JPS60261014A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS60261014A JPS60261014A JP11592284A JP11592284A JPS60261014A JP S60261014 A JPS60261014 A JP S60261014A JP 11592284 A JP11592284 A JP 11592284A JP 11592284 A JP11592284 A JP 11592284A JP S60261014 A JPS60261014 A JP S60261014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording medium
- layer
- film
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体に関する
。
。
従来例の構成とその問題点
近年、短波長化と狭トラツク化による記録密度向上は目
覚しく、光記録に近い面記碌密度の実用化が基板の垂直
方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を利用することで
期待されている。
覚しく、光記録に近い面記碌密度の実用化が基板の垂直
方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を利用することで
期待されている。
特に軟磁性層と垂直磁化膜を積層したいわゆる2層媒体
を用いて、補助磁極励磁型垂直ヘッドにより記録再生を
行うことで、高密度記録の検討が進んでいる。
を用いて、補助磁極励磁型垂直ヘッドにより記録再生を
行うことで、高密度記録の検討が進んでいる。
その結果、記録感度的には著しく改良されているが、雑
音が必ずしも低くないため、機器設計に必要な十分な信
号対雑音比(S/N )が得られないことから改良が望
まれている。
音が必ずしも低くないため、機器設計に必要な十分な信
号対雑音比(S/N )が得られないことから改良が望
まれている。
発明の目的
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、2層媒体の
雑音を改良し、高密度記録に供するものである。
雑音を改良し、高密度記録に供するものである。
発明の構成
本発明の磁気記録媒体は、軟磁性層を
N i −F e −M−0元素系で構成し、M元素と
してCr 、V 、 T i 、Mo 、Wの中より選
んだことを特徴とし、雑音の低いものである。
してCr 、V 、 T i 、Mo 、Wの中より選
んだことを特徴とし、雑音の低いものである。
実施例の説明
以下、図面を参照しながら本発明を説明する。
第1図は、本発明の磁気記録媒体の拡大断面図である。
第1図で1は高分子基板等の非磁性基板、2はNi−F
e −M−0(MはCr 、W、Mo 、Ti 、V
(Dうちのいずれかの元素)から成る軟磁性層、3は垂
直磁化膜、4は保護膜である。
e −M−0(MはCr 、W、Mo 、Ti 、V
(Dうちのいずれかの元素)から成る軟磁性層、3は垂
直磁化膜、4は保護膜である。
第2図は、軟磁性層の形成に用匠た蒸着装置の要部構成
図である。第2図で、6は基板、6は送り出し軸、7は
巻取り軸、8はスパッタカソード、9はバッキングプレ
ート、1Qは真空容器、11は排気系、12はガス導入
ノズル、13はガス導入調節弁、14はフリーローラで
ある。
図である。第2図で、6は基板、6は送り出し軸、7は
巻取り軸、8はスパッタカソード、9はバッキングプレ
ート、1Qは真空容器、11は排気系、12はガス導入
ノズル、13はガス導入調節弁、14はフリーローラで
ある。
第2図のスパッタカソードとしてNi−Fe−Mを用い
、導入ガスとして酸素、又は酸素と不活性ガスの混合系
を用いて軟磁性層を形成する。
、導入ガスとして酸素、又は酸素と不活性ガスの混合系
を用いて軟磁性層を形成する。
勿論、ハードディスク等の場合は第2図のように巻取り
系は利用できないので専用の搬送系を必要とする。
系は利用できないので専用の搬送系を必要とする。
本発明で用いることの出来る基板は、ポリエチレンテレ
フタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポ
リオレフィン類、 セル07スト!Jアセテート等のセ
ルロース誘導体、ポリアミド。
フタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポ
リオレフィン類、 セル07スト!Jアセテート等のセ
ルロース誘導体、ポリアミド。
ポリイミド等の高分子フィルム、アルミ合金等の非磁性
基板等である。
基板等である。
本発明で用いることの出来る垂直磁化膜は、Co−Cr
、Co −V 、Co−T i 、Go−W、Co
−Mo 。
、Co −V 、Co−T i 、Go−W、Co
−Mo 。
Co−Ru 、Co−0、Co−P 、Co−Ni−C
r 、Co−Ni−0゜Co−Ni−M−Re−P等で
ある。
r 、Co−Ni−0゜Co−Ni−M−Re−P等で
ある。
本発明で用いる軟磁性層は、Ni−Fe−M−0系から
成り、MとしてCr 、 V 、W 、Mo 、 T
iのいずれかが選択されるものである。
成り、MとしてCr 、 V 、W 、Mo 、 T
iのいずれかが選択されるものである。
厚みは0.2μmから1.0μm、好ましくは0.3μ
mから0.6μmで、原子比でN1が70%から80%
、Feが10%から20%、Mが4%から10%、Oが
3%から1Q%が適している。
mから0.6μmで、原子比でN1が70%から80%
、Feが10%から20%、Mが4%から10%、Oが
3%から1Q%が適している。
本発明の軟磁性層が最も代表的なパーマロイ層に比較し
て、雑音が低いのは厚くなっても、枕木磁区等の雑音が
極めて高くなる磁区ができないだめと考えられ、酸素と
の親和性がNi、Fe、M の順に犬きくなることと関
係していると推察されるものである。保護膜は適宜設け
られるものである。
て、雑音が低いのは厚くなっても、枕木磁区等の雑音が
極めて高くなる磁区ができないだめと考えられ、酸素と
の親和性がNi、Fe、M の順に犬きくなることと関
係していると推察されるものである。保護膜は適宜設け
られるものである。
以下、さらに具体的に一実施例を説明する。
(実施例)
厚み9μmのポリイミドフィルム上に、第2図に示した
ように、高周波スパッタリング法により軟磁性層を形成
し、その上に電子ビーム蒸着法でCo−Cr垂直磁化膜
を、高周波スパッタリング法でCo −Mo 、Co−
T i垂直磁化膜を形成した。
ように、高周波スパッタリング法により軟磁性層を形成
し、その上に電子ビーム蒸着法でCo−Cr垂直磁化膜
を、高周波スパッタリング法でCo −Mo 、Co−
T i垂直磁化膜を形成した。
夫々膜の形成は、直径60αの円筒状キャンにフィルム
を沿わせて行い、キャン表面温度は100℃から180
℃の範囲で調整した。
を沿わせて行い、キャン表面温度は100℃から180
℃の範囲で調整した。
スパッタリング法では、軟磁性層の形成時は、酸素のみ
導入し、4×1O−5Torr〜1×1O−2Torr
で調整し、垂直磁化膜形成時は、Arのみ導入し6 X
10−5Torr 〜3 X 10−2Torrで調
整した。
導入し、4×1O−5Torr〜1×1O−2Torr
で調整し、垂直磁化膜形成時は、Arのみ導入し6 X
10−5Torr 〜3 X 10−2Torrで調
整した。
Co −Crの電子ビーム蒸着時はs×10 Torr
から3X10 Torrの真空度で蒸着した。
から3X10 Torrの真空度で蒸着した。
比較例は、Ni−Fe (80wt%Ni)膜を軟磁性
層として用いた。
層として用いた。
夫々のテープの雑音を4M)hと6MHzで比較した。
基準は、比較例(テープ腐8)の4MH,の値をo[:
dB:lとした。尚、4μmは波長0.5μmに相当中
る。
dB:lとした。尚、4μmは波長0.5μmに相当中
る。
表に捷とめた条件、及び結果より明らかなように。
本発明の構成によれば、短波長域での雑音は、垂直磁化
膜の条件によらず、sdBから11dBの改良がみられ
る。
膜の条件によらず、sdBから11dBの改良がみられ
る。
本発明の他の材料の組み合わせでもほぼ同様の雑音レベ
ルの改良が確認された。
ルの改良が確認された。
又、磁気テープ以外に磁気ディスク、磁気シートでも同
様の効果を確認した。
様の効果を確認した。
発明の効果
本発明は、Ni−Fe−M−○系の軟磁性層と、垂直磁
化膜を積層することで、記録感度の向上した垂直磁気記
録媒体の雑音を改良できるもので、高密度記録の実用化
に大きく貢献するものである。
化膜を積層することで、記録感度の向上した垂直磁気記
録媒体の雑音を改良できるもので、高密度記録の実用化
に大きく貢献するものである。
第1図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図、第2図は
本発明の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着装置の要部構
成図である。 1 ・・・・基板、2 ・軟磁性層(Ni−Fe−M−
〇系)、3 ・・垂直磁化膜、8・・・・・スパッタカ
ソード(Ni−Fe−M系)。 第1図 第2図
本発明の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着装置の要部構
成図である。 1 ・・・・基板、2 ・軟磁性層(Ni−Fe−M−
〇系)、3 ・・垂直磁化膜、8・・・・・スパッタカ
ソード(Ni−Fe−M系)。 第1図 第2図
Claims (1)
- 軟磁性層と垂直磁化膜の2層構成で、該軟磁性層がNi
−Fe−M−0の4元系より成り、M元素がCr 、V
、 Ti 、Mo 、Wの中より選ばれたことを特徴
とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11592284A JPS60261014A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11592284A JPS60261014A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60261014A true JPS60261014A (ja) | 1985-12-24 |
Family
ID=14674521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11592284A Pending JPS60261014A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60261014A (ja) |
-
1984
- 1984-06-06 JP JP11592284A patent/JPS60261014A/ja active Pending
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