JPS60254750A - 金配線の形成方法 - Google Patents
金配線の形成方法Info
- Publication number
- JPS60254750A JPS60254750A JP11142084A JP11142084A JPS60254750A JP S60254750 A JPS60254750 A JP S60254750A JP 11142084 A JP11142084 A JP 11142084A JP 11142084 A JP11142084 A JP 11142084A JP S60254750 A JPS60254750 A JP S60254750A
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- JP
- Japan
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- film
- gold
- silicon oxide
- oxide film
- wiring
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１１発明の技術分野
本発明は金配線の製造方法に関する。
（２）技術の背景
半導体装置の配線が金線を用いてなされる場合が多（、
半導体装置の例えばシリコン酸化膜を横断する金配線の
形成が注目されている。
半導体装置の例えばシリコン酸化膜を横断する金配線の
形成が注目されている。
（３）従来技術と問題点
金はシリコン酸化膜に対し密着性が著しく悪く、そのた
め従来シリコン酸化膜上に金配線が形成されることはな
かった。
め従来シリコン酸化膜上に金配線が形成されることはな
かった。
（４）発明の目的
本発明はシリコン酸化膜上にも金配線をなしうる方法を
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、金配線を形成する基
板表面に金との密着性をもった材料の薄膜を形成する工
程、前記薄膜上にシリコン酸化膜、次いで前記シリコン
酸化膜上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を金配線
パターンに対応しパターニングする工程、パターニング
されたレジスト膜をマスクにシリコン酸化膜に開孔部を
形成する工程、前記開孔部を含むシリコン酸化膜上に金
の膜を形成する工程、および水洗処理によりシリコン酸
化膜上の金の膜を除去し前記開孔部に金配線を形成する
工程を含むことを特徴とする金配線の形成方法を提供す
ることによって達成される。
板表面に金との密着性をもった材料の薄膜を形成する工
程、前記薄膜上にシリコン酸化膜、次いで前記シリコン
酸化膜上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を金配線
パターンに対応しパターニングする工程、パターニング
されたレジスト膜をマスクにシリコン酸化膜に開孔部を
形成する工程、前記開孔部を含むシリコン酸化膜上に金
の膜を形成する工程、および水洗処理によりシリコン酸
化膜上の金の膜を除去し前記開孔部に金配線を形成する
工程を含むことを特徴とする金配線の形成方法を提供す
ることによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
本発明者は、金のシリコン酸化膜に対する密着性はきわ
めて悪い一方で、それ以外の物質、例えば窒化膜（Ｓｉ
Ｎｘ） 、多結晶シリコン（ポリシリコン）には金の密
着性が良い事実に着目し、金配線を窒化膜などの上に形
成することを考えた。
めて悪い一方で、それ以外の物質、例えば窒化膜（Ｓｉ
Ｎｘ） 、多結晶シリコン（ポリシリコン）には金の密
着性が良い事実に着目し、金配線を窒化膜などの上に形
成することを考えた。
すなわち、本発明の方法を第１図以下を参照して説明す
ると、半導体基板１の上に形成された５ｉ０２膜２の上
に、シリコン窒化膜３（以下窒化膜という）を１０００
人以内の膜厚に形成する。この窒化膜は金との密着性を
よくする目的のためにのみ形成されるものであるから、
後処理で下地を出す必要があるとき容易にエツチング除
去されうるよう前記した膜厚内に留める。窒化膜３は例
えば化学気相成長法（ＣＶＤ法）で形成する。
ると、半導体基板１の上に形成された５ｉ０２膜２の上
に、シリコン窒化膜３（以下窒化膜という）を１０００
人以内の膜厚に形成する。この窒化膜は金との密着性を
よくする目的のためにのみ形成されるものであるから、
後処理で下地を出す必要があるとき容易にエツチング除
去されうるよう前記した膜厚内に留める。窒化膜３は例
えば化学気相成長法（ＣＶＤ法）で形成する。
次いでシリコン酸化膜４を例えばＣＶＤ法で形成する。
この膜の膜厚は、金配線の厚さおよび製造される半導体
装置の種類に対応して適宜設定される。
装置の種類に対応して適宜設定される。
引続き全面にレジスト膜５を形成し、それを形成される
べき金配線に対応してパターニングし、開孔部６を作る
。以上の工程はすべて通常の技術で実施可能である。
べき金配線に対応してパターニングし、開孔部６を作る
。以上の工程はすべて通常の技術で実施可能である。
バターニングされたレジスト膜５をマスクにシリコン酸
化膜をエツチングして第２図に示す開孔部７を形成し、
レジスト膜５を除去する。この開孔部７は形成されるべ
き金線のパターンに対応する。
化膜をエツチングして第２図に示す開孔部７を形成し、
レジスト膜５を除去する。この開孔部７は形成されるべ
き金線のパターンに対応する。
次いで金の蒸着によって金の膜８を形成する。
この金の膜のうち、開孔部７の底部の窒化膜と接する部
分では密着性が良く、シリコン酸化膜４の上では密着性
が悪い。
分では密着性が良く、シリコン酸化膜４の上では密着性
が悪い。
次いで水洗処理によって水で表面をたたくと（スクラバ
ー処理）化学品などを用いないクリーンな、かつ、通常
の技術でシリコン酸化膜４の上の金が除去され、第３図
に示される所望のパターンの金配線８ａが作られる。
ー処理）化学品などを用いないクリーンな、かつ、通常
の技術でシリコン酸化膜４の上の金が除去され、第３図
に示される所望のパターンの金配線８ａが作られる。
上記の工程に代えて、シリコン酸化膜をバターニングし
た後に、レジスト１１１！５を残したままで金を蒸着し
、リフトオフによってシリコン酸化膜の上の金を除去し
てもよい。この方法によると工程は簡略化されるが、残
存レジストの汚染の問題がある。他方、第２図を参照し
て説明したリフトオフによらない方法ではレジスト膜５
の除去の工程が加わるが、残存レジストによる汚染が発
生しない利点がある。
た後に、レジスト１１１！５を残したままで金を蒸着し
、リフトオフによってシリコン酸化膜の上の金を除去し
てもよい。この方法によると工程は簡略化されるが、残
存レジストの汚染の問題がある。他方、第２図を参照し
て説明したリフトオフによらない方法ではレジスト膜５
の除去の工程が加わるが、残存レジストによる汚染が発
生しない利点がある。
なお上記工程に用いた窒化膜に代えてポリシリコン膜を
用いても同様の効果が得られる。
用いても同様の効果が得られる。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、半導体装置の
金配線形成において、密着性の良い金の配線パターンを
得ることが可能になり、配線材料として優れた金配線の
利用が広くなるだけでなく、従来不可能であったシリコ
ン酸化膜を横断する金配線を作る必要があるとき特に有
効である。
金配線形成において、密着性の良い金の配線パターンを
得ることが可能になり、配線材料として優れた金配線の
利用が広くなるだけでなく、従来不可能であったシリコ
ン酸化膜を横断する金配線を作る必要があるとき特に有
効である。
第１図ないし第３図は本発明の方法により金配線を形成
する工程を示す断面図である。 １−半導体基板、’ｌ−５ｉ０２膜、 ３・−窒化膜、４・−シリコン酸化膜、５−レジスト膜
、６．７−開孔部、 ８・−金の膜、８ａ−・金配線
する工程を示す断面図である。 １−半導体基板、’ｌ−５ｉ０２膜、 ３・−窒化膜、４・−シリコン酸化膜、５−レジスト膜
、６．７−開孔部、 ８・−金の膜、８ａ−・金配線
Claims (1)
- 金配線を形成する基板表面に金との密着性をもった材料
の薄膜を形成する工程、前記薄膜上にシリコン酸化膜、
次いで前記シリコン酸化膜上にレジスト膜を形成し、該
レジスト膜を金配線パターンに対応しパターニングする
工程、パターニングされたレジス日臭をマスクにシリコ
ン酸化膜に開孔部を形成する工程、前記開孔部を含むシ
リコン酸化膜上に金の膜を形成する工程、および水洗処
理によりシリコン酸化膜上の金の膜を除去し前記開孔部
に金配線を形成する工程を含むことを特徴とする金配線
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142084A JPS60254750A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 金配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142084A JPS60254750A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 金配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254750A true JPS60254750A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14560720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11142084A Pending JPS60254750A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 金配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254750A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010125028A2 (de) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterkörper mit einem reflektierenden schichtsystem |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11142084A patent/JPS60254750A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010125028A2 (de) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterkörper mit einem reflektierenden schichtsystem |
| WO2010125028A3 (de) * | 2009-04-30 | 2011-04-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterkörper mit einem reflektierenden schichtsystem |
| US9012940B2 (en) | 2009-04-30 | 2015-04-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor bodies having a reflective layer system |
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