JPS60260498A - ＳｉＣ単結晶成長方法 - Google Patents
ＳｉＣ単結晶成長方法Info
- Publication number
- JPS60260498A JPS60260498A JP59115214A JP11521484A JPS60260498A JP S60260498 A JPS60260498 A JP S60260498A JP 59115214 A JP59115214 A JP 59115214A JP 11521484 A JP11521484 A JP 11521484A JP S60260498 A JPS60260498 A JP S60260498A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- single crystal
- substrate
- zone
- temp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
- C30B19/04—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux the solvent being a component of the crystal composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明ｆｉｓｉｃ（シリコンカーバイド）単結晶成長方
法ｒｃ関する。
法ｒｃ関する。
（ロ）従来技術
現在ＳＩＣ単結晶は耐環境性素子材料とじて研究が進め
られている。４７２ＳｉＣは間接遷移型のＩＶ−Ｎ化合
物で６す、種々の結晶構造が存在しその禁止帯幅は２．
３９〜５．３３８ Ｖまで多岐にわたろと共ｒｃＰ−ｎ
接合形成が可能なことから赤色から青色まで全ての可視
光を発光可能な発光ダイオード材料として有望視されて
いる。
られている。４７２ＳｉＣは間接遷移型のＩＶ−Ｎ化合
物で６す、種々の結晶構造が存在しその禁止帯幅は２．
３９〜５．３３８ Ｖまで多岐にわたろと共ｒｃＰ−ｎ
接合形成が可能なことから赤色から青色まで全ての可視
光を発光可能な発光ダイオード材料として有望視されて
いる。
上記ｐ−ｎ接合を形設する方法として
中 第１の導電型を示すドーパントが混入されたＳ１メ
ルトを収納してなる第１のカーボン製ルツボ及び第２の
導電型を示すドーパントが混入されたＳｔメルトを収納
してなる第２のカーボン製ルツボを準備し、まず第１の
ルツボｒｃｓｉｃ単結晶基板２浸漬し斯る基板上ＶＣ第
１の導電型のＳｉＣ単結晶を成長させた後、斯る基板を
第２のルツボ中に浸漬しと記基板表面に第２の導電型の
ＳｉＣ単結晶を成長させる方法。
ルトを収納してなる第１のカーボン製ルツボ及び第２の
導電型を示すドーパントが混入されたＳｔメルトを収納
してなる第２のカーボン製ルツボを準備し、まず第１の
ルツボｒｃｓｉｃ単結晶基板２浸漬し斯る基板上ＶＣ第
１の導電型のＳｉＣ単結晶を成長させた後、斯る基板を
第２のルツボ中に浸漬しと記基板表面に第２の導電型の
ＳｉＣ単結晶を成長させる方法。
（１１）または、Ｊ、ＡｐｐＩ！、Ｐｈｙｓ、ｓ。
０、Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９７９ ｐｐ８２１５−Ｐｌ
）８２２４Ｖｃ掲載されたＭ、ＩＫ８ｄａ 、Ｔ、Ｈａ
ｙａｋａｗａ等の論文及びＪ ＩＩＡｐｐ、ｇ、Ｐｈｙ
ｓ。
）８２２４Ｖｃ掲載されたＭ、ＩＫ８ｄａ 、Ｔ、Ｈａ
ｙａｋａｗａ等の論文及びＪ ＩＩＡｐｐ、ｇ、Ｐｈｙ
ｓ。
５３１［１，０ｃｔｏｒｂａｒ １９８２．ｐｐ６９６
２−ｐｐ６９６７’ＩＣ掲載されたり、Ｈｏｆｆｍａｕ
ｎ、Ｇ、Ｚｌｅｇｌｅｒ等の論文に開示されているよう
に、第１の導電型？示すドーパントが混入されたＳｉメ
ルトを収納してなるカーボン製ルツボを準備し、斯るメ
ルト中にＳＩＣ単結晶基板を浸漬して斯る基板上九菌１
導成型のＳＩＣ単結晶を成長させ、その礫上記メルト中
に第２導電型を示すドーパントな添加して斯るメルトを
第２導電型とし、上記基板上に第２導電型のＳＩＣ単結
晶を成長せしめる方法。の２方法が従来よりある。
２−ｐｐ６９６７’ＩＣ掲載されたり、Ｈｏｆｆｍａｕ
ｎ、Ｇ、Ｚｌｅｇｌｅｒ等の論文に開示されているよう
に、第１の導電型？示すドーパントが混入されたＳｉメ
ルトを収納してなるカーボン製ルツボを準備し、斯るメ
ルト中にＳＩＣ単結晶基板を浸漬して斯る基板上九菌１
導成型のＳＩＣ単結晶を成長させ、その礫上記メルト中
に第２導電型を示すドーパントな添加して斯るメルトを
第２導電型とし、上記基板上に第２導電型のＳＩＣ単結
晶を成長せしめる方法。の２方法が従来よりある。
然るに上記第１の方法では第１導電型のＳＩＣ単結晶を
形成し几後、基板を雰囲気に晒さねばならず、基板表面
上での不純物の取り込み、酸化膜の形成等が避けられな
い。
形成し几後、基板を雰囲気に晒さねばならず、基板表面
上での不純物の取り込み、酸化膜の形成等が避けられな
い。
また、上記第２の方法でｒｔ第１の方法での問題は避け
られるものの、第２導電型のＳＩＣ単結晶における不純
物の絶対量（−第１導電型を示すドーパントの蓋十第２
導電型を示すドーパントの量）が多くなり結晶性が損わ
れるという問題が生じる。
られるものの、第２導電型のＳＩＣ単結晶における不純
物の絶対量（−第１導電型を示すドーパントの蓋十第２
導電型を示すドーパントの量）が多くなり結晶性が損わ
れるという問題が生じる。
（ハ）発明の目的
本発明は斯る点ＶＣ鑑みてな芒れたもので、上記第１、
第２の方法の問題を共に解決可能なＳｉＣ単結晶成長方
法を提供せんとするものである。
第２の方法の問題を共に解決可能なＳｉＣ単結晶成長方
法を提供せんとするものである。
に）発明の構成
本発明の構成的特徴は、カーボン製ルツボ中にＡＪを含
有するＳ１メルトケ収納すると共に上記メルト中に高温
部と低温部を設ける工程、上記メルト中の低温部にＳＩ
Ｃ単結晶基板を１！！潰し該基板上にｐ型ＳＩＣ単結晶
を成長せしめろ工程、上記基板を上記メルト中の高温部
に移動させると共に上記メルトの温度を上昇せしめ上記
メルト中のＡｌを蒸発除去する工程、上記メルト中Ｖｃ
Ｎを導入せしめる工程、上記基板をメルト中の低温部に
移動せしめ上記基板上１／（ｎ型ＳＩＣ単結晶を成長せ
しめろ工程からなることにろる。
有するＳ１メルトケ収納すると共に上記メルト中に高温
部と低温部を設ける工程、上記メルト中の低温部にＳＩ
Ｃ単結晶基板を１！！潰し該基板上にｐ型ＳＩＣ単結晶
を成長せしめろ工程、上記基板を上記メルト中の高温部
に移動させると共に上記メルトの温度を上昇せしめ上記
メルト中のＡｌを蒸発除去する工程、上記メルト中Ｖｃ
Ｎを導入せしめる工程、上記基板をメルト中の低温部に
移動せしめ上記基板上１／（ｎ型ＳＩＣ単結晶を成長せ
しめろ工程からなることにろる。
（ホ）実施例
第１図乃至第４図は本発明の一笑施例を示す工程別＃ｉ
面図である。
面図である。
第１図ｒｉ第１工程を示し、上面が開口したカーボン製
ルツボ（１７中ＫＳｉメルト（２）を収納する。また斯
るＳ１メルト（２）中にＦ′ｉｐ型ドーパントとなるＡ
Ｉ！（アルミニウム〕を含んでいる。更に斯るメル）＋
２ＪＦｉ同図左側に示される如く、中央部においてメル
ト温度が約１６５０℃とカる高温部人と斯る高温部Ａよ
り下方に位置する低温部Ｂが存在し、斯る低温部Ｂｄル
ツボ（１）底面でメルト温度が約１６３０℃となるよう
［０，′５℃／Ｗの温度勾配を有している。尚、斯る温
度勾配は例えば上記ルツボ（１１に高周波コイルを巻回
して加熱する際、斯るコイルの位置もしくはコイルの疎
密関係を調整することにより行なえる。具体的には高温
部人のみに上記コイルを巻回するか、もしくは高温部Ａ
ではコイルを密にし、低温部Ｂではコイルを疎とするこ
とにより行える。
ルツボ（１７中ＫＳｉメルト（２）を収納する。また斯
るＳ１メルト（２）中にＦ′ｉｐ型ドーパントとなるＡ
Ｉ！（アルミニウム〕を含んでいる。更に斯るメル）＋
２ＪＦｉ同図左側に示される如く、中央部においてメル
ト温度が約１６５０℃とカる高温部人と斯る高温部Ａよ
り下方に位置する低温部Ｂが存在し、斯る低温部Ｂｄル
ツボ（１）底面でメルト温度が約１６３０℃となるよう
［０，′５℃／Ｗの温度勾配を有している。尚、斯る温
度勾配は例えば上記ルツボ（１１に高周波コイルを巻回
して加熱する際、斯るコイルの位置もしくはコイルの疎
密関係を調整することにより行なえる。具体的には高温
部人のみに上記コイルを巻回するか、もしくは高温部Ａ
ではコイルを密にし、低温部Ｂではコイルを疎とするこ
とにより行える。
第２図は第２工程を示し、カーボン製のウェハ治具（３
］の一端にＳＩＣ単結晶基板（４）を取着し、上記基板
（４）を低温部Ｂに位置するようにメルト（２）中に浸
漬する。斯る状態を一定時間保持することにより基板１
４）表面ｒｃｐｍｓｔｃ単結晶が成長する。
］の一端にＳＩＣ単結晶基板（４）を取着し、上記基板
（４）を低温部Ｂに位置するようにメルト（２）中に浸
漬する。斯る状態を一定時間保持することにより基板１
４）表面ｒｃｐｍｓｔｃ単結晶が成長する。
第３図に第６エ程を示し、上記基板＋４Ｊ Ｔｋ低低温
部上り高温部人に移動せしめると共に上記メルト（２）
の高温部Ａの温度が１７００℃、ルツボ（１）底部の温
度が１６７０℃となるように加熱し、この状態を６０分
以上保持する。
部上り高温部人に移動せしめると共に上記メルト（２）
の高温部Ａの温度が１７００℃、ルツボ（１）底部の温
度が１６７０℃となるように加熱し、この状態を６０分
以上保持する。
これＶＣより、上記メルト（２）中のＡＪを蒸発除去で
き、上記メルト（２）はノンドープ状態となる。
き、上記メルト（２）はノンドープ状態となる。
その後、上記メルト（２）に気相よりＮ（窒素）を導入
し、上記メルト（２Ｊの導電型Ｉｎ型とする。
し、上記メルト（２Ｊの導電型Ｉｎ型とする。
第４図は第４工程を示し、基板１４）をメルト（２）中
の低温部Ｂに移動させ一定時間保持する。これにより、
上記基板＋４３のｐ屋ｓｔｃ単結晶上ｙｃｎ型Ｓｉｃ単
結晶が成長する。
の低温部Ｂに移動させ一定時間保持する。これにより、
上記基板＋４３のｐ屋ｓｔｃ単結晶上ｙｃｎ型Ｓｉｃ単
結晶が成長する。
本実施例によればｐ型ＳＩＣ単結晶及びｎ型ＳＩＣ単結
晶を基板（４）上に順次積層する際、基板（４）に常に
メルト（２）中に位置するので基板（４）表面より不純
物が導入されたり、表面に酸化膜が生じるといったこと
はなく、またｎ型ＳＩＣ単結晶形成にわたりメルト）２
）中のＡＪは完全に除去されているためｎ型ＳｉＣ単結
晶中の不純物の絶対量も少なくでき、結晶性も良好とな
る。
晶を基板（４）上に順次積層する際、基板（４）に常に
メルト（２）中に位置するので基板（４）表面より不純
物が導入されたり、表面に酸化膜が生じるといったこと
はなく、またｎ型ＳＩＣ単結晶形成にわたりメルト）２
）中のＡＪは完全に除去されているためｎ型ＳｉＣ単結
晶中の不純物の絶対量も少なくでき、結晶性も良好とな
る。
具体的には本実施例の方法を用いてキャリア濃度が５Ｘ
１０１８／−のｐ型ＳｉＣ単結晶とキャリア濃度が５Ｘ
１０１７１５１のｎ型ｓｉｃ単結晶とからなるｐ−ｎ接
合を形成し、Ｉ−Ｖ特性を測定したところ、 ■・・・印加電流 Ｖ・・・印加電圧 Ａ・・・定 数 −ｑ・・・電子の電荷 に…ボルツマン定数 ↑・・・絶対温度 で表わきれるｎ値が１８〜１．９となった。これは上記
ｐ−ｎ接合が良好なものでるること示す。尚、参考まで
に既述した従来例により得られたｐ−ｎ接合のｎ＠ｉは
約４と非常に高いものになっていた。
１０１８／−のｐ型ＳｉＣ単結晶とキャリア濃度が５Ｘ
１０１７１５１のｎ型ｓｉｃ単結晶とからなるｐ−ｎ接
合を形成し、Ｉ−Ｖ特性を測定したところ、 ■・・・印加電流 Ｖ・・・印加電圧 Ａ・・・定 数 −ｑ・・・電子の電荷 に…ボルツマン定数 ↑・・・絶対温度 で表わきれるｎ値が１８〜１．９となった。これは上記
ｐ−ｎ接合が良好なものでるること示す。尚、参考まで
に既述した従来例により得られたｐ−ｎ接合のｎ＠ｉは
約４と非常に高いものになっていた。
°また、本実織例により得られた上記ｐ−ｎ接合を用い
て青色ＬＥＤを作成したところ、従来法により得られた
ｐ−ｎ接合より得られるＬＥＤに較べて約５０％の輝度
上昇が認められた。
て青色ＬＥＤを作成したところ、従来法により得られた
ｐ−ｎ接合より得られるＬＥＤに較べて約５０％の輝度
上昇が認められた。
尚、本実施例の第６エ程においてＡＪを除去した後Ｎを
導入したが、Ｓｌｌシル （２Ｊ中ではＡＪｆｉ蒸発し
易いがＮＦｉ蒸発し難い特性を有しているため、基板＋
４） １に高温部Ａｒｃ移動させた後メルト昇温＠ｙｃ
Ｎ２メルト（２〕中に添加し、その後メルト（２）を昇
温させてＡｌ！を蒸発除去してもよい。
導入したが、Ｓｌｌシル （２Ｊ中ではＡＪｆｉ蒸発し
易いがＮＦｉ蒸発し難い特性を有しているため、基板＋
４） １に高温部Ａｒｃ移動させた後メルト昇温＠ｙｃ
Ｎ２メルト（２〕中に添加し、その後メルト（２）を昇
温させてＡｌ！を蒸発除去してもよい。
（へ）発明の効果
本発明によれば良好なｐ−ｎ接合を有したＳｔＣ単結晶
が得られるので、ｓｉｃ単結晶からなる発光素子等の開
発に大いに役立つ。
が得られるので、ｓｉｃ単結晶からなる発光素子等の開
発に大いに役立つ。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を示す工程別断面
図である。 （１）・・・ルツボ、（２Ｊ・・・メル）、＋４］・・
・基板。 出願人三洋電機株式会社 代理人弁理士佐 野 靜 夫 第１図
図である。 （１）・・・ルツボ、（２Ｊ・・・メル）、＋４］・・
・基板。 出願人三洋電機株式会社 代理人弁理士佐 野 靜 夫 第１図
Claims (1)
- （１１カーボン製ルツボ中Ｋｌ’ＡＪを含有するＳｌメ
ルトを収納すると共に上記メルト中に高温部と低温部を
設ける工程、上記メルト中の低温部ＶｃＳＩＣ単結晶基
板を浸漬し該基板上にｐ型ＳｉＣ単結晶全成長せしめる
工程、上記基板を上記メルト中の高温部に移動させると
共に上記メルトの温度を上昇せしめよ記メルト中のＡＪ
を蒸発除去する工程、上記メルト中ｒｃＮ１に導入せし
める工程、上記基板全メルト中の低温部に移動せしめ上
記基板上にｎｍ５ｌｃ単結晶を成長せしめろ工程からな
ることを特徴とするＳｉＣ単結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59115214A JPS60260498A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | ＳｉＣ単結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59115214A JPS60260498A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | ＳｉＣ単結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60260498A true JPS60260498A (ja) | 1985-12-23 |
Family
ID=14657186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59115214A Pending JPS60260498A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | ＳｉＣ単結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60260498A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006117524A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Siltron Inc | 高品質単結晶及びその成長方法 |
| JP2011168447A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Toyota Motor Corp | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| DE112009000196B4 (de) * | 2008-01-29 | 2012-06-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Verfahren zum Wachsen eines P-SiC-Halbleitereinkristalls und P-SiC-Halbleitereinkristall |
| WO2016121577A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
| US9512540B2 (en) | 2010-11-09 | 2016-12-06 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Method for manufacturing N-type SiC single crystal by solution growth using a mixed gas atmosphere |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP59115214A patent/JPS60260498A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006117524A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Siltron Inc | 高品質単結晶及びその成長方法 |
| DE112009000196B4 (de) * | 2008-01-29 | 2012-06-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Verfahren zum Wachsen eines P-SiC-Halbleitereinkristalls und P-SiC-Halbleitereinkristall |
| DE112009000196B8 (de) * | 2008-01-29 | 2012-10-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Verfahren zum Wachsen eines P-SiC-Halbleitereinkristalls und P-SiC-Halbleitereinkristall |
| US8470698B2 (en) | 2008-01-29 | 2013-06-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for growing p-type SiC semiconductor single crystal and p-type SiC semiconductor single crystal |
| JP2011168447A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Toyota Motor Corp | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| US9512540B2 (en) | 2010-11-09 | 2016-12-06 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Method for manufacturing N-type SiC single crystal by solution growth using a mixed gas atmosphere |
| WO2016121577A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
| JPWO2016121577A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2017-04-27 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4249184B2 (ja) | 窒化物半導体成長用基板 | |
| US7527869B2 (en) | Single crystal silicon carbide and method for producing the same | |
| JPS6115577B2 (ja) | ||
| US20040077166A1 (en) | Semiconductor crystal growing method and semiconductor light-emitting device | |
| JPH04223330A (ja) | 単結晶珪素基板上への化合物半導体単結晶の作製方法 | |
| JPH03203388A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPS60260498A (ja) | ＳｉＣ単結晶成長方法 | |
| US6376900B1 (en) | Single crystal SiC | |
| WO2019058467A1 (ja) | エピタキシャル成長用基板、エピタキシャル成長用基板の製造方法、エピタキシャル基板及び半導体素子 | |
| US4755856A (en) | Znse green light emitting diode | |
| JPS5846686A (ja) | 青色発光素子 | |
| US3619304A (en) | Method of manufacturing gallium phosphide electro luminescent diodes | |
| JPH0883926A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH05190900A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP2001226200A (ja) | 低抵抗ｐ型単結晶ＺｎＳおよびその製造方法 | |
| US3648120A (en) | Indium aluminum phosphide and electroluminescent device using same | |
| JPH06342935A (ja) | ＧａＰ純緑色発光素子基板 | |
| JP2537296B2 (ja) | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族間化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPH0529235A (ja) | 高純度層を有するＧａＡｓ素子の製造方法 | |
| Nishizawa et al. | Stoichiometry Control of Compound Semiconductors | |
| JP2537322B2 (ja) | 半導体結晶成長方法 | |
| JP2579336B2 (ja) | 青色発光ダイオードの製造方法 | |
| JPS5916393A (ja) | 青色発光素子 | |
| JPS5918686A (ja) | ガリウム燐発光ダイオ−ド | |
| JPS61268079A (ja) | 青色発光素子 |