JPS60253824A - サ−モパイル - Google Patents

サ−モパイル

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Publication number
JPS60253824A
JPS60253824A JP11031984A JP11031984A JPS60253824A JP S60253824 A JPS60253824 A JP S60253824A JP 11031984 A JP11031984 A JP 11031984A JP 11031984 A JP11031984 A JP 11031984A JP S60253824 A JPS60253824 A JP S60253824A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper circuit
substrate
copper
ceramic
constantan
Prior art date
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Pending
Application number
JP11031984A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshitaka Fukuoka
義孝 福岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11031984A priority Critical patent/JPS60253824A/ja
Publication of JPS60253824A publication Critical patent/JPS60253824A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/12Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は耐熱性に優れたセラミックあるいはサファイヤ
を基板とするサーモパイルに関する。
[発明の技術的背景] 一般゛に、遠隔地点の高温源やスペクトル線等を検出す
るには、熱電対を多数直列に接続し両端の起電力から輻
射エネルギーを測定するサーモパイルが用いられている
従来からこのようなサーモパイルとしては、ポリイミド
樹脂基板の表面に銅箔を貼着しだ銅張ポリイミド樹脂基
板をエツチングして所定の銅回路パターンを形成し、こ
の銅回路パターンの端部間へ直列にコンスタンタン線を
半田付けして銅−コンスタンタン熱雷対を構成したもの
が用いられている。
[背景技術の問題点] しかしながら、このようなサーモパイルにおいては、基
板を構成するポリイミド樹脂の耐熱性が十分でないため
、コンスタンタン線の半田付けの際に銅回路パターンが
剥がれ易いという問題かあつ lこ 。
し発明の目的」 本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、銅回路パターンの剥がれがなく、信頼性の高いサー
モパイルを提供することを目的する。
[発明の概要] すケわす本発明のサーモパイルは、熱伝導率の高いセラ
ミックあるいはサファイヤからなる基板上の所定の位置
に複数の銅回路パターンを形成し、これらの銅回路パタ
ーン間をそれぞれコンスタンタン導体で直列に接続して
なることを特徴としている。
[発明の実施例] 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例の正面図、第2図は第1図に
おけるm−m’線に沿う断面図である。
図において、1は厚さが0.2〜0.35n+の熱伝導
率の高いセラミックまたはサフアイヤからなる基板を示
している。
基板に用いられるセラミックとし°Cは、アルミ、 す
(AJ2203)、酸化ケイ素、ベリリア等の酸化物系
のセラミックや、窒化アルミニウム(AAN)、窒化チ
タン、炭化ケイ素等の非酸化物系のセラミックがあげら
れる。
これらのセラミックの中でも、特にAJ2Nは熱伝導率
が高く(アルミナの5倍)、シかも機械的強度に優れて
いるので特に好適している。AANからなる基板を用い
た場合には、放熱性に優れ、割れ難く測定の信頼性の高
いサーモパイルが得られる。
このようなセラミックあるいはサファイヤからなる基板
1の片面には所定の形状に複数の銅回路パターン2が形
成されている。
この銅回路パターン2は、以下に示すような方法により
形成される。
すなわち、 (1)セラミックあるいはサファイヤからなる基板1の
表面にモリブデンあるいはタングステンペーストを塗布
し、これを還元雰囲気中で焼成してメタライズ処理し、
さらにこの上にNiの無電、解メッキを施し、この上に
所定の形状に打抜いた銅回路板を銀ろう付けにより接合
するか、あるいはセラミックまたはサファイヤからなる
基板1の片面全体に、まず比較的酸素結合力の強いT+
 、 crSNiから選ばれた金jI薄膜層(厚さ50
0〜2000人)を、蒸着、スパッタリング、イオンブ
レーティング等の方法により形成し、その上に半田に対
する濡れ性のよい銅の簿膜層を5000人〜1μmの廟
さに蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の
方法により形成し、さらにその上に電解メッキにより1
0〜50mmμmの厚さの銅層を形成する。
(2)次いでスクリーン印刷あるいは写真レジスト法に
より表面に所定のパターンを形成し、エツチング処理を
行なった後、レジストを除去し洗浄乾燥する方法がとら
れる。
なお、このようなエツチングによる方法以外にも、基板
の表面を所定のパターンとなるようにメタライジングし
、このパターン上に銅を直接電解メッキして銅回路パタ
ーンを形成するようにしてもよい。
ざらにこうして形成された銅回路パターン2の対応する
端部間には、直径50μ程度のコンスタンタン線(また
は箔)3がその両端を半田4により直列回路を構成する
ように接続される。
なお、第1図において、5はリード線である。
このリード瞭5の、他端は、両端A、Bに生ずる熱起電
力と測定するため検流計(図示せず)に接続されている
このように構成された実施例のサーモパイルにおいては
、基板が耐熱性に優れたセラミックあるいはサファイヤ
で構成されているので、その上に形成された銅回路パタ
ーン2が半田付けの際に剥がれることがない。
従って、この銅回路パターン2とこれに半田付けされた
コンスタンタン線3の組により銅−コンスタンタン熱雷
対が形成され、この上に輻射されるエネルギー量を高い
精度で測定することができる。
[発明の効果] 以上説明したように本発明のサーモパイルは、基板とし
て耐熱性に優れ機械的強度の高いセラミック板あるいは
サファイヤ板を使用しているので、半田付けの際に銅回
路パターンが剥がれるようなことがない。− 従って、本発明のサーモパイルによれば、輻射エネルギ
ー等の測定を高い精度および信頼性のもとで行なうこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の上面図、第2図は第1図に
おけるn−n’線に沿う断面図である。 1・・・・・・・・・・・・セラミックあるいはザファ
イヤからなる基板 2・・・・・・・・・・・・銅回路パターン3・・・・
・・・・・・・・コンスタンタン線4・・・・・・・・
・・・・半 田 5・・・・・・・・・・・・リード線 代理人弁理士 須 山 佐 − 第1図 第2図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)熱伝導率の高いセラミックあるいはサファイアか
    らなる基板上の所定の位置に複数の銅回路パターンを形
    成し、これらの銅回路パターン間をそれぞれコンスタン
    タン導体で直列に接続してなることを特徴とするサーモ
    パイル。
  2. (2)銅回路パターンは、セラミックあるいはサファイ
    ヤの基板上に、li、Or、Niから選ばれた金属薄膜
    層、銅薄膜層および銅電解メッキ層を順に形成し、これ
    をエツチングして形成されたものである特許請求の範囲
    第1項記載のサーモパ、 イル。
JP11031984A 1984-05-30 1984-05-30 サ−モパイル Pending JPS60253824A (ja)

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JP11031984A JPS60253824A (ja) 1984-05-30 1984-05-30 サ−モパイル

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JP11031984A JPS60253824A (ja) 1984-05-30 1984-05-30 サ−モパイル

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JPS60253824A true JPS60253824A (ja) 1985-12-14

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5487471A (en) * 1977-12-24 1979-07-11 Fuji Electric Co Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5488074A (en) * 1977-12-24 1979-07-12 Fuji Electric Co Ltd Manufacture for semiconductor device
JPS56162020A (en) * 1980-05-19 1981-12-12 Chino Works Ltd Thermopile

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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