例えば
離反させて遠ざけ、適正な強さの磁界に修正することが
出来る。
このように本発明によるときは、磁性体ターゲットの背
後の永久磁石を該ターゲットに対して接近離反自在に設
けたのでターゲットの種類や厚さが変化してもその前方
の磁界の強さを適正に維持することが出来、均一な膜厚
分布で迅速に薄膜を形成出来る等の効果がある。
後の永久磁石を該ターゲットに対して接近離反自在に設
けたのでターゲットの種類や厚さが変化してもその前方
の磁界の強さを適正に維持することが出来、均一な膜厚
分布で迅速に薄膜を形成出来る等の効果がある。
第１図は本発明の実施例の截断側面図、第２図は従来例
の截断側面図である。 （１）・・・磁性体ターゲット（３）・・・永久磁石（
６）・・・磁 界 外２名
の截断側面図である。 （１）・・・磁性体ターゲット（３）・・・永久磁石（
６）・・・磁 界 外２名
Claims (1)
- Ｆｅその他の磁性体のターゲットの背後に永久磁石を設
けて咳ターゲットの前方にプラズマを収束させる磁界を
形成するようにし九ものに於て、該永久磁石をターゲッ
トに対して接近離反自在に設けたことを特徴とする磁性
体ターゲット用カソード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11827184A JPS60262970A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 磁性体タ−ゲツト用カソ−ド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11827184A JPS60262970A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 磁性体タ−ゲツト用カソ−ド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262970A true JPS60262970A (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=14732508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11827184A Pending JPS60262970A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 磁性体タ−ゲツト用カソ−ド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262970A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009209385A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット及び磁石着脱方法 |
| KR101209651B1 (ko) | 2010-03-16 | 2012-12-07 | 주식회사 에스에프에이 | 스퍼터 장치 |
| KR101209653B1 (ko) | 2010-03-16 | 2012-12-07 | 주식회사 에스에프에이 | 스퍼터 장치 |
| CN104651786B (zh) * | 2013-11-18 | 2017-06-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种磁控管的磁场强度的调节方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55100981A (en) * | 1979-01-24 | 1980-08-01 | Murata Mfg Co Ltd | Magnetron sputtering apparatus |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP11827184A patent/JPS60262970A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55100981A (en) * | 1979-01-24 | 1980-08-01 | Murata Mfg Co Ltd | Magnetron sputtering apparatus |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009209385A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット及び磁石着脱方法 |
| KR101209651B1 (ko) | 2010-03-16 | 2012-12-07 | 주식회사 에스에프에이 | 스퍼터 장치 |
| KR101209653B1 (ko) | 2010-03-16 | 2012-12-07 | 주식회사 에스에프에이 | 스퍼터 장치 |
| CN104651786B (zh) * | 2013-11-18 | 2017-06-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种磁控管的磁场强度的调节方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910001879B1 (ko) | 스퍼터 성막방법 및 그 장치 | |
| US4414087A (en) | Magnetically-assisted sputtering method for producing vertical recording media | |
| JPS60262970A (ja) | 磁性体タ−ゲツト用カソ−ド装置 | |
| US4487675A (en) | Magnetically-assisted sputtering method for producing vertical recording media | |
| EP0381437B1 (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
| JPS5887270A (ja) | プレ−ナマグネトロン方式のスパッタリング電極 | |
| JPS57194255A (en) | Sputtering device | |
| JP2769572B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング用カソード | |
| JPH03260067A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH0159351B2 (ja) | ||
| JPH01119667A (ja) | スパッタ膜形成装置 | |
| JPS63223173A (ja) | 基板処理方法およびその装置 | |
| JPS5813622B2 (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
| JPH02200778A (ja) | スパッタリング用ターゲット | |
| JPS6320303B2 (ja) | ||
| JP2980266B2 (ja) | 磁性薄膜と非磁性薄膜との積層膜を形成するためのスパッタ装置 | |
| JPS62285253A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3063169B2 (ja) | マグネトロン式スパッタリング装置 | |
| JPH01240653A (ja) | スパッタリングカソード | |
| JP2901684B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング用ターゲット材 | |
| JPS58110672A (ja) | マグネトロンスパツタ法 | |
| JPS63468A (ja) | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 | |
| JP2550098B2 (ja) | 光磁気記録膜の製造方法 | |
| JPS62149865A (ja) | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 | |
| JPS63244728A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト |