JPS60258980A - 半導体光検出装置 - Google Patents
半導体光検出装置Info
- Publication number
- JPS60258980A JPS60258980A JP60086359A JP8635985A JPS60258980A JP S60258980 A JPS60258980 A JP S60258980A JP 60086359 A JP60086359 A JP 60086359A JP 8635985 A JP8635985 A JP 8635985A JP S60258980 A JPS60258980 A JP S60258980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- layer
- semiconductor
- junction
- germanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006664 bond formation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体光検出装置に係り、特に高量子効率、広
波長帯域光検出装置に関する。
波長帯域光検出装置に関する。
半導体光検出装置、特にアバランシェ・ホトダイオード
（ＡＰＤと略称）では、なだれ現象を利用しているため
ｐｎ接合には高電界が生じ、いかにして均一に、かつ欠
陥なく接合を形成するかが重要である。また、素子の信
頼性を維持するためには表面に露出した接合を保護する
ことによって外部雰囲気の影響を排除することが大切で
ある。
（ＡＰＤと略称）では、なだれ現象を利用しているため
ｐｎ接合には高電界が生じ、いかにして均一に、かつ欠
陥なく接合を形成するかが重要である。また、素子の信
頼性を維持するためには表面に露出した接合を保護する
ことによって外部雰囲気の影響を排除することが大切で
ある。
従来は結晶形成技術、均一接合形成技術、表面保護技術
が進歩していること、物質個有の電子構造が紫外から近
赤外の比較的広い波長の光の検出に適していること、お
よび物質の禁止帯幅がある程度大きいため、常温動作に
おいて暗電流がかなり小さくなることなどの利点を持つ
ため、シリコンを材料とした光検出装置が最もよく用い
られている。
が進歩していること、物質個有の電子構造が紫外から近
赤外の比較的広い波長の光の検出に適していること、お
よび物質の禁止帯幅がある程度大きいため、常温動作に
おいて暗電流がかなり小さくなることなどの利点を持つ
ため、シリコンを材料とした光検出装置が最もよく用い
られている。
しかしながら、シリコン光検出装置は物質個有の電子構
造によって近赤外領域の光吸収係数が小さくなるため、
Ｇ ａ Ａ ｓを基体とした半導体レーザや発光ダイオ
ード、あるいは光ファイバの伝送損失が小さい波長領域
にあるＹＡＧレーザからの光に対する光電変換効率が著
しく低くなる。このため、ｐｉｎ構造や超階段接合構造
にすることによって、空乏層化した光吸収領域幅を大き
くし、受光素子としての他の性能を大幅に低下させずに
長波長側感度の低下を防止することに努めてきた。しか
し、空乏層幅を大きくすると、その領域で生じたキャリ
アが接合に到達するまでに要するキャリア走行時間が大
きくなり、高周波での応答速度が低下すること、広い領
域を空乏層化するためには動作電圧がかなり大きくなる
こと、空乏層幅を大きくしても長波長側感度、例えばＹ
ＡＧレーザ光などに対する感度を大きくするには限界が
あることなどの欠点があり、そうした改善が望まれてい
る。長波長側の光電変換効率を高める方法として、ゲル
マニウムを用いた光検出装置が考えられてる（例えば、
特開昭４９−１２２２９３号）が、ゲルマニウムのデバ
イス製造技術、表面保護技術などがシリコンに対する技
術はどでないこと、禁止帯幅が小さいため常温での暗電
流がかなり増加することは避けられないことなどの欠点
があり、それほど実用化されるまでに至っていない。
造によって近赤外領域の光吸収係数が小さくなるため、
Ｇ ａ Ａ ｓを基体とした半導体レーザや発光ダイオ
ード、あるいは光ファイバの伝送損失が小さい波長領域
にあるＹＡＧレーザからの光に対する光電変換効率が著
しく低くなる。このため、ｐｉｎ構造や超階段接合構造
にすることによって、空乏層化した光吸収領域幅を大き
くし、受光素子としての他の性能を大幅に低下させずに
長波長側感度の低下を防止することに努めてきた。しか
し、空乏層幅を大きくすると、その領域で生じたキャリ
アが接合に到達するまでに要するキャリア走行時間が大
きくなり、高周波での応答速度が低下すること、広い領
域を空乏層化するためには動作電圧がかなり大きくなる
こと、空乏層幅を大きくしても長波長側感度、例えばＹ
ＡＧレーザ光などに対する感度を大きくするには限界が
あることなどの欠点があり、そうした改善が望まれてい
る。長波長側の光電変換効率を高める方法として、ゲル
マニウムを用いた光検出装置が考えられてる（例えば、
特開昭４９−１２２２９３号）が、ゲルマニウムのデバ
イス製造技術、表面保護技術などがシリコンに対する技
術はどでないこと、禁止帯幅が小さいため常温での暗電
流がかなり増加することは避けられないことなどの欠点
があり、それほど実用化されるまでに至っていない。
本発明の目的は、光電変換効率が高く暗電流の少ない、
広波長帯域に応答する半導体光検出装置を提供すること
にある。
広波長帯域に応答する半導体光検出装置を提供すること
にある。
本発明は、上記目的を達成するため、光吸収領域とアバ
ランシェ領域を分離したことを特徴とする。すなわち、
受光部接合を禁止帯幅の大きい半導体で形成し、光吸収
領域を禁止帯幅の小さい半導体で形成したことを特徴と
する。
ランシェ領域を分離したことを特徴とする。すなわち、
受光部接合を禁止帯幅の大きい半導体で形成し、光吸収
領域を禁止帯幅の小さい半導体で形成したことを特徴と
する。
唱
このように光吸収領域を禁止帯域の小さい半導体で形成
していることから広波長帯域ｌ応答することができ、ま
た受光部接合を禁止帯幅の大きい半導体で形成している
ことから暗電流を低くすることができる。そして、禁止
帯幅の大きい接合領域では殆んど入射光が吸収されず、
内部の禁止帯幅の小さい領域で吸収されるため、受光表
面付近での光励起キャリアの再結合損失を小さくでき高
い光電変換効率が得られる。
していることから広波長帯域ｌ応答することができ、ま
た受光部接合を禁止帯幅の大きい半導体で形成している
ことから暗電流を低くすることができる。そして、禁止
帯幅の大きい接合領域では殆んど入射光が吸収されず、
内部の禁止帯幅の小さい領域で吸収されるため、受光表
面付近での光励起キャリアの再結合損失を小さくでき高
い光電変換効率が得られる。
第１に示すような従来のｎ＋ｐ ｐ” （ｎ＋πｐ”）
あるいはｎ ＋ ｐπｐ十構造の受光素子では、少なく
とも大部分のｐ層あるいはｐ層とπ層の全域を空乏層化
して動作させることが多く、その領域が主たる実効的な
光吸収領域となっている。本発明の実施例ではそのｐ層
の一部、ないしはπ層領域、家 あるいはｐ層の一部と一層領域をシリコンよりｌ３− 正帯幅の小さいシリコンとゲルマニウムの混晶によって
形成し、主接合（ｐｎ接合）はシリコンによって形成す
ることに特徴がある。
あるいはｎ ＋ ｐπｐ十構造の受光素子では、少なく
とも大部分のｐ層あるいはｐ層とπ層の全域を空乏層化
して動作させることが多く、その領域が主たる実効的な
光吸収領域となっている。本発明の実施例ではそのｐ層
の一部、ないしはπ層領域、家 あるいはｐ層の一部と一層領域をシリコンよりｌ３− 正帯幅の小さいシリコンとゲルマニウムの混晶によって
形成し、主接合（ｐｎ接合）はシリコンによって形成す
ることに特徴がある。
ｐ＋シリコン基板を用いた場合の本発明によるホトダイ
オードの一実施例を第２図に示し、製造方法について説
明する。Ｐ＋基板は取扱い上の理由から厚さが１５０〜
２００ＩＬｍで、オーミック電極を取り易くし、直列抵
抗を少なくする目的から比抵抗が０．０１Ω−■以下の
ウェハを用いる。
オードの一実施例を第２図に示し、製造方法について説
明する。Ｐ＋基板は取扱い上の理由から厚さが１５０〜
２００ＩＬｍで、オーミック電極を取り易くし、直列抵
抗を少なくする目的から比抵抗が０．０１Ω−■以下の
ウェハを用いる。
基板１上に連続的なエピタキシャル成長法によって、ま
ず厚さが１０μｍ、比抵抗が１００Ω−■のゲルマニウ
ムの混入モル比が２５％のｐ形混晶層２を形成し、次に
ゲルマニウムの供給を停止して高純度のｐ形シリコン層
３を形成する。領域３の厚さは５μｍ、比抵抗は２００
Ω−Ｇである。
ず厚さが１０μｍ、比抵抗が１００Ω−■のゲルマニウ
ムの混入モル比が２５％のｐ形混晶層２を形成し、次に
ゲルマニウムの供給を停止して高純度のｐ形シリコン層
３を形成する。領域３の厚さは５μｍ、比抵抗は２００
Ω−Ｇである。
その後公知の拡散法によって領域３内に表面濃度が１×
１０２０Ｇ−３、拡散深さ２μｍのチャンネル阻止Ｐ十
領域４が形成され、さらに公知の拡散法によって領域３
内に表面濃度が１×１０１Ｂ〔−３、拡散深さが１μｍ
のｎ＋層５が形成される。
１０２０Ｇ−３、拡散深さ２μｍのチャンネル阻止Ｐ十
領域４が形成され、さらに公知の拡散法によって領域３
内に表面濃度が１×１０１Ｂ〔−３、拡散深さが１μｍ
のｎ＋層５が形成される。
４−
領域５の厚さは１μｍ以下にすることが望ましい。
更に、表面保護膜としての酸化膜６を形成した後、反射
防止膜７、電極８，９が形成される。
防止膜７、電極８，９が形成される。
上述の方法によって得られたホトダイオードの動作につ
いて説明する。領域２，３は高抵抗であの るた〆、約２０Ｖの動作電圧で空乏層化し、その領域で
生じた光励起キャリアは飽和速度で接合１１まで走行す
る。また、領域２の帯止帯幅は約１、ＯｅＶになるため
（吸収端波長は約１．２４μｍになる）、吸収端波長が
長波長側まで延び、長波長側の吸収係数はＳｉの場合よ
りはるかに大きくなる。このため、波長が１．１μｍ程
度までの光感度は大幅に増加する。第３図は第２図にお
ける領域２を厚さ２０μｍのシリコンとした従来のシリ
コンのみを基体とした受光素子（曲線■）と本発明によ
る混晶領域が入った場合の受光素子（曲線■）の分光感
度特性を比較して示す。
いて説明する。領域２，３は高抵抗であの るた〆、約２０Ｖの動作電圧で空乏層化し、その領域で
生じた光励起キャリアは飽和速度で接合１１まで走行す
る。また、領域２の帯止帯幅は約１、ＯｅＶになるため
（吸収端波長は約１．２４μｍになる）、吸収端波長が
長波長側まで延び、長波長側の吸収係数はＳｉの場合よ
りはるかに大きくなる。このため、波長が１．１μｍ程
度までの光感度は大幅に増加する。第３図は第２図にお
ける領域２を厚さ２０μｍのシリコンとした従来のシリ
コンのみを基体とした受光素子（曲線■）と本発明によ
る混晶領域が入った場合の受光素子（曲線■）の分光感
度特性を比較して示す。
ｐ＋シリコン基板を用いた場合の本発明によるＡＰＤの
一実施例を第４図に示し、製造方法について説明する。
一実施例を第４図に示し、製造方法について説明する。
Ｐ＋基板は取扱い上の理由から厚さが１５０〜２００μ
ｍで、オーミック電極を取り易くし、直列抵抗を少なく
する目的から比抵抗が０．０１Ω−■以下のウェハを用
いる。基板２１上に連続エピタキシャル成長法によって
、まず厚さが１０μｍ、比抵抗が１００Ω−■のゲルマ
ニウムの混入モル比が最大２５％のＰ形混晶層２２（領
域２２の中間で混入モル比が最大となり、領域２１と次
に述べる領域２３との境界近くでは混入モル比が低下す
るようにする）を形成し、次にゲルマニウムの混入比が
零の純シリコンからなる厚さ５．５μｍ、不純物濃度５
Ｘ１０１５国−３のｐ影領域２３を形成する。その後公
知の拡散方法によって表面濃度が１×１０１９■−３、
拡散深さが６μｍのカードリング領域２４が形成され、
更に表面濃度が２Ｘ１０１Ｂ■−３、拡散深さ１μｍの
ｎ＋層２５が形成される。２６は表面保護膜、２７は反
射防止膜、２８．２９は電極である。
ｍで、オーミック電極を取り易くし、直列抵抗を少なく
する目的から比抵抗が０．０１Ω−■以下のウェハを用
いる。基板２１上に連続エピタキシャル成長法によって
、まず厚さが１０μｍ、比抵抗が１００Ω−■のゲルマ
ニウムの混入モル比が最大２５％のＰ形混晶層２２（領
域２２の中間で混入モル比が最大となり、領域２１と次
に述べる領域２３との境界近くでは混入モル比が低下す
るようにする）を形成し、次にゲルマニウムの混入比が
零の純シリコンからなる厚さ５．５μｍ、不純物濃度５
Ｘ１０１５国−３のｐ影領域２３を形成する。その後公
知の拡散方法によって表面濃度が１×１０１９■−３、
拡散深さが６μｍのカードリング領域２４が形成され、
更に表面濃度が２Ｘ１０１Ｂ■−３、拡散深さ１μｍの
ｎ＋層２５が形成される。２６は表面保護膜、２７は反
射防止膜、２８．２９は電極である。
本実施例によって得られたＡＰＤの動作につい； て説
明する。入射光の大部分は空乏層化された領域２２．２
３で吸収される。領域２１と２２の境界の電界強度は約
ｌＸ１０’Ｖ／■となっているため、領域２２．２３内
で光励起された電子は飽和速度で接合３０までドリフト
する。このため素子の応答速度は非常に早い。接合３０
はなだれ増倍を起すに十分な電界強度になっているため
、接合近傍に達したキャリアはなだれ増倍作用を受ける
。接合はシリコンによって形成されているため、均一で
欠陥がなく、安定な増倍特性が得られる。
明する。入射光の大部分は空乏層化された領域２２．２
３で吸収される。領域２１と２２の境界の電界強度は約
ｌＸ１０’Ｖ／■となっているため、領域２２．２３内
で光励起された電子は飽和速度で接合３０までドリフト
する。このため素子の応答速度は非常に早い。接合３０
はなだれ増倍を起すに十分な電界強度になっているため
、接合近傍に達したキャリアはなだれ増倍作用を受ける
。接合はシリコンによって形成されているため、均一で
欠陥がなく、安定な増倍特性が得られる。
領域２２は禁止帯幅が最小で約１．ＯｅＶと小さくなっ
ているため、その領域での長波長側吸収係数が増大し、
長波長側で従来素子より感度増感した。
ているため、その領域での長波長側吸収係数が増大し、
長波長側で従来素子より感度増感した。
かつ、長波長側応答波長の延びたＡＰＤが得られる。本
発明によるＡＰＤの分光感度特性は第３図に示したと同
様の特性を示す。また、本発明によるＡＰＤは領域２２
を約２０μｍとした従来のシリコンＡＰＤよりも動作電
圧は約１５Ｖ低減する上、上述したような分光感度特性
の改善が得られる。
発明によるＡＰＤの分光感度特性は第３図に示したと同
様の特性を示す。また、本発明によるＡＰＤは領域２２
を約２０μｍとした従来のシリコンＡＰＤよりも動作電
圧は約１５Ｖ低減する上、上述したような分光感度特性
の改善が得られる。
上述した本発明の実施例の効果を列挙すると次のように
なる。
なる。
７−
（イ）主接合（ｐｎ接合）はシリコンで形成するため、
シリコンデバイス技術が適用できるので、均一な欠陥の
ない接合が形成でき、ＡＰＤのような高電界が要求され
る場合でもマイクロプラズマのない秀れた接合を実現で
きる利点がある。
シリコンデバイス技術が適用できるので、均一な欠陥の
ない接合が形成でき、ＡＰＤのような高電界が要求され
る場合でもマイクロプラズマのない秀れた接合を実現で
きる利点がある。
（ロ）光吸収領域は禁止帯幅の小さい結晶で形成するた
め、そこでの光吸収係数が増大し、従来はど厚い光吸収
領域を必要としないこと。
め、そこでの光吸収係数が増大し、従来はど厚い光吸収
領域を必要としないこと。
（ハ）光吸収係数が大きくなるため、長波長側の光電変
換効率を高くできること。
換効率を高くできること。
（ニ）光吸収領域の禁止帯幅が小さくなるため、吸収端
が長波長側に延び、応答可能な波長帯域が広くなること
。
が長波長側に延び、応答可能な波長帯域が広くなること
。
（ホ）光吸収領域幅が従来より小さくてよいため、そこ
でのキャリア走行時間が小さくなり、高周波での応答特
性がよくなること。
でのキャリア走行時間が小さくなり、高周波での応答特
性がよくなること。
（へ）光吸収領域が小さくなるため、その領域を空乏層
化するために必要な動作電圧が小さくなること。
化するために必要な動作電圧が小さくなること。
これまでｐ＋基板を用いた場合について述べた８−
がＰ→Ｈ，ｎ−＋ｐ、π→νに変えたｎ＋基板を用いた
場合においても本発明の本質が変るものではない。
場合においても本発明の本質が変るものではない。
本発明では、主接合がシリコンのｐｎ接合を用いた場合
について述べたが、シリコンと薄い光透 ・過性の金属
とで形成される、いわゆるショットキ接合を用いた場合
においても本発明の本質に変りはない。
について述べたが、シリコンと薄い光透 ・過性の金属
とで形成される、いわゆるショットキ接合を用いた場合
においても本発明の本質に変りはない。
本発明によれば、禁止帯幅の小さい半導体で形成した光
吸収領域と禁止帯幅の大きい半導体で形成した受光部接
合領域とに分離していることから、光電変換効率が高く
暗電流の低い、広波長帯域に応答可能な半導体光検出装
置が得られる。
吸収領域と禁止帯幅の大きい半導体で形成した受光部接
合領域とに分離していることから、光電変換効率が高く
暗電流の低い、広波長帯域に応答可能な半導体光検出装
置が得られる。
第１図は従来の光検出器の断面図、第２図は本発明によ
る光検出器の一実施例を示す断面図、第３図は従来の光
検出器と本発明による光検出器の分光感度特性を示す図
、第４図は本発明による他の一実施例を示す断面図であ
る。 １ 基板 ２ 混晶領域 ３ シリコン層 ５ 拡散層 代理人 弁理士 小 川 勝 男 １１− 第７図 第２図 （祠 ６Ｓ怖〜Ｎ〉勺〜 ＼ ト 〜〜 〜〜 ヘ一へ−へ１ へ１ 〜 ｌ 誂号
る光検出器の一実施例を示す断面図、第３図は従来の光
検出器と本発明による光検出器の分光感度特性を示す図
、第４図は本発明による他の一実施例を示す断面図であ
る。 １ 基板 ２ 混晶領域 ３ シリコン層 ５ 拡散層 代理人 弁理士 小 川 勝 男 １１− 第７図 第２図 （祠 ６Ｓ怖〜Ｎ〉勺〜 ＼ ト 〜〜 〜〜 ヘ一へ−へ１ へ１ 〜 ｌ 誂号
Claims (1)
- １、禁止帯幅Ｅｇｚの半導体により形成された受光部接
合と、禁止帯幅Ｅｇ２の半導体とを有し、前記禁止帯幅
Ｅｇ２は禁止帯Ｅｇｔよりも小さいことを特徴とする半
導体光検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60086359A JPS60258980A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60086359A JPS60258980A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体光検出装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51090289A Division JPS5938748B2 (ja) | 1976-07-30 | 1976-07-30 | 半導体光検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60258980A true JPS60258980A (ja) | 1985-12-20 |
| JPS6229917B2 JPS6229917B2 (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=13884691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60086359A Granted JPS60258980A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体光検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60258980A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616374A1 (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-21 | Fujitsu Limited | A semiconductor light detecting device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4995867U (ja) * | 1972-12-12 | 1974-08-19 | ||
| JPS5051285A (ja) * | 1973-09-05 | 1975-05-08 |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP60086359A patent/JPS60258980A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4995867U (ja) * | 1972-12-12 | 1974-08-19 | ||
| JPS5051285A (ja) * | 1973-09-05 | 1975-05-08 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616374A1 (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-21 | Fujitsu Limited | A semiconductor light detecting device |
| US5552616A (en) * | 1993-03-19 | 1996-09-03 | Fujitsu Limited | Semiconductor light detecting device with groove |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6229917B2 (ja) | 1987-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0473197B1 (en) | Photo-sensing device | |
| CN113921646B (zh) | 单光子探测器及其制作方法、单光子探测器阵列 | |
| CA2050435C (en) | Photo-sensing device | |
| KR950004550B1 (ko) | 수광소자 | |
| JPH0799778B2 (ja) | 広いバンドギヤツプキヤツプ層を有する背面照明形フオトダイオード | |
| Olsen | Low-leakage, high-efficiency, reliable VPE InGaAs 1.0-1.7 µm photodiodes | |
| US5272364A (en) | Semiconductor photodetector device with short lifetime region | |
| US4816890A (en) | Optoelectronic device | |
| JPS5938748B2 (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JPS60258980A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JP2670289B2 (ja) | 赤外線検出用フオトダイオードおよびその製造方法 | |
| JPS60258979A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| KR100676733B1 (ko) | 엔아이피 구조를 갖는 자외선검지기 | |
| JPS60198786A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS59149070A (ja) | 光検出器 | |
| JPS6259905B2 (ja) | ||
| JPS6086877A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH10233523A (ja) | 光検出器 | |
| JPS62169376A (ja) | フオトダイオ−ド | |
| Purica et al. | Design and optimization of InGaAs/InP photodetector for coordinate sensitive detection systems | |
| JPS61131572A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JPH041740Y2 (ja) | ||
| JPS62186574A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPH0231509B2 (ja) | ||
| JPS6146076B2 (ja) |