JPS60253228A - エツチングモニタ−方法 - Google Patents
エツチングモニタ−方法Info
- Publication number
- JPS60253228A JPS60253228A JP10831084A JP10831084A JPS60253228A JP S60253228 A JPS60253228 A JP S60253228A JP 10831084 A JP10831084 A JP 10831084A JP 10831084 A JP10831084 A JP 10831084A JP S60253228 A JPS60253228 A JP S60253228A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- etching
- microcomputer
- electrode
- emission spectrum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、エツチングモニタ一方法に係り、特にガスプ
ラズマによりエツチング処理される被処理物のエツチン
グ状態をモニターするのに好適なエツチングモニタ一方
法に関するものである。
ラズマによりエツチング処理される被処理物のエツチン
グ状態をモニターするのに好適なエツチングモニタ一方
法に関するものである。
ガスプラズマによりエツチング処理される被処理物のエ
ツチング状態をモニターする技術とじては、例えば、特
公昭５４−２４６９７号公報に記載されているような、
プラズマ照射時に雰囲気ガスがプラズマ化して発光する
光の発光スペクトルの強度の経時変化から被処理物のエ
ツチング状態をモニター、即ち、エツチング終点を検知
する技術が知られている。
ツチング状態をモニターする技術とじては、例えば、特
公昭５４−２４６９７号公報に記載されているような、
プラズマ照射時に雰囲気ガスがプラズマ化して発光する
光の発光スペクトルの強度の経時変化から被処理物のエ
ツチング状態をモニター、即ち、エツチング終点を検知
する技術が知られている。
このような技術では、被処理物のエツチングが終了して
いるにもかかわらず、発光スペクトルの強度が時間的に
やや遅れて変化を示す場合があり、この場合、エツチン
グ終点検知に誤差が生じる。
いるにもかかわらず、発光スペクトルの強度が時間的に
やや遅れて変化を示す場合があり、この場合、エツチン
グ終点検知に誤差が生じる。
最近、エツチング速度は、従来のそれの１０倍近くも大
きくなっており、この誤差は更に増幅され歩留り低下の
原因となっている。
きくなっており、この誤差は更に増幅され歩留り低下の
原因となっている。
本発明の目的は、被処理物のエツチング状態のモニター
誤差の発生を抑制することで、歩留り低下を防止できる
エツチングモニタ一方法を提供することにある。
誤差の発生を抑制することで、歩留り低下を防止できる
エツチングモニタ一方法を提供することにある。
本発明は、発光部の特定スペクトル波長の発光極。奮
スペクトル強度信号と、被処理物が設置された電、極電
圧信号若しくは被処理物の被処理面の表面反射率信号と
の合成信号の経時変化により被処理物のエツチング状態
をモニターすることを特徴とするもので、合成信号によ
り被処理物のエツチング状態をモニターすることで、そ
の誤差の発生を抑制しようとするものである。
圧信号若しくは被処理物の被処理面の表面反射率信号と
の合成信号の経時変化により被処理物のエツチング状態
をモニターすることを特徴とするもので、合成信号によ
り被処理物のエツチング状態をモニターすることで、そ
の誤差の発生を抑制しようとするものである。
以下本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図はドライエツチング装置の内、反応性スパッタド
ライエツチング装置の概略を示した。ｌは被処理物であ
る基板、２は基板ｌが設置される電極である下部電極、
３は上部電極、４は反応性ガス導入口、５は排気口であ
る。また第１図には、発光スペクトル強度検出装置６と
、電極電圧測定装置７および信号処理を１各部を制御す
るマイクロコンピュータ８も示した。マイクロコンピュ
ータ８は、発光スペクトル強度検出装置６から出力した
発光部の特定スペクトル波長の発光スペクトル強度信号
と電極電圧信号装Ｍ７から出力した下部電極２の電極電
圧信号との両方の数値を演算処理してエツチング状態を
モニター、即ちエツチング終点を検知し、高周波電源９
を停止させる信号を出す機能を持っている。またこのマ
イクロコンピュータ８はエツチング終点検知専用とし、
このマイクロコンピュータ８から上位パーソナルコンピ
ュータ８′に信号を送り、このパーソナルコンピュータ
８′から高周波電源９を停止させる信号を出しても良い
。
ライエツチング装置の概略を示した。ｌは被処理物であ
る基板、２は基板ｌが設置される電極である下部電極、
３は上部電極、４は反応性ガス導入口、５は排気口であ
る。また第１図には、発光スペクトル強度検出装置６と
、電極電圧測定装置７および信号処理を１各部を制御す
るマイクロコンピュータ８も示した。マイクロコンピュ
ータ８は、発光スペクトル強度検出装置６から出力した
発光部の特定スペクトル波長の発光スペクトル強度信号
と電極電圧信号装Ｍ７から出力した下部電極２の電極電
圧信号との両方の数値を演算処理してエツチング状態を
モニター、即ちエツチング終点を検知し、高周波電源９
を停止させる信号を出す機能を持っている。またこのマ
イクロコンピュータ８はエツチング終点検知専用とし、
このマイクロコンピュータ８から上位パーソナルコンピ
ュータ８′に信号を送り、このパーソナルコンピュータ
８′から高周波電源９を停止させる信号を出しても良い
。
第２図に第１図の装置を用いて信号処理した場合の各信
号の強度の経時変化を示す。発光スペクトル強度信号Ａ
、または電極電圧信号Ａ２単独での変ｊ＼ 化より、この２信号な〆け合す処理をした合成信号Ａ３
の方が、より高い８Ｎ比が得られるため、エツチング終
点検知の誤差の発生を抑制でき、エツチング終点検知精
度を向上させることができる。
号の強度の経時変化を示す。発光スペクトル強度信号Ａ
、または電極電圧信号Ａ２単独での変ｊ＼ 化より、この２信号な〆け合す処理をした合成信号Ａ３
の方が、より高い８Ｎ比が得られるため、エツチング終
点検知の誤差の発生を抑制でき、エツチング終点検知精
度を向上させることができる。
第３図にＭＯ８型半導体装置の８１０２ エツチング処
理時にＣＯ（５１９ｎｍ ）の発光スペクトル強度信号
だけをマイクロコンピュータに取り込みエツチング終点
検知させた場合と第１図の装置でエツチング終点検知さ
せた場合のリフレッシュタイムのばらつきを比較して示
す。第１図の装置を用いた方がより精度よく制御されて
いるのがわかる。
理時にＣＯ（５１９ｎｍ ）の発光スペクトル強度信号
だけをマイクロコンピュータに取り込みエツチング終点
検知させた場合と第１図の装置でエツチング終点検知さ
せた場合のリフレッシュタイムのばらつきを比較して示
す。第１図の装置を用いた方がより精度よく制御されて
いるのがわかる。
なお、本実施例の他に、第４図に示すように、品
第１ノの電極電圧測定装置のかわりに、被処理物である
基板１の被処理面の表面反射率を測定し表面反射率信号
をマイクロコンピュータ８に出力する反射率測定装置ｌ
Ｏを用いても、上記一実施例での効果と同様の効果が得
られる。なお、第２図で、その他第１図と同−装置等は
同一符号で示し説明を省略する。
基板１の被処理面の表面反射率を測定し表面反射率信号
をマイクロコンピュータ８に出力する反射率測定装置ｌ
Ｏを用いても、上記一実施例での効果と同様の効果が得
られる。なお、第２図で、その他第１図と同−装置等は
同一符号で示し説明を省略する。
本発明は、以上説明したように、発光部の特定スペクト
ル波長の発光スペクトル強度信号と、被処理物が設置さ
れた電極の電極電圧信号若しくは被処理物の被処理面の
表面反射率信号との合成信号の経時変化により被処理物
のエツチング状態をモニターすることで、被処理物のエ
ツチング状態のモニター誤差の発生を抑制できるもので
、歩留り低下を防止できるという効果がある。
ル波長の発光スペクトル強度信号と、被処理物が設置さ
れた電極の電極電圧信号若しくは被処理物の被処理面の
表面反射率信号との合成信号の経時変化により被処理物
のエツチング状態をモニターすることで、被処理物のエ
ツチング状態のモニター誤差の発生を抑制できるもので
、歩留り低下を防止できるという効果がある。
・ ４
第１図は、本発明を実施した反応性スパッタドライエツ
チング装置の一例を示す構成図、第２図は、第１図のマ
イクロコンピュータに取り込まれた発光スペクトル強度
信号、電極電圧信号、それらの合成信号の経時変化を示
す線図、第３図は、リフレッシュタイムのばらつき比較
線図、第４図は、本発明を実施した反応性スパッタドラ
イエツチング装置の他の例を示す構成図である。
チング装置の一例を示す構成図、第２図は、第１図のマ
イクロコンピュータに取り込まれた発光スペクトル強度
信号、電極電圧信号、それらの合成信号の経時変化を示
す線図、第３図は、リフレッシュタイムのばらつき比較
線図、第４図は、本発明を実施した反応性スパッタドラ
イエツチング装置の他の例を示す構成図である。
Claims (1)
- １、 ガスプラズマによりエツチング処理される被処理
物のエツチング状態をモニターする方法において、発光
部の特定スペクトル波長の発光スペクトル強度信号と、
前記被処理物が設置された電極の電極電圧信号若しくは
被処理物の被処理面の表面反射率信号との合成信号の経
時変化により被処理物のエツチング状態をモニターする
ことを特徴とするエツチングモニタ一方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10831084A JPS60253228A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | エツチングモニタ−方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10831084A JPS60253228A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | エツチングモニタ−方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60253228A true JPS60253228A (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=14481463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10831084A Pending JPS60253228A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | エツチングモニタ−方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60253228A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04229620A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-08-19 | Applied Materials Inc | 多チャンネル・プラズマ放電終点検出システム及び方法 |
| JPH08330287A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-12-13 | At & T Corp | アクティブ・ニューラル・ネットワークによるプラズマ・エッチング・プロセスの終点の決定 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53138943A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Etching method and apparatus |
| JPS5739535A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Etching control method |
| JPS5916134B2 (ja) * | 1975-04-29 | 1984-04-13 | 隆之 宮尾 | 無段変速機の制御方法 |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP10831084A patent/JPS60253228A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5916134B2 (ja) * | 1975-04-29 | 1984-04-13 | 隆之 宮尾 | 無段変速機の制御方法 |
| JPS53138943A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Etching method and apparatus |
| JPS5739535A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Etching control method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04229620A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-08-19 | Applied Materials Inc | 多チャンネル・プラズマ放電終点検出システム及び方法 |
| JPH08330287A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-12-13 | At & T Corp | アクティブ・ニューラル・ネットワークによるプラズマ・エッチング・プロセスの終点の決定 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100515548B1 (ko) | 에칭 종점 검출 방법 | |
| JP3194022B2 (ja) | プラズマ表面処理の制御装置 | |
| WO1999040617A1 (fr) | Procede de detection de point final de traitement au plasma de semi-conducteurs | |
| JP2001085388A (ja) | 終点検出方法 | |
| JPH04196529A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6447691B1 (en) | Method for detecting end point of plasma etching, and plasma etching apparatus | |
| JPS60253228A (ja) | エツチングモニタ−方法 | |
| JP2003173896A (ja) | 異常放電検出装置、異常放電検出方法、及び、プラズマ処理装置 | |
| US6537460B1 (en) | Method for detecting an end point of etching in a plasma-enhanced etching process | |
| JP3015540B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001250812A (ja) | プラズマ処理の終点検出方法及び終点検出装置 | |
| JP3195695B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2972678B2 (ja) | スパッタリング装置及びリーク検出方法 | |
| JPH0750289A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH0737958A (ja) | 半導体処理工程監視装置 | |
| JPS63229718A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS6223113A (ja) | 終点検出方法 | |
| JP3790363B2 (ja) | グロー放電発光分光分析装置 | |
| JPH0261140B2 (ja) | ||
| JPH06338477A (ja) | エッチング終点検出装置 | |
| JPH0521395A (ja) | エツチング終点の検出方法 | |
| JP2000124198A (ja) | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 | |
| JPH01243524A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH02111020A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH05152254A (ja) | ドライエツチング装置 |